JPH0844062A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
感放射線性樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH0844062A JPH0844062A JP18166094A JP18166094A JPH0844062A JP H0844062 A JPH0844062 A JP H0844062A JP 18166094 A JP18166094 A JP 18166094A JP 18166094 A JP18166094 A JP 18166094A JP H0844062 A JPH0844062 A JP H0844062A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- resin composition
- sensitive resin
- polyisoimide
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 (A)下記式(1)および/または(1')
【化1】
(上記式において、R1およびR3は2価の脂環族基また
はアルガノシロキサン骨格を含む2価の基を、R2およ
びR4は4価の有機基を示す。)で示される単位を主た
る繰り返し単位とするポリイソイミドと、(B)放射線
の照射により酸性を呈する化合物とを含有する感放射線
性樹脂組成物。 【効果】 本発明の感放射線性樹脂組成物から形成され
るパターン状膜はイミド環を有する高分子から構成され
ているので、耐熱性、電気的特性および機械適特性に優
れ、パターン状膜として機能すると共にそのまま絶縁材
として用いることができる。しかも上記パターン状膜を
形成する際、膜減りの問題が著しく改善されており、コ
ントラストも良好である。
はアルガノシロキサン骨格を含む2価の基を、R2およ
びR4は4価の有機基を示す。)で示される単位を主た
る繰り返し単位とするポリイソイミドと、(B)放射線
の照射により酸性を呈する化合物とを含有する感放射線
性樹脂組成物。 【効果】 本発明の感放射線性樹脂組成物から形成され
るパターン状膜はイミド環を有する高分子から構成され
ているので、耐熱性、電気的特性および機械適特性に優
れ、パターン状膜として機能すると共にそのまま絶縁材
として用いることができる。しかも上記パターン状膜を
形成する際、膜減りの問題が著しく改善されており、コ
ントラストも良好である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン成形後の膜減
り、すなわち、膜厚の減少が少く、コントラストが良好
な感放射線性樹脂組成物に関する。
り、すなわち、膜厚の減少が少く、コントラストが良好
な感放射線性樹脂組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の層間絶縁膜および保護膜に
は耐熱性および電気特性に優れたポリイミド樹脂が用い
られている。ポリイミド樹脂を用いて層間絶縁膜などを
形成する場合、例えば以下の手順で行われる。すなわ
ち、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸の溶
液を基板の表面上に塗布し、これを加熱処理することに
よりポリイミド膜を形成する。次いでポリイミド膜表面
上に感放射線性膜を設け、放射線の照射(以下「露光」
という。)および現像により所定のパターンを形成した
後、下地のポリイミド膜の選択エッチングを行うことに
より、所定のパターンを有するポリイミド膜を得る。
は耐熱性および電気特性に優れたポリイミド樹脂が用い
られている。ポリイミド樹脂を用いて層間絶縁膜などを
形成する場合、例えば以下の手順で行われる。すなわ
ち、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸の溶
液を基板の表面上に塗布し、これを加熱処理することに
よりポリイミド膜を形成する。次いでポリイミド膜表面
上に感放射線性膜を設け、放射線の照射(以下「露光」
という。)および現像により所定のパターンを形成した
後、下地のポリイミド膜の選択エッチングを行うことに
より、所定のパターンを有するポリイミド膜を得る。
【0003】しかし、このようなプロセスは工程が煩雑
である。そこで、感放射線性膜によって形成されるパタ
ーン状膜をそのまま絶縁材料として用いることができる
耐熱性感光材料の開発が望まれている。
である。そこで、感放射線性膜によって形成されるパタ
ーン状膜をそのまま絶縁材料として用いることができる
耐熱性感光材料の開発が望まれている。
【0004】このような耐熱性感光材料として、ポリイ
ミドの前駆体を用いた感光性樹脂が良く知られている。
例えばポリイミド前駆体を用いるものとして、ポリアミ
ック酸にエステル結合やイオン結合を介してメタクリロ
イル基を導入したもの(特開昭56−38038号公
報)が知られている。この場合、画像形成後に高温処理
を行いポリアミック酸を脱水閉環させてポリイミドのパ
ターンを得るが、この際の脱水による膜減りが問題とな
る。
ミドの前駆体を用いた感光性樹脂が良く知られている。
例えばポリイミド前駆体を用いるものとして、ポリアミ
ック酸にエステル結合やイオン結合を介してメタクリロ
イル基を導入したもの(特開昭56−38038号公
報)が知られている。この場合、画像形成後に高温処理
を行いポリアミック酸を脱水閉環させてポリイミドのパ
ターンを得るが、この際の脱水による膜減りが問題とな
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、耐熱
性のイミド環を有する高分子から構成される電気的特性
および機械的特性に優れたパターン状膜を形成し得る感
放射線性樹脂組成物を提供することである。本発明の他
の目的は、パターン状膜を形成した後に、イミド環を有
する高分子から構成されるパターン状膜をそのまま絶縁
材料として用いることを可能とする感放射線性樹脂組成
物を提供することである。本発明の更なる他の目的は、
パターン状膜を形成するときに膜減りの問題が改善され
かつ、コントラストが良好な感放射線性樹脂組成物を提
供することである。
性のイミド環を有する高分子から構成される電気的特性
および機械的特性に優れたパターン状膜を形成し得る感
放射線性樹脂組成物を提供することである。本発明の他
の目的は、パターン状膜を形成した後に、イミド環を有
する高分子から構成されるパターン状膜をそのまま絶縁
材料として用いることを可能とする感放射線性樹脂組成
物を提供することである。本発明の更なる他の目的は、
パターン状膜を形成するときに膜減りの問題が改善され
かつ、コントラストが良好な感放射線性樹脂組成物を提
供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、(A)
下記式(1)および/または(1')
下記式(1)および/または(1')
【0007】
【化2】
【0008】(上記式(1)および/または(1')に
おいて、R1およびR3は、同一または異なって、2価の
脂環族基またはオルガノシロキサン骨格を含む2価の基
を示し、R2およびR4は、同一または異なって、4価の
有機基を示す。)で示される単位を主たる繰り返し単位
とするポリイソイミド(以下、単に「ポリイソイミド」
という。)と、(B)露光により酸性を呈する化合物
(以下、「酸発生剤」という。)とを含有する感放射線
性樹脂組成物が提供されて、本発明の上記目的が達成さ
れる。
おいて、R1およびR3は、同一または異なって、2価の
脂環族基またはオルガノシロキサン骨格を含む2価の基
を示し、R2およびR4は、同一または異なって、4価の
有機基を示す。)で示される単位を主たる繰り返し単位
とするポリイソイミド(以下、単に「ポリイソイミド」
という。)と、(B)露光により酸性を呈する化合物
(以下、「酸発生剤」という。)とを含有する感放射線
性樹脂組成物が提供されて、本発明の上記目的が達成さ
れる。
【0009】以下、本発明を詳述するが、それにより本
発明の他の目的、構成、利点および効果が明らかとなろ
う。
発明の他の目的、構成、利点および効果が明らかとなろ
う。
【0010】本発明の感放射線性樹脂組成物中のポリイ
ソイミドを構成する前記式(1)および/または
(1')で示される繰り返し単位において、R1およびR
3は、同一または異なって、2価の脂環族基またはオル
ガノシロキサン骨格を含む2価の基を示す。R1および
R3が2価の脂環族基である場合、本発明の感放射線性
樹脂組成物が溶媒に容易に溶解するため成型加工性が優
れたものとなる。2価の脂環族基の具体例として、下記
式(2)〜(8)
ソイミドを構成する前記式(1)および/または
(1')で示される繰り返し単位において、R1およびR
3は、同一または異なって、2価の脂環族基またはオル
ガノシロキサン骨格を含む2価の基を示す。R1および
R3が2価の脂環族基である場合、本発明の感放射線性
樹脂組成物が溶媒に容易に溶解するため成型加工性が優
れたものとなる。2価の脂環族基の具体例として、下記
式(2)〜(8)
【0011】
【化3】
【0012】
【化4】
【0013】で示される2価の脂環族基を挙げることが
でき、好ましくは炭素数4〜20の前記式(2)〜
(8)で示される2価の脂環族基を挙げることができ
る。また、オルガノシロキサン骨格を含む2価の基の具
体例として、下記式(9)〜(13)
でき、好ましくは炭素数4〜20の前記式(2)〜
(8)で示される2価の脂環族基を挙げることができ
る。また、オルガノシロキサン骨格を含む2価の基の具
体例として、下記式(9)〜(13)
【0014】
【化5】
【0015】で示されるオルガノシロキサン骨格を含む
基を挙げることができる。これらの2価の脂環族基およ
びオルガノシロキサン骨格を含む基のなかでも、前記式
(3)および(4)で示される基がより好ましく、前記
式(3)においてXがメチレン基である基および前記式
(4)で示される基が特に好ましい。
基を挙げることができる。これらの2価の脂環族基およ
びオルガノシロキサン骨格を含む基のなかでも、前記式
(3)および(4)で示される基がより好ましく、前記
式(3)においてXがメチレン基である基および前記式
(4)で示される基が特に好ましい。
【0016】本発明で用いられるポリイソイミドにおい
て、複数存在するR1およびR3は、各々について異なる
2種以上の2価の脂環族基またはオルガノシロキサン骨
格を含む基であることができる。
て、複数存在するR1およびR3は、各々について異なる
2種以上の2価の脂環族基またはオルガノシロキサン骨
格を含む基であることができる。
【0017】前記式(1)および(1')中、R2および
R4は前述のとおり、同一または異なり、4価の有機基
を示し、例えば4価の芳香族基、4価の脂環族基を挙げ
ることができる。
R4は前述のとおり、同一または異なり、4価の有機基
を示し、例えば4価の芳香族基、4価の脂環族基を挙げ
ることができる。
【0018】前記式(1)および(1')のR2およびR
4における4価の芳香族基の好ましい具体例として、下
記式(14)〜(18)で示されるものを挙げることが
でき、さらに好ましくはこれらのうち炭素数が6〜20
のものである。
4における4価の芳香族基の好ましい具体例として、下
記式(14)〜(18)で示されるものを挙げることが
でき、さらに好ましくはこれらのうち炭素数が6〜20
のものである。
【0019】
【化6】
【0020】(前記式(17)中、Zは、前記式(3)
のXと同じ2価の基を示す。)
のXと同じ2価の基を示す。)
【0021】前記式(1)のR2および式(1')のR4
における、4価の脂環族基の好ましい具体例として、下
記式(19)〜(23)で示されるものを挙げることが
でき、さらに好ましくはこれらのうち炭素数が4〜6の
ものである。
における、4価の脂環族基の好ましい具体例として、下
記式(19)〜(23)で示されるものを挙げることが
でき、さらに好ましくはこれらのうち炭素数が4〜6の
ものである。
【0022】
【化7】
【0023】
【化8】
【0024】
【化9】
【0025】(前記式(23)中、nは0または1であ
る。)
る。)
【0026】R2およびR4として特に好ましいものとし
て前記式(17)で示される4価の基の中でZが−SO
2−、−CO−あるいはヘキサフルオロイソプロピリデ
ンである基を挙げることができる。
て前記式(17)で示される4価の基の中でZが−SO
2−、−CO−あるいはヘキサフルオロイソプロピリデ
ンである基を挙げることができる。
【0027】さらに、本発明で用いられるポリイソイミ
ドにおいて、式(1)および(1')で示される繰り返
し単位のR2とR4が前記式(17)で示される4価の基
の中でZが−CO−、−SO2−あるいはヘキサフルオ
ロイソプロピリデンである基であり、そしてR1とR
3が、式(3)で示される2価の基の中でXが−CH2−
である基であることが極めて好ましい。
ドにおいて、式(1)および(1')で示される繰り返
し単位のR2とR4が前記式(17)で示される4価の基
の中でZが−CO−、−SO2−あるいはヘキサフルオ
ロイソプロピリデンである基であり、そしてR1とR
3が、式(3)で示される2価の基の中でXが−CH2−
である基であることが極めて好ましい。
【0028】本発明で用いられるポリイソイミドは、前
記式(1)および/または(1')で示される繰り返し
単位から主としてなり、好ましくはこれらの繰り返し単
位を全繰り返し単位の少なくとも50モル%、より好ま
しくは少なくとも70モル%含有する。
記式(1)および/または(1')で示される繰り返し
単位から主としてなり、好ましくはこれらの繰り返し単
位を全繰り返し単位の少なくとも50モル%、より好ま
しくは少なくとも70モル%含有する。
【0029】さらに本発明で用いられるポリイソイミド
は、通常式(1)および/または(1')で示される繰
り返し単位と共に、下記式(24)〜(26)
は、通常式(1)および/または(1')で示される繰
り返し単位と共に、下記式(24)〜(26)
【0030】
【化10】
【0031】(前記式(24)〜(26)中、R7は前
記式(1)および式(1')のR1およびR3の場合と同
意であり、R1およびR3について記載したことが好まし
い態様を含めて適用され得る。また前記(24)〜(2
6)中のR8は、前記式(1)および式(1')のR2お
よびR4と同意であり、R2およびR4について記載した
ことが好ましい態様を含めて適用され得る。)などで示
される繰り返し単位を含有することができる。
記式(1)および式(1')のR1およびR3の場合と同
意であり、R1およびR3について記載したことが好まし
い態様を含めて適用され得る。また前記(24)〜(2
6)中のR8は、前記式(1)および式(1')のR2お
よびR4と同意であり、R2およびR4について記載した
ことが好ましい態様を含めて適用され得る。)などで示
される繰り返し単位を含有することができる。
【0032】前記式(24)〜(26)で示される繰り
返し単位の含有量は、好ましくはポリイソイミド中の全
単位の0.01〜50モル%であり、より好ましくは0.
1〜30モル%、さらに好ましくは0.1〜20モル%
である。
返し単位の含有量は、好ましくはポリイソイミド中の全
単位の0.01〜50モル%であり、より好ましくは0.
1〜30モル%、さらに好ましくは0.1〜20モル%
である。
【0033】また、本発明で用いられるポリイソイミド
は、N−メチルピロリドン中、0.5g/dlの濃度で
30℃で測定した際の固有粘度が0.1−20dl/g
であり、好ましくは0.1−10dl/gである。本発
明の感放射線性樹脂組成物に用いられるポリイソイミド
は、下記式(27)
は、N−メチルピロリドン中、0.5g/dlの濃度で
30℃で測定した際の固有粘度が0.1−20dl/g
であり、好ましくは0.1−10dl/gである。本発
明の感放射線性樹脂組成物に用いられるポリイソイミド
は、下記式(27)
【0034】
【化11】
【0035】(上記式(27)中、R9は、前記式
(1)および(1')のR1およびR3の場合と同意であ
り、R1およびR3について記載したことが好ましい態様
を含めて適用され得る。)で示されるジアミンと、下記
式(28)
(1)および(1')のR1およびR3の場合と同意であ
り、R1およびR3について記載したことが好ましい態様
を含めて適用され得る。)で示されるジアミンと、下記
式(28)
【0036】
【化12】
【0037】(上記式(28)中、R10は、前記式
(1)および(1')のR2およびR4の場合と同意であ
り、R2およびR4について記載したことが好ましい態様
を含めて適用され得る。)で示されるテトラカルボン酸
二無水物とを適切な溶媒(以下、「重合溶媒」とい
う。)中で反応させて、まず前駆重合体であるポリアミ
ック酸を調製し、引き続き脱水閉環せしめてイソイミド
化することにより製造することができる。
(1)および(1')のR2およびR4の場合と同意であ
り、R2およびR4について記載したことが好ましい態様
を含めて適用され得る。)で示されるテトラカルボン酸
二無水物とを適切な溶媒(以下、「重合溶媒」とい
う。)中で反応させて、まず前駆重合体であるポリアミ
ック酸を調製し、引き続き脱水閉環せしめてイソイミド
化することにより製造することができる。
【0038】前駆重合体を調製する際、前記式(28)
で示されるテトラカルボン酸二無水物1モルに対して、
前記式(27)で示されるジアミンは0.8〜1.2モル
程度用いられる。
で示されるテトラカルボン酸二無水物1モルに対して、
前記式(27)で示されるジアミンは0.8〜1.2モル
程度用いられる。
【0039】テトラカルボン酸二無水物とジアミンの重
合溶媒に対する使用量は、種々の条件に応じて適宜設定
しうるが、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの合
計した重量が、全溶液重量に対し、通常、1〜50重量
%、好ましくは2〜30重量%である。反応温度は、通
常、80℃以下、好ましくは0〜60℃である。また反
応時間は、通常、1〜200時間である。
合溶媒に対する使用量は、種々の条件に応じて適宜設定
しうるが、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの合
計した重量が、全溶液重量に対し、通常、1〜50重量
%、好ましくは2〜30重量%である。反応温度は、通
常、80℃以下、好ましくは0〜60℃である。また反
応時間は、通常、1〜200時間である。
【0040】ここで用いる重合溶媒としては、テトラカ
ルボン酸二無水物およびジアミンに対して不活性であ
り、かつこれらを溶解せしめるものが用いられ得る。好
ましく用いられる重合溶媒は、例えばジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドンの
如きアミド系溶媒;ピリジン、ピコリン、ルチジン、キ
ノリン、イソキノリンの如き複素環系溶媒;フェノー
ル、クレゾールの如きフェノール系溶媒;またはジメチ
ルスルホキシドの如き非プロトン系極性溶媒である。こ
れらは単独で使用することができ、また2種以上併用す
ることもできる。なお、上記重合溶媒に対して、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンの如き芳香族炭化水素;ジオキ
サンの如きエーテルなどの溶剤を混合して用いることも
できる。
ルボン酸二無水物およびジアミンに対して不活性であ
り、かつこれらを溶解せしめるものが用いられ得る。好
ましく用いられる重合溶媒は、例えばジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドンの
如きアミド系溶媒;ピリジン、ピコリン、ルチジン、キ
ノリン、イソキノリンの如き複素環系溶媒;フェノー
ル、クレゾールの如きフェノール系溶媒;またはジメチ
ルスルホキシドの如き非プロトン系極性溶媒である。こ
れらは単独で使用することができ、また2種以上併用す
ることもできる。なお、上記重合溶媒に対して、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンの如き芳香族炭化水素;ジオキ
サンの如きエーテルなどの溶剤を混合して用いることも
できる。
【0041】本発明の感放射線性樹脂組成物に用いるポ
リイソイミドは、かくして得られる前駆重合体をイソイ
ミド化剤を用いて脱水閉環せしめてイソイミド化するこ
とによりポリイソイミドとして得られる。用いることの
できる好ましいイソイミド化剤として、無水酢酸、無水
トリフルオロ酢酸の如き酸無水物;ホスゲン、塩化チオ
ニル、塩化トシルの如き塩化物;三塩化リン、亜リン酸
トリフェニル、ジエチルリン酸シアニドの如きリン化合
物;N,N−ジシクロヘキシルカルボジイミドの如きN,
N−2置換カルボジイミドなどを挙げることができる。
これらのうち、特に無水酢酸が好ましい。これらのイソ
イミド化剤は、使用するテトラカルボン酸無水物および
ジアミンの種類により適宜選択して用いる。なお、これ
らのイソイミド化剤は、例えば前駆重合体100重量部
に対して10〜600重量部用いることが好ましい。
リイソイミドは、かくして得られる前駆重合体をイソイ
ミド化剤を用いて脱水閉環せしめてイソイミド化するこ
とによりポリイソイミドとして得られる。用いることの
できる好ましいイソイミド化剤として、無水酢酸、無水
トリフルオロ酢酸の如き酸無水物;ホスゲン、塩化チオ
ニル、塩化トシルの如き塩化物;三塩化リン、亜リン酸
トリフェニル、ジエチルリン酸シアニドの如きリン化合
物;N,N−ジシクロヘキシルカルボジイミドの如きN,
N−2置換カルボジイミドなどを挙げることができる。
これらのうち、特に無水酢酸が好ましい。これらのイソ
イミド化剤は、使用するテトラカルボン酸無水物および
ジアミンの種類により適宜選択して用いる。なお、これ
らのイソイミド化剤は、例えば前駆重合体100重量部
に対して10〜600重量部用いることが好ましい。
【0042】さらにまた、脱水閉環の進行を容易にする
ために、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブ
チルアミン、ジイソプロピルエチルアミンの如き三級脂
肪族アミン;N,N−ジメチルアニリン、1,8−ビス
(N,N−ジメチルアミノ)ナフタレンの如き芳香族ア
ミン;ピリジン、ルチジン、キノリン、イソキノリン、
1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセンの如き
複素環式化合物などを促進剤として、例えば前駆重合体
100重量部に対して10〜400重量部を前記イソイ
ミド化剤と併用して用いることができる。
ために、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブ
チルアミン、ジイソプロピルエチルアミンの如き三級脂
肪族アミン;N,N−ジメチルアニリン、1,8−ビス
(N,N−ジメチルアミノ)ナフタレンの如き芳香族ア
ミン;ピリジン、ルチジン、キノリン、イソキノリン、
1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセンの如き
複素環式化合物などを促進剤として、例えば前駆重合体
100重量部に対して10〜400重量部を前記イソイ
ミド化剤と併用して用いることができる。
【0043】脱水閉環せしめることによるイソイミド化
は、前記イソイミド化剤および必要に応じて前記促進剤
を前駆重合体を含む重合触媒と混合し反応させることに
より実施される。この反応は0〜100℃の温度におい
て行うのが好ましく、さらに好ましくは0〜60℃の温
度である。
は、前記イソイミド化剤および必要に応じて前記促進剤
を前駆重合体を含む重合触媒と混合し反応させることに
より実施される。この反応は0〜100℃の温度におい
て行うのが好ましく、さらに好ましくは0〜60℃の温
度である。
【0044】かくして得られたポリイソイミドの溶液か
ら0〜150℃の温度で、常圧ないし減圧下に溶剤の除
去を行うことによって、目的とするポリイソイミドを回
収することができる。また充分に脱水、乾燥させた大過
剰の活性水素を持たないジエチルエーテル、ジイソプロ
ピルエーテルの如きエーテル系溶媒;メチルエチルケト
ン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンの如き
ケトン系溶媒などの貧溶媒中にこのポリイソイミド溶液
を注いで再沈操作によってもポリイソイミドを回収する
ことができる。
ら0〜150℃の温度で、常圧ないし減圧下に溶剤の除
去を行うことによって、目的とするポリイソイミドを回
収することができる。また充分に脱水、乾燥させた大過
剰の活性水素を持たないジエチルエーテル、ジイソプロ
ピルエーテルの如きエーテル系溶媒;メチルエチルケト
ン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンの如き
ケトン系溶媒などの貧溶媒中にこのポリイソイミド溶液
を注いで再沈操作によってもポリイソイミドを回収する
ことができる。
【0045】本発明の感放射線性樹脂組成物は、前記式
(1)および/または(1')で示される繰り返し単位
を主成分とするポリイソイミドと共に酸発生剤を含む。
(1)および/または(1')で示される繰り返し単位
を主成分とするポリイソイミドと共に酸発生剤を含む。
【0046】酸発生剤としては、下記式(Q−1)〜式
(Q−18)で示されるキノンジアジド化合物を挙げる
ことができる。
(Q−18)で示されるキノンジアジド化合物を挙げる
ことができる。
【0047】
【化13】
【0048】
【化14】
【0049】(上記式(Q−1)〜式(Q−18)中、
Xは水素原子あるいは下記式(29)〜(31)
Xは水素原子あるいは下記式(29)〜(31)
【0050】
【化15】
【0051】で示されるキノンジアジド骨格を含む基の
いずれかを示す。但し、式(Q−1)〜式(Q−18)
で示される化合物において、少なくとも1個のXは上記
のキノンジアジド骨格を含む基のいずれかである。ま
た、上記式(Q−7)中、Yは下記式
いずれかを示す。但し、式(Q−1)〜式(Q−18)
で示される化合物において、少なくとも1個のXは上記
のキノンジアジド骨格を含む基のいずれかである。ま
た、上記式(Q−7)中、Yは下記式
【0052】
【化16】
【0053】で示される二価の基のいずれかである。)
【0054】酸発生剤としては、前記式(Q−1)〜式
(Q−18)においてXが前記式(31)であるものが
特に好ましい。
(Q−18)においてXが前記式(31)であるものが
特に好ましい。
【0055】これらの酸発生剤は、露光後の加熱による
膜減りをより小さく抑え、かつコントラストをより良好
に維持する観点から、前記ポリイソイミド100重量部
に対し5〜50重量部、特には5〜30重量部配合する
ことが好ましい。また酸発生剤に放射線のエネルギーを
吸収してそのエネルギーを酸発生剤に伝達し、それによ
り酸の発生量を増加させる作用を示す増感剤を組み合わ
せることができる。
膜減りをより小さく抑え、かつコントラストをより良好
に維持する観点から、前記ポリイソイミド100重量部
に対し5〜50重量部、特には5〜30重量部配合する
ことが好ましい。また酸発生剤に放射線のエネルギーを
吸収してそのエネルギーを酸発生剤に伝達し、それによ
り酸の発生量を増加させる作用を示す増感剤を組み合わ
せることができる。
【0056】本発明の感放射線性樹脂組成物によりパタ
ーン状膜が形成される理由は以下のように推定される。
すなわち、アルカリ不溶性の酸発生剤は露光によりケテ
ンを経てアルカリ可溶性のインデンカルボン酸へと変化
するので、酸発生剤を含む本発明の感放射線性樹脂組成
物は露光によってアルカリ性の水溶液に溶けやすくな
る。また、インデンカルボン酸へと変化した酸発生剤は
酸性を呈するようになり、その結果ポリイソイミドのポ
リアミック酸への分解が一層促進される。以上のように
して、露光部と未露光部との溶解性に差が生じ、現像液
の種類に応じた有効な現像が可能となる。
ーン状膜が形成される理由は以下のように推定される。
すなわち、アルカリ不溶性の酸発生剤は露光によりケテ
ンを経てアルカリ可溶性のインデンカルボン酸へと変化
するので、酸発生剤を含む本発明の感放射線性樹脂組成
物は露光によってアルカリ性の水溶液に溶けやすくな
る。また、インデンカルボン酸へと変化した酸発生剤は
酸性を呈するようになり、その結果ポリイソイミドのポ
リアミック酸への分解が一層促進される。以上のように
して、露光部と未露光部との溶解性に差が生じ、現像液
の種類に応じた有効な現像が可能となる。
【0057】以上説明したポリイソイミドおよび酸発生
剤を用いてパターン状膜を形成する方法を以下に説明す
る。
剤を用いてパターン状膜を形成する方法を以下に説明す
る。
【0058】まず、ポリイソイミド、酸発生剤および溶
剤からなる溶液(以下、単に「感光液」という。)が調
製される。この感光液は前駆重合体を調製する際に用い
られた重合溶媒をそのまま含むことができる。
剤からなる溶液(以下、単に「感光液」という。)が調
製される。この感光液は前駆重合体を調製する際に用い
られた重合溶媒をそのまま含むことができる。
【0059】溶剤としては、前記重合溶媒に加えて、ク
ロロホルム、ジクロロメタン、1,1−ジクロロエタ
ン、1,2−ジクロロエタン、1,1,1−トリクロロエ
タン、1,1,2−トリクロロエタン、1,1,1,2−テ
トラクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタ
ン、ペンタクロロエタン、ヘキサクロロエタン、1,1
−ジクロロエチレン、1,2−ジクロロエチレン、トリ
クロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼ
ン、o−ジクロロベンゼン、m−ジクロロベンゼン、p
−ジクロロベンゼン、1,2,4−トリクロロベンゼンの
如きハロゲン系溶剤;アニソール、1,4−ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、
ジエチレングリコールジブチルエーテルノの如きエーテ
ル系溶剤;エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、
酢酸イソアミル、酢酸エチルの如きエステル系溶剤など
を挙げることができる。これらの溶剤は単独であるいは
併用して用いることができる。
ロロホルム、ジクロロメタン、1,1−ジクロロエタ
ン、1,2−ジクロロエタン、1,1,1−トリクロロエ
タン、1,1,2−トリクロロエタン、1,1,1,2−テ
トラクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタ
ン、ペンタクロロエタン、ヘキサクロロエタン、1,1
−ジクロロエチレン、1,2−ジクロロエチレン、トリ
クロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼ
ン、o−ジクロロベンゼン、m−ジクロロベンゼン、p
−ジクロロベンゼン、1,2,4−トリクロロベンゼンの
如きハロゲン系溶剤;アニソール、1,4−ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、
ジエチレングリコールジブチルエーテルノの如きエーテ
ル系溶剤;エトキシプロピオン酸エチル、乳酸エチル、
酢酸イソアミル、酢酸エチルの如きエステル系溶剤など
を挙げることができる。これらの溶剤は単独であるいは
併用して用いることができる。
【0060】感光液の固形分濃度は、1〜70重量%、
特には3〜50重量%となるように調整されるのが好適
である。この感光液を、ガラス基板、シリコンウエハ
ー、銅張り積層板などの支持基板上に回転塗布、浸漬、
噴霧などの手段で塗布し、例えば50〜110℃で乾燥
して塗膜とする。
特には3〜50重量%となるように調整されるのが好適
である。この感光液を、ガラス基板、シリコンウエハ
ー、銅張り積層板などの支持基板上に回転塗布、浸漬、
噴霧などの手段で塗布し、例えば50〜110℃で乾燥
して塗膜とする。
【0061】塗膜の膜厚は、塗布手段、感光液の固形分
濃度、粘度などにより1〜200μmの範囲で調節する
ことができるが、3〜50μmとなるように塗布するの
が適切である。次いで、塗布した塗膜を乾燥した後にパ
ターンマスクを通して露光し、露光後所望に応じて10
0〜200℃で1〜10分間程度、後加熱を行う。露光
の際の放射線としては紫外線、可視光線、電子線、X
線、遠紫外線などを用いることができる。その後、露光
部分を現像液で溶解除去することによりポジ型のパター
ン状膜が得られる。
濃度、粘度などにより1〜200μmの範囲で調節する
ことができるが、3〜50μmとなるように塗布するの
が適切である。次いで、塗布した塗膜を乾燥した後にパ
ターンマスクを通して露光し、露光後所望に応じて10
0〜200℃で1〜10分間程度、後加熱を行う。露光
の際の放射線としては紫外線、可視光線、電子線、X
線、遠紫外線などを用いることができる。その後、露光
部分を現像液で溶解除去することによりポジ型のパター
ン状膜が得られる。
【0062】前記現像液としては、ポリイソイミドの前
駆重合体を調製するのに用いた重合溶媒を包含して、感
光液を調製する際に用いられる、既に述べた溶剤を挙げ
ることができ、これらにより現像されたパターン状膜は
ネガ型になる。これらの重合溶媒を包含する溶剤は単独
であるいは2種以上併用して現像液として用いることが
できる。さらにこれらの重合溶媒を包含する溶剤と前駆
重合体(ポリアミック酸)の貧溶媒(例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シ
クロペンタノン、トルエン、キシレン、メチルセロソル
ブ、水など)との混合溶液も現像液として用いることが
できる。
駆重合体を調製するのに用いた重合溶媒を包含して、感
光液を調製する際に用いられる、既に述べた溶剤を挙げ
ることができ、これらにより現像されたパターン状膜は
ネガ型になる。これらの重合溶媒を包含する溶剤は単独
であるいは2種以上併用して現像液として用いることが
できる。さらにこれらの重合溶媒を包含する溶剤と前駆
重合体(ポリアミック酸)の貧溶媒(例えばメタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シ
クロペンタノン、トルエン、キシレン、メチルセロソル
ブ、水など)との混合溶液も現像液として用いることが
できる。
【0063】加えてモノエタノールアミン、ジエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
リン酸ナトリウムなどの塩基性化合物の水溶液、あるい
は前記溶剤との混合溶液も現像液として用いることがで
きる。ここで、塩基性化合物の水溶液の濃度は、通常、
0.1〜20重量%、好ましくは0.5〜10重量%であ
る。上記貧溶媒あるいは塩基性化合物の水溶液を前記溶
剤と混合する場合の使用量は、前記溶剤100重量部に
対して90重量部以下である。
ルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
リン酸ナトリウムなどの塩基性化合物の水溶液、あるい
は前記溶剤との混合溶液も現像液として用いることがで
きる。ここで、塩基性化合物の水溶液の濃度は、通常、
0.1〜20重量%、好ましくは0.5〜10重量%であ
る。上記貧溶媒あるいは塩基性化合物の水溶液を前記溶
剤と混合する場合の使用量は、前記溶剤100重量部に
対して90重量部以下である。
【0064】現像により形成されたパターン状膜は、リ
ンス液によりリンスされ、現像液が除去される。リンス
液としては、現像液と混和性のよい溶媒、例えばメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、水などが
用いられる。これらは単独でまたは2種以上を併用する
ことができる。このようにして得られるパターン状膜
は、更に150〜450℃の加熱処理により、イソイミ
ド環がイミド環へと転位することによって耐熱性を有す
るパターン状膜となる。
ンス液によりリンスされ、現像液が除去される。リンス
液としては、現像液と混和性のよい溶媒、例えばメタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコール、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、水などが
用いられる。これらは単独でまたは2種以上を併用する
ことができる。このようにして得られるパターン状膜
は、更に150〜450℃の加熱処理により、イソイミ
ド環がイミド環へと転位することによって耐熱性を有す
るパターン状膜となる。
【0065】
【実施例】以下、実施例により本発明をより詳細に説明
するが、本発明はこれらの実施例により制限されるもの
ではない。なお、実施例中の%は重量基準である。
するが、本発明はこれらの実施例により制限されるもの
ではない。なお、実施例中の%は重量基準である。
【0066】実施例1 内容積200mlのフラスコを乾燥し、次いでフラスコ
内を窒素パージしながら、脱水したN−メチルピロリド
ン(以下、「NMP」と略す。)50gを加えた。この
NMPの含有水分量は8ppmであった。これに、ジア
ミノジシクロヘキシルメタン(以下、「DADCM」と
略す。)4.2072g(0.020mol)を添加し、
テフロン製の攪拌翼により攪拌して全量を溶解した。次
いで3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物(以下、「BTDA」と略す。)6.444
4g(0.020mol)を、フラスコ内を攪拌しなが
ら添加した。その後室温で24時間攪拌し、ポリアミッ
ク酸溶液を得た。
内を窒素パージしながら、脱水したN−メチルピロリド
ン(以下、「NMP」と略す。)50gを加えた。この
NMPの含有水分量は8ppmであった。これに、ジア
ミノジシクロヘキシルメタン(以下、「DADCM」と
略す。)4.2072g(0.020mol)を添加し、
テフロン製の攪拌翼により攪拌して全量を溶解した。次
いで3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物(以下、「BTDA」と略す。)6.444
4g(0.020mol)を、フラスコ内を攪拌しなが
ら添加した。その後室温で24時間攪拌し、ポリアミッ
ク酸溶液を得た。
【0067】このポリアミック酸溶液にNMP20gを
加えて希釈した後、フラスコ内に窒素をパージしなが
ら、無水酢酸14.293g(0.14mol)とピリジ
ン17.402g(0.22mol)を30分間で滴下し
た。滴下完了後、室温にて6時間攪拌し脱水閉環による
イソイミド化を行った。その後、この溶液を充分に脱水
を行ったメチルイソブチルケトン2000mlに徐々に
加えポリマーを沈澱させた。沈澱したポリマーを分離採
取し、60℃の真空乾燥機中で10時間乾燥することに
より、前記式(1)および/または(1')で示される
繰り返し単位を97.9モル%および前記式(24)〜
(26)で示される単位を2.1モル%有する白色のポ
リイソイミド7.0gを得た。得られたポリイソイミド
の固有粘度(NMP溶媒中、30℃で測定)は0.52
dl/gであった。
加えて希釈した後、フラスコ内に窒素をパージしなが
ら、無水酢酸14.293g(0.14mol)とピリジ
ン17.402g(0.22mol)を30分間で滴下し
た。滴下完了後、室温にて6時間攪拌し脱水閉環による
イソイミド化を行った。その後、この溶液を充分に脱水
を行ったメチルイソブチルケトン2000mlに徐々に
加えポリマーを沈澱させた。沈澱したポリマーを分離採
取し、60℃の真空乾燥機中で10時間乾燥することに
より、前記式(1)および/または(1')で示される
繰り返し単位を97.9モル%および前記式(24)〜
(26)で示される単位を2.1モル%有する白色のポ
リイソイミド7.0gを得た。得られたポリイソイミド
の固有粘度(NMP溶媒中、30℃で測定)は0.52
dl/gであった。
【0068】得られたポリイソイミド2.0gをNMP
14.0gに溶解し、さらに酸発生剤として2,3,4−
トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステル(以下「Q−10−
1」と略す)0.4g(ポリイソイミド100重量部に
対して20重量部に相当する量)を加え、均一な感光液
とした。この感光液をシリコンウエハー上にスピンコー
トし、90℃で乾燥して膜厚7.0μmの塗膜を得た。
このときの膜厚を初期膜厚という。
14.0gに溶解し、さらに酸発生剤として2,3,4−
トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステル(以下「Q−10−
1」と略す)0.4g(ポリイソイミド100重量部に
対して20重量部に相当する量)を加え、均一な感光液
とした。この感光液をシリコンウエハー上にスピンコー
トし、90℃で乾燥して膜厚7.0μmの塗膜を得た。
このときの膜厚を初期膜厚という。
【0069】この塗膜に、パターンマスクを介して高圧
水銀灯からの紫外線を400mJ/cm2照射した。そ
の後、100℃で5分間加熱した後、3%テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行った。現像
後、水でリンスを行い、乾燥したところ、鮮明なパター
ン状膜が得られた。
水銀灯からの紫外線を400mJ/cm2照射した。そ
の後、100℃で5分間加熱した後、3%テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行った。現像
後、水でリンスを行い、乾燥したところ、鮮明なパター
ン状膜が得られた。
【0070】次いで、このパターン状膜を窒素雰囲気下
300℃、5分間熱処理を行った。熱処理後の膜厚を測
定したところ、膜厚は5.1μmであり、残存膜厚率
(初期膜厚に対する熱処理後の膜厚の割合)は73%で
あった。
300℃、5分間熱処理を行った。熱処理後の膜厚を測
定したところ、膜厚は5.1μmであり、残存膜厚率
(初期膜厚に対する熱処理後の膜厚の割合)は73%で
あった。
【0071】実施例2〜4 実施例1において、BTDAの代わりに表1に示したテ
トラカルボン酸二酸無水物0.020molを用いた以
外は実施例1と同様の条件でポリアミック酸溶液を得、
次いで脱水閉環によるイソイミド化を行い、表1に示し
た固有粘度のポリイソイミドを得た。なお、ポリイソイ
ミド全単位中の式(1)および/または(1')で示さ
れる単位の割合(%)は表1に示すとおりであった。以
下、実施例1と同様にして表1に示した酸発生剤(ポリ
イソイミド100重量部に対して20重量部に相当する
量)を加え、均一な感光液を調製し、シリコンウェハー
上にスピンコートし乾燥、露光、加熱および現像を行
い、さらに加熱処理を行った。残存膜厚率を表1に示し
た。
トラカルボン酸二酸無水物0.020molを用いた以
外は実施例1と同様の条件でポリアミック酸溶液を得、
次いで脱水閉環によるイソイミド化を行い、表1に示し
た固有粘度のポリイソイミドを得た。なお、ポリイソイ
ミド全単位中の式(1)および/または(1')で示さ
れる単位の割合(%)は表1に示すとおりであった。以
下、実施例1と同様にして表1に示した酸発生剤(ポリ
イソイミド100重量部に対して20重量部に相当する
量)を加え、均一な感光液を調製し、シリコンウェハー
上にスピンコートし乾燥、露光、加熱および現像を行
い、さらに加熱処理を行った。残存膜厚率を表1に示し
た。
【0072】実施例5 実施例1において、DADCMの代わりに1,4−シク
ロヘキサンジアミン(以下「CHDA」と略す。)0.
02molを用いた以外は実施例1と同様の条件でポリ
アミック酸溶液を得、次いで脱水閉環によるイソイミド
化を行い表1に示したポリイソイミドを得た。以下、実
施例1と同様にして表1に示した酸発生剤(ポリイソイ
ミド100重量部に対して20重量部に相当する量)を
加え、均一な感光液を調製し、シリコンウェハー上にス
ピンコートし乾燥、露光、加熱および現像を行い、さら
に加熱処理を行った。残存膜厚率を表1に示した。
ロヘキサンジアミン(以下「CHDA」と略す。)0.
02molを用いた以外は実施例1と同様の条件でポリ
アミック酸溶液を得、次いで脱水閉環によるイソイミド
化を行い表1に示したポリイソイミドを得た。以下、実
施例1と同様にして表1に示した酸発生剤(ポリイソイ
ミド100重量部に対して20重量部に相当する量)を
加え、均一な感光液を調製し、シリコンウェハー上にス
ピンコートし乾燥、露光、加熱および現像を行い、さら
に加熱処理を行った。残存膜厚率を表1に示した。
【0073】表1に用いられている略号は以下のとおり
である。酸無水物 BTDA:3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物 6FDA:4,4'−(ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン)ジフタル酸二無水物 DSDA:3,3',4,4'−ジフェニルスルホンテトラ
カルボン酸二無水物 BPDA:3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物脂環族ジアミン DADCM:4,4'−ジアミノジシクロヘキシルメタン CHDA:1,4−シクロヘキサンジアミン酸発生剤 Q−10−1:2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ンの1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル Q−11−1:2,3,4,4'−テトラヒドロキシベンゾ
フェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル Q−18−1:1,1−ジ(4−ヒドロキシフェニル)
−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−
メチル}エチルフェニル]エタンの1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル
である。酸無水物 BTDA:3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物 6FDA:4,4'−(ヘキサフルオロイソプロピリデ
ン)ジフタル酸二無水物 DSDA:3,3',4,4'−ジフェニルスルホンテトラ
カルボン酸二無水物 BPDA:3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物脂環族ジアミン DADCM:4,4'−ジアミノジシクロヘキシルメタン CHDA:1,4−シクロヘキサンジアミン酸発生剤 Q−10−1:2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノ
ンの1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル Q−11−1:2,3,4,4'−テトラヒドロキシベンゾ
フェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル Q−18−1:1,1−ジ(4−ヒドロキシフェニル)
−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−
メチル}エチルフェニル]エタンの1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル
【0074】
【表1】
【0075】
【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物から形成
されるパターン状膜は耐熱性のイミド環を有する高分子
から構成されているので、電気的特性および機械的特性
に優れ、そのまま絶縁材料として用いることができる。
しかも上記パターン状膜を形成する際、膜減りの問題が
著しく改善されており、コントラストも良好である。
されるパターン状膜は耐熱性のイミド環を有する高分子
から構成されているので、電気的特性および機械的特性
に優れ、そのまま絶縁材料として用いることができる。
しかも上記パターン状膜を形成する際、膜減りの問題が
著しく改善されており、コントラストも良好である。
【0076】以上詳述した本発明の感放射線性樹脂組成
物の好ましい態様およびこの感放射線性樹脂組成物を用
いたパターン状薄膜の形成方法について以下に付記す
る。 1. 前記式(1)および(1')におけるR1とR3が前
記式(3)で示される2価の脂環族基および/またはシ
クロヘキシレンである感放射線性樹脂組成物。 2. 前記式(1)および(1')におけるR2とR4が、
Zが−SO2−、−CO−あるいはヘキサフルオロイソ
ピリデンである前記式(17)で示される4価の有機基
である感放射線性樹脂組成物。 3. ポリイソイミド中の全単位中に、前記式(1)およ
び/または(1')で示される繰り返し単位が50モル
%以上、より好ましくは70モル%を以上占める感放射
線性樹脂組成物。 4. 放射線の照射により酸性を呈する化合物(酸発生
剤)が1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル類である感放射線性樹脂組成物。 5. ポリイソイミド100重量部に対して酸発生剤が5
〜50重量部、より好ましくは5〜30重量部配合され
ている感放射線性樹脂組成物。 6. 感放射線性樹脂組成物が溶媒を含み均一な溶液状で
ある感放射線性樹脂組成物。 7. 固形分濃度が1〜70重量%、より好ましくは3〜
50重量%である上記8に記載の溶液状の感放射線性樹
脂組成物。 8. 感放射線性樹脂組成物が基体上で塗膜をなしている
感放射線性樹脂組成物。 9.基体がガラス基板、シリコンウエハーまたは銅張り
積層板である上記10に記載の感放射線性樹脂組成物。 10. 基体上に形成された感放射線性樹脂組成物の塗膜
を露光し、現像処理を行い、引き続き加熱処理を行うこ
とを特徴とするパターン状膜の形成方法。
物の好ましい態様およびこの感放射線性樹脂組成物を用
いたパターン状薄膜の形成方法について以下に付記す
る。 1. 前記式(1)および(1')におけるR1とR3が前
記式(3)で示される2価の脂環族基および/またはシ
クロヘキシレンである感放射線性樹脂組成物。 2. 前記式(1)および(1')におけるR2とR4が、
Zが−SO2−、−CO−あるいはヘキサフルオロイソ
ピリデンである前記式(17)で示される4価の有機基
である感放射線性樹脂組成物。 3. ポリイソイミド中の全単位中に、前記式(1)およ
び/または(1')で示される繰り返し単位が50モル
%以上、より好ましくは70モル%を以上占める感放射
線性樹脂組成物。 4. 放射線の照射により酸性を呈する化合物(酸発生
剤)が1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル類である感放射線性樹脂組成物。 5. ポリイソイミド100重量部に対して酸発生剤が5
〜50重量部、より好ましくは5〜30重量部配合され
ている感放射線性樹脂組成物。 6. 感放射線性樹脂組成物が溶媒を含み均一な溶液状で
ある感放射線性樹脂組成物。 7. 固形分濃度が1〜70重量%、より好ましくは3〜
50重量%である上記8に記載の溶液状の感放射線性樹
脂組成物。 8. 感放射線性樹脂組成物が基体上で塗膜をなしている
感放射線性樹脂組成物。 9.基体がガラス基板、シリコンウエハーまたは銅張り
積層板である上記10に記載の感放射線性樹脂組成物。 10. 基体上に形成された感放射線性樹脂組成物の塗膜
を露光し、現像処理を行い、引き続き加熱処理を行うこ
とを特徴とするパターン状膜の形成方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/004 503 H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項1】 (A)下記式(1)および/または
(1') 【化1】 (上記式(1)および/または(1')中、R1およびR
3は、同一または異なって、2価の脂環族基またはオル
ガノシロキサン骨格を含む2価の基を示し、R2および
R4は、同一または異なって、4価の有機基を示す。)
で示される単位を主たる繰り返し単位とするポリイソイ
ミドと、(B)放射線の照射により酸性を呈する化合物
とを含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18166094A JPH0844062A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18166094A JPH0844062A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 感放射線性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0844062A true JPH0844062A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16104643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18166094A Withdrawn JPH0844062A (ja) | 1994-08-02 | 1994-08-02 | 感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0844062A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999019771A1 (en) * | 1997-10-13 | 1999-04-22 | Pi R & D Co., Ltd. | Positive photosensitive polyimide composition |
| US6927274B2 (en) * | 2001-04-24 | 2005-08-09 | Sony Chemicals Corp. | Resin compositions, processes for preparing the resin compositions and processes for forming resin films |
-
1994
- 1994-08-02 JP JP18166094A patent/JPH0844062A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999019771A1 (en) * | 1997-10-13 | 1999-04-22 | Pi R & D Co., Ltd. | Positive photosensitive polyimide composition |
| US6627377B1 (en) | 1997-10-13 | 2003-09-30 | Pi R&D Co., Ltd. | Positive photosensitive poliymide composition |
| US6927274B2 (en) * | 2001-04-24 | 2005-08-09 | Sony Chemicals Corp. | Resin compositions, processes for preparing the resin compositions and processes for forming resin films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101438857B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 그 수지 조성물을 이용한 패턴 경화막의 제조방법 및 전자부품 | |
| JP3321548B2 (ja) | 感光性ポリイミド前駆体組成物、およびそれを用いたパターン形成方法 | |
| JP2000128987A (ja) | ポリベンゾオキサゾール前駆体及びポリベンゾオキサゾール | |
| JP3514167B2 (ja) | 感光性耐熱性樹脂前駆体組成物 | |
| WO2000073852A1 (fr) | Composition de precurseur de polyimide photosensible de type positif | |
| JP4618075B2 (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 | |
| KR100605414B1 (ko) | 포지형 감광성 수지 전구체 조성물 및 그의 제조 방법 | |
| US5665523A (en) | Heat-resistant negative photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming negative pattern | |
| JP3051821B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれを用いるパターン化されたポリイミド皮膜の形成方法 | |
| JPH0673003A (ja) | ビスマレイミド化合物及び感光性樹脂組成物 | |
| JP2003084435A (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 | |
| JPH11202489A (ja) | 感光性耐熱性樹脂前駆体組成物 | |
| JPH03763A (ja) | ポジ型感光性ポリイミド組成物 | |
| JP2000221677A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物およびポジ型感光性樹脂のパターン形成法 | |
| JP3460212B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH0844062A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH08272098A (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれを用いるパターン化されたポリイミド皮膜の形成方法 | |
| JP3890699B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物とその製造方法 | |
| JP2004077552A (ja) | 感光性樹脂組成物並びにそれを用いたレリーフパターンおよび耐熱性塗膜の製造方法およびそれらを有する電子部品 | |
| JPH08104808A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH0895251A (ja) | 耐熱性フォトレジスト組成物および感光性基材、ならびにパターン形成方法 | |
| JPH086247A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP3460679B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物 | |
| JP2005309215A (ja) | 感光性重合体組成物及びそれを用いたレリ−フパターンの製造法、電子部品。 | |
| JPH11223940A (ja) | 感光性耐熱性樹脂前駆体組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |