JPH0836165A - 強誘電性液晶素子及びそれを用いた液晶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】液晶分子の移動を抑制してセル厚変化に伴う欠
陥の発生を防止すると共に、ラビング処理に伴う配向制
御膜の剥れや配向の乱れを低減し、電極の露呈に伴うシ
ョートの発生を防止する。 【構成】液晶素子の製造に際しては、基板１ａ，１ｂに
形成する絶縁膜５ａ，５ｂの中に多数の微粒子１３，…
を混入しておく。なお、これら微粒子１３，…の直径
は、絶縁膜５ａ，５ｂの厚さの１／３〜１／３０程度の
小さなものにしておく。従って、作製された液晶素子を
駆動しても液晶分子は微粒子１３，…の作用によって移
動せず、また、これらの微粒子１３，…はかなり小さく
配向制御膜６ａ，６ｂの表面にはほとんど凹凸が形成さ
れないため、ラビング処理を施しても配向制御膜６ａ，
６ｂの剥れはない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶を利用し
た液晶素子及びそれを用いた液晶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用
して偏光素子との組み合わせにより透過光線を制御する
型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウォ
ル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている（特開
昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２
４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温
度域において、非らせん構造のカイラルスメクチックＣ
相（ＳｍＣ^* ）又はＨ相（ＳｍＨ^* ）を有し、この状態
において、加えられる電界に応答して第１の光学的安定
状態と第２の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ電
界の印加のないときはその状態を維持する性質、すなわ
ち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答も速や
かであり、高速ならびに記憶型の表示素子用としての広
い利用が期待されている。

【０００３】ここで、強誘電性液晶の配向について説明
する。

【０００４】上述した強誘電性液晶はＣ１及びＣ２の２
種類の配向状態を有する。そして、これらの配向状態
は、図１に示すようなスメクチック層のシェブロン構造
の違いで説明されている。なお、図中の符号３１はスメ
クチック層を、符号３２はＣ１配向領域を、符号３８は
Ｃ２配向領域を、それぞれ示している。スメクチック液
晶は、一般に層構造を持つが、ＳｍＡ相からＳｍＣ相ま
たはＳｍ^* Ｃ相に転移すると層間隔が縮むので、図１に
示すように、層が上下基板（１ａ，１ｂ）の中央付近で
折れ曲がった構造（シェブロン構造）をとる。ここで、
折れ曲がる方向（配向状態）は、図１に示すように、Ｃ
１とＣ２の２つ有り得るが、良く知られているように一
軸性配向（ラビング）によって基板界面の液晶分子は基
板に対して角度をなし（プレチルト）、その方向はラビ
ング方向Ａに向かって液晶分子が頭をもたげる（先端が
浮いた格好になる）向きである。このプレチルトのため
にＣ１配向とＣ２配向とは弾性エネルギー的に等価でな
く、ある温度で転移が起こることがある。また、機械的
な歪みで転移が起こることもある。図１の層構造を平面
的に見ると、ラビング方向Ａに向かってＣ１配向からＣ
２配向に移るときの境界３４はジグザグの稲妻状でライ
トニング欠陥と呼ばれ、Ｃ２配向からＣ１配向に移ると
きの境界３５は幅の広いゆるやかな曲線状で、ヘアピン
欠陥と呼ばれる。

【０００５】ここで、強誘電性液晶を配向するために一
軸性配向処理が施された一対の基板を備え、該一対の基
板を、一軸性配向方向が相互にほぼ平行で同一方向にな
るように対向配置した液晶素子において、強誘電性液晶
のプレチルト角をαとし、チルト角（コーン角の１／
２）をΘとし、Ｓｍ^* Ｃ層の傾斜角をδとし、強誘電性
液晶が次式で表される配向状態を有するようにすると、
Ｃ１配向状態に於いてさらにシェブロン構造を有する４
つの状態が存在する。

【０００６】

【数１】Θ＜α＋δ この４つのＣ１配向状態は、従来のＣ１配向状態とは異
なっており、中でも４つのＣ１配向状態のうちの２つの
状態は、双安定状態（ユニフォーム状態）を形成してい
る。ここで、無電界時のみかけのチルト角をθａ（２つ
の安定状態における光学軸のなす角度の１／２）とすれ
ば、Ｃ１配向状態における４つの状態のうち、次式の関
係を示す状態をユニフォーム状態という。

【０００７】

【数２】Θ＞θａ＞Θ／２ ユニフォーム状態においては、その光学的性質からみて
液晶分子（ダイレクタ）が上下基板間でねじれていない
と考えられる。図２(a) はＣ１配向の各状態における基
板間の各位置でのダイレクタの配置を示す模式図であ
る。図中５１〜５４は各状態においてダイレクタをコー
ンの底面に投影し、これを底面方向から見た様子を示し
ており、Ｃダイレクタといわれる。この図で、符号５１
および５２がスプレイ状態、符号５３および５４がユニ
フォーム状態と考えられるＣダイレクタの配置である。
同図から分かるとおり、ユニフォームの２状態５３と５
４においては、上下いずれかの基板界面の液晶分子の位
置がスプレイ状態の位置と入れ替わっている。図２(b)
はＣ２配向を示しており、界面のスイッチングはなく内
部のスイッチングで２状態５５と５６がある。このＣ１
配向のユニフォーム状態は、従来用いていたＣ２配向に
おける双安定状態より大きなチルト角θａを生じ、輝度
大きくしかもコントラストが高い。

【０００８】ところで、上述した強誘電性液晶素子にお
いては、長時間駆動し続けると液晶分子が移動してセル
端部のセル厚が増加していき、黄色に色付いて見えてく
るという現象（以下、“黄変”とする）が認められる。
すなわち、一軸性配向処理方向Ａと液晶分子の平均分子
軸方向２１、２１´とが図３(a) に示す関係になるよう
に液晶素子を作成し、例えば、平均分子軸方向が符号２
１に示す方向である場合に液晶がスイッチングしない程
度の適当な交流電界を印加すると、液晶分子は矢印２２
方向に移動し、図２(b) に示すセル端部２３にて黄変が
発生する。なお、このような黄変は配向状態に依存して
おり、上述したＣ２配向では極めて起こりにくく、Ｃ１
配向で旦つユニフォーム配向の場合には顕著に観測され
る。

【０００９】そして、このような黄変は表示品質を劣化
させるものであることから、液晶分子の移動を抑制する
方法については従来より種々提案されている（特開平５
−２７３５３７号公報など）。その一例を、図４(a) 及
び(b) に沿って簡単に説明する。

【００１０】図に示す液晶素子Ｐ₀ は、相対向するよう
に配置された一対の基板１ａ，１ｂを備えており、ま
た、該素子Ｐ₀ は、これらの基板間に強誘電性液晶が挟
持されることにより構成されている。さらに、各基板１
ａ，１ｂの表面には、図４(a)及び(b) に詳示するよう
に、透明電極２ａ，２ｂがそれぞれ形成されており、各
透明電極２ａ，２ｂは、微粒子３，…の混入された絶縁
膜５ａ，５ｂによってそれぞれ被覆されている。また、
各絶縁膜５ａ，５ｂは配向制御膜６ａ，６ｂによって被
覆されており、これら配向制御膜６ａ，６ｂには前記微
粒子３，…による所定分布・所定高低差の凹凸が形成さ
れている。そして、上述した液晶分子の移動現象は配向
制御膜の表面状態（物理的状態）に強く依存しているこ
とから、上記凹凸によって液晶分子の移動が抑制され、
黄変の発生が低減されることとなる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述従
来例のように配向制御膜の表面に、高低差の大きな凹凸
を形成した場合には、ラビング処理によって配向制御膜
が剥れ易くなり、該膜が剥れた場合には配向が乱れてマ
ージンが著しく減少して不十分になるという問題があっ
た。また、絶縁膜中の微粒子の移動に伴い電極層が露呈
しショートして表示性能を著しく損なってしまうという
問題があった。

【００１２】そこで、本発明は、液晶分子の移動を抑え
て黄変の発生を抑制すると共に配向制御膜の剥れ等を防
止する強誘電性液晶素子及びそれを用いた液晶装置を提
供することを目的とするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、相対向するように配置された
一対の基板と、これらの基板上にそれぞれ形成された一
対の電極群と、各電極群をそれぞれ被覆するように形成
された一対の絶縁膜と、各絶縁膜をそれぞれ被覆するよ
うに形成された一対の配向制御膜と、前記一対の基板間
に挟持された強誘電性液晶とを備えた強誘電性液晶素子
に関し、特に、前記一対の絶縁膜のうちの少なくとも一
方の絶縁膜中に、該絶縁膜の厚さの１／３〜１／３０の
直径の微粒子を多数混入させた、ことを特徴とする。こ
の場合、前記絶縁膜が１００〜３０００Åの厚さであ
る、ようにすると好ましい。また、前記強誘電性液晶が
少なくとも２つの安定状態を示し、かつ、みかけのチル
ト角θａとチルト角Θとの関係が、 Θ＞θａ＞Θ／２ である、ようにすると好ましい。さらに、前記絶縁膜が
塗布型絶縁膜である、ようにしてもよい。また、前記微
粒子が無機酸化物微粒子である、ようにすると好まし
い。

【００１４】一方、本発明に係る液晶装置は、上述した
いずれか記載の強誘電性液晶素子を備え、強誘電性液晶
を制御することによって諸機能をもたせた液晶装置であ
る。

【００１５】

【作用】以上構成に基づき、液晶素子を駆動したときに
液晶分子が移動しようとしても、該液晶分子の移動は、
前記絶縁膜中に混入された多数の微粒子によって抑制さ
れる。また、微粒子の直径は、前記絶縁膜の厚さの１／
３〜１／３０と小さいことから、該微粒子によって前記
配向制御膜の表面に形成される凹凸はあまり大きくな
い。

【００１６】

【実施例】以下、図面に沿って、本発明の実施例につい
て説明する。なお、図４に示すものと同一部分は同一符
号を付して説明を省略する。

【００１７】まず、本実施例に係る液晶素子（強誘電性
液晶素子）Ｐの構造について、図５に沿って説明する。

【００１８】本実施例に係る液晶素子Ｐにおいて、透明
電極（電極群）２ａ，２ｂの厚さは３００〜３００Å程
度であり、強誘電性液晶としては、好ましくは、少なく
とも２つの安定状態をもつ非螺旋構造の強誘電性スメク
チック液晶が用いられる。また、絶縁膜５ａ，５ｂには
多数の微粒子１３，…が混入されている。この微粒子１
３，…は、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｔａ等の無機酸化
物（例えば、ＳｉＯ_X微粒子）からなり、微粒子１３，
…の直径は、絶縁膜５ａ，５ｂの厚さの１／３〜１／３
０とかなり小さく設定されている。微粒子混入の濃度は
５〜４０ｗｔ％程度が適当である。５％以下では本発明
の効果は極めて小さいと予想され、また、４０％を越え
ると凝集が激しく溶媒中に均一に分散させるのが極めて
困難になる恐れがある。特に好ましい分散性を得る範囲
は１０〜２５ｗｔ％である。また、絶縁膜５ａ，５ｂ
は、これらの微粒子１３，…を有機溶媒（例えば、主溶
媒ヘキシレングリコール）に分散させた溶液を塗布、焼
成することにより形成されている。さらに、本実施例に
おいては配向制御膜６ａ，６ｂの厚さを２０〜１０００
Åとしている。

【００１９】なお、本実施例においては、強誘電性液晶
にはカイラルスメクチック相状態のものを用いることが
でき、例えば、下記の相転移温度及び物性値を示すピリ
ミジン系混合液晶を用いることができる。

【００２０】

【化１】 ピリミジン系液晶Ａ チルト角 Θ ＝１４°（３０℃） 層の傾料角 δ ＝１１°（３０℃） 見かけのチルト角 θａ＝１１°（３０℃） 上記ピリミジン系液晶Ａにおいては、プレチルト角α
を、例えば１７°となるように配向制御膜６ａ，６ｂを
配向処理することにより、前記数１式及び数２式を満た
し、上述のＣ１ユニフォーム配向を得ることができる。

【００２１】上記ピリミジン系液晶は例えば、以下の組
成物として調製される。

【００２２】

【表１】 Ｒ₁ 〜Ｒ₂ は直鎖アルキル基である。又、３０℃で自発
分極Ｐｓ＝６．２ｎｃ／ｃｍ² である。

【００２３】なお、上述した絶縁膜５ａ，５ｂの形成
は、溶液を塗布・焼成することにより行っても良く、ま
た、スパッタ膜との複層構造でもよい。

【００２４】ついで、上述実施例の作用について説明す
る。

【００２５】本実施例に係る液晶素子Ｐを駆動しても、
絶縁膜中に分散された多数の微粒子１３，…によって液
晶分子の移動は抑制される。なお、これら微粒子１３，
…は、その直径が絶縁膜５ａ，５ｂの厚さの１／３〜１
／３０と、かなり小さいものであり、該微粒子１３，…
によって配向制御膜表面に形成される凹凸、特に、高低
差はかなり小さいものとなる。

【００２６】次に、本実施例の効果について説明する。

【００２７】本実施例によれば、絶縁膜５ａ，５ｂの中
には多数の微粒子１３，…が混入されているため、液晶
素子Ｐの駆動に伴い液晶分子が移動しようとしても該液
晶分子の移動は抑制される。従って、上記従来例にて述
べたようなセル厚の増大や黄変の発生が低減されて、均
一な表示状態を確保できる。また、本実施例において
は、配向制御膜６ａ，６ｂの表面の凹凸はかなり小さい
ものであるため、ラビング処理に伴う配向制御膜６ａ，
６ｂの剥れもなく、配向の乱れを低減でき、電極の露呈
に伴うショートの発生も防止できる。

【００２８】なお、本発明者は上記効果を確認するため
の実験を行った。以下、その実験の内容を簡単に説明す
る。 〈実験１〉本実験においては、基板１ａ，１ｂに、厚さ
が１．１ｍｍのガラス基板を用い、透明電極２ａ，２ｂ
には、厚さが約１０００ÅのＩＴＯ膜を用いた。また、
絶縁膜５ａ，５ｂの形成には、塗布型絶縁膜溶液セラメ
ートＲＴＺ−６（触媒化成製）に平均粒径３５０ÅのＳ
ｉＯ₂ 微粒子を２０ｗｔ％だけ分散させた溶液を用い、
該溶液を展色板を用いて印刷法にて塗布し、かつ８０℃
の温度で３分前後乾燥させ、さらにその後、３００℃の
温度で６０分間本焼成することにより絶縁膜５ａ，５ｂ
を形成した。なお、該絶縁膜５ａ，５ｂの厚さは、約１
０００Åとなるようにした。

【００２９】一方、配向制御膜６ａ，６ｂは、日立化成
（株）製のポリアミド酸ＬＱ１８０２の１％ＮＭＰ溶液
をスピナーにて塗布し、２７０℃の温度で６０分間焼成
することにより形成し、その厚さを２００Åとした。そ
して、このように、透明電極２ａ，２ｂ、絶縁膜５ａ，
５ｂ及び配向制御膜６ａ，６ｂを形成した２枚の基板１
ａ，１ｂに対して、ナイロン布でラビング処理を施し、
該ラビングの方向が同一となるように２枚の基板１ａ，
１ｂを貼り合わせた。なお、これらの基板１ａ，１ｂの
間には、直径１．２μｍのシリカビーズをスペーサとし
て多数介装させ、これらの基板１ａ，１ｂが、所定間隙
を有し、かつ平行に配置されるようにした。また、この
ようにして貼り合わせた基板１ａ，１ｂの間隙にはピリ
ミジン系混合液晶を１００℃の温度で注入し、液晶素子
Ｐを作製した。

【００３０】本発明者がラビング処理後の配向制御膜６
ａ，６ｂの表面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて
観察したところ、絶縁膜中に上述のように微粒子１３，
…を分散させたにもかかわらず、配向制御膜６ａ，６ｂ
の表面には該微粒子１３，…による凹凸は観察されず、
配向制御膜６ａ，６ｂの表面が平滑であることを確認し
た。また、従来例にて説明したような配向制御膜６ａ，
６ｂの剥れも発見されず、ピリミジン系混合液晶はきれ
いな均一Ｃ１配向を呈していた。さらに、絶縁膜５ａ，
５ｂと微粒子１３，…との境界部分が配向制御膜６ａ，
６ｂの表面に露呈したり、あるいは配向制御膜６ａ，６
ｂの表面に凸な微粒子１３，…がラビングによって移動
して電極２ａ，２ｂが露呈する等の状態は観察されなか
った。

【００３１】一方、作製した液晶素子Ｐの配向を、図３
(a) に示す平均分子軸方向２１に揃え、パルス幅Δ＝２
５μｓ、電圧振幅Ｔ_PP＝４０Ｖ、１／２デュ−ティの矩
形波を約１２時間印加し、その後、前記同図(b) に示す
領域２３のセル厚を観察したところ、初期に比較して約
１５％しか増加しなかった。また、この液晶素子Ｐをク
ロスニコルに配置した２枚の偏光板の間に配置し、色付
きを目視により観察したところ、色付きした部分（すな
わち、セル厚の増加した部分）は観察されなかった。 〈実験２〉本実験においては微粒子の直径を４５０Å
と、実験１に比べて大きくした。また、絶縁膜５ａ，５
ｂの厚さを２００Åとした。一方、配向制御膜６ａ，６
ｂの厚さを、実験１に比べて薄くし、具体的には１５０
Åとした。

【００３２】なお、それ以外の条件は実験１と同じにし
た。すなわち、厚さ１．１ｍｍのガラス基板を用い、該
基板上には厚さが約１０００Åの透明電極２ａ，２ｂ
（ＩＴＯ膜）を形成した。また、絶縁膜５ａ，５ｂは、
塗布型絶縁膜溶液セラメートＲＴＺ−６（触媒化成製）
にＳｉＯ₂ 微粒子（但し、平均粒径は４５０Å）を２０
ｗｔ％だけ分散させた溶液を用いて形成し、印刷法、及
び上述と同一条件の乾燥・焼成を行うことにより形成し
た。

【００３３】一方、配向制御膜６ａ，６ｂも、実験１と
同じ溶液を塗布した後に、実験１と同じ条件で焼成する
ことにより形成した。さらに、ラビング処理を施した後
に、シリカビーズ等を用いて液晶素子Ｐを組み立て、そ
の中にピリミジン系混合液晶を注入した。

【００３４】本発明者が、配向制御膜６ａ，６ｂの形成
前に、絶縁膜５ａ，５ｂの表面をＳＴＭ（走査型トンネ
ル顕微鏡）を用いて観察したところ、微粒子が絶縁膜５
ａ，５ｂの表面に露呈していることが確認された。な
お、これら微粒子による凹凸の高低差は１５０〜４００
Å程度であった。また、ピリミジン系混合液晶はＣ１ユ
ニフォーム配向であったが、その配向は、実験１のもの
に比べてムラが多く汚いものであった。さらに、駆動条
件や駆動温度によってはＣ２配向の出現が著しく、その
ため、液晶素子の表示性能は実験１のものに比べて劣っ
ていた。

【００３５】また、実験２で作製した液晶素子を、実験
１と同一の電圧を印加して駆動し、領域２３におけるセ
ル厚の増加を測定したところ、初期に比較して１２％増
加していた。さらに、実験１と同様に、偏光板間に配置
した液晶素子の色付きを目視確認したところ、黄変は発
見されなかった。

【００３６】なお、上述した実験１においては絶縁膜５
ａ，５ｂの厚さを１１００Åとし、微粒子１３，…の平
均粒径を３５０Åとしているが、もちろんこれに限る必
要はなく、液晶素子Ｐの駆動条件（駆動スピード等）や
駆動温度範囲に応じて設定すればよい。また、上述実施
例においては多数の微粒子１３，…は両方の絶縁膜５
ａ，５ｂの中に混入するものとしたが、もちろんこれに
限る必要はなく、いずれか一方の絶縁膜５ａ又は５ｂの
中に混入するものとし、他方の絶縁膜５ｂ又は５ａの中
には混入しないようにしてもよい。

【００３７】最後に、上記液晶素子Ｐを用いた液晶装置
として、情報を表示するようにした液晶表示装置４００
について、図６に沿って簡単に説明する。

【００３８】上述した液晶素子Ｐには走査信号印加回路
４０２及び情報信号印加回路４０３が接続されており、
これらの回路４０２，４０３には、走査信号制御回路４
０４及び情報信号制御回路４０６、駆動制御回路４０
５、及びグラフィックコントローラ４０７が順に接続さ
れている。そして、駆動制御回路４０５を介してグラフ
ィックコントローラ４０７から走査信号制御回路４０４
及び情報信号制御回路４０６へは、データと走査方式信
号とが送信されるようになっている。このうちのデータ
は、これらの回路４０４，４０６によってアドレスデー
タと表示データとに変換され、また、他方の走査方式信
号は、そのまま走査信号印加回路４０２及び情報信号印
加回路４０３に送られるようになっている。さらに、走
査信号印加回路４０２は、アドレスデータによって決ま
る走査電極２ａに走査方式信号によって決まる波形の走
査信号を印加し、また情報信号印加回路４０３は、表示
データによって送られる白又は黒の表示内容と走査方式
信号の２つによって決まる波形の情報信号を情報電極２
ｂに印加するように構成されている。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると強
誘電性液晶素子が駆動されたときに液晶分子が移動しよ
うとしても、その液晶分子の移動は抑制される。従っ
て、上記従来例にて述べたようなセル厚の増大や黄変の
発生が低減されて、均一な表示状態を確保できる。ま
た、本発明によれば、配向制御膜の表面の凹凸はかなり
小さいものであるため、ラビング処理に伴う配向制御膜
の剥れもなく、配向の乱れを低減でき、電極の露呈に伴
うショートの発生も防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】スメクチック層の配向モデルを示した図。

【図２】(a) はＣ１配向の各状態における基板間の各位
置でのダイレクタの配置を示す模式図、(b) はＣ２配向
を示す模式図。

【図３】(a) はラビング方向と液晶の移動方向との関係
を説明するための図、(b) は液晶の移動に伴い黄変する
領域等を説明するための図。

【図４】従来の液晶素子の構造を説明するための図であ
り、(a) は上基板の構造を示す断面図、(b) は下基板の
構造を示す断面図。

【図５】本発明に係る液晶素子の構造を説明するための
図であり、(a) は上基板の構造を示す断面図、(b) は下
基板の構造を示す断面図。

【図６】液晶素子を用いた液晶装置の構成を示すブロッ
ク図。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ 基板（ガラス基板） ２ａ，２ｂ 電極群（透明電極） ３，… 微粒子 ４ａ，４ｂ 絶縁膜 ５ａ，５ｂ 配向制御膜 ４００ 液晶表示装置（液晶装置） ４０４ 走査信号制御回路 ４０６ 情報信号制御回路 ４０７ グラフィックコントローラ Ｐ 液晶素子（強誘電性液晶素子）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 相対向するように配置された一対の基板
   と、これらの基板上にそれぞれ形成された一対の電極群
   と、各電極群をそれぞれ被覆するように形成された一対
   の絶縁膜と、各絶縁膜をそれぞれ被覆するように形成さ
   れた一対の配向制御膜と、前記一対の基板間に挟持され
   た強誘電性液晶とを備えた強誘電性液晶素子において、 前記一対の絶縁膜のうちの少なくとも一方の絶縁膜中
   に、該絶縁膜の厚さの１／３〜１／３０の直径の微粒子
   を多数混入させた、 ことを特徴とする強誘電性液晶素子。
2. 【請求項２】 前記絶縁膜が１００〜３０００Åの厚さ
   である、 ことを特徴とする請求項１記載の強誘電性液晶素子。
3. 【請求項３】 前記強誘電性液晶が少なくとも２つの安
   定状態を示し、かつ、 みかけのチルト角θａとチルト角Θとの関係が、 Θ＞θａ＞Θ／２ である、 ことを特徴とする請求項１又は２記載の強誘電性液晶素
   子。
4. 【請求項４】 前記絶縁膜が塗布型絶縁膜である、 請求項１乃至３のいずれか１項記載の強誘電性液晶素
   子。
5. 【請求項５】 前記微粒子が無機酸化物微粒子である、 請求項１乃至４のいずれか１項記載の強誘電性液晶素
   子。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか記載の強誘電
   性液晶素子、 を備えてなる液晶装置。