JPH0841676A - 非シアン性貴金属めっき浴 - Google Patents
非シアン性貴金属めっき浴Info
- Publication number
- JPH0841676A JPH0841676A JP19717494A JP19717494A JPH0841676A JP H0841676 A JPH0841676 A JP H0841676A JP 19717494 A JP19717494 A JP 19717494A JP 19717494 A JP19717494 A JP 19717494A JP H0841676 A JPH0841676 A JP H0841676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- noble metal
- plating bath
- cyanide
- metal plating
- carbon atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記３成分（ａ）〜（ｃ）
（ａ）Ａｕ+およびＡｇ+からなる群から選ばれた貴金属
イオンの一種以上 （ｂ）アルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸
イオンの少なくとも一種以上 （ｃ）非イオン界面活性剤 を含有する非シアン性貴金属めっき浴。 【効果】本発明の非シアン性貴金属めっき浴により得ら
れる貴金属被膜は、従来のシアン系貴金属皮膜と同等の
結晶の緻密性を示すものである。 そして、本発明の非
シアン系貴金属めっき浴は、人体に悪影響を及ぼすシア
ンを含まないため、作業環境、環境保全、排水処理等の
面から従来の非シアン性浴に比べ有利なものである。
イオンの一種以上 （ｂ）アルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸
イオンの少なくとも一種以上 （ｃ）非イオン界面活性剤 を含有する非シアン性貴金属めっき浴。 【効果】本発明の非シアン性貴金属めっき浴により得ら
れる貴金属被膜は、従来のシアン系貴金属皮膜と同等の
結晶の緻密性を示すものである。 そして、本発明の非
シアン系貴金属めっき浴は、人体に悪影響を及ぼすシア
ンを含まないため、作業環境、環境保全、排水処理等の
面から従来の非シアン性浴に比べ有利なものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金めっき浴や銀めっき
浴等の貴金属めっき浴に関し、更に詳細には、シアン系
化合物を使用しない非シアン性貴金属めっき浴に関す
る。
浴等の貴金属めっき浴に関し、更に詳細には、シアン系
化合物を使用しない非シアン性貴金属めっき浴に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】金や銀めっき浴等の貴金属めっき浴には
古くからシアン系の浴が知られている。 このシアン系
の貴金属めっき浴は、析出する金属結晶の緻密さ、均一
電着性、浴管理の容易さなどの点で優れたものであり、
装飾品の他、半導体部品やプリント基板関係における貴
金属めっきにおいても広く利用されている。
古くからシアン系の浴が知られている。 このシアン系
の貴金属めっき浴は、析出する金属結晶の緻密さ、均一
電着性、浴管理の容易さなどの点で優れたものであり、
装飾品の他、半導体部品やプリント基板関係における貴
金属めっきにおいても広く利用されている。
【０００３】しかしながら、これらのめっき浴は毒性の
強いシアン化物を利用するものであるため、作業環境、
環境保全、排水処理等の面には多くの問題点があった。
強いシアン化物を利用するものであるため、作業環境、
環境保全、排水処理等の面には多くの問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、シアン系化合
物を利用することなく、析出皮膜や浴管理等の面では従
来のシアン化物系のめっき浴と同等である貴金属めっき
浴の提供が求められていた。
物を利用することなく、析出皮膜や浴管理等の面では従
来のシアン化物系のめっき浴と同等である貴金属めっき
浴の提供が求められていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、シアン系
化合物を使用しない貴金属めっき浴に関し鋭意研究を行
っていたところ、アルカンスルホン酸等を利用する酸性
貴金属めっき浴に非イオン界面活性剤を加えれば、シア
ン系の貴金属と同等な貴金属皮膜が得られることを見出
し、本発明を完成した。
化合物を使用しない貴金属めっき浴に関し鋭意研究を行
っていたところ、アルカンスルホン酸等を利用する酸性
貴金属めっき浴に非イオン界面活性剤を加えれば、シア
ン系の貴金属と同等な貴金属皮膜が得られることを見出
し、本発明を完成した。
【０００６】すなわち本発明は、下記３成分（ａ）〜
（ｃ） （ａ）Ａｕ+およびＡｇ+からなる群から選ばれた貴金属
イオンの一種以上 （ｂ）アルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸
イオンの少なくとも一種以上 （ｃ）非イオン界面活性剤 を含有する非シアン性貴金属めっき浴を提供するもので
ある。
（ｃ） （ａ）Ａｕ+およびＡｇ+からなる群から選ばれた貴金属
イオンの一種以上 （ｂ）アルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸
イオンの少なくとも一種以上 （ｃ）非イオン界面活性剤 を含有する非シアン性貴金属めっき浴を提供するもので
ある。
【０００７】本発明の（ａ）成分である１価金イオンお
よび１価銀イオンは、それぞれ水溶性金塩または水溶性
銀塩を水に溶解することにより得られる。 好ましい水
溶性金塩としては、メタンスルホン酸金、エタンスルホ
ン酸金、イソプロパノールスルホン酸金、塩化金等が、
また水溶性銀塩としては、メタンスルホン酸銀、エタン
スルホン酸銀、イソプロパノールスルホン酸銀、酸化
銀、塩化銀、硝酸銀等がそれぞれ挙げられる。 この
（ａ）成分の浴中濃度は、０.５〜３０ｇ／ｌが適当で
ある。
よび１価銀イオンは、それぞれ水溶性金塩または水溶性
銀塩を水に溶解することにより得られる。 好ましい水
溶性金塩としては、メタンスルホン酸金、エタンスルホ
ン酸金、イソプロパノールスルホン酸金、塩化金等が、
また水溶性銀塩としては、メタンスルホン酸銀、エタン
スルホン酸銀、イソプロパノールスルホン酸銀、酸化
銀、塩化銀、硝酸銀等がそれぞれ挙げられる。 この
（ａ）成分の浴中濃度は、０.５〜３０ｇ／ｌが適当で
ある。
【０００８】また、本発明の（ｂ）成分である、アルカ
ンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸イオンは、浴
を酸性にし、浴中の金属イオンを安定に保つ作用を有す
るものである。 （ｂ）成分調製のために使用されるア
ルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸として
は、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等やイソプロ
パノールスルホン酸が好ましい。
ンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸イオンは、浴
を酸性にし、浴中の金属イオンを安定に保つ作用を有す
るものである。 （ｂ）成分調製のために使用されるア
ルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸として
は、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等やイソプロ
パノールスルホン酸が好ましい。
【０００９】これらの酸イオンは、水溶性金塩や水溶性
銀塩がアルカンスルホン酸塩またはアルカノールスルホ
ン酸塩である場合にはそれらの塩の酸基と共通のもので
あっても異なるものであってもよく、また二種類以上を
併用してもよい。 浴中の（ｂ）成分の濃度は約５〜３
００ｇ／ｌが適当である。
銀塩がアルカンスルホン酸塩またはアルカノールスルホ
ン酸塩である場合にはそれらの塩の酸基と共通のもので
あっても異なるものであってもよく、また二種類以上を
併用してもよい。 浴中の（ｂ）成分の濃度は約５〜３
００ｇ／ｌが適当である。
【００１０】更に、本発明の（ｃ）成分である非イオン
界面活性剤は、密着性よく緻密で平滑なめっき面を得る
ために使用されるものである。
界面活性剤は、密着性よく緻密で平滑なめっき面を得る
ために使用されるものである。
【００１１】この（ｃ）成分の好ましい具体例として
は、下記一般式（１）〜（４）の何れかで表される化合
物を主成分とするものが挙げられる。
は、下記一般式（１）〜（４）の何れかで表される化合
物を主成分とするものが挙げられる。
【化２】
【００１２】［式中、Ｒ1は、炭素数８〜２２の脂肪族
アルコール、炭素数１〜２５のアルキル基で置換された
フェノール、炭素数１〜２５のアルキルで置換されたβ
−ナフトール、炭素数１〜２５のアルコキシル化リン
酸、炭素数８〜２２の脂肪酸でエステル化したソルビタ
ンもしくはスチレン化フェノール（そのフェノール核の
水素は炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基で置
換されてもよい）からそれらの水酸基の水素原子を除い
て得られる残基または水素原子を示し、Ｒ2は炭素数８
〜１８のアルキル基を、Ｒ3およびＲ4は水素原子または
炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ａは−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ
−を、Ｂは−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ−を示し、ｍ1およ
びｎ1は０〜３０の整数、ｍ2、ｎ2、ｍ3およびｎ3は０
〜４０の整数、ｍ4およびｎ4は０〜２０の整数をそれぞ
れ示す。 但し、ｍ1とｎ1、ｍ2とｎ2、ｍ3とｎ3および
ｍ4とｎ4がそれぞれ同時に０となることはなく、ｍ1〜
ｍ4およびｎ1〜ｎ4は、置換基における総数を意味し、
ＡとＢの存在位置は限定されないものとする］
アルコール、炭素数１〜２５のアルキル基で置換された
フェノール、炭素数１〜２５のアルキルで置換されたβ
−ナフトール、炭素数１〜２５のアルコキシル化リン
酸、炭素数８〜２２の脂肪酸でエステル化したソルビタ
ンもしくはスチレン化フェノール（そのフェノール核の
水素は炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基で置
換されてもよい）からそれらの水酸基の水素原子を除い
て得られる残基または水素原子を示し、Ｒ2は炭素数８
〜１８のアルキル基を、Ｒ3およびＲ4は水素原子または
炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ａは−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ
−を、Ｂは−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ−を示し、ｍ1およ
びｎ1は０〜３０の整数、ｍ2、ｎ2、ｍ3およびｎ3は０
〜４０の整数、ｍ4およびｎ4は０〜２０の整数をそれぞ
れ示す。 但し、ｍ1とｎ1、ｍ2とｎ2、ｍ3とｎ3および
ｍ4とｎ4がそれぞれ同時に０となることはなく、ｍ1〜
ｍ4およびｎ1〜ｎ4は、置換基における総数を意味し、
ＡとＢの存在位置は限定されないものとする］
【００１３】これらの非イオン界面活性剤は、いずれも
対応する脂肪族アルコール、置換フェノール、アルキル
で置換β−ナフトール、アルコキシル化リン酸、エステ
ル化したソルビタン、スチレン化フェノール、エチレン
ジアミン、モノアルキルアミン、アルキル置換されてい
ても良いジフェノールにエチレンオキサイドおよび／ま
たはプロピレンオキサイドを所定のモル数付加させるこ
とによって調製できるものであるが、また、市販品とし
ても容易に入手できるものである。
対応する脂肪族アルコール、置換フェノール、アルキル
で置換β−ナフトール、アルコキシル化リン酸、エステ
ル化したソルビタン、スチレン化フェノール、エチレン
ジアミン、モノアルキルアミン、アルキル置換されてい
ても良いジフェノールにエチレンオキサイドおよび／ま
たはプロピレンオキサイドを所定のモル数付加させるこ
とによって調製できるものであるが、また、市販品とし
ても容易に入手できるものである。
【００１４】市販品の例としては、前記式（１）で表さ
れるものとして、プルラファックＬＦ４０１（ＢＡＳＦ
社製）等が、式（２）で表されるものとして、テトロニ
ックＴＲ−７０２（旭電化工業社製）等がそれぞれ挙げ
られ、また、式（３）で表されるものはナイミーンＬ−
２０７（日本油脂社製）等、式（４）で表されるもの
は、リポノックスＮＣ−１００（ライオン社製）等がそ
れぞれ挙げられる。
れるものとして、プルラファックＬＦ４０１（ＢＡＳＦ
社製）等が、式（２）で表されるものとして、テトロニ
ックＴＲ−７０２（旭電化工業社製）等がそれぞれ挙げ
られ、また、式（３）で表されるものはナイミーンＬ−
２０７（日本油脂社製）等、式（４）で表されるもの
は、リポノックスＮＣ−１００（ライオン社製）等がそ
れぞれ挙げられる。
【００１５】（ｃ）成分である界面活性剤は、上記
（１）〜（４）の２種以上を併用しても差しつかえな
く、めっき浴における濃度が約０.１〜５０ｇ／ｌにな
るように用いることが望ましい。 特に好ましい濃度は
約０.５〜２０ｇ／ｌである。
（１）〜（４）の２種以上を併用しても差しつかえな
く、めっき浴における濃度が約０.１〜５０ｇ／ｌにな
るように用いることが望ましい。 特に好ましい濃度は
約０.５〜２０ｇ／ｌである。
【００１６】本発明の非シアン性貴金属めっき浴は、浴
中の（ａ）成分と（ｂ）成分とを所定濃度とした後、
（ｃ）成分を添加することにより調製される。より具体
的には、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸
等で酸性とした水溶液中に、前記の水溶性金塩または水
溶性銀塩を加え、十分に溶解させて所定濃度とした後、
（ｃ）成分である非イオン界面活性剤を添加することに
より調製される。
中の（ａ）成分と（ｂ）成分とを所定濃度とした後、
（ｃ）成分を添加することにより調製される。より具体
的には、アルカンスルホン酸、アルカノールスルホン酸
等で酸性とした水溶液中に、前記の水溶性金塩または水
溶性銀塩を加え、十分に溶解させて所定濃度とした後、
（ｃ）成分である非イオン界面活性剤を添加することに
より調製される。
【００１７】かくして得られる本発明の非シアン性貴金
属めっき浴を用いて貴金属めっきを行うには、例えば、
陰極電気密度が約０.０１〜１００Ａ／ｄｍ2（好ましく
は約０.１〜６０Ａ／ｄｍ2）、浴温が約１０〜８０℃
（好ましくは約１５〜７０℃）程度の条件とすることが
適当である。 また、陽極としては、不溶解性電極等を
利用することができる。
属めっき浴を用いて貴金属めっきを行うには、例えば、
陰極電気密度が約０.０１〜１００Ａ／ｄｍ2（好ましく
は約０.１〜６０Ａ／ｄｍ2）、浴温が約１０〜８０℃
（好ましくは約１５〜７０℃）程度の条件とすることが
適当である。 また、陽極としては、不溶解性電極等を
利用することができる。
【００１８】以上の非シアン性貴金属めっき浴から得ら
れる金めっきあるいは銀めっき皮膜は、従来のシアン系
貴金属めっき浴で得られる金めっきあるいは銀めっき皮
膜と同等の緻密性を有するものであり、電気部品端子、
プリント配線基板のめっき浴の他装飾用めっき浴として
利用することができるものである。
れる金めっきあるいは銀めっき皮膜は、従来のシアン系
貴金属めっき浴で得られる金めっきあるいは銀めっき皮
膜と同等の緻密性を有するものであり、電気部品端子、
プリント配線基板のめっき浴の他装飾用めっき浴として
利用することができるものである。
【００１９】
【実施例】以下、実施例、比較例および試験例を示し、
本発明を説明する。 実 施 例 １ 下記組成により、非シアン性金めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） エタンスルホン酸金（I） １０ ｇ／ｌ エタンスルホン酸（遊離酸） １００ ｇ／ｌ ノニルフェノールエトキシレートの ５ ｇ／ｌ エチレンオキサイド１６モル付加物
本発明を説明する。 実 施 例 １ 下記組成により、非シアン性金めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） エタンスルホン酸金（I） １０ ｇ／ｌ エタンスルホン酸（遊離酸） １００ ｇ／ｌ ノニルフェノールエトキシレートの ５ ｇ／ｌ エチレンオキサイド１６モル付加物
【００２０】実 施 例 ２ 下記組成により、非シアン性金めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸金（I） ２０ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） ８０ ｇ／ｌ エチレンジアミンのエチレンオキサイド １０ ｇ／ｌ ４８モル、プロピレンオキサイド４４ モル付加物
【００２１】実 施 例 ３ 下記組成により、非シアン性銀めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） メタンスルホン酸銀（I） １９ ｇ／ｌ メタンスルホン酸（遊離酸） １２０ ｇ／ｌ オクチルフェノールエトキシレートの ５ ｇ／ｌ エチレンオキサイド１０モル付加物 上記の組成のめっき浴を調製し、実施例１と同様にして
めっきを行った。
めっきを行った。
【００２２】実 施 例 ４ 下記組成により、非シアン性銀めっき浴を調製した。 （ 組 成 ） エタンスルホン酸銀（I） ５ ｇ／ｌ エタンスルホン酸（遊離酸） ２００ ｇ／ｌ ドデシルアミンのエチレンオキサイド ２ ｇ／ｌ ８モル付加物 上記組成のめっき浴を調製し、実施例１と同様にしてめ
っきを行った。
っきを行った。
【００２３】比 較 例 １ めっき浴に界面活性剤を添加しない外は実施例１と同様
にして非シアン性金めっき浴を調製した。
にして非シアン性金めっき浴を調製した。
【００２４】比 較 例 ４ めっき浴にエタンスルホン酸を添加しない外は実施例４
と同様にして非シアン性銀めっき浴を調製した。
と同様にして非シアン性銀めっき浴を調製した。
【００２５】試 験 例 上記の実施例１〜４および比較例１および２のめっき浴
を使用し、下記の条件で３０ｍｍ×１０ｍｍの銅板にめ
っきを行った。 得られためっき済み銅板について、そ
の結晶の緻密さを外観の目視により調べた。 この結果
を表１に示す。
を使用し、下記の条件で３０ｍｍ×１０ｍｍの銅板にめ
っきを行った。 得られためっき済み銅板について、そ
の結晶の緻密さを外観の目視により調べた。 この結果
を表１に示す。
【００２６】（ めっき条件 ） 陰極電流密度 ２ Ａ／ｄｍ2 浴 温 ５０℃ 撹 拌 スターラー撹拌 膜 厚 ３μｍ
【００２７】（ 結 果 ）
【００２８】* 評価基準 ◎ ： 微細結晶 ○ ： やや微細結晶 × ： 粗雑な析出となりほとんどめっき皮膜にならない
【００２９】
【発明の効果】本発明の非シアン性貴金属めっき浴によ
り得られる貴金属被膜は、従来のシアン系貴金属皮膜と
同等の結晶の緻密性を示すものである。 そして、本発
明の非シアン系貴金属めっき浴は、人体に悪影響を及ぼ
すシアンを含まないため、作業環境、環境保全、排水処
理等の面から従来の非シアン性浴に比べ有利なものであ
る。 以 上
り得られる貴金属被膜は、従来のシアン系貴金属皮膜と
同等の結晶の緻密性を示すものである。 そして、本発
明の非シアン系貴金属めっき浴は、人体に悪影響を及ぼ
すシアンを含まないため、作業環境、環境保全、排水処
理等の面から従来の非シアン性浴に比べ有利なものであ
る。 以 上
Claims (2)
- 【請求項１】 下記３成分（ａ）〜（ｃ） （ａ）Ａｕ+およびＡｇ+からなる群から選ばれた貴金属
イオンの一種以上 （ｂ）アルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸
イオンの少なくとも一種以上 （ｃ）非イオン界面活性剤 を含有する非シアン性貴金属めっき浴。 - 【請求項２】 非イオン界面活性剤が、次の（１）〜
（４） 【化１】 ［式中、Ｒ1は、炭素数８〜２２の脂肪族アルコール、
炭素数１〜２５のアルキル基で置換されたフェノール、
炭素数１〜２５のアルキルで置換されたβ−ナフトー
ル、炭素数１〜２５のアルコキシル化リン酸、炭素数８
〜２２の脂肪酸でエステル化したソルビタンもしくはス
チレン化フェノール（そのフェノール核の水素は炭素数
１〜４のアルキル基またはフェニル基で置換されてもよ
い）からそれらの水酸基の水素原子を除いて得られる残
基または水素原子を示し、Ｒ2は炭素数８〜１８のアル
キル基を、Ｒ3およびＲ4は水素原子または炭素数１〜５
のアルキル基を示し、Ａは−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−を、Ｂは−
ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ−を示し、ｍ1およびｎ1は０〜３
０の整数、ｍ2、ｎ2、ｍ3およびｎ3は０〜４０の整数、
ｍ4およびｎ4は０〜２０の整数をそれぞれ示す。 但
し、ｍ1とｎ1、ｍ2とｎ2、ｍ3とｎ3およびｍ4とｎ4がそ
れぞれ同時に０となることはなく、ｍ1〜ｍ4およびｎ1
〜ｎ4は、置換基における総数を意味し、ＡとＢの存在
位置は限定されないものとする］から選ばれたものであ
る請求項１記載の非シアン性貴金属めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19717494A JP3365866B2 (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 非シアン性貴金属めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19717494A JP3365866B2 (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 非シアン性貴金属めっき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0841676A true JPH0841676A (ja) | 1996-02-13 |
| JP3365866B2 JP3365866B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=16370036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19717494A Expired - Lifetime JP3365866B2 (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 非シアン性貴金属めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3365866B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998003700A1 (de) * | 1996-07-23 | 1998-01-29 | Degussa Aktiengesellschaft | Cyanidfreies galvanisches bad zur abscheidung von gold und goldlegierungen |
| KR19990007076A (ko) * | 1998-04-23 | 1999-01-25 | 라이더 존 피. | 저응력 니켈의 전기 도금 |
| EP0892087A3 (en) * | 1997-06-18 | 2000-06-07 | ATOTECH Deutschland GmbH | Electroplating of low-stress nickel |
| EP1162289A1 (en) * | 2000-06-08 | 2001-12-12 | Lucent Technologies Inc. | Palladium electroplating bath and process for electroplating |
| WO2002004717A3 (de) * | 2000-07-10 | 2002-05-10 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von goldfarbenen oberflächen von aluminium oder aluminium-legierungen mittels silbersalzhaltigen formulierungen |
| US6569752B1 (en) | 1999-03-11 | 2003-05-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor element and fabricating method thereof |
| US7407569B2 (en) | 2002-03-13 | 2008-08-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Gold plating solution and gold plating method |
| JP2009149995A (ja) * | 2001-10-02 | 2009-07-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
| JP2011510169A (ja) * | 2008-01-14 | 2011-03-31 | 深▲セン▼市▲クンチーシン華▼科技有限公司 | 溶融金属の抗酸化還元剤及びその調製方法及び応用 |
| US20160319444A1 (en) * | 2013-12-20 | 2016-11-03 | Greene Lyon Group, Inc. | Method and apparatus for recovery of noble metals, including recovery of noble metals from plated and/or filled scrap |
| JP2020117747A (ja) * | 2019-01-22 | 2020-08-06 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 複合めっき材およびその製造方法 |
| JP2021110001A (ja) * | 2020-01-09 | 2021-08-02 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 複合めっき材 |
| US11136681B2 (en) | 2015-06-24 | 2021-10-05 | Greene Lyon Group, Inc. | Selective removal of noble metals using acidic fluids, including fluids containing nitrate ions |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2773771T3 (es) | 2017-05-23 | 2020-07-14 | Saxonia Edelmetalle Gmbh | Preparación de sal de metal noble, un método para la preparación de la misma, y uso para electrochapado |
-
1994
- 1994-08-01 JP JP19717494A patent/JP3365866B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165342A (en) * | 1996-07-23 | 2000-12-26 | Degussa Huls Aktiengesellschaft | Cyanide-free electroplating bath for the deposition of gold and gold alloys |
| WO1998003700A1 (de) * | 1996-07-23 | 1998-01-29 | Degussa Aktiengesellschaft | Cyanidfreies galvanisches bad zur abscheidung von gold und goldlegierungen |
| EP0892087A3 (en) * | 1997-06-18 | 2000-06-07 | ATOTECH Deutschland GmbH | Electroplating of low-stress nickel |
| KR19990007076A (ko) * | 1998-04-23 | 1999-01-25 | 라이더 존 피. | 저응력 니켈의 전기 도금 |
| US6569752B1 (en) | 1999-03-11 | 2003-05-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor element and fabricating method thereof |
| EP1162289A1 (en) * | 2000-06-08 | 2001-12-12 | Lucent Technologies Inc. | Palladium electroplating bath and process for electroplating |
| JP2002060989A (ja) * | 2000-06-08 | 2002-02-28 | Lucent Technol Inc | パラジウム電気メッキ浴および電気メッキ方法 |
| US7097756B2 (en) | 2000-07-10 | 2006-08-29 | Basf Aktiengesellschaft | Method for producing gold-colored surfaces pertaining to aluminum or aluminum alloys, by means of formulations containing silver salt |
| WO2002004717A3 (de) * | 2000-07-10 | 2002-05-10 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von goldfarbenen oberflächen von aluminium oder aluminium-legierungen mittels silbersalzhaltigen formulierungen |
| JP2009149995A (ja) * | 2001-10-02 | 2009-07-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
| US7407569B2 (en) | 2002-03-13 | 2008-08-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Gold plating solution and gold plating method |
| JP2011510169A (ja) * | 2008-01-14 | 2011-03-31 | 深▲セン▼市▲クンチーシン華▼科技有限公司 | 溶融金属の抗酸化還元剤及びその調製方法及び応用 |
| US20160319444A1 (en) * | 2013-12-20 | 2016-11-03 | Greene Lyon Group, Inc. | Method and apparatus for recovery of noble metals, including recovery of noble metals from plated and/or filled scrap |
| US11193214B2 (en) | 2013-12-20 | 2021-12-07 | Greene Lyon Group, Inc. | Method and apparatus for recovery of noble metals, including recovery of noble metals from plated and/or filled scrap |
| US11136681B2 (en) | 2015-06-24 | 2021-10-05 | Greene Lyon Group, Inc. | Selective removal of noble metals using acidic fluids, including fluids containing nitrate ions |
| US11566334B2 (en) | 2015-06-24 | 2023-01-31 | Greene Lyon Group, Inc. | Selective removal of noble metals using acidic fluids, including fluids containing nitrate ions |
| JP2020117747A (ja) * | 2019-01-22 | 2020-08-06 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 複合めっき材およびその製造方法 |
| JP2021110001A (ja) * | 2020-01-09 | 2021-08-02 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 複合めっき材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3365866B2 (ja) | 2003-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3365866B2 (ja) | 非シアン性貴金属めっき浴 | |
| JP4603812B2 (ja) | 改良されたスズめっき方法 | |
| US20050145502A1 (en) | Minimizing whisker growth in tin electrodeposits | |
| KR101712970B1 (ko) | 환경 친화적인 금 전기도금 조성물 및 방법 | |
| JP2005517814A (ja) | 有機酸錯化剤を含む電気めっき溶液 | |
| JP4588185B2 (ja) | アルカンスルホン酸塩電解質から銅の電気めっき | |
| KR900005845B1 (ko) | 아연-닉켈 합금 전착용 전해액 및 그의 전착방법 | |
| US20040149587A1 (en) | Electroplating solution containing organic acid complexing agent | |
| KR101319863B1 (ko) | 주석 전기도금액 및 주석 전기도금 방법 | |
| JP3274766B2 (ja) | 低融点錫合金めっき浴 | |
| KR20170035783A (ko) | 산성 구리 전기도금조 및 낮은 내부 응력 및 양호한 연성 구리 침착물을 전기도금하는 방법 | |
| US6458264B1 (en) | Sn-Cu alloy plating bath | |
| JP2009191335A (ja) | めっき液及び電子部品 | |
| EP0255558A1 (en) | Baths or organic sulfonate solution for bismuth and bismuth alloy plating | |
| US20060113195A1 (en) | Near neutral pH tin electroplating solution | |
| GB2101634A (en) | Process and composition for the electrodeposition of tin | |
| EP0613965B1 (en) | Method and solution for electrodeposition of a dense, reflective tin or tin-lead alloy | |
| US4411744A (en) | Bath and process for high speed nickel electroplating | |
| CA1180677A (en) | Bath and process for high speed nickel electroplating | |
| JP3324844B2 (ja) | Ｓｎ−Ｂｉ合金めっき浴及び該めっき浴を用いためっき方法 | |
| US11242607B2 (en) | Metal material with thermodynamic anisotropy and a method of preparing the same | |
| JP3292055B2 (ja) | 錫−ビスマス合金電気めっき浴及びそれを使用するめっき方法 | |
| JP2654293B2 (ja) | 錫またははんだめっき浴 | |
| JP2676547B2 (ja) | 中性すず又はすず―鉛合金電気めっき浴 | |
| JP4283256B2 (ja) | 金属の電解析出方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071101 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081101 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091101 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091101 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101101 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111101 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121101 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131101 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131101 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131101 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |