JPH083603A - 半導体薄膜形成用塗布ペーストの改質方法 - Google Patents
半導体薄膜形成用塗布ペーストの改質方法Info
- Publication number
- JPH083603A JPH083603A JP6137006A JP13700694A JPH083603A JP H083603 A JPH083603 A JP H083603A JP 6137006 A JP6137006 A JP 6137006A JP 13700694 A JP13700694 A JP 13700694A JP H083603 A JPH083603 A JP H083603A
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- JP
- Japan
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- paste
- thin film
- semiconductor thin
- coating paste
- film formation
- Prior art date
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体材料微粉末と粘結剤を含有した半導体
薄膜形成用塗布ペーストの分散性を向上させるとともに
ペースト作製時間を短縮する。 【構成】 超音波振動子により発生した超音波振動を容
器を介して半導体薄膜形成用塗布ペーストに与えること
により、ぺースト材料の分散性を向上する。
薄膜形成用塗布ペーストの分散性を向上させるとともに
ペースト作製時間を短縮する。 【構成】 超音波振動子により発生した超音波振動を容
器を介して半導体薄膜形成用塗布ペーストに与えること
により、ぺースト材料の分散性を向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、印刷方式による半導体
素子などの製造に用いられる半導体薄膜形成用塗布ペー
ストの改質方法に関する。
素子などの製造に用いられる半導体薄膜形成用塗布ペー
ストの改質方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体薄膜形成用塗布ペーストを作製す
るには、半導体材料の微粉末と粘結剤を擂潰機により混
合、混練してペースト状にした後、三本ローラーミルで
処理することにより材料の分散性を向上させる方法がと
られている。
るには、半導体材料の微粉末と粘結剤を擂潰機により混
合、混練してペースト状にした後、三本ローラーミルで
処理することにより材料の分散性を向上させる方法がと
られている。
【０００３】例えば、印刷方式のＣｄＳ／ＣｄＴｅ系太
陽電池のＣｄＳ膜は、ＣｄＳ微粉末に微量のＣｄＳＯ4
を含むＣｄＳ微粉末を融剤のＣｄＣｌ2および粘結剤の
プロピレングリコール、さらに水を加えてペーストを作
製し、これをガラス基板上に印刷し、乾燥後、窒素雰囲
気中で焼成することによって作製される。
陽電池のＣｄＳ膜は、ＣｄＳ微粉末に微量のＣｄＳＯ4
を含むＣｄＳ微粉末を融剤のＣｄＣｌ2および粘結剤の
プロピレングリコール、さらに水を加えてペーストを作
製し、これをガラス基板上に印刷し、乾燥後、窒素雰囲
気中で焼成することによって作製される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この種のペーストは、
半導体材料の分散が均一でないと、得られる半導体薄膜
の特性が一定せず、所定の特性の太陽電池を量産するこ
とが困難となる。例えば、前記のＣｄＳ薄膜を得るため
のペーストを調製するには、擂潰機により４時間程度の
混練を必要としていた。
半導体材料の分散が均一でないと、得られる半導体薄膜
の特性が一定せず、所定の特性の太陽電池を量産するこ
とが困難となる。例えば、前記のＣｄＳ薄膜を得るため
のペーストを調製するには、擂潰機により４時間程度の
混練を必要としていた。
【０００５】また、ペーストを長時間保管すると、半導
体材料が分離、析出することがあり、再度長時間の擂潰
機による混練をしないと使用できない不都合があった。
本発明は、以上のような不都合をなくし、半導体材料の
分散性に優れたペーストを得る方法を提供することを目
的とする。
体材料が分離、析出することがあり、再度長時間の擂潰
機による混練をしないと使用できない不都合があった。
本発明は、以上のような不都合をなくし、半導体材料の
分散性に優れたペーストを得る方法を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の塗布ペーストの
改質方法は、半導体材料微粉末と粘結剤を含む半導体薄
膜形成用塗布ペーストに超音波振動を与えるものであ
る。
改質方法は、半導体材料微粉末と粘結剤を含む半導体薄
膜形成用塗布ペーストに超音波振動を与えるものであ
る。
【０００７】
【作用】半導体材料微粉末と粘結剤を含有した半導体薄
膜形成用塗布ペースト内で半導体材料微粉末は分散して
存在しているが、同塗布ペーストに超音波振動を与える
ことによりペースト材料の分散性を向上させることがで
き、分散性向上の効果によりペースト作製時間を短縮す
ることが可能である。また、長期間保管し分散性の低下
したペーストに対して超音波振動を与えることにより、
再び分散性を回復することが可能である。
膜形成用塗布ペースト内で半導体材料微粉末は分散して
存在しているが、同塗布ペーストに超音波振動を与える
ことによりペースト材料の分散性を向上させることがで
き、分散性向上の効果によりペースト作製時間を短縮す
ることが可能である。また、長期間保管し分散性の低下
したペーストに対して超音波振動を与えることにより、
再び分散性を回復することが可能である。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、
半導体薄膜形成用塗布ペーストの改質装置の構成を示
す。容器４内に収容したペーストは、プロピレングリコ
ールと純水とを重量比５：１の割合で混合した溶液から
なる粘結剤３の１５２ｇに焼結融剤のＣｄＣｌ2を４８
ｇ溶解し、これに粒径２〜３μｍ程度に粉砕したしＣｄ
Ｓ（Ａタイプ）微粉末３８０ｇおよびＣｄＳＯ4を４重
量％含むＣｄＳ（Ｂタイプ）微粉末２０ｇを分散させた
ものであり、あらかじめ擂潰機により混練したものであ
る。５は超音波振動子、６はその電源であり、超音波振
動子５より発生する超音波振動は、容器４を介して塗布
ペーストに与えられる。
半導体薄膜形成用塗布ペーストの改質装置の構成を示
す。容器４内に収容したペーストは、プロピレングリコ
ールと純水とを重量比５：１の割合で混合した溶液から
なる粘結剤３の１５２ｇに焼結融剤のＣｄＣｌ2を４８
ｇ溶解し、これに粒径２〜３μｍ程度に粉砕したしＣｄ
Ｓ（Ａタイプ）微粉末３８０ｇおよびＣｄＳＯ4を４重
量％含むＣｄＳ（Ｂタイプ）微粉末２０ｇを分散させた
ものであり、あらかじめ擂潰機により混練したものであ
る。５は超音波振動子、６はその電源であり、超音波振
動子５より発生する超音波振動は、容器４を介して塗布
ペーストに与えられる。
【０００９】上記のような構成において、擂潰機により
２時間混練したペーストに対して、超音波振動子によ
り、２８ｋＨｚの超音波を与えたとき、その超音波振動
を与えた時間と、得られたペーストの粘度との関係は、
図２に示すような結果となった。図２から明らかなよう
に、超音波振動を与える時間の経過とともにペーストの
粘度が低下し、約６０秒でほぼ一定となり、微粉末の分
散性が向上している。
２時間混練したペーストに対して、超音波振動子によ
り、２８ｋＨｚの超音波を与えたとき、その超音波振動
を与えた時間と、得られたペーストの粘度との関係は、
図２に示すような結果となった。図２から明らかなよう
に、超音波振動を与える時間の経過とともにペーストの
粘度が低下し、約６０秒でほぼ一定となり、微粉末の分
散性が向上している。
【００１０】これに対して、従来の方法によると、上記
と同程度の粘度のペーストを得るには、擂潰機による混
練に約４時間要した。また、超音波振動を与える方法に
よると、長期間保管して半導体材料の微粉末が一部分離
し、析出した状態のものも容易に分散性を回復し、元の
粘度に調製することができた。
と同程度の粘度のペーストを得るには、擂潰機による混
練に約４時間要した。また、超音波振動を与える方法に
よると、長期間保管して半導体材料の微粉末が一部分離
し、析出した状態のものも容易に分散性を回復し、元の
粘度に調製することができた。
【００１１】以上の実施例ではＣｄＳ焼結膜形成用のペ
ーストについて述べたが、本発明は、ＣｄＴｅ焼結膜等
他の半導体薄膜形成用塗布ペーストにも同様に適用する
ことができる。
ーストについて述べたが、本発明は、ＣｄＴｅ焼結膜等
他の半導体薄膜形成用塗布ペーストにも同様に適用する
ことができる。
【００１２】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、ペースト内において半導体材料微粉末の分散性を向
上し、同ペーストの作製時間を短縮し、また同ペースト
の品質を向上することができる。
ば、ペースト内において半導体材料微粉末の分散性を向
上し、同ペーストの作製時間を短縮し、また同ペースト
の品質を向上することができる。
【図１】本発明の実施例における半導体薄膜形成用塗布
ペーストの改質装置の概略を模式的に示した図である。
ペーストの改質装置の概略を模式的に示した図である。
【図２】ペーストに超音波振動を与えた時間とペースト
の粘度の関係を示す図である。
の粘度の関係を示す図である。
１ ＣｄＳ（Ａタイプ）微粉末 ２ ＣｄＳ（Ｂタイプ）微粉末 ３ 粘結剤 ４ 容器 ５ 超音波振動子 ６ 電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 室園 幹夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体材料の微粉末と粘結剤を含む半導
体薄膜形成用塗布ペーストに超音波振動を与えることを
特徴とする半導体薄膜形成用塗布ペーストの改質方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6137006A JPH083603A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 半導体薄膜形成用塗布ペーストの改質方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6137006A JPH083603A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 半導体薄膜形成用塗布ペーストの改質方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH083603A true JPH083603A (ja) | 1996-01-09 |
Family
ID=15188609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6137006A Pending JPH083603A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 半導体薄膜形成用塗布ペーストの改質方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083603A (ja) |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP6137006A patent/JPH083603A/ja active Pending
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