JPH0838159A - 培養液膜形成方式による光合成培養装置 - Google Patents
培養液膜形成方式による光合成培養装置Info
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- JPH0838159A JPH0838159A JP6183776A JP18377694A JPH0838159A JP H0838159 A JPH0838159 A JP H0838159A JP 6183776 A JP6183776 A JP 6183776A JP 18377694 A JP18377694 A JP 18377694A JP H0838159 A JPH0838159 A JP H0838159A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 気液接触効率が高く、必要以上の物理的衝撃
を与えることがなく、菌体の培養到達濃度を高めること
ができる培養液膜形成方式による光合成培養装置を提供
する。 【構成】 透明なドーム型の上壁面１を有する中空容器
２と、この中空容器２の下部を形成する培養槽３と、こ
の培養槽３に設けられた循環式恒温槽４と、培養槽３の
中心部に設けられ、培養液１７を上方に向かって噴出す
る気液混合エジェクター６と、気液混合エジェクター６
に光合成反応用ガスライン１０を介して連結されたＣＯ
2 ボンベ１１と、ドーム型上壁面の上部空間部に設けら
れたハロゲンライプ８を有する
を与えることがなく、菌体の培養到達濃度を高めること
ができる培養液膜形成方式による光合成培養装置を提供
する。 【構成】 透明なドーム型の上壁面１を有する中空容器
２と、この中空容器２の下部を形成する培養槽３と、こ
の培養槽３に設けられた循環式恒温槽４と、培養槽３の
中心部に設けられ、培養液１７を上方に向かって噴出す
る気液混合エジェクター６と、気液混合エジェクター６
に光合成反応用ガスライン１０を介して連結されたＣＯ
2 ボンベ１１と、ドーム型上壁面の上部空間部に設けら
れたハロゲンライプ８を有する
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、培養液膜形成方式によ
る光合成培養装置に係り、特に光反応を主として行う反
応系、例えばクロレラ、スピルリナ等の微細藻類や植物
細胞を培養する装置であって、光照射効率が高く、菌体
の培養到達濃度を向上させることができる培養液膜形成
方式による光合成培養装置に関するものである。
る光合成培養装置に係り、特に光反応を主として行う反
応系、例えばクロレラ、スピルリナ等の微細藻類や植物
細胞を培養する装置であって、光照射効率が高く、菌体
の培養到達濃度を向上させることができる培養液膜形成
方式による光合成培養装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光合成培養装置として、例えば特
開昭５２−１０８０８２号公報に記載された、光源を内
臓した容器の内壁面に培養液を薄膜で流下させるものが
あげられる。図５は、このような光合成培養装置を示す
説明図である。この装置は、ドーム型の上壁面５１を有
する中空容器５２と、該中空容器５２の下部に設けられ
た培養槽５３と、該培養槽内に設けられた複数の、例え
ばスパージャ等からなる散気管５７と、培養槽５３を貫
通するように前記中空容器５２内に設けられた複数の光
源５４と、培養槽５３の中央部に設けられた、培養液を
噴出する噴出ノズル５６と、該噴出ノズル５６に連結さ
れた循環ポンプ５５とから主として構成されている。
開昭５２−１０８０８２号公報に記載された、光源を内
臓した容器の内壁面に培養液を薄膜で流下させるものが
あげられる。図５は、このような光合成培養装置を示す
説明図である。この装置は、ドーム型の上壁面５１を有
する中空容器５２と、該中空容器５２の下部に設けられ
た培養槽５３と、該培養槽内に設けられた複数の、例え
ばスパージャ等からなる散気管５７と、培養槽５３を貫
通するように前記中空容器５２内に設けられた複数の光
源５４と、培養槽５３の中央部に設けられた、培養液を
噴出する噴出ノズル５６と、該噴出ノズル５６に連結さ
れた循環ポンプ５５とから主として構成されている。
【０００３】散気管５７から培養液５８中に噴射され
る、例えば二酸化炭素（以下、炭酸ガスまたはＣＯ2 と
いう）が溶解した培養液５８は循環ポンプ５５を経て噴
出ノズル５６から上方に向かって噴出され、中空容器５
２のドーム型上壁面５１の内面に衝突し、培養液薄膜５
９を形成しつつ、前記培養槽５３へ流下して循環する。
このとき、培養液５８に懸濁した菌体は、培養液に溶存
した前記ＣＯ2 の存在下、光源５４から照射される照射
光を受けて増殖する。
る、例えば二酸化炭素（以下、炭酸ガスまたはＣＯ2 と
いう）が溶解した培養液５８は循環ポンプ５５を経て噴
出ノズル５６から上方に向かって噴出され、中空容器５
２のドーム型上壁面５１の内面に衝突し、培養液薄膜５
９を形成しつつ、前記培養槽５３へ流下して循環する。
このとき、培養液５８に懸濁した菌体は、培養液に溶存
した前記ＣＯ2 の存在下、光源５４から照射される照射
光を受けて増殖する。
【０００４】しかしながら、上記従来技術は、ＣＯ2 の
通気手段として散気管方式のものを使用しているため
に、気液接触効率が十分でなく、炭素（Ｃ）源の供給律
速阻害が発生し易いという問題がある。また培養液５８
の循環手段として循環ポンプを使用しているために、物
理的な衝撃によって菌体が破壊され易いという問題もあ
る。
通気手段として散気管方式のものを使用しているため
に、気液接触効率が十分でなく、炭素（Ｃ）源の供給律
速阻害が発生し易いという問題がある。また培養液５８
の循環手段として循環ポンプを使用しているために、物
理的な衝撃によって菌体が破壊され易いという問題もあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術の問題点を解決し、気液接触効率が高く、しか
も菌体に必要以上の物理的な衝撃を与えることがなく、
ドーム型上壁面の内面に液膜を形成させ、菌体の生育到
達濃度を向上させることができる培養液膜形成方式によ
る光合成培養装置を提供することにある。
従来技術の問題点を解決し、気液接触効率が高く、しか
も菌体に必要以上の物理的な衝撃を与えることがなく、
ドーム型上壁面の内面に液膜を形成させ、菌体の生育到
達濃度を向上させることができる培養液膜形成方式によ
る光合成培養装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願で特許請求する発明は以下のとおりである。 （１）透明なドーム型の上壁面を有する中空容器と、該
中空容器の下部を形成する培養槽と、該培養槽に設けら
れた培養液の温度制御手段と、前記培養槽の中心部に設
けられ、前記ドーム型の上壁面に向かって培養液を噴出
する気液混合エジェクターと、該気液混合エジェクター
に連結された炭素含有ガスの供給源と、前記ドーム型上
壁面の上部または下部空間部に設けられた光源を有する
ことを特徴とする培養液膜形成方式による光合成培養装
置。
め、本願で特許請求する発明は以下のとおりである。 （１）透明なドーム型の上壁面を有する中空容器と、該
中空容器の下部を形成する培養槽と、該培養槽に設けら
れた培養液の温度制御手段と、前記培養槽の中心部に設
けられ、前記ドーム型の上壁面に向かって培養液を噴出
する気液混合エジェクターと、該気液混合エジェクター
に連結された炭素含有ガスの供給源と、前記ドーム型上
壁面の上部または下部空間部に設けられた光源を有する
ことを特徴とする培養液膜形成方式による光合成培養装
置。
【０００７】
【作用】培養液を噴出する手段として気液混合エジェク
ターを用いたことにより、エジェクターに供給される炭
素含有ガスと培養液との接触効率が向上するので、培養
液中に十分な炭素が供給されるとともに、機械的な攪拌
による菌体の破壊またはストレスの発生が防止される。
ターを用いたことにより、エジェクターに供給される炭
素含有ガスと培養液との接触効率が向上するので、培養
液中に十分な炭素が供給されるとともに、機械的な攪拌
による菌体の破壊またはストレスの発生が防止される。
【０００８】また、中空容器の上壁面を透明なドーム型
とし、中空容器内下方に温度制御手段を有する培養槽を
設け、前記上壁面の上部または下部空間部に光源を配置
したことにより、培養槽の中心部に設けられた前記気液
混合エジェクターによって、炭素を含んだ培養液を前記
ドーム型の上壁面に向かって噴出すると、噴出された培
養液は前記ドーム型の上壁面に衝突して内面に薄膜を形
成しながらその内壁面に沿って流下する。このとき、培
養液は薄膜状で光源からの光を受けるので、培養液に懸
濁した菌体は、その濃度が高くても十分な光を受けて効
率的に増殖する。
とし、中空容器内下方に温度制御手段を有する培養槽を
設け、前記上壁面の上部または下部空間部に光源を配置
したことにより、培養槽の中心部に設けられた前記気液
混合エジェクターによって、炭素を含んだ培養液を前記
ドーム型の上壁面に向かって噴出すると、噴出された培
養液は前記ドーム型の上壁面に衝突して内面に薄膜を形
成しながらその内壁面に沿って流下する。このとき、培
養液は薄膜状で光源からの光を受けるので、培養液に懸
濁した菌体は、その濃度が高くても十分な光を受けて効
率的に増殖する。
【０００９】光合成反応は、光照射量が制限基質因子と
なるので、菌体の育成を阻害しない範囲内で十分な照射
量を確保することが必要となる。菌体濃度が高くなって
も高い照射効率を維持することができる、本発明の薄膜
を形成して光を照射する方法は高濃度培養に最も適して
いる。本発明において、ドーム型の上壁面は、例えばガ
ラス、アクリル樹脂、塩化ビニル等の透明の材質で構成
される。培養槽は、ジャケット構造のものが好ましく、
培養槽に設けられる培養液の温度制御手段としては、例
えば冷水または温水を循環する循環式のものが好適に使
用される。また、培養槽には、培養液中の溶存酸素濃
度、溶存ＣＯ2 濃度、培養液の温度等を検出する反応モ
ニターを設けることが好ましい。
なるので、菌体の育成を阻害しない範囲内で十分な照射
量を確保することが必要となる。菌体濃度が高くなって
も高い照射効率を維持することができる、本発明の薄膜
を形成して光を照射する方法は高濃度培養に最も適して
いる。本発明において、ドーム型の上壁面は、例えばガ
ラス、アクリル樹脂、塩化ビニル等の透明の材質で構成
される。培養槽は、ジャケット構造のものが好ましく、
培養槽に設けられる培養液の温度制御手段としては、例
えば冷水または温水を循環する循環式のものが好適に使
用される。また、培養槽には、培養液中の溶存酸素濃
度、溶存ＣＯ2 濃度、培養液の温度等を検出する反応モ
ニターを設けることが好ましい。
【００１０】本発明において、培養液をドーム型の上壁
面に向けて噴出する気液混合エジェクターは、例えば、
培養槽の中央に配置され、その先端部には前記ドーム型
上壁面に向かって開口する拡径部を有する案内管が連結
される。また、気液混合エジェクターの気体噴出ノズル
は、配管を介して、例えば炭素源としてＣＯ2 を供給す
るＣＯ2 ボンベと連結されている。
面に向けて噴出する気液混合エジェクターは、例えば、
培養槽の中央に配置され、その先端部には前記ドーム型
上壁面に向かって開口する拡径部を有する案内管が連結
される。また、気液混合エジェクターの気体噴出ノズル
は、配管を介して、例えば炭素源としてＣＯ2 を供給す
るＣＯ2 ボンベと連結されている。
【００１１】本発明において、ドーム型の上壁面の上部
または下部空間部に設けられる、光合成用の光源として
は、例えば人工光源としてハロゲンランプ、螢光ラン
プ、白熱ランプ等が、また自然光源としては太陽光が用
いられる。
または下部空間部に設けられる、光合成用の光源として
は、例えば人工光源としてハロゲンランプ、螢光ラン
プ、白熱ランプ等が、また自然光源としては太陽光が用
いられる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明を実施例によってさらに詳細に
説明する。図１は、本発明の一実施例を示す光合成培養
装置の説明図、図２は、図１の噴出ノズルの外形図、図
３は図２の III−III 線矢示方向断面図である。図１に
おいてこの培養装置は、透明な材質、例えばガラスから
なるドーム型の上壁面１を有する中空容器２と、該中空
容器２の下部に設けられたジャケット構造の培養槽３
と、該培養槽３の温度制御手段である循環式恒温槽４
と、前記培養槽３の中心部に設けられた、前記ドーム型
上壁面１に向かって培養液１７を噴出する気液混合エジ
ェクター６と、該気液混合エジェクター６に光合成反応
ガスライン１０を介して連結された炭素供給源としての
ＣＯ2 ボンベ１１と、前記ドーム型上壁面１の上部空間
部に設けられた光源としてのハロゲンランプ８とから主
として構成されている。なお、９はコンプレッサー、１
２および１３はフローメータ、１６は培養液の溶存酸素
濃度、溶存ＣＯ2 濃度または／および培養液温度を検出
するセンサーである。また、ＣＯ2 ボンベ１１にはＣＯ
2 の流出量を制御するレギュレータが設けられている。
説明する。図１は、本発明の一実施例を示す光合成培養
装置の説明図、図２は、図１の噴出ノズルの外形図、図
３は図２の III−III 線矢示方向断面図である。図１に
おいてこの培養装置は、透明な材質、例えばガラスから
なるドーム型の上壁面１を有する中空容器２と、該中空
容器２の下部に設けられたジャケット構造の培養槽３
と、該培養槽３の温度制御手段である循環式恒温槽４
と、前記培養槽３の中心部に設けられた、前記ドーム型
上壁面１に向かって培養液１７を噴出する気液混合エジ
ェクター６と、該気液混合エジェクター６に光合成反応
ガスライン１０を介して連結された炭素供給源としての
ＣＯ2 ボンベ１１と、前記ドーム型上壁面１の上部空間
部に設けられた光源としてのハロゲンランプ８とから主
として構成されている。なお、９はコンプレッサー、１
２および１３はフローメータ、１６は培養液の溶存酸素
濃度、溶存ＣＯ2 濃度または／および培養液温度を検出
するセンサーである。また、ＣＯ2 ボンベ１１にはＣＯ
2 の流出量を制御するレギュレータが設けられている。
【００１３】図２および３において、前記気液混合エジ
ェクター６は、液体流入孔２１を有する外管２２と、該
外管２２の下部閉塞端２３に連結された気体噴出ノズル
２４とからなり、該気体噴出ノズル２４の先端部２８は
前記外管２２の液体流入孔２１の上端部よりも所定の長
さ、例えば５ｍｍだけ上方に延びている。エジェクター
６の外管２２の上部開口部２５には、拡径した上部開口
端２６を有する案内管２７が連結されている。
ェクター６は、液体流入孔２１を有する外管２２と、該
外管２２の下部閉塞端２３に連結された気体噴出ノズル
２４とからなり、該気体噴出ノズル２４の先端部２８は
前記外管２２の液体流入孔２１の上端部よりも所定の長
さ、例えば５ｍｍだけ上方に延びている。エジェクター
６の外管２２の上部開口部２５には、拡径した上部開口
端２６を有する案内管２７が連結されている。
【００１４】このような構成において、ＣＯ2 ボンベ１
１に充填されたＣＯ2 はコンプレッサ９から押し出され
る空気流に伴って光合成反応ガスライン１０を経てエジ
ェクター６の気体噴出ノズル２４に流入し、外管２２の
液体流入孔２１から流入する、循環式恒温槽４によっ
て、例えば２５℃に温度調節された培養液１７と接触混
合し、該培養液１７に溶解する。ＣＯ2 が溶解した培養
液１７は、気液混合エジェクター６に流入する前記ＣＯ
2 を含んだ空気流のガスリフト効果によって押し上げら
れ、その先端部に連結された案内管２７の拡径した上部
開口端２６から上方に向かって噴出され、ドーム型上壁
面１に衝突し、その内壁面に沿って薄膜１８を形成しな
がら流下する。このとき培養液の薄膜１８内に懸濁した
菌体は、該培養液に溶存する前記ＣＯ2 の存在下で、ハ
ロゲンランプ８の照射光を受けて増殖する。増殖した菌
体を含む培養液の薄膜１８は、ドーム型上壁面１の内壁
面に沿って流下して培養槽３に戻され、以下同様にして
中空容器２内を循環し、菌体の培養が行われる。培養槽
３内の培養液１７に溶存するＣＯ2 濃度、酸素濃度、お
よび培養液温度はそれぞれセンサー１６によって監視さ
れ、菌体の育成に最適な条件に調整される。
１に充填されたＣＯ2 はコンプレッサ９から押し出され
る空気流に伴って光合成反応ガスライン１０を経てエジ
ェクター６の気体噴出ノズル２４に流入し、外管２２の
液体流入孔２１から流入する、循環式恒温槽４によっ
て、例えば２５℃に温度調節された培養液１７と接触混
合し、該培養液１７に溶解する。ＣＯ2 が溶解した培養
液１７は、気液混合エジェクター６に流入する前記ＣＯ
2 を含んだ空気流のガスリフト効果によって押し上げら
れ、その先端部に連結された案内管２７の拡径した上部
開口端２６から上方に向かって噴出され、ドーム型上壁
面１に衝突し、その内壁面に沿って薄膜１８を形成しな
がら流下する。このとき培養液の薄膜１８内に懸濁した
菌体は、該培養液に溶存する前記ＣＯ2 の存在下で、ハ
ロゲンランプ８の照射光を受けて増殖する。増殖した菌
体を含む培養液の薄膜１８は、ドーム型上壁面１の内壁
面に沿って流下して培養槽３に戻され、以下同様にして
中空容器２内を循環し、菌体の培養が行われる。培養槽
３内の培養液１７に溶存するＣＯ2 濃度、酸素濃度、お
よび培養液温度はそれぞれセンサー１６によって監視さ
れ、菌体の育成に最適な条件に調整される。
【００１５】本実施例によれば、ＣＯ2 を含んだ空気流
を利用して気液混合エジェクター６のガスリフト効果に
よる推進力によって培養液１７を上方に向かって噴出す
ようにしたことにより、気液接触効率が向上して培養液
１７へのＣＯ2 の溶解が促進するとともに、培養液に必
要以上の物理的な力を作用させることがないので、菌体
のストレスを防止してその増殖作用を促進することがで
きる。
を利用して気液混合エジェクター６のガスリフト効果に
よる推進力によって培養液１７を上方に向かって噴出す
ようにしたことにより、気液接触効率が向上して培養液
１７へのＣＯ2 の溶解が促進するとともに、培養液に必
要以上の物理的な力を作用させることがないので、菌体
のストレスを防止してその増殖作用を促進することがで
きる。
【００１６】また、ドーム型上壁面の内側に培養液１の
薄膜１８を形成するこができるので、高濃度培養液であ
っても十分な光照射効率を確保して培養到達濃度を高め
ることができる。次に、本発明の具体的実施例を説明す
る。
薄膜１８を形成するこができるので、高濃度培養液であ
っても十分な光照射効率を確保して培養到達濃度を高め
ることができる。次に、本発明の具体的実施例を説明す
る。
【００１７】実施例１ 図１の装置において培養液として改変デトマーを用い、
培養液温度を２５℃、通気量を１ｖｖｍ（１％ＣＯ2 混
合空気通気量６リットル／ｍｉｎ、培養液循環量：１．
０リットル／ｍｉｎ）、照射量を４５０μＥ／ｍ2・Ｓ
として、初期菌体濃度０．０５ｇ／リットルのアナベナ
の培養試験を行ったところ、培養開始１０日後の培養到
達濃度は約１．５ｇ／リットルであった。
培養液温度を２５℃、通気量を１ｖｖｍ（１％ＣＯ2 混
合空気通気量６リットル／ｍｉｎ、培養液循環量：１．
０リットル／ｍｉｎ）、照射量を４５０μＥ／ｍ2・Ｓ
として、初期菌体濃度０．０５ｇ／リットルのアナベナ
の培養試験を行ったところ、培養開始１０日後の培養到
達濃度は約１．５ｇ／リットルであった。
【００１８】比較例１ 図５に示した従来装置を用い、上記実施例１と同様の条
件で同様の培養テストを行ったところ、培養開始１０日
後の培養到達濃度は約１．０ｇ／リットルであった。実
施例１および比較例１の結果を図４に示す。図におい
て、本発明の光合成培養装置を用いた実施例１は、比較
例１に比べて培養到達速度が著しく向上したことが分か
る。
件で同様の培養テストを行ったところ、培養開始１０日
後の培養到達濃度は約１．０ｇ／リットルであった。実
施例１および比較例１の結果を図４に示す。図におい
て、本発明の光合成培養装置を用いた実施例１は、比較
例１に比べて培養到達速度が著しく向上したことが分か
る。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、培養液の噴出手段とし
て炭素含有ガスと培養液とを混合して上方に噴出する気
液混合エジェクターを用いたことにより、気液接触効率
が向上し、しかも菌体に必要以上の物理的な衝撃力およ
びストレスを与えることがないので、菌体の培養到達速
度が著しく向上する。
て炭素含有ガスと培養液とを混合して上方に噴出する気
液混合エジェクターを用いたことにより、気液接触効率
が向上し、しかも菌体に必要以上の物理的な衝撃力およ
びストレスを与えることがないので、菌体の培養到達速
度が著しく向上する。
【図１】本発明の一実施例を示す光合成培養装置の説明
図。
図。
【図２】図１の気液混合エジェクターを示す外形図。
【図３】図２の III−III 線矢示方向縦断面図。
【図４】本発明の効果を示す説明図。
【図５】従来技術の説明図。
１…ドーム型上壁面、２…中空容器、３…培養槽、４…
循環式恒温槽、６…気液混合エジェクター、８…ハロゲ
ンランプ、９…コンプレッサー、１０…光合成反応用ガ
スライン、１１…ＣＯ2 ボンベ、１６…センサー、１７
…培養液、１８…培養液の薄膜、２１…液体流入孔、２
２…外管、２３…外管の閉塞端、２４…気体噴出ノズ
ル、２５…上部開口部、２６…拡径した上部開口端、２
７…案内管、２８…気体噴出ノズルの先端部。
循環式恒温槽、６…気液混合エジェクター、８…ハロゲ
ンランプ、９…コンプレッサー、１０…光合成反応用ガ
スライン、１１…ＣＯ2 ボンベ、１６…センサー、１７
…培養液、１８…培養液の薄膜、２１…液体流入孔、２
２…外管、２３…外管の閉塞端、２４…気体噴出ノズ
ル、２５…上部開口部、２６…拡径した上部開口端、２
７…案内管、２８…気体噴出ノズルの先端部。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｄ 53/62 Ｃ０１Ｂ 31/20 ＺＡＢ Ｚ Ｃ１２Ｎ 1/00 Ｂ 8828−4Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】 透明なドーム型の上壁面を有する中空容
器と、該中空容器の下部を形成する培養槽と、該培養槽
に設けられた培養液の温度制御手段と、前記培養槽の中
心部に設けられ、前記ドーム型の上壁面に向かって培養
液を噴出する気液混合エジェクターと、該気液混合エジ
ェクターに連結された炭素含有ガスの供給源と、前記ド
ーム型上壁面の上部または下部空間部に設けられた光源
を有することを特徴とする培養液膜形成方式による光合
成培養装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6183776A JPH0838159A (ja) | 1994-08-04 | 1994-08-04 | 培養液膜形成方式による光合成培養装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6183776A JPH0838159A (ja) | 1994-08-04 | 1994-08-04 | 培養液膜形成方式による光合成培養装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0838159A true JPH0838159A (ja) | 1996-02-13 |
Family
ID=16141754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6183776A Pending JPH0838159A (ja) | 1994-08-04 | 1994-08-04 | 培養液膜形成方式による光合成培養装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0838159A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432828B1 (ko) * | 2001-03-19 | 2004-05-24 | 라파즈 한라 시멘트 주식회사 | 반연속식 공정과 직렬식 공정을 이용한 생물학적이산화탄소 고정화 방법 |
| JP2012023978A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Hitachi Plant Technologies Ltd | 光合成微生物培養装置および光合成微生物培養方法 |
-
1994
- 1994-08-04 JP JP6183776A patent/JPH0838159A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100432828B1 (ko) * | 2001-03-19 | 2004-05-24 | 라파즈 한라 시멘트 주식회사 | 반연속식 공정과 직렬식 공정을 이용한 생물학적이산화탄소 고정화 방법 |
| JP2012023978A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Hitachi Plant Technologies Ltd | 光合成微生物培養装置および光合成微生物培養方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |