JPH0836742A - 潤滑層および磁気記録媒体 - Google Patents
潤滑層および磁気記録媒体Info
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- JPH0836742A JPH0836742A JP17415594A JP17415594A JPH0836742A JP H0836742 A JPH0836742 A JP H0836742A JP 17415594 A JP17415594 A JP 17415594A JP 17415594 A JP17415594 A JP 17415594A JP H0836742 A JPH0836742 A JP H0836742A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 新規な潤滑層およびそれを使用した潤滑性・
耐摩耗性に優れ、良好なトライボロジー性能を有する磁
気記録媒体を提供する。 【構成】 潤滑作用を担う分子骨格を置換基として有す
る環状多座配位子と、極性官能基を有する鎖状潤滑剤分
子とからなる潤滑層および非磁性基板上に磁性層を有し
てなる磁気記録媒体において、該潤滑層を表面に設けた
磁気記録媒体であって、吸着現象（スティッキング）が
抑制され、良好な耐久性を有する。
耐摩耗性に優れ、良好なトライボロジー性能を有する磁
気記録媒体を提供する。 【構成】 潤滑作用を担う分子骨格を置換基として有す
る環状多座配位子と、極性官能基を有する鎖状潤滑剤分
子とからなる潤滑層および非磁性基板上に磁性層を有し
てなる磁気記録媒体において、該潤滑層を表面に設けた
磁気記録媒体であって、吸着現象（スティッキング）が
抑制され、良好な耐久性を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速で摺動する固体接
触界面において、数ｎｍ以下の膜厚でも潤滑機能を発現
する潤滑層に関するものである。具体的には、情報産業
等で利用される高記録密度の磁気記録媒体における潤滑
システムに関するものであり、例えば、固定型の薄膜磁
気記録ディスク等の磁気記録媒体用潤滑層として利用す
ることができる。
触界面において、数ｎｍ以下の膜厚でも潤滑機能を発現
する潤滑層に関するものである。具体的には、情報産業
等で利用される高記録密度の磁気記録媒体における潤滑
システムに関するものであり、例えば、固定型の薄膜磁
気記録ディスク等の磁気記録媒体用潤滑層として利用す
ることができる。
【０００２】
【従来の技術】情報産業等で利用される高記録密度の磁
気記録媒体の代表的な例である薄膜型磁気記録媒体は、
通常、磁性金属またはその合金をメッキ、蒸着またはス
パッタリング法等によって非磁性基板上に披着して製造
される。実際の使用時においては磁気ヘッドと磁気記録
媒体とが高速で接触摺動するので、摩耗損傷を受けた
り、磁気特性の劣化を起こしたりする。
気記録媒体の代表的な例である薄膜型磁気記録媒体は、
通常、磁性金属またはその合金をメッキ、蒸着またはス
パッタリング法等によって非磁性基板上に披着して製造
される。実際の使用時においては磁気ヘッドと磁気記録
媒体とが高速で接触摺動するので、摩耗損傷を受けた
り、磁気特性の劣化を起こしたりする。
【０００３】このような欠点を解決する方法として、磁
性層上に保護膜や潤滑層を設けることによって接触摺動
の際の静／動摩擦を極力低減させ、耐摩耗性を向上させ
ることが提案されている。保護膜としては、炭素質膜、
酸化物膜、窒化物膜及びホウ化物膜等が利用される。潤
滑剤としては液体潤滑剤または固体潤滑剤が使用される
が、一般的には液体潤滑剤であるパーフルオロポリエー
テル化合物がディスク表面に塗布されている。
性層上に保護膜や潤滑層を設けることによって接触摺動
の際の静／動摩擦を極力低減させ、耐摩耗性を向上させ
ることが提案されている。保護膜としては、炭素質膜、
酸化物膜、窒化物膜及びホウ化物膜等が利用される。潤
滑剤としては液体潤滑剤または固体潤滑剤が使用される
が、一般的には液体潤滑剤であるパーフルオロポリエー
テル化合物がディスク表面に塗布されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録媒体は、その
使用時においてディスク媒体が停止状態から急速に回転
加速され、これに伴い、浮上ヘッドスライダに浮力が与
えられてヘッドは浮上する。使用後に電源が切断される
とディスク媒体を回転させているモータが停止し、ヘッ
ドと媒体とが高速で接触を起こして摺動する。
使用時においてディスク媒体が停止状態から急速に回転
加速され、これに伴い、浮上ヘッドスライダに浮力が与
えられてヘッドは浮上する。使用後に電源が切断される
とディスク媒体を回転させているモータが停止し、ヘッ
ドと媒体とが高速で接触を起こして摺動する。
【０００５】ところが、近年、面記録密度を高めるため
にヘッドの低浮上化とディスク回転の高速化が求められ
ており、媒体基板はより平滑になる方向にある。動摩擦
係数を低減するために液体潤滑膜を設けることは非常に
有効であるが、液体潤滑膜を厚くしていくと、ヘッドと
ディスクとの間に液体潤滑剤の表面張力によるマイクロ
メニスカスが形成されて、吸着現象(sticking)が生じる
ことが知られている。このため静摩擦係数が増加し、往
々にしてヘッドがディスクに張り付いたまま動作不能と
なることが指摘されている。
にヘッドの低浮上化とディスク回転の高速化が求められ
ており、媒体基板はより平滑になる方向にある。動摩擦
係数を低減するために液体潤滑膜を設けることは非常に
有効であるが、液体潤滑膜を厚くしていくと、ヘッドと
ディスクとの間に液体潤滑剤の表面張力によるマイクロ
メニスカスが形成されて、吸着現象(sticking)が生じる
ことが知られている。このため静摩擦係数が増加し、往
々にしてヘッドがディスクに張り付いたまま動作不能と
なることが指摘されている。
【０００６】すなわち、ヘッドの飛行高さを低下させる
ために基板を平滑にするに従い、液体潤滑剤では上記吸
着現象が非常に発生し易くなるという深刻な欠点があ
り、また、吸着を防ぐために膜厚を減ずると充分な耐久
性が得られなくなるという問題がある。これらの現象を
回避するために、液体潤滑剤のメニスカス抑制の検討が
なされ、その固着方法が提案されている。
ために基板を平滑にするに従い、液体潤滑剤では上記吸
着現象が非常に発生し易くなるという深刻な欠点があ
り、また、吸着を防ぐために膜厚を減ずると充分な耐久
性が得られなくなるという問題がある。これらの現象を
回避するために、液体潤滑剤のメニスカス抑制の検討が
なされ、その固着方法が提案されている。
【０００７】パーフルオロポリエーテル化合物に官能基
を導入して分子の結合力を改良する方法がこれまで種々
提案されており、例えば、潤滑剤分子を固定化する方法
としてアシルアジド基を有する含フッ素重合体よりなる
潤滑剤を保護膜表面に付着した後、加熱処理する方法
（特開平２−２７５２１）、あるいは２種類の潤滑剤を
組み合わせる方法として、両末端にアミノ基を備えたパ
ーフルオロポリエーテル化合物と両末端にカルボキシル
基を備えたパーフルオロポリエーテル化合物とを混合さ
せて、水素結合のネットワークを形成させる方法（特開
平５−２０５２５３）等が提案されている。しかしなが
ら、磁気記録媒体の性能向上に対する要求は厳しく、従
来の構成では十分な特性であるとはいえず、特に高湿度
下における潤滑性、耐摩耗性、耐蝕性および吸着（ステ
ィクション）特性等を含めた長期にわたる耐久性におい
て一層の改善が望まれている。
を導入して分子の結合力を改良する方法がこれまで種々
提案されており、例えば、潤滑剤分子を固定化する方法
としてアシルアジド基を有する含フッ素重合体よりなる
潤滑剤を保護膜表面に付着した後、加熱処理する方法
（特開平２−２７５２１）、あるいは２種類の潤滑剤を
組み合わせる方法として、両末端にアミノ基を備えたパ
ーフルオロポリエーテル化合物と両末端にカルボキシル
基を備えたパーフルオロポリエーテル化合物とを混合さ
せて、水素結合のネットワークを形成させる方法（特開
平５−２０５２５３）等が提案されている。しかしなが
ら、磁気記録媒体の性能向上に対する要求は厳しく、従
来の構成では十分な特性であるとはいえず、特に高湿度
下における潤滑性、耐摩耗性、耐蝕性および吸着（ステ
ィクション）特性等を含めた長期にわたる耐久性におい
て一層の改善が望まれている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題点
を解決するためになされたものであり、厳しい条件下に
おいても耐久性に優れた潤滑層を構築することによっ
て、長年月の使用に耐える高記録密度の磁気記録媒体を
提供することを目的とする。すなわち、本発明の要旨
は、潤滑作用を担う分子骨格を置換基として有する環状
多座配位子と極性官能基を有する鎖状潤滑剤分子とを組
み合わせて用いることを特徴とする潤滑層にあり、磁気
記録媒体に該潤滑層を設けることにより、優れた潤滑性
・耐摩耗性を有するとともに、スティクション現象を防
止し、高湿度下等のより厳しい条件下においても信頼性
の高い磁気記録媒体が得られる。
を解決するためになされたものであり、厳しい条件下に
おいても耐久性に優れた潤滑層を構築することによっ
て、長年月の使用に耐える高記録密度の磁気記録媒体を
提供することを目的とする。すなわち、本発明の要旨
は、潤滑作用を担う分子骨格を置換基として有する環状
多座配位子と極性官能基を有する鎖状潤滑剤分子とを組
み合わせて用いることを特徴とする潤滑層にあり、磁気
記録媒体に該潤滑層を設けることにより、優れた潤滑性
・耐摩耗性を有するとともに、スティクション現象を防
止し、高湿度下等のより厳しい条件下においても信頼性
の高い磁気記録媒体が得られる。
【０００９】本発明の潤滑層を構成する成分の一つとし
て、極性官能基を有する鎖状潤滑剤分子が用いられる。
極性官能基は潤滑剤分子の末端に位置することが環状多
座配位子との相互作用の上から好ましい。鎖状潤滑剤分
子としては、液体潤滑剤分子、固体潤滑剤分子のいずれ
も用いることができる。液体潤滑剤分子としては、通
常、パーフルオロポリエーテル等のフッ化アルキル系液
体潤滑剤を用いられ、−（ＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ）
m （ＣＦ2 Ｏ）n −骨格を有するモンテジソン社製のフ
ォンブリン系潤滑剤、−（ＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ）p−
骨格を有するダイキン工業社製のデムナム系潤滑剤、−
（ＣＦ2 ＣＦ（ＣＦ3 ）Ｏ）q −骨格を有するデュポン
社製のクライトックス系潤滑剤等が挙げられる。上記式
中、ｍ，ｎ，ｐ，ｑは１以上の整数を示すが、通常、５
〜５０程度のものが用いられる。また、分子量として
は、５００以上が好ましく、特に６００〜８０００程度
のものが好ましい。なお、上に例示したパーフルオロポ
リエーテル系分子骨格に、更に分岐鎖状または直鎖状の
飽和または不飽和の高級脂肪族炭化水素鎖、芳香族基や
ヘテロ原子を含む高級脂肪族炭化水素鎖等が結合したも
のを用いることもできる。その他の潤滑剤骨格としてポ
リブテン系、ポリアルキレングリコール系、りん酸エス
テル系、ポリオレフィン系、ポリオールエステル系、ア
ルキルナフタレン系、シリコン油系、ポリアリールアル
カン系、ポリフェニル系、けい酸エステル系、ポリフェ
ニルエーテル系の骨格を有する液体潤滑剤を用いること
ができる。固体潤滑剤分子としては、分岐鎖状または直
鎖状の飽和または不飽和の高級脂肪族炭化水素鎖、芳香
族残基やヘテロ原子を含む前記高級脂肪族炭化水素鎖、
あるいは前記高級脂肪族炭化水素鎖の一部または全部が
ポリエーテル鎖を形成している長鎖分子骨格を有するも
のなど、潤滑作用を有するものであれば結合の種類によ
らず選択することができる。長鎖分子骨格の炭素原子数
は、８以上、好ましくは１２以上である。
て、極性官能基を有する鎖状潤滑剤分子が用いられる。
極性官能基は潤滑剤分子の末端に位置することが環状多
座配位子との相互作用の上から好ましい。鎖状潤滑剤分
子としては、液体潤滑剤分子、固体潤滑剤分子のいずれ
も用いることができる。液体潤滑剤分子としては、通
常、パーフルオロポリエーテル等のフッ化アルキル系液
体潤滑剤を用いられ、−（ＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ）
m （ＣＦ2 Ｏ）n −骨格を有するモンテジソン社製のフ
ォンブリン系潤滑剤、−（ＣＦ2 ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ）p−
骨格を有するダイキン工業社製のデムナム系潤滑剤、−
（ＣＦ2 ＣＦ（ＣＦ3 ）Ｏ）q −骨格を有するデュポン
社製のクライトックス系潤滑剤等が挙げられる。上記式
中、ｍ，ｎ，ｐ，ｑは１以上の整数を示すが、通常、５
〜５０程度のものが用いられる。また、分子量として
は、５００以上が好ましく、特に６００〜８０００程度
のものが好ましい。なお、上に例示したパーフルオロポ
リエーテル系分子骨格に、更に分岐鎖状または直鎖状の
飽和または不飽和の高級脂肪族炭化水素鎖、芳香族基や
ヘテロ原子を含む高級脂肪族炭化水素鎖等が結合したも
のを用いることもできる。その他の潤滑剤骨格としてポ
リブテン系、ポリアルキレングリコール系、りん酸エス
テル系、ポリオレフィン系、ポリオールエステル系、ア
ルキルナフタレン系、シリコン油系、ポリアリールアル
カン系、ポリフェニル系、けい酸エステル系、ポリフェ
ニルエーテル系の骨格を有する液体潤滑剤を用いること
ができる。固体潤滑剤分子としては、分岐鎖状または直
鎖状の飽和または不飽和の高級脂肪族炭化水素鎖、芳香
族残基やヘテロ原子を含む前記高級脂肪族炭化水素鎖、
あるいは前記高級脂肪族炭化水素鎖の一部または全部が
ポリエーテル鎖を形成している長鎖分子骨格を有するも
のなど、潤滑作用を有するものであれば結合の種類によ
らず選択することができる。長鎖分子骨格の炭素原子数
は、８以上、好ましくは１２以上である。
【００１０】また、環状多座配位子との結合サイトとな
る極性官能基としては、環状多座配位子のドナ−原子と
相互作用する極性官能基、具体的には、水酸基、カルボ
キシル基等の含酸素極性官能基、アミノ基、イミノ基等
の含窒素官能基、リン酸基、リン酸エステル基等の含リ
ン官能基、あるいはメルカプト基、スルホン酸基、スル
ホン酸エステル基等の含硫黄官能基等が用いられる。代
表的な極性基を持つ鎖状潤滑剤分子を下記に例示する。
る極性官能基としては、環状多座配位子のドナ−原子と
相互作用する極性官能基、具体的には、水酸基、カルボ
キシル基等の含酸素極性官能基、アミノ基、イミノ基等
の含窒素官能基、リン酸基、リン酸エステル基等の含リ
ン官能基、あるいはメルカプト基、スルホン酸基、スル
ホン酸エステル基等の含硫黄官能基等が用いられる。代
表的な極性基を持つ鎖状潤滑剤分子を下記に例示する。
【００１１】
【化１】ＨＯＣＨ2ＣＦ2(ＯＣＦ2ＣＦ2)p -(ＯＣＦ2)q-
ＯＣＦ2ＣＨ2ＯＨ Ｆ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2ＣＦ2ＣＯＯＨ ＨＯＯＣＣＦ2ＣＦ2Ｏ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2Ｃ
Ｆ2ＣＯＯＨ Ｆ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＯ
ＯＨ ＨＯＯＣＣＨ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)
n -ＣＦ2ＣＦ2-ＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ Ｆ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ ＨＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)nＣＦ2Ｃ
Ｆ2ＣＨ2ＯＨ Ｆ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2ＣＦ2ＮＨ2 Ｈ2ＮＣＦ2ＣＦ2Ｏ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2ＣＦ2
ＮＨ2 Ｆ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2ＣＦ2ＯＰ(=Ｏ)(ＯＨ)
2 (ＨＯ)2 (Ｏ=)ＰＯＣＦ2ＣＦ2Ｏ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n
-ＣＦ2ＣＦ2 -ＯＰ(=Ｏ)(ＯＨ)2 ＲＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2(ＯＣＦ2ＣＦ2)p -(ＯＣＦ2)q-Ｏ
ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2-Ｒ ＣＦ3ＣＨ2ＣＦ2(ＯＣＦ2ＣＦ2)p- (ＯＣＦ2)q-ＯＣＦ2
ＣＨ2ＯＣＨ2-Ｒ （式中、１，３−ジオキサインダン−５−イル基を表
し、ｎ，ｐ，ｑは１以上、好ましくは５〜５０の整数で
ある）
ＯＣＦ2ＣＨ2ＯＨ Ｆ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2ＣＦ2ＣＯＯＨ ＨＯＯＣＣＦ2ＣＦ2Ｏ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2Ｃ
Ｆ2ＣＯＯＨ Ｆ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＯ
ＯＨ ＨＯＯＣＣＨ2ＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)
n -ＣＦ2ＣＦ2-ＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ Ｆ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ ＨＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)nＣＦ2Ｃ
Ｆ2ＣＨ2ＯＨ Ｆ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2ＣＦ2ＮＨ2 Ｈ2ＮＣＦ2ＣＦ2Ｏ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2ＣＦ2
ＮＨ2 Ｆ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n -ＣＦ2ＣＦ2ＯＰ(=Ｏ)(ＯＨ)
2 (ＨＯ)2 (Ｏ=)ＰＯＣＦ2ＣＦ2Ｏ-(ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ)n
-ＣＦ2ＣＦ2 -ＯＰ(=Ｏ)(ＯＨ)2 ＲＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2(ＯＣＦ2ＣＦ2)p -(ＯＣＦ2)q-Ｏ
ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2-Ｒ ＣＦ3ＣＨ2ＣＦ2(ＯＣＦ2ＣＦ2)p- (ＯＣＦ2)q-ＯＣＦ2
ＣＨ2ＯＣＨ2-Ｒ （式中、１，３−ジオキサインダン−５−イル基を表
し、ｎ，ｐ，ｑは１以上、好ましくは５〜５０の整数で
ある）
【００１２】本発明の潤滑層を構成する他の成分である
環状多座配位子は、ドナー原子が環状に配列した多座配
位子であって、潤滑作用を担う分子骨格を置換基として
有することにより、上述の鎖状潤滑剤分子と効果的に相
互作用をして優れた潤滑システムを形成することができ
る。環状構造の骨格で分子としての柔軟性を付与するた
めに、環を構成する原子、特にドナ−原子は、ｓｐ3 電
子軌道からなる孤立電子対を有しているものが好まし
く、環状骨格として具体的にはクラウンエーテルと総称
される環状エーテル類、クリプタンドあるいはクリプテ
ートと総称される環状エーテルアミン類、環状アミン
類、環状ポリペプチドおよびこれらの化学修飾体などが
用いられ、なかでもクリプタンドやベンゾ−９−クラウ
ン−３、ベンゾ−１２−クラウン−４、ベンゾ−１５−
クラウン−５、ベンゾ−１８−クラウン−６、ジベンゾ
−１２−クラウン−４、ジベンゾ−１５−クラウン−
５、ジベンゾ−１８−クラウン−６、トリベンゾ−１８
−クラウン−６、トリベンゾ−２１−クラウン−７、テ
トラベンゾ−２４−クラウン−８等クラウンエーテル系
骨格を有する化合物は特に有効である。クラウンエーテ
ル系化合物としては、下記一般式
環状多座配位子は、ドナー原子が環状に配列した多座配
位子であって、潤滑作用を担う分子骨格を置換基として
有することにより、上述の鎖状潤滑剤分子と効果的に相
互作用をして優れた潤滑システムを形成することができ
る。環状構造の骨格で分子としての柔軟性を付与するた
めに、環を構成する原子、特にドナ−原子は、ｓｐ3 電
子軌道からなる孤立電子対を有しているものが好まし
く、環状骨格として具体的にはクラウンエーテルと総称
される環状エーテル類、クリプタンドあるいはクリプテ
ートと総称される環状エーテルアミン類、環状アミン
類、環状ポリペプチドおよびこれらの化学修飾体などが
用いられ、なかでもクリプタンドやベンゾ−９−クラウ
ン−３、ベンゾ−１２−クラウン−４、ベンゾ−１５−
クラウン−５、ベンゾ−１８−クラウン−６、ジベンゾ
−１２−クラウン−４、ジベンゾ−１５−クラウン−
５、ジベンゾ−１８−クラウン−６、トリベンゾ−１８
−クラウン−６、トリベンゾ−２１−クラウン−７、テ
トラベンゾ−２４−クラウン−８等クラウンエーテル系
骨格を有する化合物は特に有効である。クラウンエーテ
ル系化合物としては、下記一般式
【００１３】
【化２】
【００１４】（式中、ｎは３〜１０の整数であり、構成
単位Ａは置換基を有していてもよいエチレン基またはフ
ェニレン基を表し、かつＡのうち少なくとも１つは長鎖
炭素骨格を有する有機基を置換基として有する）で示さ
れる化合物が挙げられ、式中の構成単位Ａのうち少なく
とも１つは下記式
単位Ａは置換基を有していてもよいエチレン基またはフ
ェニレン基を表し、かつＡのうち少なくとも１つは長鎖
炭素骨格を有する有機基を置換基として有する）で示さ
れる化合物が挙げられ、式中の構成単位Ａのうち少なく
とも１つは下記式
【００１５】
【化３】
【００１６】（式中、Ｒ1 は長鎖炭素骨格を有する有機
基を表し、Ｒ2 は長鎖炭素骨格を有する有機基または水
素を表し、ｍは１〜４の整数である）で示されるフェニ
レン基であるクラウンエーテル系化合物が好ましい。ク
ラウンエーテル系化合物として、特に好ましく用いられ
るのは、下記一般式
基を表し、Ｒ2 は長鎖炭素骨格を有する有機基または水
素を表し、ｍは１〜４の整数である）で示されるフェニ
レン基であるクラウンエーテル系化合物が好ましい。ク
ラウンエーテル系化合物として、特に好ましく用いられ
るのは、下記一般式
【００１７】
【化４】
【００１８】（式中、Ｒは長鎖炭素骨格を有する有機基
を表し、ｍは１〜３の整数、ｎは１〜９の整数であり、
かつ、ｍ＝１の場合は、ｎ＝２〜９であり、ｍ＝２の場
合は、ｎ＝１〜４であり、ｍ＝３の場合は、ｎ＝１〜２
である）で示される化合物である。構成単位Ａのうち少
なくとも１つが置換基として有する長鎖炭素骨格を有す
る有機基は、分岐構造、不飽和結合、あるいはヘテロ原
子の有無によらず選択することができるが、直鎖部分の
炭素原子数が１２〜２４であるものが好ましい。直鎖部
分の炭素原子数が１２未満の場合は耐久性が不十分であ
り、逆に炭素原子数が２４を超えると溶媒への溶解性が
悪くなり、ディスクに塗布することが困難になる。長鎖
炭素骨格は、通常、炭化水素により構成されるが、部分
的にフッ素化されていてもよく、またパーフルオロポリ
エーテルから構成されてもよい。
を表し、ｍは１〜３の整数、ｎは１〜９の整数であり、
かつ、ｍ＝１の場合は、ｎ＝２〜９であり、ｍ＝２の場
合は、ｎ＝１〜４であり、ｍ＝３の場合は、ｎ＝１〜２
である）で示される化合物である。構成単位Ａのうち少
なくとも１つが置換基として有する長鎖炭素骨格を有す
る有機基は、分岐構造、不飽和結合、あるいはヘテロ原
子の有無によらず選択することができるが、直鎖部分の
炭素原子数が１２〜２４であるものが好ましい。直鎖部
分の炭素原子数が１２未満の場合は耐久性が不十分であ
り、逆に炭素原子数が２４を超えると溶媒への溶解性が
悪くなり、ディスクに塗布することが困難になる。長鎖
炭素骨格は、通常、炭化水素により構成されるが、部分
的にフッ素化されていてもよく、またパーフルオロポリ
エーテルから構成されてもよい。
【００１９】長鎖炭素骨格の具体例としては、Ｃ12Ｈ25
−、Ｃ16Ｈ33−、Ｃ17Ｈ35−、Ｃ18Ｈ37−、Ｃ19Ｈ
39−、Ｃ20Ｈ41−、Ｃ22Ｈ45−、Ｃ24Ｈ49−等の直鎖ア
ルキル基、Ｃ14Ｈ29Ｏ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ15Ｈ31Ｏ（Ｃ
Ｈ2 ）n −、Ｃ16Ｈ33Ｏ（ＣＨ2）n −、Ｃ17Ｈ35Ｏ
（ＣＨ2 ）n −、Ｃ18Ｈ37Ｏ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ19Ｈ39
Ｏ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ20Ｈ41Ｏ（ＣＨ2 ）n −等のＣm
Ｈ(2m+1)Ｏ（ＣＨ2 ）n −で示されるアルコキシアルキ
ル基、Ｃ11Ｈ23ＣＯＯ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ12Ｈ25ＣＯＯ
（ＣＨ2 ）n −、Ｃ13Ｈ27ＣＯＯ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ14
Ｈ29ＣＯＯ（ＣＨ2 ） n −、Ｃ15Ｈ31ＣＯＯ（ＣＨ2 ）
n −等のＣm Ｈ(2m+1)ＣＯＯ（ＣＨ2 ）n −で示される
アルキルカルボニルオキシアルキル基、Ｃ16Ｈ33ＮＨＣ
Ｏ（ＣＨ2 ）n−、Ｃ17Ｈ35ＮＨＣＯ（ＣＨ2 ）n −、
Ｃ18Ｈ37ＮＨＣＯ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ19Ｈ39ＮＨＣＯ
（ＣＨ2 ）n −等のＣm Ｈ(2m+1)ＮＨＣＯ（ＣＨ2 ）n
−で示されるアルキルカルバモイルアルキル基、Ｃ16Ｈ
33ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ 17Ｈ35ＮＨＣＯＮＨ
（ＣＨ2 ）n −、Ｃ18Ｈ37ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ2 ）
n −、Ｃ 19Ｈ39ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ2 ）n −等のＣm Ｈ
(2m+1)ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ2 ）n−で示されるアルキル
ウレイドアルキル基、Ｃ16Ｈ33ＮＨＣＯＯ（ＣＨ2 ）n
−、Ｃ17Ｈ35ＮＨＣＯＯ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ18Ｈ37ＮＨ
ＣＯＯ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ 19Ｈ39ＮＨＣＯＯ（ＣＨ2 ）
n −等のＣm Ｈ(2m+1)ＮＨＣＯＯ（ＣＨ2 ）n −で示さ
れるアルキルカルバモイルオキシアルキル基（ｍは１２
以上、好ましくは１２〜２４の整数、ｎは１以上、好ま
しくは１〜１１の整数である）、Ｃ12Ｈ25（Ｃ12Ｈ25）
ＣＨ−、Ｃ12Ｈ25（Ｃ12Ｈ25）ＣＨＣＨ2 −、Ｃ13Ｈ27
（Ｃ11Ｈ23）ＣＨＣＨ2 −、Ｃ16Ｈ33（Ｃ16Ｈ33）ＣＨ
ＣＨ2 −、Ｃ18Ｈ37（Ｃ12Ｈ25）ＣＨＣＨ2 −、Ｃ18Ｈ
37（Ｃ18Ｈ37）ＣＨＣＨ2 −等のＣx Ｈ(2x+1)（ＣyＨ
(2y+1)）ＣＨ（ＣＨ2 ）(z-1) −で示される分岐鎖状ア
ルキル基、Ｃ12Ｈ25（Ｃ12Ｈ25）ＣＨＯ（ＣＨ2 ）
z −、Ｃ12Ｈ25（Ｃ12Ｈ25）ＣＨＣＨ2 Ｏ（ＣＨ2 ）z
−、Ｃ13Ｈ27（Ｃ11Ｈ23）ＣＨＣＨ2 Ｏ（ＣＨ2 ）
z −、Ｃ16Ｈ33（Ｃ16Ｈ33）ＣＨＣＨ2 Ｏ（ＣＨ2 ）z
−、Ｃ18Ｈ37（Ｃ12Ｈ25）ＣＨＣＨ2 Ｏ（ＣＨ2 ）
z −、Ｃ18Ｈ37（Ｃ18Ｈ37）ＣＨＣＨ2 Ｏ（ＣＨ2 ）z
−等のＣx Ｈ(2x+1)（Ｃy Ｈ(2 y+1)）ＣＨ（ＣＨ2 ）n
Ｏ（ＣＨ2 ）z −で示される分岐鎖状アルキルオキシア
ルキル基、（Ｃ16Ｈ33ＯＣＨ2 ）2 ＣＨＯＣＨ2 ＣＨ2
−、（Ｃ18Ｈ37ＯＣＨ2）2 ＣＨＯＣＨ2 ＣＨ2−、（Ｃ
18Ｈ37ＯＣＨ2 ）2 ＣＨＯ（ＣＨ2 ）6 −、（Ｃ18Ｈ37
ＯＣＨ2 ）2 ＣＨＯ（ＣＨ2 ）11−等の（Ｃx Ｈ(2x+1)
ＯＣＨ2 ）2 ＣＨＯ（ＣＨ2 ）z −で示される（分岐鎖
状アルキルオキシアルキル）オキシアルキル基、（Ｃ16
Ｈ33）2 ＮＣＯ（ＣＨ2）3 −、（Ｃ18Ｈ37）2 ＮＣＯ
（ＣＨ2）3 −等のＣx Ｈ(2x+1)（Ｃy Ｈ(2y+1)）ＮＣ
Ｏ（ＣＨ2 ）z −で示されるジアルキルカルバモイルア
ルキル基（ｘは１２以上の整数、好ましくは１２〜２４
の整数、ｙは１以上の整数、ｚは１以上の整数、好まし
くは１〜１１の整数、ｎは０以上の整数、好ましくは０
〜１１の整数である）、（Ｃ12Ｈ25）3 Ｃ−、（Ｃ 16Ｈ
33）3 ＣＣＨ2 −、（Ｃ18Ｈ37ＯＣＨ2 ）3 ＣＣＨ2 −
等の３級炭素を有する分岐鎖状アルキル基、あるいは、
（ＣＦ3 ＣＨ2 ＯＣＨ2 ）2 ＣＨＯ（ＣＨ2）11−、
（ＣＦ3 （ＣＦ2 ）5 ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＣＨ2 ）2 ＣＨＯ
（ＣＨ2 ）11−、Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3 ）ＣＦ2 Ｏ）n ＣＦ
（ＣＦ3 ）ＣＦ2 ＣＨ2 −、Ｆ（ＣＦ2ＣＦ2 ＣＦ
2 Ｏ）n ＣＦ2 ＣＦ2 ＣＨ2 −、Ｆ（ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ）
p （ＣＦ2 Ｏ）q ＣＦ2 ＣＨ2 −（ｎ、ｐおよびｑは１
以上、好ましくは５〜５０の整数である）等の含フッ素
ポリエーテル置換基が挙げられる。具体的には、例えば
下記の化合物が挙げられる。
−、Ｃ16Ｈ33−、Ｃ17Ｈ35−、Ｃ18Ｈ37−、Ｃ19Ｈ
39−、Ｃ20Ｈ41−、Ｃ22Ｈ45−、Ｃ24Ｈ49−等の直鎖ア
ルキル基、Ｃ14Ｈ29Ｏ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ15Ｈ31Ｏ（Ｃ
Ｈ2 ）n −、Ｃ16Ｈ33Ｏ（ＣＨ2）n −、Ｃ17Ｈ35Ｏ
（ＣＨ2 ）n −、Ｃ18Ｈ37Ｏ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ19Ｈ39
Ｏ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ20Ｈ41Ｏ（ＣＨ2 ）n −等のＣm
Ｈ(2m+1)Ｏ（ＣＨ2 ）n −で示されるアルコキシアルキ
ル基、Ｃ11Ｈ23ＣＯＯ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ12Ｈ25ＣＯＯ
（ＣＨ2 ）n −、Ｃ13Ｈ27ＣＯＯ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ14
Ｈ29ＣＯＯ（ＣＨ2 ） n −、Ｃ15Ｈ31ＣＯＯ（ＣＨ2 ）
n −等のＣm Ｈ(2m+1)ＣＯＯ（ＣＨ2 ）n −で示される
アルキルカルボニルオキシアルキル基、Ｃ16Ｈ33ＮＨＣ
Ｏ（ＣＨ2 ）n−、Ｃ17Ｈ35ＮＨＣＯ（ＣＨ2 ）n −、
Ｃ18Ｈ37ＮＨＣＯ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ19Ｈ39ＮＨＣＯ
（ＣＨ2 ）n −等のＣm Ｈ(2m+1)ＮＨＣＯ（ＣＨ2 ）n
−で示されるアルキルカルバモイルアルキル基、Ｃ16Ｈ
33ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ 17Ｈ35ＮＨＣＯＮＨ
（ＣＨ2 ）n −、Ｃ18Ｈ37ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ2 ）
n −、Ｃ 19Ｈ39ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ2 ）n −等のＣm Ｈ
(2m+1)ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ2 ）n−で示されるアルキル
ウレイドアルキル基、Ｃ16Ｈ33ＮＨＣＯＯ（ＣＨ2 ）n
−、Ｃ17Ｈ35ＮＨＣＯＯ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ18Ｈ37ＮＨ
ＣＯＯ（ＣＨ2 ）n −、Ｃ 19Ｈ39ＮＨＣＯＯ（ＣＨ2 ）
n −等のＣm Ｈ(2m+1)ＮＨＣＯＯ（ＣＨ2 ）n −で示さ
れるアルキルカルバモイルオキシアルキル基（ｍは１２
以上、好ましくは１２〜２４の整数、ｎは１以上、好ま
しくは１〜１１の整数である）、Ｃ12Ｈ25（Ｃ12Ｈ25）
ＣＨ−、Ｃ12Ｈ25（Ｃ12Ｈ25）ＣＨＣＨ2 −、Ｃ13Ｈ27
（Ｃ11Ｈ23）ＣＨＣＨ2 −、Ｃ16Ｈ33（Ｃ16Ｈ33）ＣＨ
ＣＨ2 −、Ｃ18Ｈ37（Ｃ12Ｈ25）ＣＨＣＨ2 −、Ｃ18Ｈ
37（Ｃ18Ｈ37）ＣＨＣＨ2 −等のＣx Ｈ(2x+1)（ＣyＨ
(2y+1)）ＣＨ（ＣＨ2 ）(z-1) −で示される分岐鎖状ア
ルキル基、Ｃ12Ｈ25（Ｃ12Ｈ25）ＣＨＯ（ＣＨ2 ）
z −、Ｃ12Ｈ25（Ｃ12Ｈ25）ＣＨＣＨ2 Ｏ（ＣＨ2 ）z
−、Ｃ13Ｈ27（Ｃ11Ｈ23）ＣＨＣＨ2 Ｏ（ＣＨ2 ）
z −、Ｃ16Ｈ33（Ｃ16Ｈ33）ＣＨＣＨ2 Ｏ（ＣＨ2 ）z
−、Ｃ18Ｈ37（Ｃ12Ｈ25）ＣＨＣＨ2 Ｏ（ＣＨ2 ）
z −、Ｃ18Ｈ37（Ｃ18Ｈ37）ＣＨＣＨ2 Ｏ（ＣＨ2 ）z
−等のＣx Ｈ(2x+1)（Ｃy Ｈ(2 y+1)）ＣＨ（ＣＨ2 ）n
Ｏ（ＣＨ2 ）z −で示される分岐鎖状アルキルオキシア
ルキル基、（Ｃ16Ｈ33ＯＣＨ2 ）2 ＣＨＯＣＨ2 ＣＨ2
−、（Ｃ18Ｈ37ＯＣＨ2）2 ＣＨＯＣＨ2 ＣＨ2−、（Ｃ
18Ｈ37ＯＣＨ2 ）2 ＣＨＯ（ＣＨ2 ）6 −、（Ｃ18Ｈ37
ＯＣＨ2 ）2 ＣＨＯ（ＣＨ2 ）11−等の（Ｃx Ｈ(2x+1)
ＯＣＨ2 ）2 ＣＨＯ（ＣＨ2 ）z −で示される（分岐鎖
状アルキルオキシアルキル）オキシアルキル基、（Ｃ16
Ｈ33）2 ＮＣＯ（ＣＨ2）3 −、（Ｃ18Ｈ37）2 ＮＣＯ
（ＣＨ2）3 −等のＣx Ｈ(2x+1)（Ｃy Ｈ(2y+1)）ＮＣ
Ｏ（ＣＨ2 ）z −で示されるジアルキルカルバモイルア
ルキル基（ｘは１２以上の整数、好ましくは１２〜２４
の整数、ｙは１以上の整数、ｚは１以上の整数、好まし
くは１〜１１の整数、ｎは０以上の整数、好ましくは０
〜１１の整数である）、（Ｃ12Ｈ25）3 Ｃ−、（Ｃ 16Ｈ
33）3 ＣＣＨ2 −、（Ｃ18Ｈ37ＯＣＨ2 ）3 ＣＣＨ2 −
等の３級炭素を有する分岐鎖状アルキル基、あるいは、
（ＣＦ3 ＣＨ2 ＯＣＨ2 ）2 ＣＨＯ（ＣＨ2）11−、
（ＣＦ3 （ＣＦ2 ）5 ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＣＨ2 ）2 ＣＨＯ
（ＣＨ2 ）11−、Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3 ）ＣＦ2 Ｏ）n ＣＦ
（ＣＦ3 ）ＣＦ2 ＣＨ2 −、Ｆ（ＣＦ2ＣＦ2 ＣＦ
2 Ｏ）n ＣＦ2 ＣＦ2 ＣＨ2 −、Ｆ（ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ）
p （ＣＦ2 Ｏ）q ＣＦ2 ＣＨ2 −（ｎ、ｐおよびｑは１
以上、好ましくは５〜５０の整数である）等の含フッ素
ポリエーテル置換基が挙げられる。具体的には、例えば
下記の化合物が挙げられる。
【００２０】
【化５】
【００２１】
【化６】
【００２２】
【化７】
【００２３】本発明の潤滑層は、種々の固体表面に適用
可能であり、例えば、ポリマー、炭素、酸化物、窒化
物、ホウ化物、金属など、その表面に環状多座配位子が
添着可能であれば、その種類を問わず広く適用される。
特に、本発明の潤滑層を磁気記録媒体の表面に適用する
ことにより、ヘッドの浮上高さを低くすることができる
ので、ディスクのデータ記録密度を増大させることが可
能となるとともに、長期にわたり信頼性の高いディスク
システムを構築することが可能となる。
可能であり、例えば、ポリマー、炭素、酸化物、窒化
物、ホウ化物、金属など、その表面に環状多座配位子が
添着可能であれば、その種類を問わず広く適用される。
特に、本発明の潤滑層を磁気記録媒体の表面に適用する
ことにより、ヘッドの浮上高さを低くすることができる
ので、ディスクのデータ記録密度を増大させることが可
能となるとともに、長期にわたり信頼性の高いディスク
システムを構築することが可能となる。
【００２４】図１は、本発明の潤滑層を磁気記録媒体に
適用する際の構成を示すものである。非磁性基板１上に
磁性層２、保護膜３、潤滑層が順次形成された磁気記録
媒体において、潤滑層が潤滑作用を担う分子骨格５を備
えた環状多座配位子４と、極性官能基６が環状多座配位
子４にトラップされた鎖状潤滑剤分子７とからなる潤滑
層である。図１において保護膜３は必要に応じて設けれ
ばよく、本発明による潤滑層を磁性層２の表面に直接形
成してもよい。
適用する際の構成を示すものである。非磁性基板１上に
磁性層２、保護膜３、潤滑層が順次形成された磁気記録
媒体において、潤滑層が潤滑作用を担う分子骨格５を備
えた環状多座配位子４と、極性官能基６が環状多座配位
子４にトラップされた鎖状潤滑剤分子７とからなる潤滑
層である。図１において保護膜３は必要に応じて設けれ
ばよく、本発明による潤滑層を磁性層２の表面に直接形
成してもよい。
【００２５】本発明の潤滑層を磁気記録媒体に適用する
にあたり、非磁性基板としては、通常、ニッケル・リン
層を設けたアルミニウム合金板またはガラス基板が用い
られるが、そのほかにもセラミック基板、カーボン基
板、樹脂基板等を用いることもできる。非磁性基板上に
設ける薄膜磁性層は、特に制限はないが、必要に応じて
クロム等の下引層を設けた後、例えばＣｏ−Ｐ系、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｐ系、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ
系、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系合金等の
Ｃｏ合金等を無電解メッキ法、スパッタリング法等によ
り形成する。薄膜磁性層の膜厚は、磁気記録媒体として
要求される特性により決定され、通常、２０〜１００ｎ
ｍである。本発明の潤滑層を適用する場合、薄膜磁性層
上の保護膜は、必ずしも不可欠のものではなく、磁性膜
の硬度や弾性率等の物理物性を鑑みて、必要に応じて形
成される。保護膜としては炭素質膜、酸化物膜、窒化物
膜、ホウ化物膜等が用いられ、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、プラズマ重合法等により形成され
る。保護膜として好ましく用いられるのは、無定形炭
素、水素化カーボン等の炭素質膜であり、通常、５〜５
０ｎｍ、好適には、１０〜３０ｎｍの膜厚で用いられ
る。また、潤滑層を設ける基板は、ヘッドとの接触面積
を減らしより優れたトライボロジ性能を引き出すため、
テキスチャーをつけるなどしてその表面の平均粗さを２
〜１０ｎｍ、好ましくは３〜８ｎｍとしておくことが望
ましい。
にあたり、非磁性基板としては、通常、ニッケル・リン
層を設けたアルミニウム合金板またはガラス基板が用い
られるが、そのほかにもセラミック基板、カーボン基
板、樹脂基板等を用いることもできる。非磁性基板上に
設ける薄膜磁性層は、特に制限はないが、必要に応じて
クロム等の下引層を設けた後、例えばＣｏ−Ｐ系、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｐ系、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ
系、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系合金等の
Ｃｏ合金等を無電解メッキ法、スパッタリング法等によ
り形成する。薄膜磁性層の膜厚は、磁気記録媒体として
要求される特性により決定され、通常、２０〜１００ｎ
ｍである。本発明の潤滑層を適用する場合、薄膜磁性層
上の保護膜は、必ずしも不可欠のものではなく、磁性膜
の硬度や弾性率等の物理物性を鑑みて、必要に応じて形
成される。保護膜としては炭素質膜、酸化物膜、窒化物
膜、ホウ化物膜等が用いられ、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、プラズマ重合法等により形成され
る。保護膜として好ましく用いられるのは、無定形炭
素、水素化カーボン等の炭素質膜であり、通常、５〜５
０ｎｍ、好適には、１０〜３０ｎｍの膜厚で用いられ
る。また、潤滑層を設ける基板は、ヘッドとの接触面積
を減らしより優れたトライボロジ性能を引き出すため、
テキスチャーをつけるなどしてその表面の平均粗さを２
〜１０ｎｍ、好ましくは３〜８ｎｍとしておくことが望
ましい。
【００２６】本発明の潤滑層を固体基板表面に形成させ
るには、通常、上記の潤滑機能を有する環状多座配位子
とともに鎖状潤滑剤化合物を溶解した溶液、あるいはそ
れぞれの溶液に固体基板を浸漬することにより行われる
が、この他スピンコ−ト法や、あるいは固体基板表面に
該溶液をしみこませたテープ等を荷重をかけて接触させ
て被膜を形成する方法、固体基板上でパッドを回転させ
ながら添着させる方法、またはスプレー法やＬＢ膜法な
どを用いることができる。塗布液の濃度は、多座配位子
化合物や鎖状潤滑剤化合物の種類により、また溶媒の種
類により異なるが、通常、溶液中濃度として０．１〜５
ｇ／ｌで用いられる。潤滑層の膜厚は８ｎｍ程度までが
望ましいが、膜厚が小さいと潤滑性能が劣り、膜厚が大
きいと摺動中に汚れが発生することがあるので、１〜５
ｎｍの範囲内とすることが好ましい。
るには、通常、上記の潤滑機能を有する環状多座配位子
とともに鎖状潤滑剤化合物を溶解した溶液、あるいはそ
れぞれの溶液に固体基板を浸漬することにより行われる
が、この他スピンコ−ト法や、あるいは固体基板表面に
該溶液をしみこませたテープ等を荷重をかけて接触させ
て被膜を形成する方法、固体基板上でパッドを回転させ
ながら添着させる方法、またはスプレー法やＬＢ膜法な
どを用いることができる。塗布液の濃度は、多座配位子
化合物や鎖状潤滑剤化合物の種類により、また溶媒の種
類により異なるが、通常、溶液中濃度として０．１〜５
ｇ／ｌで用いられる。潤滑層の膜厚は８ｎｍ程度までが
望ましいが、膜厚が小さいと潤滑性能が劣り、膜厚が大
きいと摺動中に汚れが発生することがあるので、１〜５
ｎｍの範囲内とすることが好ましい。
【００２７】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに具体的に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施
例に限定されるものではない。 実施例１ 中心線平均粗さ（Ｒａ）が４ｎｍの平滑な直径３．５イ
ンチのアルミニウム合金基板上に、スパッター法により
クロム下地層（１２０ｎｍ）、コバルト合金の磁性薄膜
（５０ｎｍ）および水素化カーボン保護膜（２０ｎｍ）
を形成した。
明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施
例に限定されるものではない。 実施例１ 中心線平均粗さ（Ｒａ）が４ｎｍの平滑な直径３．５イ
ンチのアルミニウム合金基板上に、スパッター法により
クロム下地層（１２０ｎｍ）、コバルト合金の磁性薄膜
（５０ｎｍ）および水素化カーボン保護膜（２０ｎｍ）
を形成した。
【００２８】４，４’−ジ（ステアリルアミノ）ベンゾ
−１８−クラウン−６を０．９３ｍｍｏｌ／ｌの濃度で
含むクロロホルム溶液を用い、ディッピング法により該
ディスクの表面に厚さ２．２ｎｍの均一な膜を形成し
た。４，４−ジ（ステアリルアミノ）ベンゾ−１８−ク
ラウン−６の固着膜を形成したディスクに、平均分子量
２０００、両末端ＯＨのパーフルオロポリエーテル（モ
ンテジソン社製、Fomblin Z DOL）を０．５ｍｍｏｌ／
ｌの濃度で含有する弗素系溶媒ＰＦ５０８０（住友３Ｍ
社製）の溶液を用い、同様にディッピング法により該デ
ィスクの表面に均一な膜を形成した後、８０℃、４５分
間焼成し、合計で厚さ３．５ｎｍの均一な潤滑膜を形成
した。
−１８−クラウン−６を０．９３ｍｍｏｌ／ｌの濃度で
含むクロロホルム溶液を用い、ディッピング法により該
ディスクの表面に厚さ２．２ｎｍの均一な膜を形成し
た。４，４−ジ（ステアリルアミノ）ベンゾ−１８−ク
ラウン−６の固着膜を形成したディスクに、平均分子量
２０００、両末端ＯＨのパーフルオロポリエーテル（モ
ンテジソン社製、Fomblin Z DOL）を０．５ｍｍｏｌ／
ｌの濃度で含有する弗素系溶媒ＰＦ５０８０（住友３Ｍ
社製）の溶液を用い、同様にディッピング法により該デ
ィスクの表面に均一な膜を形成した後、８０℃、４５分
間焼成し、合計で厚さ３．５ｎｍの均一な潤滑膜を形成
した。
【００２９】得られたディスクを用いて、ＣＳＳ試験を
行った。ＣＳＳ試験は周速８．７ｍ／ｓｅｃで７５ｎｍ
浮上する７０％の薄膜ヘッドスライダ（材質：Ａｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＣ、押付力６ｇｆ）を用いて行った。スピンド
ルへ３秒間通電した後、９秒間電源をオフする計１２秒
をＣＳＳ１サイクルとし、各サイクル毎にスピンドル回
転開始時のトルクと摺動時のトルクを測定した。摺動時
のトルクはスピンドルへの通電後０．３秒から１秒の間
にヘッドに働く力の最大値から求めた。ＣＳＳサイクル
を２万回行ない、回転開始時のトルクと摺動時のトルク
それぞれの値を高い方から１０点選び、その平均を求め
た。
行った。ＣＳＳ試験は周速８．７ｍ／ｓｅｃで７５ｎｍ
浮上する７０％の薄膜ヘッドスライダ（材質：Ａｌ2 Ｏ
3 −ＴｉＣ、押付力６ｇｆ）を用いて行った。スピンド
ルへ３秒間通電した後、９秒間電源をオフする計１２秒
をＣＳＳ１サイクルとし、各サイクル毎にスピンドル回
転開始時のトルクと摺動時のトルクを測定した。摺動時
のトルクはスピンドルへの通電後０．３秒から１秒の間
にヘッドに働く力の最大値から求めた。ＣＳＳサイクル
を２万回行ない、回転開始時のトルクと摺動時のトルク
それぞれの値を高い方から１０点選び、その平均を求め
た。
【００３０】上記のＣＳＳ試験の結果、ディスク、ヘッ
ドとも汚れはなく、回転開始時トルクが２７．８ｇｆ・
ｃｍ、摺動時トルクは１０．６ｇｆ・ｃｍであった。 実施例２ ４，４’−ジ（オクタデシルアミノ）ジベンゾ−１８−
クラウン−６を０．９３ｍｍｏｌ／ｌの濃度で含むクロ
ロホルム溶液を用い、ディッピング法により実施例１と
同様に保護膜まで形成したディスクの表面に厚さ２．５
ｎｍの均一な膜を形成した。このディスクに、平均分子
量４０００、両末端ＯＨのパーフルオロポリエーテル
（モンテジソン社製、Fomblin Z DOL）を０．５ｍｍｏ
ｌ／ｌの濃度で含有する弗素系溶媒ＰＦ５０８０（住友
３Ｍ社製）の溶液を用い、ディッピング法により該ディ
スクの表面に合計で厚さ４．０ｎｍの均一な潤滑膜を形
成した。
ドとも汚れはなく、回転開始時トルクが２７．８ｇｆ・
ｃｍ、摺動時トルクは１０．６ｇｆ・ｃｍであった。 実施例２ ４，４’−ジ（オクタデシルアミノ）ジベンゾ−１８−
クラウン−６を０．９３ｍｍｏｌ／ｌの濃度で含むクロ
ロホルム溶液を用い、ディッピング法により実施例１と
同様に保護膜まで形成したディスクの表面に厚さ２．５
ｎｍの均一な膜を形成した。このディスクに、平均分子
量４０００、両末端ＯＨのパーフルオロポリエーテル
（モンテジソン社製、Fomblin Z DOL）を０．５ｍｍｏ
ｌ／ｌの濃度で含有する弗素系溶媒ＰＦ５０８０（住友
３Ｍ社製）の溶液を用い、ディッピング法により該ディ
スクの表面に合計で厚さ４．０ｎｍの均一な潤滑膜を形
成した。
【００３１】得られたディスクを用いて３２℃、相対湿
度８０％の条件下で実施例１と同様にＣＳＳ試験を行っ
た結果、ディスク、ヘッドとも汚れはなく、回転開始時
トルクが２０．０ｇｆ・ｃｍ、摺動時トルクは８．０ｇ
ｆ・ｃｍであった。 実施例３ アルミニウム合金の基板上に、スパッタ法によりクロム
下地層（２００ｎｍ）、コバルト合金の磁性薄膜（４０
ｎｍ）、および水素化カ−ボン保護膜（３０ｎｍ）を形
成した直径３．５インチの磁気ディスクの表面にステア
リルアミンと４，４’−ジ（ステアリルアミノ）ベンゾ
−１８−クラウン−６とをそれぞれ１．０ｍｍｏｌ／ｌ
の濃度で含むクロロホルム溶液を用い、スピンコ−ト法
により厚さ３．１ｎｍの潤滑層を形成した。得られたデ
ィスクを用いて、薄膜ヘッドによる連続摺動試験（荷重
９．５ｇｆ、摺動線速０．３２ｍ／ｓｅｃ（半径３５ｍ
ｍ，１００ｒｐｍ））を行った。その結果、連続摺動２
時間後の摩擦力が３．２ｇｆであり、良好な潤滑性能を
保持することが確認され、また試験後のディスクに摺動
痕は見られなかった。
度８０％の条件下で実施例１と同様にＣＳＳ試験を行っ
た結果、ディスク、ヘッドとも汚れはなく、回転開始時
トルクが２０．０ｇｆ・ｃｍ、摺動時トルクは８．０ｇ
ｆ・ｃｍであった。 実施例３ アルミニウム合金の基板上に、スパッタ法によりクロム
下地層（２００ｎｍ）、コバルト合金の磁性薄膜（４０
ｎｍ）、および水素化カ−ボン保護膜（３０ｎｍ）を形
成した直径３．５インチの磁気ディスクの表面にステア
リルアミンと４，４’−ジ（ステアリルアミノ）ベンゾ
−１８−クラウン−６とをそれぞれ１．０ｍｍｏｌ／ｌ
の濃度で含むクロロホルム溶液を用い、スピンコ−ト法
により厚さ３．１ｎｍの潤滑層を形成した。得られたデ
ィスクを用いて、薄膜ヘッドによる連続摺動試験（荷重
９．５ｇｆ、摺動線速０．３２ｍ／ｓｅｃ（半径３５ｍ
ｍ，１００ｒｐｍ））を行った。その結果、連続摺動２
時間後の摩擦力が３．２ｇｆであり、良好な潤滑性能を
保持することが確認され、また試験後のディスクに摺動
痕は見られなかった。
【００３２】比較例１ 平均分子量２０００、両末端ＯＨのパーフルオロポリエ
ーテル（モンテジソン社製、Fomblin Z DOL）を１．０
ｍｍｏｌ／ｌの濃度で含有する弗素系溶媒ＰＦ５０８０
（住友３Ｍ社製）の溶液を用い、ディッピング法により
実施例１と同様に保護膜まで形成したディスクの表面に
厚さ３．０ｎｍの均一な膜を形成した。その後、８０
℃、４５分間焼成し該ディスクの表面に厚さ１．７ｎｍ
の均一な膜を形成した。得られたディスクについて、実
施例１と同様にＣＳＳ試験を行なった結果、ディスク、
ヘッドとも汚れはなかったが、回転開始時トルクが６
７．４ｇｆ・ｃｍ、摺動時トルクは１９．８ｇｆ・ｃｍ
であった。
ーテル（モンテジソン社製、Fomblin Z DOL）を１．０
ｍｍｏｌ／ｌの濃度で含有する弗素系溶媒ＰＦ５０８０
（住友３Ｍ社製）の溶液を用い、ディッピング法により
実施例１と同様に保護膜まで形成したディスクの表面に
厚さ３．０ｎｍの均一な膜を形成した。その後、８０
℃、４５分間焼成し該ディスクの表面に厚さ１．７ｎｍ
の均一な膜を形成した。得られたディスクについて、実
施例１と同様にＣＳＳ試験を行なった結果、ディスク、
ヘッドとも汚れはなかったが、回転開始時トルクが６
７．４ｇｆ・ｃｍ、摺動時トルクは１９．８ｇｆ・ｃｍ
であった。
【００３３】比較例２ 平均分子量４０００、両末端ＯＨのパーフルオロポリエ
ーテル（モンテジソン社製、Fomblin Z DOL）を１．０
ｍｍｏｌ／ｌの濃度で含有する弗素系溶媒ＰＦ５０８０
（住友３Ｍ社製）の溶液を用い、ディッピング法により
実施例１と同様に保護膜まで形成したディスクの表面に
厚さ２．２ｎｍの均一な膜を形成した。その後、８０
℃、４５分間焼成し該ディスクの表面に厚さ１．７ｎｍ
の潤滑層を形成した。得られたディスクについて、実施
例２と同様にＣＳＳ試験を行った結果、ディスク、ヘッ
ドとも汚れはなかったが、回転開始時トルクが９３．６
ｇｆ・ｃｍ、摺動時トルクは９３．４ｇｆ・ｃｍであっ
た。
ーテル（モンテジソン社製、Fomblin Z DOL）を１．０
ｍｍｏｌ／ｌの濃度で含有する弗素系溶媒ＰＦ５０８０
（住友３Ｍ社製）の溶液を用い、ディッピング法により
実施例１と同様に保護膜まで形成したディスクの表面に
厚さ２．２ｎｍの均一な膜を形成した。その後、８０
℃、４５分間焼成し該ディスクの表面に厚さ１．７ｎｍ
の潤滑層を形成した。得られたディスクについて、実施
例２と同様にＣＳＳ試験を行った結果、ディスク、ヘッ
ドとも汚れはなかったが、回転開始時トルクが９３．６
ｇｆ・ｃｍ、摺動時トルクは９３．４ｇｆ・ｃｍであっ
た。
【００３４】比較例３ ステアリルアミンを３ｍｍｏｌ／ｌの濃度で含むクロロ
ホルム溶液を用い、ディッピング法により実施例１と同
様に保護膜まで形成したディスクの表面に厚さ２．５ｎ
ｍの均一な潤滑層を形成した。得られたディスクについ
て、実施例１と同様に潤滑性能の試験を行ったところ、
連続摺動２７分後に摩擦力が７ｇｆを越え、試験後のデ
ィスクに摺動痕が観察された。
ホルム溶液を用い、ディッピング法により実施例１と同
様に保護膜まで形成したディスクの表面に厚さ２．５ｎ
ｍの均一な潤滑層を形成した。得られたディスクについ
て、実施例１と同様に潤滑性能の試験を行ったところ、
連続摺動２７分後に摩擦力が７ｇｆを越え、試験後のデ
ィスクに摺動痕が観察された。
【００３５】比較例１、２のように平滑なディスクに液
体潤滑剤であるパーフルオロポリエーテルを直接塗布し
た場合は、潤滑剤は保護膜表面との相互作用が低いため
に表面を移動し、ヘッドとディスクの真実接触部分に集
まってメニスカスを形成するものと考えられる。特に、
高湿度下ではこれに水によるメニスカスが加わり、比較
例２のようにスティクションは著しく増大する。これに
対して、液体潤滑剤をクラウンエーテルを利用した場合
には、平滑基板上に液体潤滑剤が固着され、実施例１、
２の場合には回転開始時のトルクが高湿度下でも３０ｇ
ｆ・ｃｍ以下に低下しており、スティクションを抑制し
ていることがわかる。
体潤滑剤であるパーフルオロポリエーテルを直接塗布し
た場合は、潤滑剤は保護膜表面との相互作用が低いため
に表面を移動し、ヘッドとディスクの真実接触部分に集
まってメニスカスを形成するものと考えられる。特に、
高湿度下ではこれに水によるメニスカスが加わり、比較
例２のようにスティクションは著しく増大する。これに
対して、液体潤滑剤をクラウンエーテルを利用した場合
には、平滑基板上に液体潤滑剤が固着され、実施例１、
２の場合には回転開始時のトルクが高湿度下でも３０ｇ
ｆ・ｃｍ以下に低下しており、スティクションを抑制し
ていることがわかる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、薄膜で優れた潤滑性・
耐摩耗性を有し、長期間にわたり優れた耐久性を維持す
ることができる信頼性の高い潤滑層が得られる。特に、
磁気記録媒体に適用するにあたって、ヘッドの低浮上化
に対応した平滑な基板を用いた場合に、液体潤滑剤に特
有のヘッドとの吸着を発生させることがなく、良好な潤
滑性と充分な耐久性を有する。本発明による潤滑層を磁
気記録媒体に適用することによって、データ記録密度を
増大させることが可能となるとともに、長期にわたり信
頼性の高い磁気記録媒体を得ることができる。
耐摩耗性を有し、長期間にわたり優れた耐久性を維持す
ることができる信頼性の高い潤滑層が得られる。特に、
磁気記録媒体に適用するにあたって、ヘッドの低浮上化
に対応した平滑な基板を用いた場合に、液体潤滑剤に特
有のヘッドとの吸着を発生させることがなく、良好な潤
滑性と充分な耐久性を有する。本発明による潤滑層を磁
気記録媒体に適用することによって、データ記録密度を
増大させることが可能となるとともに、長期にわたり信
頼性の高い磁気記録媒体を得ることができる。
【図１】本発明の潤滑層の構成を示した概念図である。
１ 非磁性基板 ２ 磁性層 ３ 保護膜 ４ 環状配多座位子 ５ 潤滑作用を担う分子骨格 ６ 極性官能基 ７ 鎖状潤滑剤分子
フロントページの続き (72)発明者 横山 文明 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地三菱 化成株式会社総合研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】潤滑作用を担う分子骨格を置換基として有
する環状多座配位子と、極性官能基を有する鎖状潤滑剤
分子とを組み合わせて用いることを特徴とする潤滑層 - 【請求項２】環状多座配位子におけるドナ−原子がｓｐ
3 電子軌道からなる孤立電子対を有する請求項１の潤滑
層 - 【請求項３】環状多座配位子がクラウンエーテル骨格を
有する請求項１の潤滑層 - 【請求項４】極性官能基が鎖状潤滑剤分子の末端に位置
する請求項１の潤滑層 - 【請求項５】請求項１記載の潤滑層を備えたことを特徴
とする磁気記録媒体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17415594A JPH0836742A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 潤滑層および磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17415594A JPH0836742A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 潤滑層および磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0836742A true JPH0836742A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15973653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17415594A Pending JPH0836742A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 潤滑層および磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0836742A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998017617A1 (en) * | 1996-10-17 | 1998-04-30 | Hitachi, Ltd. | Fluorocompound, lubricant, surface modifier, lubricating film, magnetic recording medium, and magnetic recording device |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP17415594A patent/JPH0836742A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998017617A1 (en) * | 1996-10-17 | 1998-04-30 | Hitachi, Ltd. | Fluorocompound, lubricant, surface modifier, lubricating film, magnetic recording medium, and magnetic recording device |
| US6323163B1 (en) | 1996-10-17 | 2001-11-27 | Hitachi, Ltd. | Fluorocompound, lubricant, surface modifier, lubricating film, magnetic recording medium, and magnetic recording device |
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