JPH0837269A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0837269A JPH0837269A JP6170615A JP17061594A JPH0837269A JP H0837269 A JPH0837269 A JP H0837269A JP 6170615 A JP6170615 A JP 6170615A JP 17061594 A JP17061594 A JP 17061594A JP H0837269 A JPH0837269 A JP H0837269A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- recess
- lead
- island
- tab device
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂封止時の樹脂の流れにより発生するリード
の短絡や断線を防止する。 【構成】中央部に素子載置用の凹部を設けたアイランド
２の凹部底面にＴＡＢデバイスのＩＣチップ３をマウン
トし、凹部周囲の平面にＴＡＢデバイスのサスペンダ４
を接着して固定することにより、ＴＡＢデバイスが樹脂
流でずれたり変形することを防いでリードの短絡や断線
を低減する。
の短絡や断線を防止する。 【構成】中央部に素子載置用の凹部を設けたアイランド
２の凹部底面にＴＡＢデバイスのＩＣチップ３をマウン
トし、凹部周囲の平面にＴＡＢデバイスのサスペンダ４
を接着して固定することにより、ＴＡＢデバイスが樹脂
流でずれたり変形することを防いでリードの短絡や断線
を低減する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は、図３に
示すように、吊りピン１で支持されたアイランド２ａの
上にＩＣチップ９を搭載してリードフレームのインナリ
ード６との間をボンディングワイヤ１０により電気的に
接続し、樹脂体７により封止していたが、ＩＣチップ９
の高集積化が進むにつれてリード数も増加し、樹脂封止
時の樹脂の流れによってボンディングワイヤ１０が変形
し、近接する隣のボンディングワイヤやＩＣチップと接
触して短絡したり、ボンディングワイヤが伸びて切断さ
れたりする事故が多くなって来た。
示すように、吊りピン１で支持されたアイランド２ａの
上にＩＣチップ９を搭載してリードフレームのインナリ
ード６との間をボンディングワイヤ１０により電気的に
接続し、樹脂体７により封止していたが、ＩＣチップ９
の高集積化が進むにつれてリード数も増加し、樹脂封止
時の樹脂の流れによってボンディングワイヤ１０が変形
し、近接する隣のボンディングワイヤやＩＣチップと接
触して短絡したり、ボンディングワイヤが伸びて切断さ
れたりする事故が多くなって来た。
【０００３】そこで、図４に示すように、サスペンダ４
の上に配列したリードを有するＴＡＢテープのインナリ
ードをＩＣチップ３と接続して形成したＴＡＢデバイス
のアウタリード５をリードフレームのインナリード６に
接続し、ＴＡＢデバイスおよびリードフレームのインナ
リード６を含む領域を樹脂体６で封止することにより、
ボンディングワイヤの接触や断線による事故を防止でき
るようになった。
の上に配列したリードを有するＴＡＢテープのインナリ
ードをＩＣチップ３と接続して形成したＴＡＢデバイス
のアウタリード５をリードフレームのインナリード６に
接続し、ＴＡＢデバイスおよびリードフレームのインナ
リード６を含む領域を樹脂体６で封止することにより、
ボンディングワイヤの接触や断線による事故を防止でき
るようになった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置は、ＴＡＢデバイスを用いることによりボン
ディングワイヤで接続する場合に比べて樹脂封止時の樹
脂の流れに対する強度を増加させることはできたが、Ｉ
Ｃチップの集積度がさらに進むとＴＡＢテープのリード
数が増えリードも細くなり、その結果サスペンダが樹脂
の流れによりずれたり変形してリードが接触したり、Ｉ
Ｃチップに加えられた応力でサスペンダとＩＣチップ間
のインナリードに張力が加わり断線するという問題があ
った。
半導体装置は、ＴＡＢデバイスを用いることによりボン
ディングワイヤで接続する場合に比べて樹脂封止時の樹
脂の流れに対する強度を増加させることはできたが、Ｉ
Ｃチップの集積度がさらに進むとＴＡＢテープのリード
数が増えリードも細くなり、その結果サスペンダが樹脂
の流れによりずれたり変形してリードが接触したり、Ｉ
Ｃチップに加えられた応力でサスペンダとＩＣチップ間
のインナリードに張力が加わり断線するという問題があ
った。
【０００５】本発明の目的はＴＡＢテープの変形やずれ
によるリードの短絡や断線を防止して信頼性を向上させ
た半導体装置を提供することにある。
によるリードの短絡や断線を防止して信頼性を向上させ
た半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、中央部に素子搭載用の凹部を形成したアイラ
ンドあるいはヒートスプレッダと、前記凹部底面に半導
体チップを搭載し且つ前記凹部周囲の平面上にサスペン
ダを接着して固定したＴＡＢデバイスと、前記ＴＡＢデ
バイスのアウタリードと接続して前記アイランドの周囲
あるいは前記ヒートスプレッダの周縁部に配置したリー
ドフレームのインナリードと、前記アイランドあるいは
ヒートスプレッダおよび前記リードフレームのインナリ
ードとを含んで封止した樹脂体とを有する。
体装置は、中央部に素子搭載用の凹部を形成したアイラ
ンドあるいはヒートスプレッダと、前記凹部底面に半導
体チップを搭載し且つ前記凹部周囲の平面上にサスペン
ダを接着して固定したＴＡＢデバイスと、前記ＴＡＢデ
バイスのアウタリードと接続して前記アイランドの周囲
あるいは前記ヒートスプレッダの周縁部に配置したリー
ドフレームのインナリードと、前記アイランドあるいは
ヒートスプレッダおよび前記リードフレームのインナリ
ードとを含んで封止した樹脂体とを有する。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例を示す部分切欠平面図およびＡ−Ａ′線断面図であ
る。
例を示す部分切欠平面図およびＡ−Ａ′線断面図であ
る。
【０００９】図１（ａ），（ｂ）に示すように、中央部
をディンプル加工して素子搭載用の凹部を形成し、且つ
吊りピン１でリードフレームに支持されたアイランド２
の凹部底面にＡｇペースト等を用いてＴＡＢデバイスの
ＩＣチップ３を接着し、アイランド２の凹部周囲の平面
上にＴＡＢデバイスのサスペンダ４を接着固定する。次
に、ＴＡＢデバイスのアウタリード５をリードフレーム
のインナリード６に接続し、アイランド２およびインナ
リード６の一部を含む領域を樹脂体７で封止する。
をディンプル加工して素子搭載用の凹部を形成し、且つ
吊りピン１でリードフレームに支持されたアイランド２
の凹部底面にＡｇペースト等を用いてＴＡＢデバイスの
ＩＣチップ３を接着し、アイランド２の凹部周囲の平面
上にＴＡＢデバイスのサスペンダ４を接着固定する。次
に、ＴＡＢデバイスのアウタリード５をリードフレーム
のインナリード６に接続し、アイランド２およびインナ
リード６の一部を含む領域を樹脂体７で封止する。
【００１０】ここで、一部のリードフレームのＧＮＤリ
ード６ａをアイランド２に接続しても良く、ＧＮＤ（接
地）配線の抵抗を低減すると共に、アイランド２の吊り
ピンを兼ねさせ、樹脂注入時におけるアイランド２のず
れを低減することができる。
ード６ａをアイランド２に接続しても良く、ＧＮＤ（接
地）配線の抵抗を低減すると共に、アイランド２の吊り
ピンを兼ねさせ、樹脂注入時におけるアイランド２のず
れを低減することができる。
【００１１】図２（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施
例を示す部分切欠平面図およびＢ−Ｂ′線断面図であ
る。
例を示す部分切欠平面図およびＢ−Ｂ′線断面図であ
る。
【００１２】図２（ａ），（ｂ）に示すように、Ｃｕ板
あるいはＡｌ板等からなり中央部をディンプル加工して
素子搭載用の凹部を形成し、周縁部を絶縁性接着剤又は
絶縁性テープを介してリードフレームのインナリード６
に接着したヒートスプレッダ８の凹部底面にＡｇペース
トを用いてＴＡＢデバイスのＩＣチップ３を接着し、凹
部周囲の平面上にＴＡＢデバイスのサスペンダ４を接着
固定した以外は第１の実施例と同様の構成を有してお
り、放熱性を向上させると共にリードフレームのインナ
リード６のすべてがヒートスプレッタ８の周縁部に接着
されているので樹脂注入時の変形が抑制できる利点があ
る。なお、リードフレームのインナリード６のＧＮＤリ
ードをヒートスプレッダ８に直接接続することもでき
る。
あるいはＡｌ板等からなり中央部をディンプル加工して
素子搭載用の凹部を形成し、周縁部を絶縁性接着剤又は
絶縁性テープを介してリードフレームのインナリード６
に接着したヒートスプレッダ８の凹部底面にＡｇペース
トを用いてＴＡＢデバイスのＩＣチップ３を接着し、凹
部周囲の平面上にＴＡＢデバイスのサスペンダ４を接着
固定した以外は第１の実施例と同様の構成を有してお
り、放熱性を向上させると共にリードフレームのインナ
リード６のすべてがヒートスプレッタ８の周縁部に接着
されているので樹脂注入時の変形が抑制できる利点があ
る。なお、リードフレームのインナリード６のＧＮＤリ
ードをヒートスプレッダ８に直接接続することもでき
る。
【００１３】このように、複数のＧＮＤリードをアイラ
ンド又はヒートスプレッダに直接接続させることにより
ＧＮＤ配線の抵抗を４割程度まで低減することができ
る。
ンド又はヒートスプレッダに直接接続させることにより
ＧＮＤ配線の抵抗を４割程度まで低減することができ
る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ディンプ
ル加工で凹部を設けたアイランド又はスプレッダの凹部
底面にＴＡＢデバイスのＩＣを搭載し、凹部周辺の平面
上にＴＡＢデバイスのサスペンダを接着し固定すること
により、樹脂封止時の樹脂の流れでＴＡＢテープのサス
ペンダがずれ、断線や短絡が生ずることを防ぐことがで
き、半導体装置の信頼性を向上できるという効果を有す
る。
ル加工で凹部を設けたアイランド又はスプレッダの凹部
底面にＴＡＢデバイスのＩＣを搭載し、凹部周辺の平面
上にＴＡＢデバイスのサスペンダを接着し固定すること
により、樹脂封止時の樹脂の流れでＴＡＢテープのサス
ペンダがずれ、断線や短絡が生ずることを防ぐことがで
き、半導体装置の信頼性を向上できるという効果を有す
る。
【図１】本発明の第１の実施例を示す部分切欠平面図お
よびＡ−Ａ′線断面図。
よびＡ−Ａ′線断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す部分切欠平面図お
よびＢ−Ｂ′線断面図。
よびＢ−Ｂ′線断面図。
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置の第１の例を示す
部分切欠平面図およびＣ−Ｃ′線断面図。
部分切欠平面図およびＣ−Ｃ′線断面図。
【図４】従来の樹脂封止型半導体装置の第２の例を示す
部分切欠平面図およびＤ−Ｄ′線断面図。
部分切欠平面図およびＤ−Ｄ′線断面図。
１ 吊りピン ２，２ａ アイランド ３，９ ＩＣチップ ４ サスペンダ ５ ＴＡＢテープのアウタリード ６ リードフレームのインナリード ７ 樹脂体 ８ ヒートスプレッダ １０ ボンディングワイヤ
Claims (1)
- 【請求項１】 中央部に素子搭載用の凹部を形成したア
イランドあるいはヒートスプレッダと、前記凹部底面に
半導体チップを搭載し且つ前記凹部周囲の平面上にサス
ペンダを接着して固定したＴＡＢデバイスと、前記ＴＡ
Ｂデバイスのアウタリードと接続して前記アイランドの
周囲あるいは前記ヒートスプレッダの周縁部に配置した
リードフレームのインナリードと、前記アイランドある
いはヒートスプレッダおよび前記リードフレームのイン
ナリードとを含んで封止した樹脂体とを有することを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6170615A JPH0837269A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6170615A JPH0837269A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837269A true JPH0837269A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15908154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6170615A Pending JPH0837269A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0837269A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109968A (ja) * | 1990-12-10 | 1993-04-30 | Nippon Steel Corp | 接合強度の大きい複合リードフレーム |
-
1994
- 1994-07-22 JP JP6170615A patent/JPH0837269A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05109968A (ja) * | 1990-12-10 | 1993-04-30 | Nippon Steel Corp | 接合強度の大きい複合リードフレーム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19961210 |