JPH0843555A - 電子時計 - Google Patents

電子時計

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JPH0843555A
JPH0843555A JP6178991A JP17899194A JPH0843555A JP H0843555 A JPH0843555 A JP H0843555A JP 6178991 A JP6178991 A JP 6178991A JP 17899194 A JP17899194 A JP 17899194A JP H0843555 A JPH0843555 A JP H0843555A
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JP
Japan
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insulator
type semiconductor
thermoelectric element
electronic timepiece
electromotive force
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Application number
JP6178991A
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English (en)
Inventor
Tatsunori Inoue
竜紀 井上
Keisuke Tsubata
佳介 津端
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Priority to US08/507,042 priority patent/US5517468A/en
Publication of JPH0843555A publication Critical patent/JPH0843555A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G04HOROLOGY
    • G04CELECTROMECHANICAL CLOCKS OR WATCHES
    • G04C10/00Arrangements of electric power supplies in time-pieces
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JELECTRIC POWER NETWORKS; CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00Circuit arrangements for charging or discharging batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/34Parallel operation in networks using both storage and other DC sources, e.g. providing buffering
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 小型で薄型の熱電素子を用いた電子時計を実
現する。 【構成】 シリコンで構成した第一の絶縁体101を吸
熱側、シリコンで構成した第二の絶縁体102を放熱側
とすると、吸熱側の温度を、放熱側と比較して高温とな
るような温度差を与えた場合、絶縁体101から絶縁体
102の方向に熱が伝達される。その際に、n型半導体
103の中では電子が放熱側の絶縁体102の方向に移
動する。p型半導体104の中では正孔が放熱側の絶縁
体102の方向に移動する。n型半導体103とp型半
導体104は接続部105を介して電気的に直列に接続
されているため、熱の伝達が電流に変換され、出力端部
106間に起電力を得る事ができる。また、蓄電手段1
08に、起電力が蓄えられる。時刻表示手段109は、
蓄電手段109からの起電力により作動する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は熱電素子を用いた電子時
計に関するものである。
【0002】
【従来の技術】熱電素子を備えた電子時計として、例え
ば、特開昭55−20483号公報に記載のものがあ
る。この公報に記載の熱電素子は、冷極と熱極とを備
え、この冷極と熱極との温度を違えるようにし、熱電素
子に起電力を発生させるゼーベック効果を利用してい
る。この公報に記載の実施例を図12に示す。
【0003】図12に示すように、腕時計ケースに接触
する裏蓋1003の内側に、熱電素子1002を設け、
この熱電素子の裏蓋側に熱極を設けている。これに対し
て、冷却は文字板の下面でムーブメント1003側に設
けている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図12に示し
た熱電素子を有する電子時計を示した特開昭55−20
483号公報は、熱電素子とムーブメントとの構成だけ
であり、詳細な熱電素子の構成による電子時計の構成は
示されていない。
【0005】熱電素子の発電能力は、n型半導体および
p型半導体の数に比例し、n型半導体およびp型半導体
の厚さは厚い方ほど発生する起電力が大きく、また、発
電効率においても高くなる。しかし、この熱電素子を電
子時計に用いる場合には、熱電素子の体積を出来るだけ
小さいことが必要であると共に、発電能力の向上が要求
される。
【0006】本発明の目的は、上記課題を解決して、小
型かつ電子時計が止まることのない発電能力の熱電素子
を備える電子時計を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、電子時計において、複数のn型半導体と複
数のp型半導体を交互に電気的に直列となるように接続
する複数の接続部と、起電力を取り出すための出力端子
部と、接続部を一つおきに固定する、シリコンで構成し
た第一の絶縁体と、第一の絶縁体に固定されていない接
続部を固定する、シリコンで構成した第二の絶縁体とを
有し、複数のn型半導体と複数のp型半導体を2000
個以上7500個以下に直列接続して熱電素子を構成
し、熱電素子から発生した起電力を蓄える蓄電手段と、
時刻表示手段を有する構成とした。
【0008】
【作用】図1は本発明の熱電素子の構造と発電原理およ
び電子時計の動作原理図である。 シリコンで構成した
第一の絶縁体101を吸熱側、シリコンで構成した第二
の絶縁体102を放熱側とすると、吸熱側の温度を、放
熱側と比較して高温となるような温度差を与えた場合、
絶縁体101から絶縁体102の方向に熱が伝達され
る。その際に、n型半導体103の中では電子が放熱側
の絶縁体102の方向に移動する。p型半導体104の
中では正孔が放熱側の絶縁体102の方向に移動する。
n型半導体103とp型半導体104は接続部105を
介して電気的に直列に接続されているため、熱の伝達が
電流に変換され、出力端部106間に起電力を得る事が
できる。
【0009】また、蓄電手段108に、起電力が蓄えら
れる。時刻表示手段109は、蓄電手段109からの起
電力により作動する。図9は本発明の複合素子を使用し
た熱電素子の構造と発電原理および電子時計の動作原理
図である。シリコンで構成した第一の絶縁体701を吸
熱側、シリコンで構成した第二の絶縁体702を放熱側
とすると、吸熱側の温度を、放熱側と比較して高温とな
るような温度差を与えた場合、絶縁体701から絶縁体
702の方向に熱が伝達される。その際に、n型半導体
複合素子703の中では電子が放熱側の絶縁体702の
方向に移動する。p型半導体複合素子704の中では正
孔が放熱側の絶縁体702の方向に移動する。n型半導
体複合素子703とp型半導体複合素子704は接続部
705を介して電気的に直列に接続されているため、熱
の伝達が電流に変換され、出力端部706間に起電力を
得る事ができる。
【0010】また、蓄電手段708に、起電力が蓄えら
れる。時刻表示手段709は、蓄電手段708からの起
電力により作動する。図2は本発明の電子時計の動作原
理を示すシステムブロック図である。熱電素子201に
温度差が与えられ、起電力が発生し、蓄電手段202に
起電力が蓄えられる。蓄電手段202の電圧が時刻表示
手段203を駆動できる電圧値に達すると、時刻表示手
段203が駆動する。
【0011】
【実施例】
(1)第一実施例 図1は本発明の熱電素子の構造と発電原理および熱電素
子を設けた電子時計の動作原理を示す図である。絶縁体
101、絶縁体102はシリコンを用いている。絶縁体
101を吸熱側、第二の絶縁体102を放熱側とする
と、吸熱側が高温、放熱側が低温となるような温度差を
与えた場合、第一の絶縁体101から第二の絶縁体10
2の方向に熱が伝達される。その際に、n型半導体10
3およびp型半導体104をビスマス−テルル系あるい
はナマリ−テルル系材料を使用した場合、n型半導体1
03では電子が放熱側の第二の絶縁体102の方向に移
動すると共に、p型半導体104では正孔が放熱側の第
二の絶縁体102の方向に移動する。n型半導体103
とp型半導体104は電極105を介して電気的に直列
に接続されているため熱の伝達が電流に変換され、両端
の電極106の間に起電力が生じる。
【0012】電極106の間に発生した起電力は、蓄電
手段108に蓄えられ、蓄電手段108の電圧が時刻表
示手段110を駆動できる電圧値に達すると、時刻表示
手段109が駆動し始めることができる。図2は本発明
の熱電素子をエネルギー源として用いた電子時計の動作
原理を示すシステムブロック図である。熱電素子201
に温度差が与えられ、起電力が発生すると、蓄電手段2
02に蓄えられる。蓄電手段202の電圧が時刻表示手
段203を駆動するのに十分な大きさに達すると、時刻
表示手段203が動作し始める。
【0013】図3〜図5に本発明の第一実施例における
製造工程の説明図を示す。図3〜図5に示す製造方法に
よると、熱電素子の小型化、薄型化が可能で単位面積当
りの素子数を多くできる。電子時計に熱電素子を搭載す
る場合、小スペースに多くの素子を設けることが必要と
される。以下にその製造方法の一例を示す。
【0014】あらかじめ熱電素子として必要な厚さとな
るべき以上の厚さを有する板状あるいは棒状の熱電半導
体301をp型およびn型について、各々、所望の大き
さを有する柱状に切断する。この際、熱電半導体材料3
01は切断中、切断後を通じて固定された状態としてお
き、バラバラにならないようにする。このため、熱電半
導体材料301を完全に切断しないか、あるいは、熱電
半導体材料301をワックス、接着剤、はんだ等により
ガラス板等の別の基体302に接合しておく(工程30
01・工程3002)。
【0015】次に、p型半導体材料303とn型半導体
材料304の柱の先端がお互いの隙間に入るように交互
に向かい合わせて配置する(工程3003)。この向か
い合わせたp型半導体303と、n型半導体304の柱
の隙間の一部、または、全部を樹脂、ガラス、セラミッ
クス等の絶縁性の物質305で充填し、硬化させるかな
どすることにより、固定・一体化する(工程300
4)。
【0016】この一体化したものを柱に垂直方向に切断
あるいは研磨することによってp型半導体、およびn型
半導体の端面を出す(工程3005・工程3006)。
図5に示す工程3007は、この熱電素子ウェハーの断
面と表面を表した図である。この方法によれば、数mm
以下の大きさのチップに切断された熱電半導体材料を基
板に配列せずに、まとめて配列・固定した状態で加工が
できる。すなわち、従来、作製に困難であった微小サイ
ズの熱電素子の作製が可能となり、腕時計等のような小
スペースにおいても、多くの熱電半導体素子を配置する
事ができ、高い起電力を発生する事が可能となる。
【0017】図6は各絶縁体にシリコンを用いた場合に
おける熱電素子の厚さと出力電圧の変化をシミュレーシ
ョンしたグラフである。このとき熱電素子に与えた温度
差は、室温において腕時計を腕に携帯した時に得られた
実験結果より、吸熱側と放熱側との温度差を2℃と設定
した。また、素子の断面積は0.01mm2 とし、熱電
素子数をn型半導体およびp型半導体の合計が2000
〜4500個の場合を示した。また、図6では、厚さ4
mm以上では発生する出力電圧値の上昇が小さいことか
ら、厚さ4mmまでの熱電素子からの出力電圧の変化を
示した。
【0018】腕時計等の携帯機器の駆動源として一般的
に使用されているものとして、銀電池、あるいは、ペー
パー電池等があげられる。ペーパー電池の厚さは、一般
的に0.5mm程度であり、また、銀電池厚みは、約1
mm〜6mmである。すなわち、これらの駆動源と同等
サイズの熱電素子を腕時計に搭載する場合では、ムーブ
メント厚さ、外装厚さ等の制約があることから、熱電素
子の厚さは、従来から使用されている銀電池、あるい
は、ペーパー電池等と同等の厚さである約0.5mm以
上6mm以下とすることが必要となる。また、図6よ
り、熱電素子の厚みを1mm以上とすることにより、出
力電圧値のバラツキが小さくなることや、腕時計の駆動
源として一般的に使用されているのは、ほとんどの場
合、銀電池であることから、熱電素子の厚みは1mm以
上6mm以下とすることが更に望ましい。
【0019】熱電素子数においては、一般のICの動作
電圧の実力値は0.7Vであることを考慮する場合、熱
電素子の厚さが3mm以上であれば、熱電素子数を20
00個以上設ける事により、起電力0.7Vを発生する
事が可能となり、腕時計のICが駆動可能となる。すな
わち、最も厚みのある6mmの銀電池の替わりとして、
熱電素子を使用する場合においても、熱電素子数を20
00個以上設ければよいことがわかる。
【0020】また、従来の時計用銀電池の電圧は、初期
状態で1.6Vであり、使用開始後に1.5Vとなるこ
とを考慮した場合、図6と同様のシミュレーションを行
うと、熱電素子厚みがペーパー電池厚みと同等である約
0.5mmあるとした場合、出力電圧を1.6Vとした
時には、熱電素子数は7500個程度接続する必要があ
る。
【0021】したがって、電子時計の駆動源として熱電
素子を使用する場合、熱電素子数においては2000個
以上7500個以下とすることが望ましい。また、腕時
計の駆動源として一般的に使用されている銀電池として
の代替えとして熱電素子を考えた場合では、銀電池厚み
は、約1mm〜6mmであることから、同様のシミュレ
ーションを行えば、熱電素子数は2000個以上550
0個以下とすれば、熱電素子の出力電圧0.7V〜1.
5Vを実現できる。
【0022】ここで、熱電素子数は、必要とする出力電
圧値を達成できる最小数とすることにより、熱電素子の
配置に必要な面積の低減、製造工程の削減、コスト低減
等が実現可能となる。図7は、絶縁体にシリコンを用い
た時の出力電流値の変化をシミュレーションによって計
算した一例である。シミュレーション条件は、絶縁体の
吸熱側の温度を放熱側の温度と比較して2℃、n型素子
とp型素子を合わせて4000個とした時の出力電流の
変化をシミュレーションによって理論計算によって求め
たものである。
【0023】図7より、素子の厚さが0.2mmの場
合、出力電流は0.3mAとなり、二次電池等に充電可
能な電流を発生する事が可能となる事がわかる。図8
(a)および(b)は、本発明の熱電素子をエネルギ源
として用いた電子腕時計の外観および構造を示す断面図
を示した図である。絶縁板601は一般に気温よりも高
温である腕に触れるために吸熱側、絶縁板602は大気
中にあるために放熱側となる。絶縁板601が腕より人
体の熱を吸収し、絶縁板602との間に温度差が生じる
と、熱は絶縁板601から素子603を通り絶縁板60
2に伝えられ大気に放熱される。このときゼーベック効
果により起電力が生じ蓄電手段604、例えばリチウム
2次電池あるいはバナジウム−リチウム2次電池に蓄電
され、この蓄えられた電気によりムーブメント605が
駆動する。
【0024】また、n型半導体およびp型半導体の断面
積が0.01mm2 、素子の厚さを1mm、素子数をn
型p型合わせて4000個、n型半導体とp型半導体の
間隔を0.2mm、放熱側および吸熱側の電極と絶縁板
を合わせた厚さがそれぞれ1mmであるとすると、熱電
素子の大きさは全体で約14mm×14mm×3mmで
あることから、腕時計内において、ムーブメントおよび
二次電池と共に、熱電素子も同時に搭載する事ができ、
かつ、2℃の温度差が熱電素子に与えられた場合、約
1.2Vの起電力を得ることができる。
【0025】(2)第二実施例 図9は本発明の第二実施例の熱電素子の構造と発電原理
および熱電素子を設けた電子時計の動作原理を示す図で
ある。絶縁体701、絶縁体702はシリコンを用いて
いる。絶縁体701を吸熱側、第二の絶縁体702を放
熱側とすると、吸熱側が高温、放熱側が低温となるよう
な温度差を与えた場合、第一の絶縁体701から第二の
絶縁体702の方向に熱が伝達される。その際に、n型
半導体複合素子703およびp型半導体複合素子704
をビスマス−テルル系あるいはナマリ−テルル系材料を
使用した場合、n型半導体複合素子703では電子が放
熱側の第二の絶縁体702の方向に移動すると共に、p
型半導体複合素子704では正孔が放熱側の第二の絶縁
体702の方向に移動する。n型半導体複合素子703
とp型半導体複合素子704は電極705を介して電気
的に直列に接続されているため熱の伝達が電流に変換さ
れ、両端の電極706の間に起電力が生じる。
【0026】このような、半導体複合素子を用いて熱電
素子708を構成することにより、製造コストの低減、
歩留まりの向上、信頼性の向上が可能となる。また、第
一実施例と同様に、電極706の間に発生した起電力
は、蓄電手段708に蓄えられ、蓄電手段708の電圧
が時刻表示手段709を駆動できる電圧値に達すると、
時刻表示手段709が駆動し始めることができる。
【0027】(3)第三実施例 図10は本発明の第三実施例の熱電素子の構造および熱
電素子を設けた電子時計の構成を示す図である。絶縁体
801、絶縁体802はシリコンを用いており、絶縁体
802には、電子時計の構成要素を動作させるためのI
C、LSI等の集積回路810が設けてある。このよう
な熱電素子807の構成とすることにより、熱電素子8
07と腕時計駆動用IC等810の搭載に必要なスペー
スを兼用できるため、腕時計のような小スペースに多く
の要素を構成する必要がある場合、非常に有効な方法と
なる。
【0028】また、第三実施例では、シリコンから構成
される絶縁体802に集積回路810を設けたが、絶縁
体801にも集積回路を同時に設けることにより、より
多くの集積回路を小スペースで同時に構成することが可
能となる。電極806の間に発生した起電力は、蓄電手
段808に蓄えられ、蓄電手段808の電圧が一定の電
圧値に達すると、IC、LSI等の集積回路810およ
び時刻表示手段809が駆動し始めることになる。
【0029】(4)第四実施例 図11は本発明の第四実施例の熱電素子の構造および熱
電素子を設けた電子時計の構成を示す図である。放熱側
の絶縁体902はシリコンを用いているのと共に、電子
時計の構成要素を動作させるためのIC、LSI等の集
積回路910も同時に設けてある。
【0030】また、吸熱側の絶縁体901は、酸化膜9
12が付いたアルミニウム911から構成されている。
酸化膜912が付いたアルミニウム911は、シリコン
と比較して、熱伝導率が高いため、熱電素子907とし
て考慮した場合、吸熱側および放熱側の絶縁体がシリコ
ンから構成されている場合と比べて、発電効率を向上さ
せることができる。
【0031】また、さらには、熱電素子907と腕時計
駆動用IC等910の搭載に必要なスペースを兼用でき
るため、腕時計のような小スペースに多くの要素を構成
することができることから、このような熱電素子907
を構成することで、発電効率の向上および小ペース化に
とって、非常に有効な手法となる。
【0032】電極806の間に発生した起電力は、蓄電
手段808に蓄えられ、蓄電手段808の電圧が一定の
電圧値に達すると、IC、LSI等の集積回路810お
よび時刻表示手段809が駆動し始めることになる。
【0033】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁体にシリコンを用
いた熱電素子のn型、p型半導体の厚さを0.5mm以
上6mm以下とすることにより、必要とする起電力を得
るための熱電素子としては発電効率が良くかつ小型化さ
れたものを得ることができ、この熱電素子を電子時計に
用いることにより、小型かつ薄型の熱電素子をエネルギ
源として駆動する電子時計を実現することが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子時計の動作原理図である。
【図2】本発明の電子時計のシステムブロック図であ
る。
【図3】本発明の第一実施例における熱電素子の製造工
程の説明図(その1)である。
【図4】本発明の第一実施例における熱電素子の製造工
程の説明図(その2)である。
【図5】本発明の第一実施例における熱電素子の製造工
程の説明図(その3)である。
【図6】本発明の第一実施例における熱電素子のシミュ
レーション結果(出力電圧値)である。
【図7】本発明の第一実施例における熱電素子のシミュ
レーション結果(出力電流値)である。
【図8】本発明の第一実施例における電子腕時計の外観
および構造を示す断面図である。
【図9】本発明の第二実施例における電子時計の動作原
理図である。
【図10】本発明の第三実施例における電子時計の動作
原理図である。
【図11】本発明の第四実施例における電子時計の動作
原理図である。
【図12】従来例における腕時計を示す断面図である。
【符号の説明】
101、102 絶縁体 103 n型半導体 104 p型半導体 105 接続部 106 出力端子部 107 熱電素子 108 蓄電手段 109 時刻表示手段

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のn型半導体(103)と複数のp
    型半導体(104)を交互に電気的に直列となるように
    接続する複数の接続部(105)と、 起電力を取り出すための出力端子部(106)と、 接続部(105)を一つおきに固定する、シリコンで構
    成した第一の絶縁体(101)と、 第一の絶縁体(101)に固定されていない接続部(1
    05)を固定する、シリコンで構成した第二の絶縁体
    (102)とを有し、 複数のn型半導体(103)と複数のp型半導体(10
    4)を2000個以上7500個以下に直列接続して熱
    電素子(107)を構成し、 熱電素子から発生した起電力を蓄える蓄電手段(10
    8)と、 蓄電手段(108)に蓄えられた起電力により動作する
    時刻表示手段(109)を有することを特徴とする電子
    時計。
  2. 【請求項2】 複数のn型半導体(7031)から構成
    されるn型半導体複合素子(703)と、複数のp型半
    導体(7041)から構成されるp型半導体複合素子
    (704)を交互に電気的に直列になるように接続する
    複数の接続部(705)と、 起電力を取り出すための出力端子部(706)を有し、 接続部(705)を一つおきに固定する、シリコンで構
    成した第一の絶縁体(701)と、 第一の絶縁体(701)に固定されていない接続部(7
    01)を固定する、シリコンで構成した第2の絶縁体
    (705)とを有し、複数のn型半導体複合素子(70
    3)と複数のp型半導体複合素子(704)を2000
    個以上7500個以下に直列接続された熱電素子(70
    7)を構成し、 熱電素子から発生した起電力を蓄える蓄電手段(70
    8)と、 蓄電手段(708)に蓄えられた起電力により動作する
    時刻表示手段(709)を有することを特徴とする電子
    時計。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の複数のn型半導体(10
    3)と複数のp型半導体(104)を2000個以上5
    500個以下に直列接続されたことを特徴とする電子時
    計。
  4. 【請求項4】 請求項2記載の複数のn型半導体複合素
    子(703)と複数のp型半導体複合素子(704)を
    2000個以上5500個以下に直列接続されたことを
    特徴とする電子時計。
  5. 【請求項5】 請求項1記載の第一の絶縁体(101)
    と第二の絶縁体(102)との間に固定される複数のn
    型半導体(103)および複数のp型半導体(104)
    の厚さは0.5mm以上6mm以下であることを特徴と
    する電子時計。
  6. 【請求項6】 請求項2記載の第一の絶縁体と第二の絶
    縁体との間に固定される複数のn型半導体複合素子(2
    03)および複数のp型半導体複合素子(204)の厚
    さが0.5mm以上6mm以下であることを特徴とする
    電子時計。
  7. 【請求項7】 請求項1記載の熱電素子(107)は、
    複数のn型半導体(103)および複数のp型半導体
    (104)の厚さが熱電素子の厚さが1mm以上6mm
    以下であることを特徴とする電子時計。
  8. 【請求項8】 請求項2記載の熱電素子(207)は、
    複数のn型半導体複合素子(203)および複数のp型
    半導体複合素子(204)のそれぞれの厚さが熱電素子
    の厚さが1mm以上6mm以下であることを特徴とする
    電子時計。
  9. 【請求項9】 請求項1〜8のいずれか1項に記載の電
    子時計において、第一の絶縁体(101)および第二の
    絶縁体(102)の一方はシリコンで構成され、もう一
    方の絶縁体はシリコン以外の材料で構成されていること
    を特徴とする電子時計。
  10. 【請求項10】 請求項1〜9のいずれか1項に記載の
    電子時計において、第一の絶縁体(101)および第二
    の絶縁体(102)の少なくともどちらか一方に、集積
    回路が構成されていることを特徴とする電子時計。
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