JPH084179B2 - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPH084179B2 JPH084179B2 JP17989787A JP17989787A JPH084179B2 JP H084179 B2 JPH084179 B2 JP H084179B2 JP 17989787 A JP17989787 A JP 17989787A JP 17989787 A JP17989787 A JP 17989787A JP H084179 B2 JPH084179 B2 JP H084179B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- semiconductor laser
- wavelength
- light emitting
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明は、発振線幅が狭く、かつ単一波長発振する半
導体レーザに関するものである。
導体レーザに関するものである。
（従来の技術） 半導体レーザは、小型，高効率で信頼性が高いことな
どから、光ファイバ通信用光源として既に実用に供され
ている。これ迄に実用化されたシステムは、半導体レー
ザの大きな特長の１つである直接変調が可能であること
を利用したもので、半導体レーザへの注入電流量に応じ
た強度変調光を、光ファイバ伝搬後、フォトダイオード
もしくはなだれフォトダイオードで直接受光する、いわ
ゆる直接強度変調−直接検波（DIM−DD）方式がある。D
IM−DD方式においては、光源として高速変調時にも安定
に単一波長動作する分布帰還形（DFB）半導体レーザな
どの動的単一波長レーザが開発され、これにより単一モ
ードファイバの分散の影響を軽減し、中継器間隔の長延
化が図られている。
どから、光ファイバ通信用光源として既に実用に供され
ている。これ迄に実用化されたシステムは、半導体レー
ザの大きな特長の１つである直接変調が可能であること
を利用したもので、半導体レーザへの注入電流量に応じ
た強度変調光を、光ファイバ伝搬後、フォトダイオード
もしくはなだれフォトダイオードで直接受光する、いわ
ゆる直接強度変調−直接検波（DIM−DD）方式がある。D
IM−DD方式においては、光源として高速変調時にも安定
に単一波長動作する分布帰還形（DFB）半導体レーザな
どの動的単一波長レーザが開発され、これにより単一モ
ードファイバの分散の影響を軽減し、中継器間隔の長延
化が図られている。
一方、光の持つ周波数や移送といった波動の性質を検
波に積極的に利用することにより受信感度が大幅に向上
し、従って、DIM−DD方式に比べ一層の中継器間隔を長
くすることが可能である。この方式はコヒーレント伝送
方式と呼ばれ、将来の光通信方式として近年、理論面ば
かりでなく、実験的にも盛んに研究が行われ、その有為
性が確認されつつある（例えばT.Okoshi;Journal of Li
ghtwave Technology,vol.LT−2,PP.341−346,1984参
照）。コヒーレント伝送方式は、その性質上、送信側の
光源及び受信側の局部発振器としての光源の線幅が狭い
ことが不可欠である。これ迄の実験室段階の研究では、
システムのポテンシャルを評価することが主たる課題で
あるため、発振線幅の極めて狭い基体レーザか、もしく
は、より実用的な通常の半導体レーザに外部回折格子を
設置し、特定の波長のみを半導体レーザに帰還すること
により、前記高コヒーレンス化及び発振波長のチューナ
ブル化を達成していた。しかしながら、半導体レーザの
発光領域は約１μｍ径と非常に小さいため、光源と外部
回折格子が一体化されていないこのような構造では、機
械的振動や熱変動に弱く、所望特性が不安定になり易い
ことや、装置が大がかりになることから、実用的でない
ことは明らかである。
波に積極的に利用することにより受信感度が大幅に向上
し、従って、DIM−DD方式に比べ一層の中継器間隔を長
くすることが可能である。この方式はコヒーレント伝送
方式と呼ばれ、将来の光通信方式として近年、理論面ば
かりでなく、実験的にも盛んに研究が行われ、その有為
性が確認されつつある（例えばT.Okoshi;Journal of Li
ghtwave Technology,vol.LT−2,PP.341−346,1984参
照）。コヒーレント伝送方式は、その性質上、送信側の
光源及び受信側の局部発振器としての光源の線幅が狭い
ことが不可欠である。これ迄の実験室段階の研究では、
システムのポテンシャルを評価することが主たる課題で
あるため、発振線幅の極めて狭い基体レーザか、もしく
は、より実用的な通常の半導体レーザに外部回折格子を
設置し、特定の波長のみを半導体レーザに帰還すること
により、前記高コヒーレンス化及び発振波長のチューナ
ブル化を達成していた。しかしながら、半導体レーザの
発光領域は約１μｍ径と非常に小さいため、光源と外部
回折格子が一体化されていないこのような構造では、機
械的振動や熱変動に弱く、所望特性が不安定になり易い
ことや、装置が大がかりになることから、実用的でない
ことは明らかである。
発振線幅の低減にはレーザの共振器長を長くすること
が１つの有効な方法であり、図１に示すような発光領域
Ａに導波路領域Ｂをモノリシックに集積化し、長共振器
構造とした一体形半導体レーザがT.Fujita等によって検
討され、約1.8mmの共振器長で900kHzという低い値が報
告されている（Electronics Letters,vol.21,pp.374−3
76,1985）。図１において、10はInGaAsP発光層、11はIn
GaAsP発光層10の延長上に設けられたInGaAsP導波路層、
12はへき開面での反射効率を上げる金属膜である。しか
し、一般的に共振器が長くなると、共振波長間隔もこれ
に応じて狭くなるため、多波長発振になり易く、狭線幅
特性も不安定になり易いという欠点があった。
が１つの有効な方法であり、図１に示すような発光領域
Ａに導波路領域Ｂをモノリシックに集積化し、長共振器
構造とした一体形半導体レーザがT.Fujita等によって検
討され、約1.8mmの共振器長で900kHzという低い値が報
告されている（Electronics Letters,vol.21,pp.374−3
76,1985）。図１において、10はInGaAsP発光層、11はIn
GaAsP発光層10の延長上に設けられたInGaAsP導波路層、
12はへき開面での反射効率を上げる金属膜である。しか
し、一般的に共振器が長くなると、共振波長間隔もこれ
に応じて狭くなるため、多波長発振になり易く、狭線幅
特性も不安定になり易いという欠点があった。
（発明の目的と特徴） 本発明は、上述した従来技術の欠点に鑑みてなされた
もので、発振線幅が狭く、かつ安定な単一波長発振する
半導体レーザを提供することを目的とする。
もので、発振線幅が狭く、かつ安定な単一波長発振する
半導体レーザを提供することを目的とする。
本発明の特徴は、半導体レーザ共振器内にマッハツェ
ンダ干渉形導波路を設けることにより１本の共振波長の
みを選択し、その結果発振線幅の狭い単一波長で動作せ
しめることにある。
ンダ干渉形導波路を設けることにより１本の共振波長の
みを選択し、その結果発振線幅の狭い単一波長で動作せ
しめることにある。
（発明の構成及び作用） 以下に図面を用いて本発明を詳細に説明する。
（実施例１） 図２は、本発明による第１の実施例であり、同図
（ａ）は半導体レーザの斜視図、同図（ｂ）は上面図を
それぞれ示している。
（ａ）は半導体レーザの斜視図、同図（ｂ）は上面図を
それぞれ示している。
図において、１は基板、２は発光層、３は発光層２と
同一半導体層もしくは組成がほぼ等しい半導体層か、も
しくは組成の異なる半導体層からなる同波路層、４は発
光層２および導波路層３の禁制帯幅よりも大なる禁制帯
幅を有するクラッド層、５及び６はレーザ共振器を構成
するための反射端面でここでは絶縁膜を介した金属膜も
しくは多層誘電帯薄膜から成る高反射膜、７は下部電
極、a,b1〜b6及びＣはリッジ導波路であり、リッジ導波
路上部の斜線（a,b3,b4及びＣ）は上部電極（図示せ
ず）が配置される場所を示している。同図から明らかな
ように、本発明は光学利得を有する発光領域Ａ、本発明
の特徴である互いに屈折率の異なる同波路Ｉ（b1−b3−
b5）及び導波路II（b2−b4−b6）が分岐して合成（光学
的に合波される場合も含む）され、あたかもマッハツェ
ンダ干渉計の構成に似ているマッハツェンダ干渉形導波
路領域Ｂ（以下、「分岐導波路領域Ｂ」と称す）と、導
波路Ｉと導波路IIとの位相調整を同時に行う位相調整用
導波路領域Ｃとから構成され、分岐導波路領域Ｂの導波
路I,IIは、発光領域Ａの発行層と光学的に結合した導波
路の一方の延長上に配置されている。発光領域Ａには、
光学利得を得るためのキャリア注入が行われ、分岐導波
路領域Ｂには導波路層３の屈折率を変化させて波長を変
化させるために、注入キャリアもしくは印加電圧を変化
するようになっている。なお、説明を簡単化するため
に、基板１と発行層２（導波路層３）との間のバッファ
層等を省略してあるが、バッファ層等を積層しても良
い。
同一半導体層もしくは組成がほぼ等しい半導体層か、も
しくは組成の異なる半導体層からなる同波路層、４は発
光層２および導波路層３の禁制帯幅よりも大なる禁制帯
幅を有するクラッド層、５及び６はレーザ共振器を構成
するための反射端面でここでは絶縁膜を介した金属膜も
しくは多層誘電帯薄膜から成る高反射膜、７は下部電
極、a,b1〜b6及びＣはリッジ導波路であり、リッジ導波
路上部の斜線（a,b3,b4及びＣ）は上部電極（図示せ
ず）が配置される場所を示している。同図から明らかな
ように、本発明は光学利得を有する発光領域Ａ、本発明
の特徴である互いに屈折率の異なる同波路Ｉ（b1−b3−
b5）及び導波路II（b2−b4−b6）が分岐して合成（光学
的に合波される場合も含む）され、あたかもマッハツェ
ンダ干渉計の構成に似ているマッハツェンダ干渉形導波
路領域Ｂ（以下、「分岐導波路領域Ｂ」と称す）と、導
波路Ｉと導波路IIとの位相調整を同時に行う位相調整用
導波路領域Ｃとから構成され、分岐導波路領域Ｂの導波
路I,IIは、発光領域Ａの発行層と光学的に結合した導波
路の一方の延長上に配置されている。発光領域Ａには、
光学利得を得るためのキャリア注入が行われ、分岐導波
路領域Ｂには導波路層３の屈折率を変化させて波長を変
化させるために、注入キャリアもしくは印加電圧を変化
するようになっている。なお、説明を簡単化するため
に、基板１と発行層２（導波路層３）との間のバッファ
層等を省略してあるが、バッファ層等を積層しても良
い。
本発明によるレーザ構造は、図３（ａ）に示したマッ
ハツェンダ干渉形を構成する導波路Ｉ及びIIのそれぞれ
のルートを介して二重共振器構造であり、それぞれの共
振器による共振波長によって決まるモードが一致した波
長で発振する。その様子を図３（ｂ）に示す。上段は導
波路Ｉを介して共振器による共振モードを、また、下段
は導波路IIの場合の共振モードを示している。各共振器
長は実際の導波路長の和で決まる全導波路長と、導波路
の等価屈折率によるが、共振器長1mmとするとそれぞれ
の共振モード波長間隔Δλｍは約３Åであり、両者の共
振モードが一致した波長λ１もしくはλ２で発振し得
る。なお、λ１とλ２の差Δλは分岐導波路長差及び等
価屈折率差により任意に選ぶことができ、発行の利得波
長幅内に一本例えばλ１だけ存在させ、従って、その波
長で単一波長発振させることができる。
ハツェンダ干渉形を構成する導波路Ｉ及びIIのそれぞれ
のルートを介して二重共振器構造であり、それぞれの共
振器による共振波長によって決まるモードが一致した波
長で発振する。その様子を図３（ｂ）に示す。上段は導
波路Ｉを介して共振器による共振モードを、また、下段
は導波路IIの場合の共振モードを示している。各共振器
長は実際の導波路長の和で決まる全導波路長と、導波路
の等価屈折率によるが、共振器長1mmとするとそれぞれ
の共振モード波長間隔Δλｍは約３Åであり、両者の共
振モードが一致した波長λ１もしくはλ２で発振し得
る。なお、λ１とλ２の差Δλは分岐導波路長差及び等
価屈折率差により任意に選ぶことができ、発行の利得波
長幅内に一本例えばλ１だけ存在させ、従って、その波
長で単一波長発振させることができる。
次に、本実施例の波長チューナブル特性について説明
する。上述の導波路Ｉ及びIIを介したそれぞれの共振器
の共振波長は、次の位相条件を満たす。
する。上述の導波路Ｉ及びIIを介したそれぞれの共振器
の共振波長は、次の位相条件を満たす。
但し、（nd,ld），（n1,l1），（n2,l2），（n3,
l3），（n4,l4），（n5,l5）はそれぞれ発行領域，導波
路Ｉの電極付設領域，導波路IIの電極付設領域，位相調
整用導波路領域，分岐導波路の等価屈折率，長さであ
り、ｍ及びｍ′は整数である。いま、n2＝n1＋Δn1,l2
＝l1とすると、（１），（２）式より、発振波長λは を満たし、例えばl1＝1mm,Δn1＝0.01とすることによ
り、ｍ′−ｍ13で上式を満足する。この条件下で、発
振波長λは次式で与えられる。
l3），（n4,l4），（n5,l5）はそれぞれ発行領域，導波
路Ｉの電極付設領域，導波路IIの電極付設領域，位相調
整用導波路領域，分岐導波路の等価屈折率，長さであ
り、ｍ及びｍ′は整数である。いま、n2＝n1＋Δn1,l2
＝l1とすると、（１），（２）式より、発振波長λは を満たし、例えばl1＝1mm,Δn1＝0.01とすることによ
り、ｍ′−ｍ13で上式を満足する。この条件下で、発
振波長λは次式で与えられる。
ここで、導波路Ｉおよび位相調整用導波路の屈折率差
をそれぞれδn1,δn3変化させた時の発振波長の変化δ
λは で与えられる。分岐導波路l4,l5は短いとして無視し、
例えばld＝300μm,nd＝3,3,l1＝l3＝1mm,δn1＝δn3＝
0.01とすると、δλ40Åとなり、すなわちこの波長範
囲にわたって発振波長をチューニングすることができ
る。尚、モードジャンプを抑圧し、特定の波長のみ変化
させるために、導波路IIの屈折率は上述したように、導
波路Ｉの屈折率n1から（３）式を満たすΔn1だけずらし
ておく。また、Δｎもしくはδｎ〜0.01の変化は、電流
注入の場合、キャリア密度の変化ΔＮ〜１×1018cm-3に
対応し、十分実現し得る値である。
をそれぞれδn1,δn3変化させた時の発振波長の変化δ
λは で与えられる。分岐導波路l4,l5は短いとして無視し、
例えばld＝300μm,nd＝3,3,l1＝l3＝1mm,δn1＝δn3＝
0.01とすると、δλ40Åとなり、すなわちこの波長範
囲にわたって発振波長をチューニングすることができ
る。尚、モードジャンプを抑圧し、特定の波長のみ変化
させるために、導波路IIの屈折率は上述したように、導
波路Ｉの屈折率n1から（３）式を満たすΔn1だけずらし
ておく。また、Δｎもしくはδｎ〜0.01の変化は、電流
注入の場合、キャリア密度の変化ΔＮ〜１×1018cm-3に
対応し、十分実現し得る値である。
（実施例２） 本発明の第２の実施例を図４に示す。実施例１のマッ
ハツェンダ干渉形導波路領域Ｂの分岐点を１個にして分
岐損失の低減化を図った構造である。動作原理は実施例
１と同じであり、同様の機能を得ることができる。ま
た、右側の端面では、２本のそれぞれの導波路から同じ
出力光を取り出すことができる。
ハツェンダ干渉形導波路領域Ｂの分岐点を１個にして分
岐損失の低減化を図った構造である。動作原理は実施例
１と同じであり、同様の機能を得ることができる。ま
た、右側の端面では、２本のそれぞれの導波路から同じ
出力光を取り出すことができる。
（実施例３） 本発明の第３の実施例を図５に示す。本実施例は、両
側にマッハツェンダ干渉形導波路領域Ｂが形成されてい
るため、複合共振器の効果をさら高めると共に、分岐導
波路のそれぞれに位相調整用の電極が設けられているた
め、調整の自由度が大きいという特徴を有する構造であ
る。
側にマッハツェンダ干渉形導波路領域Ｂが形成されてい
るため、複合共振器の効果をさら高めると共に、分岐導
波路のそれぞれに位相調整用の電極が設けられているた
め、調整の自由度が大きいという特徴を有する構造であ
る。
（実施例４） 本発明の第４の実施例を図６に示す。本実施例は、上
述の実施例において用いられた反射端面に代わって、共
振器形成用に回折格子８および９から成る分布反射器
（DBR）を用いたDBR領域Ｄを両端面側に配置したもの
で、物理的に半導体結晶を断ち切らずに共振器が形成で
きるため、導波路を通して光出力を得ることができる。
従って、他の機能素子を集積した光集積回路に適した構
造である。
述の実施例において用いられた反射端面に代わって、共
振器形成用に回折格子８および９から成る分布反射器
（DBR）を用いたDBR領域Ｄを両端面側に配置したもの
で、物理的に半導体結晶を断ち切らずに共振器が形成で
きるため、導波路を通して光出力を得ることができる。
従って、他の機能素子を集積した光集積回路に適した構
造である。
尚、以上の実施例では特に触れなかったが、本発明は
inGaAsP/InP,AlGaAsSb/GaSb,InAlGaAs/InP等、半導体レ
ーザが作製できるいかなる半導体材料にも適応できる。
また、導波路構造についても埋め込み構造等を用いるこ
とができる。さらに、分岐構造としてＹ分岐導波路につ
いて示したが、方向性結合器であっても何ら問題ない。
inGaAsP/InP,AlGaAsSb/GaSb,InAlGaAs/InP等、半導体レ
ーザが作製できるいかなる半導体材料にも適応できる。
また、導波路構造についても埋め込み構造等を用いるこ
とができる。さらに、分岐構造としてＹ分岐導波路につ
いて示したが、方向性結合器であっても何ら問題ない。
（発明の効果） 以上説明したように、共振器内にマッハツェンダ干渉
形導波路を内包した本発明による半導体レーザは、発振
線幅を狭くするために、共振器長を長くした場合に生ず
る多波長発振が抑圧できるため、発振線幅が狭く、安定
に単一動作し、かつ発振波長もチューナブルな半導体レ
ーザが実現できる。従って、コヒーレント伝送，その多
光計測用光源として極めて有望であり、その効果は極め
て大きい。
形導波路を内包した本発明による半導体レーザは、発振
線幅を狭くするために、共振器長を長くした場合に生ず
る多波長発振が抑圧できるため、発振線幅が狭く、安定
に単一動作し、かつ発振波長もチューナブルな半導体レ
ーザが実現できる。従って、コヒーレント伝送，その多
光計測用光源として極めて有望であり、その効果は極め
て大きい。
図１は従来の長共振器長半導体レーザの模式図、図２
（ａ）（ｂ）は本発明による半導体レーザの第１の実施
例の模式図及び上面図、第３（ａ）（ｂ）は本発明に用
いる共振器構造及び波長選択図、図４は本発明による半
導体レーザの第２の実施例の上面図、図５は本発明によ
る半導体レーザの第３の実施例の上面図、図６は本発明
による半導体レーザの第４の実施例の上面図である。 １……基板、2,10……発光層、3,11……導波路層、４…
…クラッド層、5,6,12……高反射膜、7,8……電極、９
……回折格子。
（ａ）（ｂ）は本発明による半導体レーザの第１の実施
例の模式図及び上面図、第３（ａ）（ｂ）は本発明に用
いる共振器構造及び波長選択図、図４は本発明による半
導体レーザの第２の実施例の上面図、図５は本発明によ
る半導体レーザの第３の実施例の上面図、図６は本発明
による半導体レーザの第４の実施例の上面図である。 １……基板、2,10……発光層、3,11……導波路層、４…
…クラッド層、5,6,12……高反射膜、7,8……電極、９
……回折格子。
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも光学的利得を有する発光領域
と、該発光領域を内包するように設けられた共振器を構
成する一対の反射器もしくは反射端面を具備した半導体
レーザにおいて、前記発光領域の発光層と光学的に結合
した導波路の延長上にマッハツェンダ干渉形導波路を少
なくとも一方に形成したことを特徴とする半導体レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17989787A JPH084179B2 (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17989787A JPH084179B2 (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424482A JPS6424482A (en) | 1989-01-26 |
| JPH084179B2 true JPH084179B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=16073814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17989787A Expired - Fee Related JPH084179B2 (ja) | 1987-07-21 | 1987-07-21 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084179B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766482A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Anritsu Corp | 可変波長光源 |
| IT1272081B (it) * | 1993-12-16 | 1997-06-11 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Filtro risonante per sistemi di comunicazione ottica a divisione di lunghezza d'onda |
| US6690687B2 (en) * | 2001-01-02 | 2004-02-10 | Spectrasensors, Inc. | Tunable semiconductor laser having cavity with ring resonator mirror and mach-zehnder interferometer |
| WO2004004082A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | California Institute Of Technology | Optical resonator and laser applications |
-
1987
- 1987-07-21 JP JP17989787A patent/JPH084179B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6424482A (en) | 1989-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0169567B1 (en) | Semiconductor laser device | |
| US4829535A (en) | Variable wavelength semiconductor laser | |
| US4796273A (en) | Distributed feedback semiconductor laser | |
| US4852108A (en) | Wavelength tunable semiconductor laser with narrow band-pass active filter region | |
| JP3198338B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| US4831631A (en) | Laser transmitter comprising a semiconductor laser and an external resonator | |
| US5347533A (en) | Optical semiconductor device, method of producing the optical semiconductor device, and laser device using optical semiconductor devices | |
| JP2708467B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
| JPH0311554B2 (ja) | ||
| JPH084179B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP3382471B2 (ja) | 半導体光デバイス及びそれを用いた光ネットワーク | |
| JPS63299291A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP6927153B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2001177182A (ja) | 外部共振器型半導体レーザおよび光導波路装置 | |
| WO2005060058A1 (ja) | 半導体レーザーおよびその製造方法 | |
| WO2022137418A1 (ja) | 光半導体素子 | |
| JPS6134988A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6032381A (ja) | 面発光半導体レ−ザ装置 | |
| JP4582289B2 (ja) | 半導体レーザー | |
| JPH0656905B2 (ja) | 光ヘテロダイン受信装置 | |
| JPS6159554B2 (ja) | ||
| JPS63246884A (ja) | 単一波長半導体レ−ザ | |
| JP2000049419A (ja) | レーザ装置 | |
| JP2692577B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
| JPH01212487A (ja) | 波長可変半導体レーザ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |