JPH0843653A - Method for manufacturing optical waveguide circuit - Google Patents
Method for manufacturing optical waveguide circuitInfo
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- JPH0843653A JPH0843653A JP18115894A JP18115894A JPH0843653A JP H0843653 A JPH0843653 A JP H0843653A JP 18115894 A JP18115894 A JP 18115894A JP 18115894 A JP18115894 A JP 18115894A JP H0843653 A JPH0843653 A JP H0843653A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低融点ガラス材料によりコア部を作製する際
のコアの変形と導波路サイズの制限を解決し、光導波路
の形状によらず、再現精度の高い、石英系光導波路の製
造方法を提供する。
【構成】 断面が矩形のコア部が、その周囲をコア部よ
りも屈折率の低いクラッド部に囲まれた光導波回路の製
造方法である。この方法は、1)下部クラッド層上にコ
ア層を形成する工程と、コア層を矩形コア部に加工する
工程と、コア部を中間クラッド層で埋め込む工程よりな
る凸型導波路作製工程と、2)中間クラッド層に断面が
矩形の溝を形成する工程と、溝にコア層を形成する工程
と、コア層および中間クラッド層を所望の厚さになるま
で除去する工程よりなる凹型導波路作製工程と、3)凸
型導波路作製工程と凹型導波路作製工程を行った全領域
を上部クラッド層で覆う工程よりなる。
(57) [Abstract] [Purpose] Silica-based optical fiber with high reproducibility regardless of the shape of the optical waveguide, which solves the deformation of the core and the limitation of the waveguide size when the core is made of low melting point glass material. A method for manufacturing a waveguide is provided. A method of manufacturing an optical waveguide circuit in which a core portion having a rectangular cross section is surrounded by a clad portion having a refractive index lower than that of the core portion. This method includes 1) a step of forming a core layer on the lower clad layer, a step of processing the core layer into a rectangular core part, and a step of forming a convex waveguide including a step of embedding the core part with an intermediate clad layer, 2) Fabrication of a concave waveguide including a step of forming a groove having a rectangular cross section in the intermediate cladding layer, a step of forming a core layer in the groove, and a step of removing the core layer and the intermediate cladding layer to a desired thickness. And 3) a step of forming a convex waveguide and a step of forming a concave waveguide, and covering the entire region with an upper cladding layer.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光信号処理、
光計測の分野における導波路型光部品の製造方法に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to optical communication, optical signal processing,
The present invention relates to a method of manufacturing a waveguide type optical component in the field of optical measurement.
【0002】[0002]
【従来の技術】石英系導波路型光部品は石英系光ファイ
バとの整合性がよいことから、実用的な導波路型光部品
を実現できる手段として注目されている。この種の石英
系導波路を作製するには、数μmから数十μm厚の石英
系ガラス膜を形成する技術と、形成された石英系ガラス
膜をフォトリソグラフィを利用して数μm幅のパターン
形状に加工する技術との組み合わせが用いられている。
このガラス膜形成技術と加工技術をどのように組み合わ
せるかが光導波路および最終的な光回路の構造と特性を
決定することとなる。2. Description of the Related Art Since a silica-based waveguide type optical component has good compatibility with a silica-based optical fiber, it has been attracting attention as a means for realizing a practical waveguide type optical component. In order to manufacture this type of silica-based waveguide, a technique of forming a silica-based glass film with a thickness of several μm to several tens of μm and a pattern with a width of several μm using photolithography are applied to the formed silica-based glass film. It is used in combination with the technology of processing into shapes.
How the glass film forming technology and the processing technology are combined determines the structure and characteristics of the optical waveguide and the final optical circuit.
【0003】図4および図5に基本となる二種類の石英
系光導波回路の作製工程を示す。図4は凸型プロセスと
称する作製手順であり、図5は凹型プロセスと称する作
製工程である。図4および図5は導波路断面を示す。図
4の凸型プロセスにおいては、最初基板1上に下部クラ
ッド層2を形成し(図4(a)参照)、その上にコア膜
3を形成し(図4(b)参照)、コア膜2を導波路パタ
ーン(コア部)4になるように凸型に加工する(図4
(c)参照)。最後に上部クラッドガラスとなるガラス
膜5を形成し、埋込型の光導波路を作製する。一方、図
5の凹型プロセスでは、最初基板6上に下部クラッド層
7を形成し(図5(a)参照)、下部クラッド7を凹型
に加工した後(図5(b)参照)、コア膜8を形成する
(図5(c)参照)。次に、下部クラッド層7上面まで
のコア膜8を除去してコア部9を形成した後(図5
(d)参照)、上部クラッド層となるガラス膜10を形
成することで埋め込み型の光導波路を作製する。FIG. 4 and FIG. 5 show steps of manufacturing two kinds of basic silica-based optical waveguide circuits. FIG. 4 shows a manufacturing procedure called a convex process, and FIG. 5 shows a manufacturing process called a concave process. 4 and 5 show waveguide cross sections. In the convex process of FIG. 4, the lower clad layer 2 is first formed on the substrate 1 (see FIG. 4A), and the core film 3 is formed thereon (see FIG. 4B). 2 is processed into a convex shape so as to become a waveguide pattern (core portion) 4 (see FIG. 4).
(C)). Finally, the glass film 5 to be the upper clad glass is formed, and the embedded optical waveguide is manufactured. On the other hand, in the concave process of FIG. 5, the lower clad layer 7 is first formed on the substrate 6 (see FIG. 5A), and after the lower clad 7 is processed into a concave form (see FIG. 5B), the core film is formed. 8 is formed (see FIG. 5C). Next, after the core film 8 up to the upper surface of the lower clad layer 7 is removed to form the core portion 9 (see FIG.
(See (d)), the embedded optical waveguide is manufactured by forming the glass film 10 to be the upper clad layer.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、凸型プ
ロセスで作製する光導波路は上部クラッドを形成する際
にコア部が凸部になっているため、凹型プロセスに比べ
本質的にコア部が変形しやすいという問題があった。こ
のため、特に導波路間隔が2〜3μmになる方向性結合
器では結合率の再現性が悪い。また、低軟化温度を有す
るコアガラスを用いて光導波路を作製する際に導波路幅
が2〜3μmの狭導波路においてコア部が変形しやす
く、再現性の悪化を招いていた。さらに、一般的な加工
技術であるフォトリソグラフィと反応性イオンエッチン
グを利用した方法で光導波路に要求される数μmのガラ
スを除去すると、マスク上でのコア幅より実際のコアの
導波路幅が小さくなるというパターンやせ現象が本質的
にある。However, since the core portion of the optical waveguide manufactured by the convex process is convex when the upper clad is formed, the core portion is essentially deformed as compared with the concave process. There was a problem that it was easy. For this reason, the reproducibility of the coupling rate is particularly poor in a directional coupler having a waveguide spacing of 2 to 3 μm. Further, when an optical waveguide is manufactured using a core glass having a low softening temperature, the core portion is easily deformed in a narrow waveguide having a waveguide width of 2 to 3 μm, which causes deterioration of reproducibility. Furthermore, when the glass of several μm required for the optical waveguide is removed by a method using photolithography and reactive ion etching, which are general processing techniques, the actual waveguide width of the core is smaller than the core width on the mask. There is essentially a thinning pattern, a phenomenon of thinning.
【0005】一方、凹型プロセスで作製する光導波路
は、不要なコア膜をエッチングにより除去する工程にお
いて(図5(d)参照)、コア膜は平坦化されている必
要がある。しかしながら、幅の広い導波路を作製する場
合、コア膜は凹部に流れ込むことでコア膜に窪みが生じ
ることから、パターンの大きさに限界がある。特に、導
波路幅50μm以上の光導波路やスラブ導波路に凹型プ
ロセスを適用する場合、コアの高さを均一に作製するこ
とは不可能であった。On the other hand, in the optical waveguide manufactured by the concave process, the core film needs to be flattened in the step of removing the unnecessary core film by etching (see FIG. 5D). However, when a wide waveguide is manufactured, the core film flows into the recesses to form dents in the core film, which limits the size of the pattern. In particular, when the concave process is applied to an optical waveguide having a waveguide width of 50 μm or more or a slab waveguide, it was impossible to make the cores uniform in height.
【0006】従来、凸型プロセスおよび凹型プロセスを
融合することにより凸型プロセスと凹型プロセスで作製
した光導波路を用いて、低損失であるスラブ導波路を含
む光回路を実現する光導波路作製プロセスは明らかにさ
れていなかった。Conventionally, an optical waveguide manufacturing process for realizing an optical circuit including a slab waveguide with low loss by using an optical waveguide manufactured by a convex process and a concave process by fusing a convex process and a concave process has been performed. It was not revealed.
【0007】本発明は、これらの問題点を鑑みてなされ
たものであり、その目的は、低融点ガラス材料によりコ
ア部を作製する際のコアの変形と導波路サイズの制限を
解決し、光導波路の形状によらず、再現精度の高い、石
英系光導波路の製造方法を提供することにある。The present invention has been made in view of these problems, and an object thereof is to solve the deformation of the core and the limitation of the waveguide size when the core portion is made of a low melting point glass material, and An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a silica-based optical waveguide with high reproducibility regardless of the shape of the waveguide.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の光導波回路の製造方法は、断面が矩形のコ
ア部が、その周囲を前記コア部よりも屈折率の低いクラ
ッド部に囲まれた光導波回路の製造方法において、 1)下部クラッド層上にコア層を形成する工程と、前記
コア層を断面が矩形のコア部に加工する工程と、前記コ
ア部を中間クラッド層で埋め込む工程よりなる凸型導波
路作製工程と、 2)前記中間クラッド層に断面が矩形の溝を形成する工
程と、前記溝にコア層を形成する工程と、前記コア層お
よび中間クラッド層を所望の厚さになるまで除去する工
程よりなる凹型導波路作製工程と、 3)前記凸型導波路作製工程と凹型導波路作製工程を行
った全領域を上部クラッド層で覆う工程よりなることを
特徴とする。In order to achieve the above object, in the method of manufacturing an optical waveguide circuit according to the present invention, a core portion having a rectangular cross section is provided with a clad portion having a lower refractive index than the core portion. In the method for manufacturing an enclosed optical waveguide circuit, 1) a step of forming a core layer on a lower clad layer, a step of processing the core layer into a core part having a rectangular cross section, and a step of forming the core part with an intermediate clad layer. A step of forming a convex waveguide including a step of burying; 2) a step of forming a groove having a rectangular cross section in the intermediate clad layer; a step of forming a core layer in the groove; and a step of forming the core layer and the intermediate clad layer as desired. And a step of covering the entire region where the convex waveguide forming step and the concave waveguide forming step are performed with an upper clad layer. And
【0009】ここで、前記凸型導波路作製工程によって
形成されたコア部の上部以外の場所に、前記溝を形成し
てもよく、さらに前記凸型導波路作製工程によって形成
されたコア部と水平面において連続して、前記溝を形成
してもよい。Here, the groove may be formed at a place other than the upper part of the core portion formed by the convex waveguide forming step, and the core portion formed by the convex waveguide forming step and the core portion formed by the convex waveguide forming step. The groove may be formed continuously in a horizontal plane.
【0010】凹型導波路作製工程における溝の深さが、
中間クラッド層の厚さに等しくてもよい。The depth of the groove in the concave waveguide manufacturing process is
It may be equal to the thickness of the intermediate cladding layer.
【0011】凸型導波路作製工程におけるコア部を矩形
断面に加工する工程が、フォトリソグラフィ工程とエッ
チングよりなり、かつ、凹型導波路作製工程におけるコ
ア部を含む中間クラッド層を所望の厚さになるまで除去
する工程が、エッチングよりなってもよい。The step of processing the core portion into a rectangular cross section in the step of forming the convex waveguide comprises a photolithography step and etching, and the intermediate clad layer including the core portion in the step of forming the concave waveguide has a desired thickness. The step of removing until further may be etching.
【0012】さらに、本発明は、スラブ導波路およびス
ラブ導波路以外の導波路からなる光導波回路の製造方法
において、前述した凸型導波路作製工程および凹型導波
路作製工程を用い、かつ、スラブ導波路作製に前記凸型
導波路作製工程を用いることを特徴とする。Furthermore, the present invention is a method of manufacturing an optical waveguide circuit comprising a slab waveguide and a waveguide other than the slab waveguide, using the above-mentioned convex waveguide manufacturing step and concave waveguide manufacturing step, and It is characterized in that the above-mentioned convex waveguide manufacturing process is used for manufacturing the waveguide.
【0013】さらにまた、本発明は、チャンネル導波路
およびチャンネル導波路以外の導波路からなる光導波回
路の製造方法において、前述した凸型導波路作製工程お
よび凹型導波路作製工程を用い、かつ、チャンネル導波
路作製に前記凹型導波路作製工程を用いることを特徴と
する。Furthermore, the present invention is a method for manufacturing an optical waveguide circuit comprising a channel waveguide and a waveguide other than the channel waveguide, using the above-mentioned convex waveguide manufacturing step and concave waveguide manufacturing step, and It is characterized in that the above-mentioned concave waveguide manufacturing process is used for manufacturing a channel waveguide.
【0014】ここで、作製される光導波回路がアレー導
波路回折格子であってもよい。Here, the optical waveguide circuit to be produced may be an array waveguide diffraction grating.
【0015】本発明は、能動導波路を含む光導波回路の
製造方法において、前述した凸型導波路作製工程および
凹型導波路作製工程を用い、かつ、能動導波路作製に前
記凹型導波路作製工程を用いることを特徴とする。According to the present invention, in the method of manufacturing an optical waveguide circuit including an active waveguide, the above-mentioned convex waveguide manufacturing step and concave waveguide manufacturing step are used, and the concave waveguide manufacturing step is used for active waveguide manufacturing. Is used.
【0016】ここで、能動導波路が希土類元素を含んで
もよく、コア部に低融点ガラスを用いてもよい。Here, the active waveguide may contain a rare earth element, and a low melting point glass may be used for the core portion.
【0017】[0017]
【作用】本発明によれば、方向性結合器など干渉を利用
する光回路部をパターンやせやコア変形の無い凹型プロ
セスにより形成し、コア形状の大きいスラブ導波路をコ
ア部の高さを一定にできる凸型プロセスにより作製する
こととなる。そのため、スラブ導波路を含む光回路を高
精度に作製することが可能となる。また、低軟化温度で
あるガラス材料と高軟化温度であるガラス材料をコア形
成に適用して、高精度で低損失な光導波回路を同一基板
上に実現できる。この結果、異種材料をコアに用いた機
能性の光導波回路を実現できると同時に、回路設計の自
由度も大きくすることとなる。According to the present invention, an optical circuit portion utilizing interference such as a directional coupler is formed by a concave process without pattern thinning or core deformation, and a slab waveguide having a large core shape is formed with a constant height of the core portion. It will be manufactured by a convex process capable of Therefore, an optical circuit including the slab waveguide can be manufactured with high accuracy. Further, by applying a glass material having a low softening temperature and a glass material having a high softening temperature to the core formation, a highly accurate and low loss optical waveguide circuit can be realized on the same substrate. As a result, it is possible to realize a functional optical waveguide circuit using a different material for the core, and at the same time, increase the degree of freedom in circuit design.
【0018】本発明が特に有効であるのは、スラブ導
波路を含む光導波回路としてアレー型回折格子、軟化
温度の異なるガラス材料を含む光導波回路として希土類
添加光導波路と受動型光導波路の同一基板内への集積化
である。The present invention is particularly effective in that an array type diffraction grating is used as an optical waveguide circuit including a slab waveguide, and a rare earth-doped optical waveguide and a passive optical waveguide are used as an optical waveguide circuit including glass materials having different softening temperatures. It is the integration into the substrate.
【0019】[0019]
【実施例】以下に図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0020】実施例1 図1に、本実施例の火炎堆積法による凸凹融合型光導波
路製造工程を示す。図1(a)は導波路を上からみた概
略図であり、図1(b)〜(i),(d′)〜(i′)
は断面概略図である。図1(d)〜(i)は凸型プロセ
スの部分を、(d′)〜(i′)は凹型プロセスの部分
を示す。シリコン基板11上に火炎堆積法を用いて膜厚
30μmである屈折率の低い下部クラッドガラス膜12
を形成する(図1(b)参照)。次に、下部クラッド層
12上に火炎堆積法により膜厚6μmであるコアガラス
膜13を形成し、フォトリソグラフィ工程とエッチング
により断面が矩形状の凸型のコア部14に加工する(図
1(c),(d),(d′)参照)。次に、膜厚15μ
mである屈折率の低い中間クラッド層15によりコアを
埋め込むことにより第一の光導波路を作製する(図1
(e),(e′)参照)。次に、中間クラッド層15に
断面が矩形の溝15Aをフォトリソグラフィ工程とエッ
チングにより溝の深さが15μmになるように作製する
(図1(f),(f′)参照)。次に、火炎堆積法を用
いて膜厚15μmである第二のコアガラス膜16を形成
する(図1(g),(g′)参照)。次に、エッチング
により第一の光導波路と第二の光導波路のコア14,1
7の高さが6μmになるよう第二のコアガラス16と中
間クラッドガラス15をエッチングにより除去する(図
1(h),(h′)参照)。最後に、屈折率の低い上部
クラッドガラス18を形成し、埋め込み型の光導波路を
作製する(図1(i),(i′)参照)。 Example 1 FIG. 1 shows a process of manufacturing a convex-concave fusion type optical waveguide by the flame deposition method of this example. FIG. 1A is a schematic view of the waveguide viewed from above, and FIGS. 1B to 1I and 1D ′ to 1I ′.
Is a schematic cross-sectional view. 1 (d) to 1 (i) show a convex process portion, and FIGS. 1 (d ') to 1 (i') show a concave process portion. A lower clad glass film 12 having a low refractive index and a film thickness of 30 μm is formed on a silicon substrate 11 by a flame deposition method.
Are formed (see FIG. 1B). Next, a core glass film 13 having a film thickness of 6 μm is formed on the lower clad layer 12 by a flame deposition method, and processed into a convex core portion 14 having a rectangular cross section by a photolithography process and etching (FIG. 1 ( c), (d), (d ')). Next, film thickness 15μ
The first optical waveguide is manufactured by embedding the core with the intermediate cladding layer 15 having a low refractive index of m (FIG. 1).
(See (e) and (e ')). Next, a groove 15A having a rectangular cross section is formed in the intermediate cladding layer 15 by a photolithography process and etching so that the depth of the groove becomes 15 μm (see FIGS. 1F and 1F ′). Next, the second core glass film 16 having a film thickness of 15 μm is formed by using the flame deposition method (see FIGS. 1G and 1G ′). Next, the cores 14 and 1 of the first optical waveguide and the second optical waveguide are etched by etching.
The second core glass 16 and the intermediate cladding glass 15 are removed by etching so that the height of 7 becomes 6 μm (see FIGS. 1 (h) and 1 (h ′)). Finally, the upper clad glass 18 having a low refractive index is formed to fabricate an embedded optical waveguide (see FIGS. 1 (i) and 1 (i ')).
【0021】本実施例の光導波回路製造方法を用いて、
光周波数選択可能なアレー導波路回折格子型光合分波器
を作製した。図2に回路構成の概略を示す。19はシリ
コン基板、20は入力導波路、21は入力側スラブ導波
路、22はチャンネル導波路からなるアレー導波路回折
格子、23は出力側スラブ導波路、24は出力導波路で
ある。本実施例に基づき、入力導波路20、アレー導波
路回折格子22および出力導波路24を凹型プロセスに
より作製し、入力側スラブ導波路21および出力側スラ
ブ導波路23を凸型プロセスにより作製した。すなわ
ち、凸型プロセスによるコア部と凹型プロセスの溝は水
平面において連続している。光合分波器の設計にあたっ
ては、光通信で用いられる波長1.55μm帯におい
て、波長多重間隔1nmが得られるよう、アレー導波路
を構成するチャンネル導波路間の光路長差ΔLを122
μmとした。Using the optical waveguide circuit manufacturing method of this embodiment,
An arrayed-waveguide grating optical multiplexer / demultiplexer with selectable optical frequency was fabricated. FIG. 2 shows a schematic circuit configuration. Reference numeral 19 is a silicon substrate, 20 is an input waveguide, 21 is an input side slab waveguide, 22 is an array waveguide diffraction grating consisting of channel waveguides, 23 is an output side slab waveguide, and 24 is an output waveguide. Based on this example, the input waveguide 20, the array waveguide diffraction grating 22, and the output waveguide 24 were manufactured by the concave process, and the input side slab waveguide 21 and the output side slab waveguide 23 were manufactured by the convex process. That is, the core portion formed by the convex process and the groove formed by the concave process are continuous in the horizontal plane. In designing the optical multiplexer / demultiplexer, the optical path length difference ΔL between the channel waveguides forming the array waveguide is set to 122 so that a wavelength multiplexing interval of 1 nm can be obtained in the wavelength 1.55 μm band used in optical communication.
μm.
【0022】この光合分波器を動作するには、まず、入
力導波路20に送信側の単一モード光ファイバを接続し
周波数多重信号光を入射する。入力側スラブ導波路21
において回折効果により広がった信号光は、アレー導波
路回折格子22を構成する複数のチャンネル導波路に伝
搬し、出力側導波路に達し、さらに出力導波路24に集
光される。この場合、アレー導波路回折格子22を構成
する個々のチャンネル導波路の長さを変えて光路長差Δ
Lを設けることによりチャンネル導波路伝搬後の信号光
の位相にずれが生じ、この位相のずれ量に応じて出力側
スラブ導波路23における集束光の波面が傾く。この傾
き角度により集光する位置が決定される。位相のずれ量
が信号光周波数に依存し、周波数多重信号光は光周波数
別に集光位置が決まることになり、その集光位置に出力
導波路24を配置することによって光周波数別に信号光
を取り出すこができる。In order to operate this optical multiplexer / demultiplexer, first, a single-mode optical fiber on the transmission side is connected to the input waveguide 20 and frequency-multiplexed signal light is made incident. Input side slab waveguide 21
The signal light spread by the diffraction effect propagates to the plurality of channel waveguides forming the arrayed waveguide diffraction grating 22, reaches the output side waveguide, and is further focused on the output waveguide 24. In this case, the lengths of the individual channel waveguides forming the arrayed waveguide diffraction grating 22 are changed to change the optical path length difference Δ.
By providing L, the phase of the signal light after propagating in the channel waveguide is deviated, and the wavefront of the focused light in the output side slab waveguide 23 is inclined according to the amount of the phase deviation. The position where light is collected is determined by this tilt angle. The amount of phase shift depends on the frequency of the signal light, and the condensing position of the frequency-multiplexed signal light is determined for each optical frequency. By arranging the output waveguide 24 at the condensing position, the signal light is extracted for each optical frequency. I can do it.
【0023】本実施例の光導波回路の製造方法を用いる
ことで、光路長差ΔLを設定するアレイー導波路回折格
子をコア変形のない凹型プロセスにより作製し、コア部
面積が大きい入力側スラブ導波路および出力側スラブ導
波路をコア部の高さを均一に作製可能な凸型プロセスで
作製することができる。従って、光路長差ΔLの精度が
向上する結果、本合分波器の重要な特性である隣合った
光導波路のクロストークを改善できる。しかも、出力側
スラブ導波路と出力導波路の接続部においてパターンや
せを回避できることより、信号光は出力導波路に低損失
で結合することができる。また、本実施例において、チ
ャンネル導波路作製に凹型プロセスを適用し、スラブ導
波路作製に凸型プロセスを適用したが、凹型プロセスと
凸型プロセスとを使い分けてY分岐回路や方向性結合器
等の多種多様な回路要素に適用することも可能である。By using the method for manufacturing an optical waveguide circuit of this embodiment, an arrayed waveguide diffraction grating for setting the optical path length difference ΔL is manufactured by a concave process without core deformation, and an input side slab conductor having a large core area is manufactured. The waveguide and the slab waveguide on the output side can be manufactured by a convex process that allows the height of the core to be uniform. Therefore, as a result of improving the accuracy of the optical path length difference ΔL, crosstalk between adjacent optical waveguides, which is an important characteristic of the present multiplexer / demultiplexer, can be improved. Moreover, since the pattern thinning can be avoided at the connection portion between the output side slab waveguide and the output waveguide, the signal light can be coupled to the output waveguide with low loss. Further, in the present embodiment, the concave process is applied to the fabrication of the channel waveguide, and the convex process is applied to the fabrication of the slab waveguide. However, the concave process and the convex process are used separately, and a Y branch circuit, a directional coupler, etc. It is also possible to apply to a wide variety of circuit elements.
【0024】この光合分波器の波長1.55μmにおけ
る透過スペクトルを測定したところ、波長間隔1nm、
多重数13の良好な光透過特性を得た。また、隣合った
チャンネルにおけるクロストークは35dBであり、従
来の凸型プロセスのみで作製した合分波器のクロストー
ク値25dBを10dB改善していることが判明した。
さらに、この光合分波器の挿入損失を測定したところ、
1dBであった。従来の凸型プロセスで作製した同じ構
造を有する光合分波器では挿入損失は3dBであり、パ
ターンやせをなくすことにより、低損失化を図れること
が明らかとなった。The transmission spectrum of this optical multiplexer / demultiplexer at a wavelength of 1.55 μm was measured.
Good light transmission characteristics with a multiplexing number of 13 were obtained. Further, it was found that the crosstalk in the adjacent channels was 35 dB, and the crosstalk value 25 dB of the multiplexer / demultiplexer manufactured only by the conventional convex process was improved by 10 dB.
Furthermore, when the insertion loss of this optical multiplexer / demultiplexer was measured,
It was 1 dB. The insertion loss of the optical multiplexer / demultiplexer having the same structure manufactured by the conventional convex process is 3 dB, and it has been clarified that the loss can be reduced by eliminating the pattern thinning.
【0025】以上により、本発明で作製した光合分波器
はアレー導波路回折格子を構成するチャンネル導波路の
作製に凹型プロセスを適用することにより、導波路コア
の変形が抑制され光路長差ΔLを精密に作製でき、高ク
ロストークを実現でき、かつ、パターンやせを抑制する
ことにより低挿入損失である合分波器を作製できること
が明らかになった。As described above, in the optical multiplexer / demultiplexer manufactured according to the present invention, by applying the concave process to the fabrication of the channel waveguide which constitutes the arrayed waveguide diffraction grating, the deformation of the waveguide core is suppressed and the optical path length difference ΔL. It has been clarified that a multiplexer / demultiplexer can be manufactured with high precision, high crosstalk can be realized, and pattern insertion can be suppressed by suppressing pattern thinning.
【0026】実施例2 次に、本発明において、凸型プロセスを受動型光導波路
に適用し、凹型プロセスを希土類添加導波路に適用した
例を示す。希土類元素としてErを用い、Erイオンを
光増幅部にのみ添加し励起光および信号光の合分波器を
有する光増幅器を作製した。図3に回路構成の概略図を
示す。シリコン基板25上に、長さ20cmのEr添加
石英系光導波路26、励起光導入用光導波路27、励起
光導出用光導波路28、信号光導入用光導波路29、信
号光導出用光導波路30、方向性結合器I,II,III お
よびIVを構成した。この光増幅器を作製するには、光増
幅部であるEr添加石英系光導波路部26の位置にEr
添加光導波膜が形成されるようなマスクを用いて、図1
に従い、凹型プロセスによりEr添加光導波路を形成す
る。励起光導入用光導波路27、励起光導出用光導波路
28、信号光導入用光導波路29、信号光導出用光導波
路30、方向性結合器I,II,III ,IVは高さ6μm、
幅6μmである希土類元素を含まない受動型光導波路で
凸型プロセスにより形成した。 Embodiment 2 Next, in the present invention, an example in which the convex process is applied to the passive optical waveguide and the concave process is applied to the rare earth-doped waveguide is shown. An optical amplifier having a multiplexer / demultiplexer for pumping light and signal light was manufactured by using Er as a rare earth element and adding Er ions only to the optical amplification section. FIG. 3 shows a schematic diagram of the circuit configuration. A 20 cm long Er-doped silica optical waveguide 26, a pumping light introducing optical waveguide 27, a pumping light deriving optical waveguide 28, a signal light introducing optical waveguide 29, a signal light deriving optical waveguide 30, on a silicon substrate 25. Directional couplers I, II, III and IV were constructed. In order to fabricate this optical amplifier, Er is placed at the position of the Er-doped silica-based optical waveguide section 26 which is the optical amplification section.
Using a mask on which the doped optical waveguide film is formed, FIG.
Accordingly, the Er-doped optical waveguide is formed by the concave process. The pumping light introducing optical waveguide 27, the pumping light deriving optical waveguide 28, the signal light introducing optical waveguide 29, the signal light deriving optical waveguide 30, and the directional couplers I, II, III, and IV have a height of 6 μm.
A passive optical waveguide having a width of 6 μm and containing no rare earth element was formed by a convex process.
【0027】この光増幅器を動作するには、まず、波長
0.98μmの励起光および波長1.55μmの信号光
を単一モード光ファイバを用いて励起光導入用光導波路
27および信号光導入用光導波路29に入射する。励起
光は方向性結合器IおよびIIから構成されたマッハツ
ェンダ干渉計により励起光導入用光導波路27を伝搬す
る光強度に対し99%の光強度がEr添加光導波路26
に入射してErイオンを励起し、信号光は信号光導入用
光導波路27に対し98%の光強度がEr添加石英系光
導波路26に伝搬する。励起されたErイオンはEr添
加石英系光導波路26を伝搬する信号光を増幅する。さ
らに、励起光は方向性結合器III およびIVから構成
されたマッハツェンダ干渉計により励起光信号光分波部
に使用したマッハツェンダ干渉計と同様な動作原理で9
9%の結合率で分波され励起光導出用光導波路28に、
Er添加導波路26で増幅された信号光は98%の結合
率で信号光導出用光導波路30にそれぞれ伝搬し、信号
光のみが単一モード光ファイバによって取り出される。In order to operate this optical amplifier, first, the pumping light having a wavelength of 0.98 μm and the signal light having a wavelength of 1.55 μm are introduced using a single mode optical fiber into the optical waveguide 27 for introducing the pumping light and the signal light. It is incident on the optical waveguide 29. The excitation light has a Mach-Zehnder interferometer composed of directional couplers I and II, and has a light intensity of 99% with respect to the intensity of light propagating through the excitation light introducing optical waveguide 27.
And excites Er ions, and the signal light propagates to the Er-doped silica optical waveguide 26 with a light intensity of 98% with respect to the signal light introducing optical waveguide 27. The excited Er ions amplify the signal light propagating through the Er-doped silica optical waveguide 26. Further, the pumping light is generated by the Mach-Zehnder interferometer composed of the directional couplers III and IV by the same operation principle as that of the Mach-Zehnder interferometer used for the pumping light signal light demultiplexing unit.
In the optical waveguide 28 for deriving the excitation light, which is demultiplexed at the coupling rate of 9%,
The signal light amplified by the Er-doped waveguide 26 propagates to the signal light guide optical waveguide 30 at a coupling rate of 98%, and only the signal light is extracted by the single mode optical fiber.
【0028】本実施例の光回路の製造方法を用いること
で、励起光および信号光の合分波器を集積した光増幅器
において、Erイオンが吸収体として働く励起光導入
部、信号光導入部、励起光信号光分波器、信号光導出部
を伝搬損失の低いEr無添加光導波路により形成し、光
増幅部のみをEr添加光導波路で作製することができ
る。また、本実施例において、励起光および信号光の合
分波器として、波長間隔の大きい二つの光を精度良く調
節することが可能な二つの方向性結合器を用いたマッハ
ツェンダ型干渉計を用いたが、一つの方向性結合器から
構成される合分波器の利用も好適である。また、本実施
例では凹型プロセスで作製する光導波路として希土類添
加ガラスを用いたが、軟化温度の低いガラス材料に適用
できることは言うまでもない。例えば、Nd,Pr等の
希土類イオンを添加したガラスや半導体添加ガラスに用
いることも有効である。By using the method for manufacturing an optical circuit of the present embodiment, in an optical amplifier in which a multiplexer / demultiplexer for pumping light and signal light is integrated, a pumping light introducing portion and a signal light introducing portion where Er ions act as an absorber. It is possible to form the pumping light signal light demultiplexer and the signal light derivation part by the Er-free optical waveguide having a low propagation loss, and only the optical amplification part can be manufactured by the Er-doped optical waveguide. Further, in the present embodiment, a Mach-Zehnder interferometer using two directional couplers capable of accurately adjusting two lights having large wavelength intervals is used as a multiplexer / demultiplexer for pumping light and signal light. However, it is also suitable to use a multiplexer / demultiplexer composed of one directional coupler. Further, although the rare earth-doped glass is used as the optical waveguide manufactured by the concave process in this embodiment, it goes without saying that it can be applied to a glass material having a low softening temperature. For example, it is also effective to use it for glass to which rare earth ions such as Nd and Pr are added or for semiconductor-added glass.
【0029】この光増幅器の波長1.3μmでの光損失
を見積もったところ、Er添加光導波路とEr無添加光
導波路間の接続損失は0.3dBであり、良好な接続が
得られた。さらに、この光増幅器を用いて1.5μm帯
の光増幅実験を行ったところ、単一モード光ファイバ出
射励起光強度が30mWにおいて信号光の光強度が30
dB増幅されていることがわかった。When the optical loss of this optical amplifier at a wavelength of 1.3 μm was estimated, the connection loss between the Er-doped optical waveguide and the Er-free optical waveguide was 0.3 dB, and good connection was obtained. Furthermore, an optical amplification experiment in the 1.5 μm band was performed using this optical amplifier. As a result, the signal light intensity was 30 mW when the single-mode optical fiber emission pumping light intensity was 30 mW.
It was found that the signal was amplified by dB.
【0030】以上により、本発明で作製した光増幅器で
はErイオンを光増幅部にのみ添加することができ、励
起光および信号光の合分波器を集積した光増幅器を作製
できることが明らかとなった。From the above, it is clear that in the optical amplifier manufactured according to the present invention, Er ions can be added only to the optical amplification section, and an optical amplifier in which a multiplexer / demultiplexer for pumping light and signal light is integrated can be manufactured. It was
【0031】以上の実施例1および2では、ガラス膜作
製に火炎堆積法を用いたが、これは、この方法が、比較
的厚く高品質なガラス膜の堆積に適しているからであ
る。場合によっては、別のガラス膜合成方法、例えばC
VD法やスパッタ法を一部または全部に用いることもで
きる。In Examples 1 and 2 above, the flame deposition method was used for producing the glass film, because this method is suitable for depositing a relatively thick and high quality glass film. In some cases, another method for synthesizing glass membranes, such as C
The VD method or the sputtering method can be used partially or entirely.
【0032】[0032]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光回路の
製造方法によれば、凸型プロセスと凹型プロセスとを組
み合わせて光導波路を作製することができ、導波路形状
によらずコア変形などゆらぎの小さい光導波路を作製す
ることが可能となる。従って、本発明は、方向性結合
器、アレー導波路またはY分岐導波路を安定かつ再現性
良く製造する上で極めて効果的である。また、同一基板
上の任意の位置に希土類イオンを添加した光導波路と希
土類イオンを添加しない光導波路を区分けして作製でき
るので、導波回路中の希土類添加領域を自由に設定で
き、回路設計の自由度を大きくすることが可能となる。
以上の結果、励起光と信号光を同時に導波し光増幅を行
う導波路部に希土類添加コアを用い、励起光もしくは信
号光を単独で導波した方が望ましい部分等には希土類無
添加の光導波路を用いることが可能となり、希土類イオ
ンの吸収による信号光、励起光の損失を最小限にするこ
とができ、素子特性の向上が図れる利点を有する。As described above, according to the method for manufacturing an optical circuit of the present invention, an optical waveguide can be manufactured by combining a convex process and a concave process, and the core deformation is achieved regardless of the waveguide shape. It is possible to manufacture an optical waveguide with less fluctuation. Therefore, the present invention is extremely effective in manufacturing a directional coupler, an arrayed waveguide, or a Y-branched waveguide in a stable and reproducible manner. In addition, since it is possible to divide the optical waveguide with rare earth ions added and the optical waveguide with no rare earth ions into arbitrary positions on the same substrate, it is possible to freely set the rare earth addition region in the waveguide circuit and It is possible to increase the degree of freedom.
As a result of the above, a rare earth-doped core is used in the waveguide section that simultaneously guides the excitation light and the signal light to perform optical amplification, and it is desirable to add the rare earth-free core to the portion where it is desirable to guide the excitation light or the signal light alone. Since an optical waveguide can be used, loss of signal light and excitation light due to absorption of rare earth ions can be minimized, and device characteristics can be improved.
【図1】本発明の光導波回路の作製過程を示す断面図で
ある。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of an optical waveguide circuit of the present invention.
【図2】本発明実施例1のアレー導波路回折格子型光合
分波器の回路構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a circuit configuration of an arrayed waveguide diffraction grating type optical multiplexer / demultiplexer according to the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明実施例2のErイオンを光増幅部にのみ
添加し励起光の合分波器を集積した光増幅器の回路構成
を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a circuit configuration of an optical amplifier in which an Er ion of Example 2 of the present invention is added only to an optical amplification section and a multiplexer / demultiplexer for pumping light is integrated.
【図4】従来の凸型プロセスによる光導波回路の作製過
程を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a process of manufacturing an optical waveguide circuit by a conventional convex process.
【図5】従来の凹部プロセスによる光導波回路の作製過
程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a process of manufacturing an optical waveguide circuit by a conventional recess process.
1,6,11,19,25 シリコン基板 2,7,12 下部クラッド層 3,8,13,16 コア層 4,9,14,17 光導波路コア部 5,10,18 上部クラッド層 15 中間クラッド層 20 入力導波路 21 入力側スラブ導波路 22 アレー導波路回折格子 23 出力側スラブ導波路 24 出力導波路 26 Er添加石英系光導波路 27 励起光導入用光導波路 28 励起光導出用光導波路 29 信号光導入用光導波路 30 信号光導出用光導波路 I,II,III ,IV,V,VI 方向性結合器 1, 6, 11, 19, 25 Silicon substrate 2, 7, 12 Lower cladding layer 3, 8, 13, 16 Core layer 4, 9, 14, 17 Optical waveguide core portion 5, 10, 18 Upper cladding layer 15 Intermediate cladding Layer 20 Input Waveguide 21 Input Slab Waveguide 22 Array Waveguide Diffraction Grating 23 Output Side Slab Waveguide 24 Output Waveguide 26 Er-doped Silica Optical Waveguide 27 Pumping Light Introducing Optical Waveguide 28 Pumping Light Deriving Optical Waveguide 29 Signal Light guiding optical waveguide 30 Signal light guiding optical waveguide I, II, III, IV, V, VI Directional coupler
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小熊 学 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Manabu Oguma 1-1-6 Uchisaiwaicho, Chiyoda-ku, Tokyo Nihon Telegraph and Telephone Corporation
Claims (11)
コア部よりも屈折率の低いクラッド部に囲まれた光導波
回路の製造方法において、 1)下部クラッド層上にコア層を形成する工程と、 前記コア層を断面が矩形のコア部に加工する工程と、 前記コア部を中間クラッド層で埋め込む工程よりなる凸
型導波路作製工程と、 2)前記中間クラッド層に断面が矩形の溝を形成する工
程と、 前記溝にコア層を形成する工程と、 前記コア層および中間クラッド層を所望の厚さになるま
で除去する工程よりなる凹型導波路作製工程と、 3)前記凸型導波路作製工程と凹型導波路作製工程を行
った全領域を上部クラッド層で覆う工程よりなることを
特徴とする光導波回路の製造方法。1. A method of manufacturing an optical waveguide circuit in which a core section having a rectangular cross section is surrounded by a clad section having a refractive index lower than that of the core section, and 1) a core layer is formed on a lower clad layer. And a step of processing the core layer into a core portion having a rectangular cross section, a step of forming a convex waveguide including a step of embedding the core portion with an intermediate cladding layer, and 2) a rectangular cross section of the intermediate cladding layer. The step of forming a groove, the step of forming a core layer in the groove, and the step of removing the core layer and the intermediate clad layer to a desired thickness, A method of manufacturing an optical waveguide circuit, which comprises a step of covering the entire region subjected to the step of forming the waveguide and the step of forming the concave waveguide with an upper cladding layer.
において、 前記凸型導波路作製工程によって形成されたコア部の上
部以外の場所に、前記溝を形成することを特徴とする光
導波回路の製造方法。2. The method for manufacturing an optical waveguide circuit according to claim 1, wherein the groove is formed at a position other than an upper portion of the core portion formed by the convex waveguide forming step. Wave circuit manufacturing method.
において、 前記凸型導波路作製工程によって形成されたコア部と水
平面において連続して、前記溝を形成することを特徴と
する光導波回路の製造方法。3. The method for manufacturing an optical waveguide circuit according to claim 2, wherein the groove is formed continuously with the core portion formed by the convex waveguide forming step in a horizontal plane. Wave circuit manufacturing method.
波回路の製造方法において、 凹型導波路作製工程における溝の深さが、中間クラッド
層の厚さに等しいことを特徴とする光導波回路の製造方
法。4. The method for manufacturing an optical waveguide circuit according to claim 1, wherein the depth of the groove in the step of forming the concave waveguide is equal to the thickness of the intermediate cladding layer. Wave circuit manufacturing method.
波回路の製造方法において、 凸型導波路作製工程におけるコア部を矩形断面に加工す
る工程が、フォトリソグラフィ工程とエッチングよりな
り、 かつ、凹型導波路作製工程におけるコア部を含む中間ク
ラッド層を所望の厚さになるまで除去する工程が、エッ
チングよりなることを特徴とする光導波回路の製造方
法。5. The method of manufacturing an optical waveguide circuit according to claim 1, wherein the step of processing the core portion into a rectangular cross section in the convex waveguide manufacturing step comprises a photolithography step and etching. Further, the method of manufacturing an optical waveguide circuit, wherein the step of removing the intermediate cladding layer including the core portion in the step of forming the concave waveguide to a desired thickness is etching.
導波路からなる光導波回路の製造方法において、 請求項1から5のいずれかに記載の製造方法を用い、 かつ、スラブ導波路作製に前記凸型導波路作製工程を用
いることを特徴とする光導波回路の製造方法。6. A method for manufacturing an optical waveguide circuit comprising a slab waveguide and a waveguide other than the slab waveguide, wherein the manufacturing method according to claim 1 is used, and the slab waveguide is manufactured by the method described above. A method of manufacturing an optical waveguide circuit, characterized by using a convex waveguide manufacturing process.
路以外の導波路からなる光導波回路の製造方法におい
て、 請求項1から5のいずれかに記載の光導波回路の製造方
法を用い、 かつ、チャンネル導波路作製に前記凹型導波路作製工程
を用いることを特徴とする光導波回路の製造方法。7. A method for manufacturing an optical waveguide circuit comprising a channel waveguide and a waveguide other than the channel waveguide, wherein the method for manufacturing an optical waveguide circuit according to any one of claims 1 to 5 is used. A method for manufacturing an optical waveguide circuit, characterized in that the step of forming a concave waveguide is used for forming a waveguide.
折格子であることを特徴とする請求項6または7に記載
の光導波回路の製造方法。8. The method of manufacturing an optical waveguide circuit according to claim 6, wherein the optical waveguide circuit to be manufactured is an array waveguide diffraction grating.
において、 請求項1から5のいずれかに記載の製造方法を用い、 かつ、能動導波路作製に前記凹型導波路作製工程を用い
ることを特徴とする光導波回路の製造方法。9. A manufacturing method of an optical waveguide circuit including an active waveguide, wherein the manufacturing method according to claim 1 is used, and the concave waveguide manufacturing step is used for manufacturing the active waveguide. A method for manufacturing an optical waveguide circuit, comprising:
において、 能動導波路が希土類元素を含むことを特徴とする光導波
回路の製造方法。10. The method of manufacturing an optical waveguide according to claim 9, wherein the active waveguide contains a rare earth element.
特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の光導波
回路の製造方法。11. The method of manufacturing an optical waveguide circuit according to claim 1, wherein a low melting point glass is used for the core portion.
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|---|---|---|---|
| JP18115894A JP3137165B2 (en) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | Manufacturing method of optical waveguide circuit |
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| JPH0843653A true JPH0843653A (en) | 1996-02-16 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1074864A3 (en) * | 1999-08-06 | 2001-08-16 | Nhk Spring Co.Ltd. | Method of fabricating planar optical waveguide devices |
| JP2005257843A (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacturing method of optical waveguide |
-
1994
- 1994-08-02 JP JP18115894A patent/JP3137165B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2005257843A (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacturing method of optical waveguide |
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