JPH0845896A - 異方性エッチングにおけるアンダーエッチング補正方法 - Google Patents
異方性エッチングにおけるアンダーエッチング補正方法Info
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- JPH0845896A JPH0845896A JP17878594A JP17878594A JPH0845896A JP H0845896 A JPH0845896 A JP H0845896A JP 17878594 A JP17878594 A JP 17878594A JP 17878594 A JP17878594 A JP 17878594A JP H0845896 A JPH0845896 A JP H0845896A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 異方性エッチングによって長方台形を形成す
る場合、長方台形部の角に生じるアンダーエッチング量
を形状の小さい補正マスクによって小さく抑えることが
できるアンダーエッチング補正方法を提案する。 【構成】 半導体基板１に長方台形部７を形成するため
の長方形のマスク２Ｂの各角から枠体を形成するための
マスク２Ａに向って第１補正マスク２Ｄを、またこの第
１補正マスクの両側に枠体５を形成するためのマスク２
Ａから延長形成した第２補正マスク２Ｅ，２Ｆを形成
し、第１補正マスクの先端と枠体を形成するためのマス
クとの間及び第２補正マスクの先端と長方台形部を形成
するマスクとの間に間隔Ｒ１，Ｒ２を形成した。
る場合、長方台形部の角に生じるアンダーエッチング量
を形状の小さい補正マスクによって小さく抑えることが
できるアンダーエッチング補正方法を提案する。 【構成】 半導体基板１に長方台形部７を形成するため
の長方形のマスク２Ｂの各角から枠体を形成するための
マスク２Ａに向って第１補正マスク２Ｄを、またこの第
１補正マスクの両側に枠体５を形成するためのマスク２
Ａから延長形成した第２補正マスク２Ｅ，２Ｆを形成
し、第１補正マスクの先端と枠体を形成するためのマス
クとの間及び第２補正マスクの先端と長方台形部を形成
するマスクとの間に間隔Ｒ１，Ｒ２を形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は例えば半導体によって
各種のセンサ等を製造する場合に利用することができる
異方性エッチングにおけるアンダーエッチング補正方法
に関する。
各種のセンサ等を製造する場合に利用することができる
異方性エッチングにおけるアンダーエッチング補正方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】はじめに図５及び図６を用いて［１０
０］面を使用した異方性エッチングについて説明する。
先ず例えばシリコンのような半導体基板１の［１００］
面上にエッチングマスク２により長方形のマスク穴３を
形成する。マスク穴３の各辺は半導体基板１の［１１
０］面と平行になるように作成する。このエッチングマ
スク２を用いてエッチングすると、半導体基板１には図
６に示すように下向に突出した三角形状の穴４が形成さ
れる。穴４は各面が傾斜面４Ａで囲まれ、各傾斜面４Ａ
は［１１１］面とされる。その理由は［１１１］面のエ
ッチングレートが他の結晶面のエッチングレートと比較
して遅いことによるものである。
０］面を使用した異方性エッチングについて説明する。
先ず例えばシリコンのような半導体基板１の［１００］
面上にエッチングマスク２により長方形のマスク穴３を
形成する。マスク穴３の各辺は半導体基板１の［１１
０］面と平行になるように作成する。このエッチングマ
スク２を用いてエッチングすると、半導体基板１には図
６に示すように下向に突出した三角形状の穴４が形成さ
れる。穴４は各面が傾斜面４Ａで囲まれ、各傾斜面４Ａ
は［１１１］面とされる。その理由は［１１１］面のエ
ッチングレートが他の結晶面のエッチングレートと比較
して遅いことによるものである。
【０００３】ここでマスク穴４の幅をＸ（図５参照）と
すると、 （Ｘ／２）／ｔａｎ（９０°−５４．７４°） の深さで穴４の周囲が［１１１］面となり、エッチング
は自動的に停止する。従ってエッチングによって貫通孔
を形成する場合にはマスク穴３の幅Ｘを図５の状態より
大きい値に選定しなければならない。半導体基板１の厚
みをｔ、貫通穴を形成するために必要なマスク穴３の幅
をＸA とすると （ＸA ／２）／ｔａｎ（９０°−５４．７４°）＝ｔ により、ＸA ＝２ｔ・ｔａｎ（９０°−５４．７４°）
≒１．４１ｔ＝√２ｔ となる。
すると、 （Ｘ／２）／ｔａｎ（９０°−５４．７４°） の深さで穴４の周囲が［１１１］面となり、エッチング
は自動的に停止する。従ってエッチングによって貫通孔
を形成する場合にはマスク穴３の幅Ｘを図５の状態より
大きい値に選定しなければならない。半導体基板１の厚
みをｔ、貫通穴を形成するために必要なマスク穴３の幅
をＸA とすると （ＸA ／２）／ｔａｎ（９０°−５４．７４°）＝ｔ により、ＸA ＝２ｔ・ｔａｎ（９０°−５４．７４°）
≒１．４１ｔ＝√２ｔ となる。
【０００４】つまり、厚みｔの半導体基板１に貫通穴を
形成する場合はマスク穴３の幅ＸAはＸA ≧√２ｔに選
定する必要がある。ところで、センサの一つの例として
図７に示すような構造の加速度センサが考えられてい
る。この加速度センサは枠体５の中にバネ部材６Ａ〜６
Ｄを介して重り７を支持し、バネ材６Ａ〜６Ｄに歪みセ
ンサ８を被着形成した構造とされる。
形成する場合はマスク穴３の幅ＸAはＸA ≧√２ｔに選
定する必要がある。ところで、センサの一つの例として
図７に示すような構造の加速度センサが考えられてい
る。この加速度センサは枠体５の中にバネ部材６Ａ〜６
Ｄを介して重り７を支持し、バネ材６Ａ〜６Ｄに歪みセ
ンサ８を被着形成した構造とされる。
【０００５】重り７の面と直交する向に加速度が与えら
れることにより、バネ部材６Ａ〜６Ｄがたわみ、そのた
わみ量を歪みセンサ８で検出することにより、与えられ
た加速度に対応した電気信号を発信させることができ
る。この構造の加速度センサを小形で、然も高感度に作
るために、枠体５と重り７及びバネ部材６Ａ〜６Ｄを１
枚の半導体基板から形成することが行なわれている。
れることにより、バネ部材６Ａ〜６Ｄがたわみ、そのた
わみ量を歪みセンサ８で検出することにより、与えられ
た加速度に対応した電気信号を発信させることができ
る。この構造の加速度センサを小形で、然も高感度に作
るために、枠体５と重り７及びバネ部材６Ａ〜６Ｄを１
枚の半導体基板から形成することが行なわれている。
【０００６】この構造を採る加速度センサを製造するた
めに先に説明した異方性エッチングが利用されている。
図８乃至図１０を用いてその製法を説明する。半導体基
板１にエッチングマスク２を被せる。エッチングマスク
２を角形の環状に除去し、角形環状マスク穴９を形成す
る。角形環状マスク穴９の各辺は半導体基板１の［１１
０］面と平行に形成する。角形環状マスク穴９を形成す
ることによってエッチングマスク２は枠体５を形成する
ためのマスク２Ａと重り７を形成するためのマスク２Ｂ
に分離される。
めに先に説明した異方性エッチングが利用されている。
図８乃至図１０を用いてその製法を説明する。半導体基
板１にエッチングマスク２を被せる。エッチングマスク
２を角形の環状に除去し、角形環状マスク穴９を形成す
る。角形環状マスク穴９の各辺は半導体基板１の［１１
０］面と平行に形成する。角形環状マスク穴９を形成す
ることによってエッチングマスク２は枠体５を形成する
ためのマスク２Ａと重り７を形成するためのマスク２Ｂ
に分離される。
【０００７】この角形環状マスク穴９の形状によってエ
ッチングを行なうと、図９及び図１０に示すような凹溝
１１が形成される。凹溝１１の両側には［１１１］面が
露出した傾斜面１０が形成される。凹溝１１の外側に枠
体５が形成され、内側に重り７（重り７の部分は長方形
で台形となることから以下この部分を長方台形部と呼ぶ
ことにする）が形成される。凹溝１１の底面の厚みが所
望値に達した状態（図１０の状態）でエッチングを一時
停止し、バネ部材６Ａ〜６Ｄとして残すべき部分にマス
クを被せ、再びエッチングを施すことにより、バネ部材
６Ａ〜６Ｄを残して他の部分を貫通させる。このように
エッチングによりバネ部材６Ａ〜６Ｄを形成することに
より極めて薄いバネ部材６Ａ〜６Ｄを形成することがで
き、長方台形部７に掛る加速度に対して大きくたわむこ
とができるバネ部材を得ることができる。この結果バネ
部材６Ａ〜６Ｄに歪みセンサ８を形成することにより検
出感度が高い加速度センサを得ることができる。
ッチングを行なうと、図９及び図１０に示すような凹溝
１１が形成される。凹溝１１の両側には［１１１］面が
露出した傾斜面１０が形成される。凹溝１１の外側に枠
体５が形成され、内側に重り７（重り７の部分は長方形
で台形となることから以下この部分を長方台形部と呼ぶ
ことにする）が形成される。凹溝１１の底面の厚みが所
望値に達した状態（図１０の状態）でエッチングを一時
停止し、バネ部材６Ａ〜６Ｄとして残すべき部分にマス
クを被せ、再びエッチングを施すことにより、バネ部材
６Ａ〜６Ｄを残して他の部分を貫通させる。このように
エッチングによりバネ部材６Ａ〜６Ｄを形成することに
より極めて薄いバネ部材６Ａ〜６Ｄを形成することがで
き、長方台形部７に掛る加速度に対して大きくたわむこ
とができるバネ部材を得ることができる。この結果バネ
部材６Ａ〜６Ｄに歪みセンサ８を形成することにより検
出感度が高い加速度センサを得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図８乃至図１０に示し
た製造過程において、凹溝１１を形成する工程で長方台
形部７の各角の部分において、図１１に点線で示すよう
にマスク２Ｂの下側までエッチングが進行してしまう現
象が起きる。この現象を以下ではアンダーエッチングと
称することにする。このアンダーエッチングが起きるこ
とにより長方台形部７は四隅において角が削り取られて
しまうため、その削り取られてしまった分だけ重量が減
少し、加速度センサとしての検出感度が低下してしまう
不都合が生じる。ここで長方台形部７の重量を補充乃至
増強するために重りを付加することも考えられるが、枠
体５及び長方台形部７は半導体ウエハーに多数形成さ
れ、その形状も極めて小さいため、重りを貼付ける作業
は極めて面倒な作業となる。
た製造過程において、凹溝１１を形成する工程で長方台
形部７の各角の部分において、図１１に点線で示すよう
にマスク２Ｂの下側までエッチングが進行してしまう現
象が起きる。この現象を以下ではアンダーエッチングと
称することにする。このアンダーエッチングが起きるこ
とにより長方台形部７は四隅において角が削り取られて
しまうため、その削り取られてしまった分だけ重量が減
少し、加速度センサとしての検出感度が低下してしまう
不都合が生じる。ここで長方台形部７の重量を補充乃至
増強するために重りを付加することも考えられるが、枠
体５及び長方台形部７は半導体ウエハーに多数形成さ
れ、その形状も極めて小さいため、重りを貼付ける作業
は極めて面倒な作業となる。
【０００９】このため従来より図１２に示すように長方
台形部７を形成するためのマスク２Ｂの四隅に補正マス
ク２Ｃを形成し、この補正マスク２Ｃを形成することに
よってアンダーエッチングの発生を抑えている。補正マ
スク２Ｃの寸法はアンダーエッチングの進む量ｙ（図１
１参照）によって決められる。つまり補正マスク２Ｃは
アンダーエッチングが進む量ｙの２倍２ｙを対角線の長
さとし、対角線の交点がマスク２Ｂの角に位置する形状
（図１２参照）に設定する。
台形部７を形成するためのマスク２Ｂの四隅に補正マス
ク２Ｃを形成し、この補正マスク２Ｃを形成することに
よってアンダーエッチングの発生を抑えている。補正マ
スク２Ｃの寸法はアンダーエッチングの進む量ｙ（図１
１参照）によって決められる。つまり補正マスク２Ｃは
アンダーエッチングが進む量ｙの２倍２ｙを対角線の長
さとし、対角線の交点がマスク２Ｂの角に位置する形状
（図１２参照）に設定する。
【００１０】アンダーエッチング量ｙは［１００］のエ
ッチング量と比較して約２．３倍程度となる。このため
に補正マスク２Ｃの突出量ＸB はＸB ≒２．３ｔとな
る。この突出量ＸB は先に説明した貫通穴を形成するに
必要な溝幅ＸA に対してＸA ＜ＸB の関係となる。この
結果貫通穴を形成するに必要な溝幅ＸA に対し、アンダ
ーエッチングを補正するに必要な突出量ＸB を持つ補正
マスク２Ｃを形成したとすると、図１３に示す状態とな
る。この図１３に示した状態でエッチングを行なって
も、凹溝１１は環状に連続されないことになり補正マス
ク２Ｃは本来の補正マスクとして作用しないことにな
る。このため、従来は凹溝１１の溝幅を本来必要な溝幅
ＸA より大きく、然も補正マスク２Ｃの突出量ＸB より
も大きい溝幅Ｘ C に選定しなければならないことにな
る。
ッチング量と比較して約２．３倍程度となる。このため
に補正マスク２Ｃの突出量ＸB はＸB ≒２．３ｔとな
る。この突出量ＸB は先に説明した貫通穴を形成するに
必要な溝幅ＸA に対してＸA ＜ＸB の関係となる。この
結果貫通穴を形成するに必要な溝幅ＸA に対し、アンダ
ーエッチングを補正するに必要な突出量ＸB を持つ補正
マスク２Ｃを形成したとすると、図１３に示す状態とな
る。この図１３に示した状態でエッチングを行なって
も、凹溝１１は環状に連続されないことになり補正マス
ク２Ｃは本来の補正マスクとして作用しないことにな
る。このため、従来は凹溝１１の溝幅を本来必要な溝幅
ＸA より大きく、然も補正マスク２Ｃの突出量ＸB より
も大きい溝幅Ｘ C に選定しなければならないことにな
る。
【００１１】このように凹溝１１の溝幅を本来必要な溝
幅ＸA より大きいＸC （ＸA ＜ＸB＜ＸC ）に選定しな
ければならないことから、加速度センサを小形化する上
で障害になっている。また従来の補正マスク２Ｃの形状
によれば長方台形部７の形状を小形化のために長細の形
状に選定したとすると、図１４に示すように、補正マス
ク２Ｃ同士が重なり合う状態となる。この場合には［１
００］のエッチング量が設定値に達したときに補正マス
ク２Ｃの下部に生じるアンダーエッチングが点線で示す
形状になってしまうため凹溝１１が形成できなくなる不
都合が生じる。この場合、長方台形部７の幅ａはアンダ
ーエッチングの発生量をｙとした場合、ａ＞√２ｙに選
定しなくてはならない。よってこの点でも加速度センサ
の形状を小形化できない不都合がある。
幅ＸA より大きいＸC （ＸA ＜ＸB＜ＸC ）に選定しな
ければならないことから、加速度センサを小形化する上
で障害になっている。また従来の補正マスク２Ｃの形状
によれば長方台形部７の形状を小形化のために長細の形
状に選定したとすると、図１４に示すように、補正マス
ク２Ｃ同士が重なり合う状態となる。この場合には［１
００］のエッチング量が設定値に達したときに補正マス
ク２Ｃの下部に生じるアンダーエッチングが点線で示す
形状になってしまうため凹溝１１が形成できなくなる不
都合が生じる。この場合、長方台形部７の幅ａはアンダ
ーエッチングの発生量をｙとした場合、ａ＞√２ｙに選
定しなくてはならない。よってこの点でも加速度センサ
の形状を小形化できない不都合がある。
【００１２】この発明の目的は、長方台形部７に対する
アンダーエッチングの発生を極力抑えることと、凹溝１
１の溝幅を貫通穴を形成するに必要な最小値に採ること
ができる異方性エッチングにおけるアンダーエッチング
補正方法を提案するものである。
アンダーエッチングの発生を極力抑えることと、凹溝１
１の溝幅を貫通穴を形成するに必要な最小値に採ること
ができる異方性エッチングにおけるアンダーエッチング
補正方法を提案するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明では角形の環状
凹溝をエッチングによって形成し、この環状凹溝の形成
によって長方台形部を形成する場合において、この台形
を形成するためのマスクのそれぞれの角に、凹溝の溝幅
より短かい寸法の短冊状の第１補正マスクを形成し、こ
の第１補正マスクの両側に上記凹溝の外側に残されたマ
スクから上記凹溝の溝幅より短かい寸法の短冊状の第２
補正マスクを形成し、第２補正マスクの角の部分からア
ンダーエッチングを開始させ、そのアンダーエッチング
を第２補正マスクから第１補正マスクに引き継がせて行
わせることにより、長方台形部の角の部分にエッチング
が達する時間を遅らせ、この時間の遅延によって長方台
形部に発生するアンダーエッチッグの量を軽減できるよ
うにしたことを特徴とする異方性エッチングにおけるア
ンダーエッチング補正方法を提案する。
凹溝をエッチングによって形成し、この環状凹溝の形成
によって長方台形部を形成する場合において、この台形
を形成するためのマスクのそれぞれの角に、凹溝の溝幅
より短かい寸法の短冊状の第１補正マスクを形成し、こ
の第１補正マスクの両側に上記凹溝の外側に残されたマ
スクから上記凹溝の溝幅より短かい寸法の短冊状の第２
補正マスクを形成し、第２補正マスクの角の部分からア
ンダーエッチングを開始させ、そのアンダーエッチング
を第２補正マスクから第１補正マスクに引き継がせて行
わせることにより、長方台形部の角の部分にエッチング
が達する時間を遅らせ、この時間の遅延によって長方台
形部に発生するアンダーエッチッグの量を軽減できるよ
うにしたことを特徴とする異方性エッチングにおけるア
ンダーエッチング補正方法を提案する。
【００１４】この発明のアンダーエッチング補正方法に
よれば第１補正マスク及び第２補正マスクは凹溝の溝幅
より単に短かい寸法に採ればよいから凹溝の溝幅は貫通
穴を形成するに必要な最小限度の寸法に選定すればよ
い。よって枠体を含めて形状を小さくすることができる
利点が得られる。
よれば第１補正マスク及び第２補正マスクは凹溝の溝幅
より単に短かい寸法に採ればよいから凹溝の溝幅は貫通
穴を形成するに必要な最小限度の寸法に選定すればよ
い。よって枠体を含めて形状を小さくすることができる
利点が得られる。
【００１５】
【実施例】図１にこの発明による異方性エッチングにお
けるアンダーエッチング補正方法の実施例を示す。図中
２Ａは図７に示した枠体５を形成するためのマスク、２
Ｂは図７に示した長方台形部７を形成するためのマスク
を示す。この発明では長方台形部７を形成するためのマ
スク２Ｂの各角、図の例ではマスク２Ｂの短辺１２の両
端の角から枠体５を形成するためのマスク２Ａに向って
短冊状の第１補正マスク２Ｄを突出形成する。更にこの
第１補正マスク２Ｄの両側にマスク２Ａから突出して延
長した短冊状の第２補正マスク２Ｅ，２Ｆを形成する。
これら第１補正マスク２Ｄと第２補正マスク２Ｅ，２Ｆ
の突出長Ｌ１とＬ２は凹溝１１の溝幅Ｌより小さい寸法
Ｌ＜Ｌ１及びＬ＜Ｌ２に形成する。この寸法の選定によ
って、第１補正マスク２Ｄとマスク２Ａとの間及び第２
補正マスク２Ｅ，２Ｆとマスク２Ｂとの間に間隔Ｒ１と
Ｒ２が形成される。間隔Ｒ１とＲ２は可及的に小さくて
よく、半導体基板１の面がわずかでも露出すればよい。
けるアンダーエッチング補正方法の実施例を示す。図中
２Ａは図７に示した枠体５を形成するためのマスク、２
Ｂは図７に示した長方台形部７を形成するためのマスク
を示す。この発明では長方台形部７を形成するためのマ
スク２Ｂの各角、図の例ではマスク２Ｂの短辺１２の両
端の角から枠体５を形成するためのマスク２Ａに向って
短冊状の第１補正マスク２Ｄを突出形成する。更にこの
第１補正マスク２Ｄの両側にマスク２Ａから突出して延
長した短冊状の第２補正マスク２Ｅ，２Ｆを形成する。
これら第１補正マスク２Ｄと第２補正マスク２Ｅ，２Ｆ
の突出長Ｌ１とＬ２は凹溝１１の溝幅Ｌより小さい寸法
Ｌ＜Ｌ１及びＬ＜Ｌ２に形成する。この寸法の選定によ
って、第１補正マスク２Ｄとマスク２Ａとの間及び第２
補正マスク２Ｅ，２Ｆとマスク２Ｂとの間に間隔Ｒ１と
Ｒ２が形成される。間隔Ｒ１とＲ２は可及的に小さくて
よく、半導体基板１の面がわずかでも露出すればよい。
【００１６】この間隔Ｒ１及びＲ２を形成したことによ
って第２補正マスク２Ｅと２Ｆの角ＡとＡ′の下部から
アンダーエッチングが始まる。図２にエッチングの進行
過程を示す。Ａ点及びＡ′点から始まったアンダーエッ
チングは頭初は図２に点線で示す形状でＢ点に向って
進行する。尚、Ａ′，Ｂ′，Ｃ′点側のエッチング動作
は図２に示すＡ，Ｂ，Ｃ点側と中心線１３を境に対称で
あるから、ここではＡ，Ｂ，Ｃ点側についてだけ説明す
ることにする。
って第２補正マスク２Ｅと２Ｆの角ＡとＡ′の下部から
アンダーエッチングが始まる。図２にエッチングの進行
過程を示す。Ａ点及びＡ′点から始まったアンダーエッ
チングは頭初は図２に点線で示す形状でＢ点に向って
進行する。尚、Ａ′，Ｂ′，Ｃ′点側のエッチング動作
は図２に示すＡ，Ｂ，Ｃ点側と中心線１３を境に対称で
あるから、ここではＡ，Ｂ，Ｃ点側についてだけ説明す
ることにする。
【００１７】エッチングの端部がＢ点に達すると、エッ
チングはの形状となり、Ｃ点に向って進行する。この
とき図２に示すＸ−Ｘ線上では図３に示すように［１１
１］面が露出した傾斜面１５が形成されようとしてい
る。エッチングがＣ点に達すると、一部はそのままＣ点
を通過してＦ点まで進む。これに対し、第１補正マスク
２Ｄの端部とマスク２Ａとの間には間隔Ｒ１が形成され
ているから、この間隔Ｒ１によって半導体基板１はエッ
チングされ、穴１４が形成されている。穴１４は［１１
１］面が露出した状態で自動的に停止している。この状
態でエッチングがＣ点に達すると、Ｃ点では［１１１］
面同士が凸に交わってできる綾線上では面が決まらない
ので速くエッチングが進行し、図２に示すの形状でＤ
点に向ってエッチングが進む。のエッチングがＤ点に
達すると、エッチングの形状はになっている。の形
状のエッチングは中心線１３を線対称として同様に反対
側でも進む。この結果、図２に示すＹ−Ｙ線の位置では
図４に示すような平面形状でエッチングが進行する。
チングはの形状となり、Ｃ点に向って進行する。この
とき図２に示すＸ−Ｘ線上では図３に示すように［１１
１］面が露出した傾斜面１５が形成されようとしてい
る。エッチングがＣ点に達すると、一部はそのままＣ点
を通過してＦ点まで進む。これに対し、第１補正マスク
２Ｄの端部とマスク２Ａとの間には間隔Ｒ１が形成され
ているから、この間隔Ｒ１によって半導体基板１はエッ
チングされ、穴１４が形成されている。穴１４は［１１
１］面が露出した状態で自動的に停止している。この状
態でエッチングがＣ点に達すると、Ｃ点では［１１１］
面同士が凸に交わってできる綾線上では面が決まらない
ので速くエッチングが進行し、図２に示すの形状でＤ
点に向ってエッチングが進む。のエッチングがＤ点に
達すると、エッチングの形状はになっている。の形
状のエッチングは中心線１３を線対称として同様に反対
側でも進む。この結果、図２に示すＹ−Ｙ線の位置では
図４に示すような平面形状でエッチングが進行する。
【００１８】エッチングが長方台形部７の部分に接する
と、Ａ′，Ｂ′，Ｃ′点側のエッチングは［１１１］面
に突き当るため、長方台形部７の部分でエッチングは停
止するが、Ａ，Ｂ，Ｃ点側のエッチングは長方台形部の
角の部分に突き当る。このためこの角の部分からアンダ
ーエッチングが始まる。このアンダーエッチング量Ｚは
Ｚ＝Ｗ1 ／２となる。ここでＷ1 は第１補正マスク２Ｄ
の幅を示す。従って第１補正マスク２Ｄの幅Ｗ1 が狭い
程、最終のアンダーエッチング量Ｚを小さくすることが
できる。然し乍らそこには限界が有る。つまり、エッチ
ングがＡ点からＣ点に向う状態で［１１１］面が露出し
た傾斜面１５が第２補正マスク２Ｅ及び２Ｆの下側に形
成されるが、この傾斜面１５は［１１１］面が露出して
いるからエッチング量はわずかではあるがエッチングは
される。補正のためのエッチングを最後まで支障なく実
行させるためには所定の深さまでエッチングが進行する
間第１補正マスク２Ｄの裏面に接する部分が消失しては
いけないので、［１１１］面がエッチングされる量をＪ
とすると、第１補正マスク２Ｄの幅Ｗ1 はＷ1 ≧２Ｊに
選定しなければならない。
と、Ａ′，Ｂ′，Ｃ′点側のエッチングは［１１１］面
に突き当るため、長方台形部７の部分でエッチングは停
止するが、Ａ，Ｂ，Ｃ点側のエッチングは長方台形部の
角の部分に突き当る。このためこの角の部分からアンダ
ーエッチングが始まる。このアンダーエッチング量Ｚは
Ｚ＝Ｗ1 ／２となる。ここでＷ1 は第１補正マスク２Ｄ
の幅を示す。従って第１補正マスク２Ｄの幅Ｗ1 が狭い
程、最終のアンダーエッチング量Ｚを小さくすることが
できる。然し乍らそこには限界が有る。つまり、エッチ
ングがＡ点からＣ点に向う状態で［１１１］面が露出し
た傾斜面１５が第２補正マスク２Ｅ及び２Ｆの下側に形
成されるが、この傾斜面１５は［１１１］面が露出して
いるからエッチング量はわずかではあるがエッチングは
される。補正のためのエッチングを最後まで支障なく実
行させるためには所定の深さまでエッチングが進行する
間第１補正マスク２Ｄの裏面に接する部分が消失しては
いけないので、［１１１］面がエッチングされる量をＪ
とすると、第１補正マスク２Ｄの幅Ｗ1 はＷ1 ≧２Ｊに
選定しなければならない。
【００１９】エッチングが長方台形部の部分に達した状
態では第１補正マスク２Ｄの中心線１３の下側では図４
に示した山状の頂点部分から下向にエッチングが始ま
り、第１補正マスク２Ｄ及び第２補正マスク２Ｅ，２Ｆ
の下側の部分は、これら補正マスク２Ｄ，２Ｅ，２Ｆが
存在しない場所と同じ形状の凹溝１１が形成される。
尚、図１に示した実施例では、第１補正マスク２Ｄ及び
第２補正マスク２Ｅ，２Ｆを長方台形部７を形成するた
めのマスク２Ｂの短辺に形成した場合を説明したが、長
辺側の角に形成してもよい。また長辺の角と短辺の角に
交互に形成してもよく、また長辺と短辺の双方の角に形
成しても同等の作用、効果を得ることができる。
態では第１補正マスク２Ｄの中心線１３の下側では図４
に示した山状の頂点部分から下向にエッチングが始ま
り、第１補正マスク２Ｄ及び第２補正マスク２Ｅ，２Ｆ
の下側の部分は、これら補正マスク２Ｄ，２Ｅ，２Ｆが
存在しない場所と同じ形状の凹溝１１が形成される。
尚、図１に示した実施例では、第１補正マスク２Ｄ及び
第２補正マスク２Ｅ，２Ｆを長方台形部７を形成するた
めのマスク２Ｂの短辺に形成した場合を説明したが、長
辺側の角に形成してもよい。また長辺の角と短辺の角に
交互に形成してもよく、また長辺と短辺の双方の角に形
成しても同等の作用、効果を得ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
第１補正マスク２Ｄ及び第２補正マスク２Ｅ，２Ｆは凹
溝１１を形成すべきマスクの開口部分の幅Ｌより小さく
形成し、その端部に開口間隔Ｒ１とＲ２を形成すればよ
いから、凹溝１１を形成すべきマスクの開口部分の幅Ｌ
は厚さｔμｍの半導体基板に貫通穴を形成するに必要な
寸法ＸA ≒√２ｔに採れば済むから、溝幅の寸法Ｌを最
小限に抑えることができる。よって図７に示したような
加速度センサの形状を小さくできる利点が得られる。
第１補正マスク２Ｄ及び第２補正マスク２Ｅ，２Ｆは凹
溝１１を形成すべきマスクの開口部分の幅Ｌより小さく
形成し、その端部に開口間隔Ｒ１とＲ２を形成すればよ
いから、凹溝１１を形成すべきマスクの開口部分の幅Ｌ
は厚さｔμｍの半導体基板に貫通穴を形成するに必要な
寸法ＸA ≒√２ｔに採れば済むから、溝幅の寸法Ｌを最
小限に抑えることができる。よって図７に示したような
加速度センサの形状を小さくできる利点が得られる。
【００２１】また、長方台形部７に喰い込むアンダーエ
ッチングの量Ｚは第１補正マスク２Ｄの幅Ｗ1 の値で制
御することができる。この結果、アンダーエッチングの
量Ｚを小さくすることができ、長方台形部７の部分の重
量が大きく減少することを阻止することができる。従っ
てこの点で感度の高い加速度センサを作ることができる
実益も得られる。
ッチングの量Ｚは第１補正マスク２Ｄの幅Ｗ1 の値で制
御することができる。この結果、アンダーエッチングの
量Ｚを小さくすることができ、長方台形部７の部分の重
量が大きく減少することを阻止することができる。従っ
てこの点で感度の高い加速度センサを作ることができる
実益も得られる。
【００２２】またアンダーエッチングの発生量をｙとし
た場合に、長方台形部７の幅ａをａ＜√２ｙに選定する
ことができ、長方台形部７の形状を細長形状に選定でき
る利点が得られる。
た場合に、長方台形部７の幅ａをａ＜√２ｙに選定する
ことができ、長方台形部７の形状を細長形状に選定でき
る利点が得られる。
【図１】この発明の一実施例を示す平面図。
【図２】この発明によるアンダーエッチング補正方法を
説明するための平面図。
説明するための平面図。
【図３】図２に示したＸ−Ｘ線上の断面図。
【図４】図２に示したＹ−Ｙ線上の平面図。
【図５】異方性エッチングについて説明するための平面
図。
図。
【図６】図５に示したＡ−Ａ線上の断面図。
【図７】異方性エッチングを利用して作られる加速度セ
ンサの構造を説明するための斜視図。
ンサの構造を説明するための斜視図。
【図８】図７に示した加速度センサの製造方法を説明す
るための平面図。
るための平面図。
【図９】図８の状態からエッチング処理後の状態を示す
平面図。
平面図。
【図１０】図９に示したＢ−Ｂ線上の断面図。
【図１１】従来の技術の不都合を説明するための一部を
拡大して示した平面図。
拡大して示した平面図。
【図１２】従来のアンダーエッチング補正方法を説明す
るために一部を拡大して示した平面図。
るために一部を拡大して示した平面図。
【図１３】従来のアンダーエッチング補正方法の不都合
を説明するために一部を拡大して示した断面図。
を説明するために一部を拡大して示した断面図。
【図１４】図１３と同様の平面図。
１ 半導体基板 ２ エッチングマスク ２Ａ 枠体を形成するためのマスク ２Ｂ 長方台形を形成するためのマスク ２Ｄ 第１補正マスク ２Ｅ，２Ｆ 第２補正マスク ５ 枠体 ７ 長方台形部 ９ 角形環状マスク穴 １１ 凹溝 １２ 短辺
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板に角形環状の凹溝を形成し、
凹溝の外側に枠体を形成し、凹溝の内側に長方台形部を
形成するための異方性エッチングにおいて、長方台形部
を形成するための長方形のマスクの各角から上記枠体を
形成するためのマスクに向って上記凹溝を形成するため
のマスク開放面の溝幅より短かく形成した短冊状の第１
補正マスクと、この第１補正マスクの両側に上記枠体を
形成するためのマスクから上記長方台形部を形成するた
めのマスクに向って上記溝幅より短かく形成した短冊状
の第２補正マスクとを設けて上記長方台形部の各角に喰
い込むアンダーエッチング量を抑えることを特徴とする
異方性エッチングにおけるアンダーエッチング補正方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の角形環状の凹溝の各辺は
半導体基板の［１１０］面と平行し、半導体基板の表面
と平行する面が［１００］面に選定したことを特徴とす
る異方性エッチングにおけるアンダーエッチング補正方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17878594A JPH0845896A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 異方性エッチングにおけるアンダーエッチング補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17878594A JPH0845896A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 異方性エッチングにおけるアンダーエッチング補正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845896A true JPH0845896A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16054600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17878594A Withdrawn JPH0845896A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 異方性エッチングにおけるアンダーエッチング補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845896A (ja) |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP17878594A patent/JPH0845896A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |