JPH0841326A - アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐熱性に優れ、かつ光スイッチングや変調等
の光信号処理に優れたアクティブ光導波路用組成物、こ
れを用いたアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ
光導波路を提供する。 【構成】 フッ素化ポリアミド酸及び電気光学材料を含
むアクティブ光導波路用組成物であって、電気光学材料
が一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ａｚはピロール環、インドール環又はベンズイ
ミダゾール環を示し、ｎは１又は２である）で表される
化合物であるアクティブ光導波路用組成物、これを用い
たアクティブ光導波路の製造法及びアクティブ光導波
路。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブ光導波路用
組成物、これを用いたアクティブ光導波路の製造法及び
アクティブ光導波路に関する。

【０００２】

【従来の技術】オプトエレクトロニクスＩＣ（ＯＥＩ
Ｃ）における光導波路には、従来からＬｉＮｂＯ₃、Ｌ
ｉＴａＯ₃、ＰＬＺＴ、Ｓｒ₂Ｎｂ₂Ｏ₇等の無機材料が用
いられている。しかしながら、これらの材料は潮解性や
低い被破壊しきい値、さらには高誘電率のため応答速度
が遅く、そのため適用できる周波数帯域が限定される問
題点がある。これに対して有機高分子材料は、一般に潮
解性もなく被破壊しきい値が高いなど無機材料に比べて
優れているが、このような高分子材料は一般には配向性
がなく、このままでは電気光学効果を利用した光スイッ
チや変調素子等の材料として用いることができない。一
般に配向性のない高分子材料に対し、加熱しながら直流
電場を印加し配向させる、すなわち、ポーリング処理に
より電気光学効果を発現させる手法が用いられるが、ポ
ーリング後常温に戻し放置すること及び使用することに
よって配向が失われ、電気光学効果が消失する重大な問
題点がある。従来、高分子系光導波路材料としてポリメ
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などが精力的に研究さ
れているが、ガラス転移温度（Tg）が１５０℃程度と低
くＯＥＩＣ製造中にかかる２００℃以上の温度において
ポーリングによって発現した配向性が完全に消失する問
題点がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、耐熱
性、電気光学効果に優れ、広い周波数帯域に適用できる
アクティブ光導波路用組成物、これを用いたアクティブ
光導波路の製造法及びアクティブ光導波路を提供するも
のである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、フッ素化ポリ
アミド酸及び電気光学材料を含むアクティブ光導波路用
組成物であって、電気光学材料が一般式（Ｉ）

【化６】 （式中、Ａｚはピロール環、インドール環又はベンズイ
ミダゾール環を示し、ｎは１又は２である）で表される
化合物であるアクティブ光導波路用組成物に関する。

【０００５】また、本発明は、上記アクティブ光導波路
用組成物中のフッ素化ポリアミド酸を、イミド閉環して
フッ素化ポリイミドとし、電気光学材料を配向させるこ
とを特徴とするアクティブ光導波路の製造法に関する。

【０００６】また、本発明は、上記アクティブ光導波路
の製造法により製造されたアクティブ光導波路に関す
る。

【０００７】以下本発明を詳細に説明する。本発明に用
いられるフッ素化ポリアミド酸は、フルオロ基、フルオ
ロアルキル基等を有するポリアミド酸であり、通常のポ
リアミド酸の製造と同様な条件で製造でき、一般的には
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの極性有機
溶媒中で、少なくとも一方がフルオロ基、フルオロアル
キル基で置換されたジアミンとテトラカルボン酸又はそ
の誘導体とを反応させて製造することができる。フルオ
ロ基、フルオロアルキル基等で置換されたジアミンとし
ては、例えば、３−フルオロ−１、２−フェニレンジア
ミン、４−フルオロ−１、２−フェニレンジアミン、
３、４−ジフルオロ−１、２−フェニレンジアミン、３
−フルオロ−１、３−フェニレンジアミン、４−フルオ
ロ−１、３−フェニレンジアミン、３、４−ジフルオロ
−１、３−フェニレンジアミン、３−フルオロ−１、４
−フェニレンジアミン、４−フルオロ−１、４−フェニ
レンジアミン、３、４−ジフルオロ−１、４−フェニレ
ンジアミン、３−トリフルオロメチル−１、２−フェニ
レンジアミン、４−トリフルオロメチル−１、２−フェ
ニレンジアミン、３−トリフルオロメチル−１、３−フ
ェニレンジアミン、４−トリフルオロメチル−１、３−
フェニレンジアミン、３−トリフルオロメチル−１、４
−フェニレンジアミン、４−トリフルオロメチル−１、
４−フェニレンジアミン、２、２′−（ビストリフルオ
ロメチル）−４、４′−ジアミノビフェニル、２、２′
−ジフルオロ−４、４′−ジアミノビフェニル等が挙げ
られる。

【０００８】またフルオロ基、フルオロアルキル基等で
置換されたテトラカルボン酸やその誘導体としての酸無
水物、酸塩化物、エステル化物としては、例えば、１−
フルオロピロメリット酸、１、４−ジフルオロピロメリ
ット酸、１−トリフルオロメチルピロメリット酸、２、
２−ビス（２、３−ジカルボキシフェニル）−ヘキサフ
ルオロプロパン、１、４−ビス（３、４−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、
２、２′−ジフルオロ−３、３′、４、４′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸、２、２′−ビス（トリフルオロメ
チル）−３、３′、４、４′−ビフェニルテトラカルボ
ン酸やこれらの酸無水物、酸塩化物、エステル化物等が
挙げられる。なお、上記以外のフルオロ基、フルオロア
ルキル基等で置換されていないジアミンやテトラカルボ
ン酸及びその誘導体を本発明の目的を阻害しない範囲で
用いてもよい。

【０００９】本発明におけるフッ素化ポリアミド酸は、
電気光学効果、耐熱性等の点から、イミド閉環してフッ
素化ポリイミドとなった時、屈折率が１．４〜１．９
（５８９nm）、誘電率が２．６〜３．５（１MHz）及び
ガラス転移温度（Tg）が３００℃以上となるものが好ま
しい。

【００１０】本発明におけるフッ素化ポリアミド酸は、
電気光学効果、耐熱性等の点から、式（II−１）

【化７】 で表される繰り返し単位及び式（II−２）

【化８】 で表される繰り返し単位の少なくとも１つと式（III−
１）

【化９】 で表される繰り返し単位及び式（III−２）

【化１０】 で表される繰り返し単位の少なくとも１つとを有するフ
ッ素化ポリアミド酸であることが好ましい。

【００１１】フッ素化ポリアミド酸中に前記式（II−
１）で表される繰り返し単位又は前記式（II−２）で表
される繰り返し単位を与えるには、例えば、ジアミンと
して２，２′−（ビストリフルオロメチル）−４，４′
−ジアミノビフェニルを用い、テトラカルボン酸無水物
としてピロメリット酸無水物を用いればよい。

【００１２】フッ素化ポリアミド酸中に前記式（III−
１）で表される繰り返し単位又は前記式（III−２）で
表される繰り返し単位を与えるには、例えば、ジアミン
として２，２′−（ビストリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノビフェニルを用い、テトラカルボン酸無
水物として２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−
３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸無水
物を用いればよい。

【００１３】本発明におけるフッ素化ポリアミド酸をイ
ミド閉環させることにより得られるフッ素化ポリイミド
の屈折率は、使用するジアミンやテトラカルボン酸及び
その誘導体の種類と使用量を適宜選択することにより容
易に調整することができる。例えば、フッ素化ポリアミ
ド酸において前記式（II−１）で表される繰り返し単位
又は前記式（II−２）で表される繰り返し単位の含有量
を増やすと、得られるフッ素化ポリイミドの屈折率を増
大させることができる。一方、フッ素化ポリアミド酸に
おいて前記式（III−１）で表される繰り返し単位又は
前記式（III−２）で表される繰り返し単位の含有量を
増やすと、得られるフッ素化ポリイミドの屈折率を減少
させることができる。

【００１４】本発明においては、ジアミンやテトラカル
ボン酸又はその誘導体は、単一で用いるばかりでなく、
複数のジアミンやテトラカルボン酸又はその誘導体を組
み合わせて用いることができる。その場合は、複数又は
単一のジアミンのモル数の合計と複数または単一のテト
ラカルボン酸又はその誘導体のモル数の合計が等しいか
ほぼ等しくなるようにすることが好ましい。ジアミンと
テトラカルボン酸又はその誘導体の反応により得られた
フッ素化ポリアミド酸の溶液において、その溶液の固形
分濃度は５〜４０重量％、特に１０〜２５重量％である
ことが好ましい。また、フッ素化ポリアミド酸は、固形
分濃度１５重量％のとき、そのｎ−メチル−２−ピロリ
ドン溶液の回転粘度（２０℃）が、２０００〜８０００
mPa・sであるものが好ましく、４０００〜６０００mPa・s
であるものがより好ましい。

【００１５】本発明におけるフッ素化ポリイミドは、電
気光学効果、耐熱性等の点から、下記式（II）

【化１１】 で表される繰り返し単位及び下記式（III）

【化１２】 で表される繰り返し単位を有するフッ素化ポリイミドで
あることが好ましい。

【００１６】本発明における電気光学材料は、耐熱性及
び電気光学効果の点から、一般式（Ｉ）

【化１３】 （式中、Ａｚはピロール環、インドール環又はベンズイ
ミダゾール環を示し、ｎは１又は２である）で表される
化合物とされる。

【００１７】この一般式（Ｉ）で表される化合物として
は、例えば、以下のような化合物が列挙できる。

【００１８】

【化１７】

【００１９】前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、以
下の反応式に基づいて合成することができる。

【化１８】 （式中、Ａｚ−Ｈは、ピロール、インドール又はベンズ
イミダゾールを示し、ｎは１又は２である） 例えば、Ａｚ−Ｈを１，４−ジオキサンに加え、次いで
Ａｚ−Ｈとほぼ等モルのニトロフェニルスルフェニルク
ロリドを加え、これにトリエチルアミンを少しずつ加え
た後、１〜２時間室温で反応させることにより、一般式
（Ｉ）で表される化合物を得ることができる。

【００２０】本発明のアクティブ光導波路用組成物は、
例えば、フッ素化ポリアミド酸の極性有機溶媒溶液に電
気光学材料を加えて撹拌等により混合することにより容
易に製造することができる。この際、電気光学材料の使
用量は、フッ素化ポリアミド酸１００重量部に対して
０．１〜１０重量部の範囲とすることが好ましく、０．
５〜５重量部とすることがより好ましく、０．５〜３重
量部とすることが特に好ましい。この使用量が少なすぎ
ても多すぎても、電気光学特性、その他の光学特性、機
械特性、安定性、作業性等が劣る傾向がある。本発明の
アクティブ光導波路用組成物には、フッ素化ポリアミド
酸以外のポリマー（例えば、フッ素原子を含んでいない
ポリアミド酸、液晶ポリエステル等の液晶性ポリマ
ー）、ピンホール防止剤、レベリング剤、可塑剤、密着
性向上剤等の添加剤などを含ませることができる。

【００２１】本発明のアクティブ光導波路について説明
する。本発明のアクティブ光導波路は、例えば、光マト
リックススイッチ、変調器、光偏光器、光アイソレータ
ー等に用いられる。光マトリックススイッチ、変調器の
基本形態を図１に示す。光導波路の形成においては、一
般的な製膜法、例えば、スピンコート法、浸漬法、ドク
ターブレード法、ワイヤーバー法、ローラー法、スプレ
ー法等を用いることができる。光導波路のコア材とクラ
ッド材の選択は、光の波長、使用用途に適した屈折率の
差になるようにすればよい。

【００２２】本発明のアクティブ光導波路は、アクティ
ブ光導波路用組成物を、例えば、シリコン基板上にスピ
ンコートし、窒素雰囲気下で加熱処理しアクティブ光導
波路用組成物中のフッ素化ポリアミド酸をイミド閉環し
てフッ素化ポリイミドとし、電気光学材料を配向させる
ことにより形成することができる。例えば、アクティブ
光導波路の一態様である方向性結合器型光スイッチの製
造について図２を参照しつつ説明する。１は基板、２は
下部電極、３は下部クラッド層、４はコア層、５はアル
ミニウム層、６はレジスト層、７は上部クラッド層、８
は上部電極を意味する。シリコン等の基板の上にアルミ
ニウム等の下部電極２を蒸着法やスパッタ法等により作
製し、次に本発明のアクティブ光導波路用組成物からな
るコア層４よりも屈折率の小さい、本発明のアクティブ
光導波路用組成物における二つの必須構成要素の内の一
つの構成要素であるフッ素化ポリイミドで構成される下
部クラッド層３を形成する。この上に本発明のアクティ
ブ光導波路用組成物（電気光学材料及びフッ素化ポリア
ミド酸を必須構成成分として含む）を所定の厚さに塗布
し、加熱キュアすることによりコア層４を得る。次に蒸
着法等によりアルミニウム層５をつけた後に、レジスト
塗布、プリベーク、露光、現像、アフターベークを行な
い、パターニングされたレジスト層６を得る。レジスト
層６により保護されていないアルミニウムをウェットエ
ッチングにより除去した後、アルミニウム層５で保護さ
れていないコア層４のポリイミド層をドライエッチング
により除去する。残ったアルミニウム層６をウェットエ
ッチングで除去し、この上に前記下部クラッド層３形成
に用いたポリイミドを用いて上部クラッド層７を形成す
る。最後にマスクパターンを通して所定のコア層４の上
に上部電極８を蒸着法やスパッタ法等により形成し方向
性結合器型光スイッチが得られる。

【００２３】前記アクティブ光導波路中のコア層に含ま
れる電気光学材料を配向させるには、ポーリング処理等
を行なえばよい。例えば、電場を印加しながら加熱して
イミド閉環によるイミド化を行ないながら、同時に電気
光学材料を配向させることができる。電場の印加方法に
は、電極を設けて行なう方法、コロナ放電で表面を帯電
させる方法等が挙げられる。電場の強さは、１０⁵V/cm
とすることが好ましく、１０⁶V/cm以上とすることがよ
り好ましい。また、イミド閉環によるイミド化を行ない
最終的な構造であるフッ素化ポリイミドとした後に、こ
れに電場を加えてTg以上の温度に加熱して電気光学材料
を配向させることもできる。導波路は、通常、１０μｍ
〜１５μｍ幅で、３μｍ〜４μｍの高さで形成され、パ
タ−ン間隔は、２μｍ〜３μｍ程度である。

【００２４】本発明においては、プラスチック中で最も
高い耐熱性を有するフッ素化ポリイミドが光導波路のコ
ア層、クラッド層のいずれかまたは両者に用いられる。
また、耐熱性に優れる電気光学材料である一般式（Ｉ）
で表される化合物が前記フッ素化ポリイミド中に含有さ
れる。

【００２５】

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるもので
はない。

【００２６】製造例１ ２−（４−ニトロフェニルチオ）ピロール（化合物１）
の合成 ピロール２．４ml（２．３ｇ、３４．６mmol）をエルレ
ンマイヤーフラスコに採取し、１，４−ジオキサン５０
mlと混合し、撹拌しながら４−ニトロベンゼンスルフェ
ニルクロリド５．７ｇ（３０．１mmol）を加え、トリエ
チルアミン６．０ml（４．４ｇ、４３．０mmol）を少し
ずつ加えた後、１時間室温で撹拌した。次いで、反応液
を減圧濃縮し、残査を真空乾燥した後、少量のエタノー
ルに溶解し、この溶液に水４００mlを滴下しながら加
え、析出した粗結晶を吸引ろ過によりろ取し、多量の水
でよく洗浄する。この粗結晶を真空乾燥した後、エタノ
ール及びトルエン等の溶媒から再結晶し、目的物（化合
物１）を得た。

【００２７】製造例２ ２−（２，４−ジニトロフェニルチオ）ピロール（化合
物２）の合成 製造例１において、４−ニトロベンゼンスルフェニルク
ロリドを２，４−ジニトロベンゼンスルフェニルクロリ
ド７．０ｇ（２９．８mmol）に代えた以外は、製造例１
と同様の方法で、目的物（化合物２）を得た。

【００２８】製造例３ ３−（４−ニトロフェニルチオ）インドール（化合物
３）の合成 製造例１において、ピロールをインドール４．０ｇ（３
４．１mmol）に代えた以外は、製造例１と同様の方法
で、目的物（化合物３）を得た。

【００２９】製造例４ ３−（２，４−ジニトロフェニルチオ）インドール（化
合物４）の合成 製造例３において、４−ニトロベンゼンスルフェニルク
ロリドを２，４−ジニトロベンゼンスルフェニルクロリ
ド７．０ｇ（２９．８mmol）に代えた以外は、製造例３
と同様の方法で、目的物（化合物４）を得た。

【００３０】製造例５ ２−（４−ニトロフェニルチオ）ベンズイミダゾール
（化合物５）の合成 ２−メルカプトベンズイミダゾール４．５ｇ（３０．０
mmol）と水酸化ナトリウム１．４ｇ（３５．０mmol）を
エタノール３０mlに溶解し、１−クロロ−４−ニトロピ
リジン４．７ｇ（２９．８mmol）を少しずつ加えた後、
３時間加熱撹拌した。放冷後、この溶液に塩化アンモニ
ウム２．０ｇ（３７．４mmol）を溶解した水４００mlを
滴下しながら加え、析出した粗結晶を吸引ろ過によりろ
取し、多量の水でよく洗浄する。この粗結晶を真空乾燥
した後、エタノール及びトルエン等の溶媒から再結晶
し、目的物（化合物５）を得た。

【００３１】製造例６ ２−（２，４−ジニトロフェニルチオ）ベンズイミダゾ
ール（化合物６）の合成 製造例５において、１−クロロ−４−ニトロピリジンを
１−クロロ−２，４−ジニトロベンゼン３．１ｇ（３
０．１mmol）に代えた以外は、製造例５と同様の方法
で、目的物（化合物６）を得た。

【００３２】製造例７ １−（４−ニトロフェニルチオ）ベンズイミダゾール
（化合物７）の合成 製造例１において、ピロールをベンズイミダゾール４．
０ｇ（３３．９mmol）に代えた以外は、製造例１と同様
の方法で、目的物（化合物７）を得た。

【００３３】製造例８ １−（２，４−ジニトロフェニルチオ）ベンズイミダゾ
ール（化合物８）の合成 製造例７において、４−ニトロベンゼンスルフェニルク
ロリドを２，４−ジニトロベンゼンスルフェニルクロリ
ド７．０ｇ（２９．８mmol）に代えた以外は、製造例７
と同様の方法で、目的物（化合物８）を得た。

【００３４】実施例１ 前記製造例１において製造した電気光学材料としての
（化合物１）１重量部とフッ素化ポリアミド酸ＯＰＩ−
１００５（日立化成工業社製商品名）１５重量部をＮ−
メチルピロリドン（ＮＭＰ）２００重量部に溶解して得
られたアクティブ光導波路用組成物の溶液を１００nm厚
の半透明アルミ電極を付けた石英ガラス上に回転数２０
００rpmでスピン塗工し、２μｍ膜を形成した。ＮＭＰ
溶剤を除去するため真空下１２０℃で６時間ソフトベー
クし、続いて前記の膜上に１００nm厚の半透明アルミ電
極を形成しサンドウィッチ型のサンプルを作製した。電
極間に４００Ｖの電圧を印加しながら２℃／分の昇温速
度で２５０℃（ポーリング温度）にサンプルを加熱し、
さらに、４００Ｖの電圧を印加しながら同温度で１時間
保持し、その後、４００Ｖの電圧を印加しながら室温ま
で冷却してアクティブ光導波路試験用サンプル（ここで
は、図２におけるコア層４の部分に対応するコア部のみ
を含み、クラッド部にあたるものはない）を作製した。

【００３５】図３に示す測定装置を用いて前記アクティ
ブ光導波路試験用サンプルについて熱安定性を調べた。
この装置は電気光学定数測定装置で、測定方法はC.C.Te
ng and H.T.Man,Appl.Phys.Lett.56(18)1734(1990)に記
載された方法とほぼ同じである。図３に示す測定装置
は、次のように構成されたものである。Ｈｅ−Ｎｅレー
ザ９からの光を偏光子１０を通過させ、直線偏光にした
後、サンプル１１の法線方向とビーム軸のなす角がθと
なるように傾けられたサンプル１１を透過させ、バビネ
・ソレイユ補償子１２と検光子１３を通して検出器（フ
ォトダイオード）１４で検出する。検出された光の強度
は電圧として、直流電圧計１６とロックインアンプ１５
で計測される。測定する際の検光子の透過軸の角度は、
検光子を回転して直流電圧計１６で測定される直流電圧
の最大と最少の値の差の１／２の値となるよう設定す
る。発振器１７で周波数１kHz、交流電圧１０Ｖをサン
プル１１に印加すると、電気光学効果によって、出力信
号も１kHzで変調される。このときの、交流成分をロッ
クインアンプ１５で、直流成分を直流電圧計１６で測定
する。ロックインアンプ１５、直流電圧計１６での測定
電圧をそれぞれＶ_m、Ｖと定義すると、電気光学定数ｒ
₃₃は下記式（１）から求められる。

【数１】 なお、屈折率ｎはアッベの屈折率計で測定した。熱安定
性はポーリング直後の電気光学定数ｒ₃₃(０)と温度１５
０℃の恒温槽に２５０時間放置した後のサンプルの電気
光学定数ｒ₃₃(Ｔ)を測定し、前記ｒ₃₃(０)とｒ₃₃(Ｔ)か
ら下記式（２）を用いて求めた保持率ｄ(Ｔ)から評価
し、結果を表１に示した。

【数２】

【００３６】実施例２〜８ 実施例１において用いた（化合物１）とポリアミド酸Ｏ
ＰＩ−１００５に代えて、表１に示す電気光学材料及び
フッ素化ポリアミド酸（日立化成工業社製）を用いて、
実施例１と同様にしてアクティブ光導波路試験用サンプ
ルを作製し、電気光学特性の保持率ｄ（Ｔ）を評価し、
結果を表１に示した。

【００３７】比較例１ 実施例１において用いた（化合物１）とフッ素化ポリア
ミド酸ＯＰＩ−１００５に代えて、表１に示す４−〔Ｎ
−エチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）〕−アミノ−
４′−ニトロアゾベンゼン（Disperse Red１）とポリメ
チルメタクリレート（ＰＭＭＡ）溶液（１２重量％）を
用い、ポーリング温度を１５０℃にした以外は実施例１
と同様にしてアクティブ光導波路試験用サンプルを作製
し、電気光学特性の保持率ｄ（Ｔ）を評価し、結果を表
１に示した。電気光学特性は、１００℃に加熱するだけ
で７５％消失した。

【００３８】

【表１】

【００３９】

【発明の効果】本発明のアクティブ光導波路用組成物は
光学的に良好な透明膜を与える。本発明のアクティブ光
導波路用組成物を用いて作製したアクティブ光導波路
は、熱的に非常に安定であり、光スイッチ、変調器等の
電気光学素子を作製するのに好適なものである。耐熱性
に優れるフッ素化ポリイミド及び一般式（Ｉ）で表され
る化合物を使用することにより光導波路作製時に必要と
される熱安定性が向上される。さらにスピンコート法に
より、容易に大面積光導波路が作製できるという利点を
持ち、光導波路の低価格化が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】光マトリックススイッチ、変調器の基本形態。

【図２】アクティブ光導波路作製工程の説明図。

【図３】実施例及び比較例で用いた電気光学定数の測定
装置の説明図。

【符号の説明】 １ 基板 ２ 下部電極 ３ 下部クラッド層 ４ コア層 ５ アルミニウム層 ６ レジスト層 ７ 上部クラッド層 ８ 上部電極 ９ Ｈｅ−Ｎｅレーザ １０ 偏光子 １１ サンプル １２ ハビネ・ソレイユ補償板 １３ 検光子 １４ 検出器 １５ ロックインアンプ １６ 直流電圧計 １７ 発振器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｂ 6/13 Ｇ０２Ｆ 1/03 ５０１ 1/313 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｊ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フッ素化ポリアミド酸及び電気光学材料
   を含むアクティブ光導波路用組成物であって、電気光学
   材料が一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ａｚはピロール環、インドール環又はベンズイ
   ミダゾール環を示し、ｎは１又は２である）で表される
   化合物であるアクティブ光導波路用組成物。
2. 【請求項２】 フッ素化ポリアミド酸が、イミド閉環し
   てフッ素化ポリイミドとなった時、屈折率が１．４〜
   １．９（５８９nm）、誘電率が２．６〜３．５（１MH
   z）及びガラス転移温度（Tg）が３００℃以上となるも
   のである請求項１記載のアクティブ光導波路用組成物。
3. 【請求項３】 フッ素化ポリアミド酸が、式（II−１） 【化２】 で表わされる繰り返し単位及び式（II−２） 【化３】 で表される繰り返し単位の少なくとも１つと式（III−
   １） 【化４】 で表される繰り返し単位及び式（III−２） 【化５】 で表される繰り返し単位の少なくとも１つとを有するフ
   ッ素化ポリアミド酸である請求項１又は２記載のアクテ
   ィブ光導波路用組成物。
4. 【請求項４】 請求項１、２又は３記載のアクティブ光
   導波路用組成物中のフッ素化ポリアミド酸を、イミド閉
   環してフッ素化ポリイミドとし、電気光学材料を配向さ
   せることを特徴とするアクティブ光導波路の製造法。
5. 【請求項５】 請求項４記載のアクティブ光導波路の製
   造法により製造されたアクティブ光導波路。