JPH0845019A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0845019A JPH0845019A JP17868494A JP17868494A JPH0845019A JP H0845019 A JPH0845019 A JP H0845019A JP 17868494 A JP17868494 A JP 17868494A JP 17868494 A JP17868494 A JP 17868494A JP H0845019 A JPH0845019 A JP H0845019A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ネガティブパルスの発生を有効に抑制するこ
とができ、しかも比較的安価で耐久性向上を図り得る薄
膜磁気ヘッドを提供すること。 【構成】 微小間隔を隔てて二列に配列された磁性層
（上部磁性層下側，下部磁性層上側）１Ｂ，２Ａからな
る磁極を有し、この各磁性層をパーマロイで形成してな
る薄膜磁気ヘッドにおいて、各磁性層の外側に、その透
磁率及び飽和磁束密度がパーマロイの１０分の１以下で
ある磁性材料（上部磁性層上側，下部磁性層下側）１
Ａ，２Ｂを層状に積層したこと。
とができ、しかも比較的安価で耐久性向上を図り得る薄
膜磁気ヘッドを提供すること。 【構成】 微小間隔を隔てて二列に配列された磁性層
（上部磁性層下側，下部磁性層上側）１Ｂ，２Ａからな
る磁極を有し、この各磁性層をパーマロイで形成してな
る薄膜磁気ヘッドにおいて、各磁性層の外側に、その透
磁率及び飽和磁束密度がパーマロイの１０分の１以下で
ある磁性材料（上部磁性層上側，下部磁性層下側）１
Ａ，２Ｂを層状に積層したこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに関
し、とくにパーマロイを磁極の素材として使用した薄膜
磁気ヘッドに関するものである。
し、とくにパーマロイを磁極の素材として使用した薄膜
磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、薄膜磁気ヘッドは、巻線作業を
不要とするほか、性能面でも高速動作が可能な微小回
路，狭トラック幅を可能とする高寸法精度，高分解能を
可能とする急峻な磁界勾配等が可能であり、また、磁極
材として飽和磁束の高い金属系の磁性材を用いるため保
持力の高い媒体を使用することが可能であり、それだけ
再生出力や分解能の向上を期待することができるという
利点がある。
不要とするほか、性能面でも高速動作が可能な微小回
路，狭トラック幅を可能とする高寸法精度，高分解能を
可能とする急峻な磁界勾配等が可能であり、また、磁極
材として飽和磁束の高い金属系の磁性材を用いるため保
持力の高い媒体を使用することが可能であり、それだけ
再生出力や分解能の向上を期待することができるという
利点がある。
【０００３】一方、薄膜磁気ヘッドにあっては、ネガテ
ィブパルスの発生が従来より問題視されており、その悪
影響をさけるため、ピークシフトやウィンドマージンが
制限されるという不都合があった。
ィブパルスの発生が従来より問題視されており、その悪
影響をさけるため、ピークシフトやウィンドマージンが
制限されるという不都合があった。
【０００４】図７ないし図８に、ネガティブパルスの低
減を意図して形成された薄膜磁気ヘッドの従来例を示
す。
減を意図して形成された薄膜磁気ヘッドの従来例を示
す。
【０００５】この内、図７のものは、二列に配列された
各磁性層としては、周囲がアルミナで囲まれた二層構造
のものが使用されている。この内、一方の磁性層５１
は、上部磁性層上側５１Ａと上部磁性層下側５１Ｂによ
って構成されている。また、他方の磁性層５２は、下部
磁性層上側５２Ａと下部磁性層下側５２Ｂによって構成
されている。
各磁性層としては、周囲がアルミナで囲まれた二層構造
のものが使用されている。この内、一方の磁性層５１
は、上部磁性層上側５１Ａと上部磁性層下側５１Ｂによ
って構成されている。また、他方の磁性層５２は、下部
磁性層上側５２Ａと下部磁性層下側５２Ｂによって構成
されている。
【０００６】そして、外側に位置する一方の上部磁性層
上側５１Ａと他方の下部磁性層下側５２Ｂはトリミング
されており、上部磁性層下側５１Ｂ及び下部磁性層上側
５２Ａよりも凹んだ状態に設定されている。
上側５１Ａと他方の下部磁性層下側５２Ｂはトリミング
されており、上部磁性層下側５１Ｂ及び下部磁性層上側
５２Ａよりも凹んだ状態に設定されている。
【０００７】また、図８の例においては、図７の場合と
ほぼ同一の二列に配列された磁性層を有し、各磁性層６
１，６２が二層構造となっている。そして、一方の磁性
層６１は、上部磁性層上側６１Ａと上部磁性層下側６１
Ｂによって構成されている。また、他方の磁性層６２
は、下部磁性層上側６２Ａと下部磁性層下側６２Ｂによ
って構成されている。
ほぼ同一の二列に配列された磁性層を有し、各磁性層６
１，６２が二層構造となっている。そして、一方の磁性
層６１は、上部磁性層上側６１Ａと上部磁性層下側６１
Ｂによって構成されている。また、他方の磁性層６２
は、下部磁性層上側６２Ａと下部磁性層下側６２Ｂによ
って構成されている。
【０００８】そして、内側に位置する上部磁性層下側６
１Ｂ及び下部磁性層上側６２Ａは、その素材として、外
側に位置する上部磁性層上側６１Ａ及び下部磁性層下側
６２Ｂの素材であるパーマロイよりも、透磁率（μ）及
び飽和磁束密度（Ｂｓ）の値が大きい磁性材料が用いら
れている。
１Ｂ及び下部磁性層上側６２Ａは、その素材として、外
側に位置する上部磁性層上側６１Ａ及び下部磁性層下側
６２Ｂの素材であるパーマロイよりも、透磁率（μ）及
び飽和磁束密度（Ｂｓ）の値が大きい磁性材料が用いら
れている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示す従来例にあっては、生産工程でマスキングおよび，
トリミング等の工程が増えてコスト高となり、更にトリ
ミング部の位置精度も問題視され、更に実際の使用に際
して凹部に付着物が溜ると耐久性が損なわれる等の不都
合があった。
示す従来例にあっては、生産工程でマスキングおよび，
トリミング等の工程が増えてコスト高となり、更にトリ
ミング部の位置精度も問題視され、更に実際の使用に際
して凹部に付着物が溜ると耐久性が損なわれる等の不都
合があった。
【００１０】また、図８に示す従来例にあっては、内側
に位置する上部磁性層下側６１Ｂ及び下部磁性層上側６
２Ａにパーマロイよりも透磁率及び飽和磁束密度の高い
磁性材料を用いる必要があるが、かかる素材は一般に量
産レベルには達していない高価なものが多い。このた
め、この図８に示す従来例にあっては、その量産は実現
困難であり高価なものとなっている。
に位置する上部磁性層下側６１Ｂ及び下部磁性層上側６
２Ａにパーマロイよりも透磁率及び飽和磁束密度の高い
磁性材料を用いる必要があるが、かかる素材は一般に量
産レベルには達していない高価なものが多い。このた
め、この図８に示す従来例にあっては、その量産は実現
困難であり高価なものとなっている。
【００１１】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくにネガティブパルスの発生を有効に抑制
することができ、しかも比較的安価で耐久性向上を図り
得る薄膜磁気ヘッドを提供することを、その目的とす
る。
を改善し、とくにネガティブパルスの発生を有効に抑制
することができ、しかも比較的安価で耐久性向上を図り
得る薄膜磁気ヘッドを提供することを、その目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明では、微小間隔を
隔てて二列に配列された磁性層からなる磁極を有し、こ
の各磁性層をパーマロイで形成してなる薄膜磁気ヘッド
において、各磁性層の外側に、その透磁率及び飽和磁束
密度がパーマロイの１０分の１以下である磁性材料を層
状に積層する、という構成を採っている。これによって
前述した目的を達成しようとするものである。
隔てて二列に配列された磁性層からなる磁極を有し、こ
の各磁性層をパーマロイで形成してなる薄膜磁気ヘッド
において、各磁性層の外側に、その透磁率及び飽和磁束
密度がパーマロイの１０分の１以下である磁性材料を層
状に積層する、という構成を採っている。これによって
前述した目的を達成しようとするものである。
【００１３】
【作 用】読み出しパルスのシュミレーションの結果を
みると、ネガティブパルスが全体的に有効に低減される
ことがわかる。また、パーマロイよりも透磁率（μ）及
び飽和磁束密度（Ｂｓ）の低い磁性材料は比較的容易に
得ることができ、工程も従来と変わらない。このため、
コストを現状レベルに維持することができる。
みると、ネガティブパルスが全体的に有効に低減される
ことがわかる。また、パーマロイよりも透磁率（μ）及
び飽和磁束密度（Ｂｓ）の低い磁性材料は比較的容易に
得ることができ、工程も従来と変わらない。このため、
コストを現状レベルに維持することができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１に基づいて説
明する。この図１は本実施例に係る薄膜磁気ヘッドを、
ＡＢＳ面側から見た斜視図を示す。
明する。この図１は本実施例に係る薄膜磁気ヘッドを、
ＡＢＳ面側から見た斜視図を示す。
【００１５】この図１において、内側に位置する一方の
磁性層１の上部磁性層下側１Ｂ及び他方の磁性層２の下
部磁性層上側２Ａは、メッキ法により成膜されたパーマ
ロイで形成されている。
磁性層１の上部磁性層下側１Ｂ及び他方の磁性層２の下
部磁性層上側２Ａは、メッキ法により成膜されたパーマ
ロイで形成されている。
【００１６】また、この図１において、外側に位置する
一方の磁性層１の上部磁性層上側１Ａ及び他方の磁性層
２の下部磁性層下側２Ｂは、Ｎi Ｆe Ｘ（ＸはＰ，Ｓn
，Ｗ，Ｍo のうちの１元素）、または、Ｎi Ｆe ＸＹ
（Ｘ，ＹはそれぞれＰ，Ｓn ，Ｗ，Ｍo ，Ｃu のうちの
１元素）で構成されている。
一方の磁性層１の上部磁性層上側１Ａ及び他方の磁性層
２の下部磁性層下側２Ｂは、Ｎi Ｆe Ｘ（ＸはＰ，Ｓn
，Ｗ，Ｍo のうちの１元素）、または、Ｎi Ｆe ＸＹ
（Ｘ，ＹはそれぞれＰ，Ｓn ，Ｗ，Ｍo ，Ｃu のうちの
１元素）で構成されている。
【００１７】上記Ｎi Ｆe ＸおよびＮi Ｆe ＸＹは、パ
ーマロイメッキ浴に、次亜リン酸ナトリウム，二塩化ス
ズ，タングステン酸ソーダ等を添加し調整したメッキ浴
により成膜される。そして、この場合、外側に位置する
一方の磁性層１の上部磁性層上側１Ａ及び他方の磁性層
２の下部磁性層下側２Ｂは、その透磁率及び飽和磁束密
度がパーマロイの１０分の１以下に設定されている。
ーマロイメッキ浴に、次亜リン酸ナトリウム，二塩化ス
ズ，タングステン酸ソーダ等を添加し調整したメッキ浴
により成膜される。そして、この場合、外側に位置する
一方の磁性層１の上部磁性層上側１Ａ及び他方の磁性層
２の下部磁性層下側２Ｂは、その透磁率及び飽和磁束密
度がパーマロイの１０分の１以下に設定されている。
【００１８】このようにすると、一方の磁性層１の最上
部及び他方の磁性層２の最下部で発生するネガティブパ
ルスを有効に低減することができる。図２〜図３に、こ
の場合の読み出しパルスのシュミレーションの結果を示
す。これより、読み出しパルスと比較してみると、ネガ
ティブパルス（図２中の符号Ａ部分）が全体的に有効に
低減されていることがわかる。
部及び他方の磁性層２の最下部で発生するネガティブパ
ルスを有効に低減することができる。図２〜図３に、こ
の場合の読み出しパルスのシュミレーションの結果を示
す。これより、読み出しパルスと比較してみると、ネガ
ティブパルス（図２中の符号Ａ部分）が全体的に有効に
低減されていることがわかる。
【００１９】次に、他の実施例を図４に基づいて説明す
る。
る。
【００２０】この図４において、一方の磁性層１１の上
部磁性層下側１１Ｂおよび他方の磁性層１２の上部磁性
層上側１２Ａは、パーマロイ（μ＝２０００）で構成さ
れている。
部磁性層下側１１Ｂおよび他方の磁性層１２の上部磁性
層上側１２Ａは、パーマロイ（μ＝２０００）で構成さ
れている。
【００２１】また、一方の磁性層１１の上部上側中層１
１Ａｂおよび他方の磁性層１２の下部下側中層１２Ｂａ
は、μ＝５０の磁性材料で形成されている。
１Ａｂおよび他方の磁性層１２の下部下側中層１２Ｂａ
は、μ＝５０の磁性材料で形成されている。
【００２２】更に、一方の磁性層１１の上部上側外層１
１Ａａおよび他方の磁性層１２の下部下側外層１２Ｂｂ
は、μ＝２の磁性材料で構成されており、上部磁性層及
び下部磁性層のトータルの膜厚は、それぞれ６〔μｍ〕
である。
１Ａａおよび他方の磁性層１２の下部下側外層１２Ｂｂ
は、μ＝２の磁性材料で構成されており、上部磁性層及
び下部磁性層のトータルの膜厚は、それぞれ６〔μｍ〕
である。
【００２３】このようにすると、上述した図１（実施例
１）の場合よりも更にネガティブパルスを低減すること
ができる。図５〜図６に、この場合の読み出しパルスの
シュミレーションの結果を示す。これより、読み出しパ
ルスと比較してみると、ネガティブパルス（図５中の符
号Ａ部分）が全体的に有効に低減されていることがわか
る。同時に、図２〜図３の場合に比較するとネガティブ
パルスが更に有効に低減されていることがわかる。
１）の場合よりも更にネガティブパルスを低減すること
ができる。図５〜図６に、この場合の読み出しパルスの
シュミレーションの結果を示す。これより、読み出しパ
ルスと比較してみると、ネガティブパルス（図５中の符
号Ａ部分）が全体的に有効に低減されていることがわか
る。同時に、図２〜図３の場合に比較するとネガティブ
パルスが更に有効に低減されていることがわかる。
【００２４】ここで、上記各実施例で使用されているパ
ーマロイよりも透磁率（μ）及び飽和磁束密度（Ｂｓ）
の低い磁性材料は比較的容易に得ることができ、工程も
従来と変わらない。このため、コストを現状レベルに維
持することができる。
ーマロイよりも透磁率（μ）及び飽和磁束密度（Ｂｓ）
の低い磁性材料は比較的容易に得ることができ、工程も
従来と変わらない。このため、コストを現状レベルに維
持することができる。
【００２５】特にパーマロイよりも透磁率（μ）及び飽
和磁束密度（Ｂｓ）の低い磁性材料を、Ｎi Ｆe Ｘ（Ｘ
はＰ，Ｓn ，Ｗ，Ｍo のうちの１元素）、又は、Ｎi Ｆ
e ＸＹ（Ｘ，ＹはそれぞれＰ，Ｓn ，Ｗ，Ｍo ，Ｃu の
うちの１元素）とした場合、パーマロイとの密着性に優
れ、パーマロイよりも硬度及び耐食性に優れるため、ラ
ップ時に生ずるポールリセスを低減でき、歩留り・信頼
性を向上できる。
和磁束密度（Ｂｓ）の低い磁性材料を、Ｎi Ｆe Ｘ（Ｘ
はＰ，Ｓn ，Ｗ，Ｍo のうちの１元素）、又は、Ｎi Ｆ
e ＸＹ（Ｘ，ＹはそれぞれＰ，Ｓn ，Ｗ，Ｍo ，Ｃu の
うちの１元素）とした場合、パーマロイとの密着性に優
れ、パーマロイよりも硬度及び耐食性に優れるため、ラ
ップ時に生ずるポールリセスを低減でき、歩留り・信頼
性を向上できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成され且つ作
用するので、現状のコストを維持したままでネガティブ
パルスを有効に低減することができ、このため、ピーク
シフトを改善し、ウインドマージンを広げることがで
き、更に、請求項２〜３においては、パーマロイとの密
着性を良好に保ちつつ、ポールリセスを低減し、歩留ま
りおよび信頼性を向上できるという従来にない優れた薄
膜磁気ヘッドを提供することができる。
用するので、現状のコストを維持したままでネガティブ
パルスを有効に低減することができ、このため、ピーク
シフトを改善し、ウインドマージンを広げることがで
き、更に、請求項２〜３においては、パーマロイとの密
着性を良好に保ちつつ、ポールリセスを低減し、歩留ま
りおよび信頼性を向上できるという従来にない優れた薄
膜磁気ヘッドを提供することができる。
【図１】本発明の一実施例に於ける磁極部分を示す斜視
図である。
図である。
【図２】図１に示す実施例のシュミレーションの結果を
示す線図である。
示す線図である。
【図３】図２内のＡ部の詳細を示す拡大説明図である。
【図４】本発明の他の実施例に於ける磁極部分を示す斜
視図である。
視図である。
【図５】図４に示す実施例のシュミレーションの結果を
示す線図である。
示す線図である。
【図６】図５内のＡ部の詳細を示す拡大説明図である。
【図７】従来例を示す説明図である。
【図８】他の従来例を示す説明図である。
１，１１ 一方の磁性層 ２，１２ 他方の磁性層 １Ａ，１１Ａ 上部磁性層上側 １Ｂ，１１Ｂ 上部磁性層下側 ２Ａ，１２Ａ 下部磁性層上側 ２Ｂ １２Ｂ 下部磁性層下側 １１Ａａ 上部上側外層 １１Ａｂ 上部上側中層 １２Ｂａ 下部下側中層 １２Ｂｂ 下部下側外層
Claims (3)
- 【請求項１】 微小間隔を隔てて二列に配列された磁性
層からなる磁極を有し、この各磁性層をパーマロイで形
成してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記各磁性層の外側に、その透磁率及び飽和磁束密度が
パーマロイの１０分の１以下である磁性材料を層状に積
層したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記磁性材料を、Ｎi Ｆe Ｘとすると共
に、この内の成分Ｘが、少なくともＰ，Ｓn ，Ｗ，Ｍo
の内の１元素であることを特徴とする請求項１記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記磁性材料を、Ｎi Ｆe ＸＹとすると
共に、この内の成分Ｘ，Ｙが、少なくともＰ，Ｓn ，
Ｗ，Ｍo の内の１元素であることを特徴とする請求項１
記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17868494A JPH0845019A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17868494A JPH0845019A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845019A true JPH0845019A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16052745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17868494A Pending JPH0845019A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845019A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5522276A (en) * | 1978-08-04 | 1980-02-16 | Fujitsu Ltd | Thin-film magnetic head |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP17868494A patent/JPH0845019A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5522276A (en) * | 1978-08-04 | 1980-02-16 | Fujitsu Ltd | Thin-film magnetic head |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971014 |