JPH0845909A - 試料台 - Google Patents
試料台Info
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- JPH0845909A JPH0845909A JP19487494A JP19487494A JPH0845909A JP H0845909 A JPH0845909 A JP H0845909A JP 19487494 A JP19487494 A JP 19487494A JP 19487494 A JP19487494 A JP 19487494A JP H0845909 A JPH0845909 A JP H0845909A
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- Japan
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- main body
- temperature control
- temperature
- divided
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料の面内温度分布を自在に制御することが
できる試料台を提供すること。 【構成】 複数の温度制御ブロック１１に分割した本体
１０を備えた試料台１であり、その本体１０の上面を上
記複数の温度制御ブロック１１の上面によって構成した
ものである。
できる試料台を提供すること。 【構成】 複数の温度制御ブロック１１に分割した本体
１０を備えた試料台１であり、その本体１０の上面を上
記複数の温度制御ブロック１１の上面によって構成した
ものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばドライエッチン
グ装置や化学的気相成長（ＣＶＤ）装置等の半導体製造
装置に設置される試料台に関するものである。
グ装置や化学的気相成長（ＣＶＤ）装置等の半導体製造
装置に設置される試料台に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造分野においては、ＬＳ
Ｉの高集積化に伴ってウエハ上に形成される素子が高度
に微細化している。一方、ドライエッチングやプラズマ
ＣＶＤ等の微細加工では、ウエハの温度がエッチング速
度や堆積速度を決める重要な因子になっている。このた
め、素子の微細化を進めていくうえで、ウエハを載置す
る試料台の温度制御が重要になっている。
Ｉの高集積化に伴ってウエハ上に形成される素子が高度
に微細化している。一方、ドライエッチングやプラズマ
ＣＶＤ等の微細加工では、ウエハの温度がエッチング速
度や堆積速度を決める重要な因子になっている。このた
め、素子の微細化を進めていくうえで、ウエハを載置す
る試料台の温度制御が重要になっている。
【０００３】図６は従来の試料台の一例を示したもので
あり、この試料台５は例えば本体５０とその上に設けら
れた試料保持部６０からなる。本体５０は中空部５１を
有しており、中空部５１内には冷媒または温媒からなる
温度調節用媒体が循環するようになっている。また本体
５０には高周波電源５２が接続され、この試料台５にお
いて本体５０は例えばプラズマを励起し制御するための
電極ともなっている。
あり、この試料台５は例えば本体５０とその上に設けら
れた試料保持部６０からなる。本体５０は中空部５１を
有しており、中空部５１内には冷媒または温媒からなる
温度調節用媒体が循環するようになっている。また本体
５０には高周波電源５２が接続され、この試料台５にお
いて本体５０は例えばプラズマを励起し制御するための
電極ともなっている。
【０００４】また試料保持部６０は例えば静電チャック
からなり、その上面に載置した試料としてのウエハＳを
静電吸着作用によって保持するように構成されている。
上記試料台５では、試料保持部６０にウエハＳを保持さ
せると、ウエハＳと中空部５１内を循環する温度調節用
媒体とが試料保持部６０を介して熱交換する。したがっ
て温度調節用媒体の温度を調節することによって、ウエ
ハＳの温度が制御される。
からなり、その上面に載置した試料としてのウエハＳを
静電吸着作用によって保持するように構成されている。
上記試料台５では、試料保持部６０にウエハＳを保持さ
せると、ウエハＳと中空部５１内を循環する温度調節用
媒体とが試料保持部６０を介して熱交換する。したがっ
て温度調節用媒体の温度を調節することによって、ウエ
ハＳの温度が制御される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のドラ
イエッチング装置やＣＶＤ装置では、試料台に載置した
ウエハ上で発生するプラズマ密度がウエハの周辺と中心
とで均一にならない。プラズマ密度が均一にならない
と、ウエハの周辺と中心とでエッチング速度や堆積速度
が異なる。このため、エッチング速度や堆積速度を決め
る要因であるウエハの温度を、ウエハの面内においても
制御する必要があった。
イエッチング装置やＣＶＤ装置では、試料台に載置した
ウエハ上で発生するプラズマ密度がウエハの周辺と中心
とで均一にならない。プラズマ密度が均一にならない
と、ウエハの周辺と中心とでエッチング速度や堆積速度
が異なる。このため、エッチング速度や堆積速度を決め
る要因であるウエハの温度を、ウエハの面内においても
制御する必要があった。
【０００６】ところが上記した従来の試料台は、所要の
温度の温度調節用媒体でウエハ全面の温度を制御する１
系統の温度制御システムであった。このため、ウエハの
周辺と中心との温度分布を調節することが難しかった。
したがってエッチング速度や堆積速度を均一にするため
に、反応室内に導入する混合ガスの流量比、反応室内に
おける圧力および電源の電力などを微妙に調整しなけれ
ばならなかった。本発明は上記課題を解決するためにな
されたものであり、試料の面内温度分布を自在に制御す
ることができる試料台を提供することを目的としてい
る。
温度の温度調節用媒体でウエハ全面の温度を制御する１
系統の温度制御システムであった。このため、ウエハの
周辺と中心との温度分布を調節することが難しかった。
したがってエッチング速度や堆積速度を均一にするため
に、反応室内に導入する混合ガスの流量比、反応室内に
おける圧力および電源の電力などを微妙に調整しなけれ
ばならなかった。本発明は上記課題を解決するためにな
されたものであり、試料の面内温度分布を自在に制御す
ることができる試料台を提供することを目的としてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、複数の温度制御ブロックに分割した本体を
備え、その本体の上面を上記複数の温度制御ブロックの
上面によって構成した試料台である。
に本発明は、複数の温度制御ブロックに分割した本体を
備え、その本体の上面を上記複数の温度制御ブロックの
上面によって構成した試料台である。
【０００８】また本発明は、上記本体を同心円状に分割
し、または上記本体をその中心から外方に向けて放射状
に分割する状態で上記複数の温度制御ブロックを形成し
た試料台である。または、上記本体を上記同心円状に分
割するとともに上記放射状に分割する状態で上記複数の
温度制御ブロックを形成した試料台である。
し、または上記本体をその中心から外方に向けて放射状
に分割する状態で上記複数の温度制御ブロックを形成し
た試料台である。または、上記本体を上記同心円状に分
割するとともに上記放射状に分割する状態で上記複数の
温度制御ブロックを形成した試料台である。
【０００９】さらに本発明は、上記複数の温度制御ブロ
ックがそれぞれ、温度調節用媒体を循環させるための中
空部を有している試料台である。また本発明は、上記複
数の温度制御ブロック内にそれぞれ、ヒータを設けた試
料台である。
ックがそれぞれ、温度調節用媒体を循環させるための中
空部を有している試料台である。また本発明は、上記複
数の温度制御ブロック内にそれぞれ、ヒータを設けた試
料台である。
【００１０】
【作用】本発明では、温度制御ブロック毎の温度調節が
可能になるため、本体の上面には所要の温度分布が発生
する。
可能になるため、本体の上面には所要の温度分布が発生
する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係る試料台の実施例を図面に
基づいて説明する。図１は本発明の第１実施例を示す斜
視図であり、図２は図１の断面図である。図示したよう
にこの試料台１は、複数の温度制御ブロック１１に分割
された円板状の本体１０を備えてなる。そして、複数の
温度制御ブロック１１の上面によって本体１の上面を構
成している。
基づいて説明する。図１は本発明の第１実施例を示す斜
視図であり、図２は図１の断面図である。図示したよう
にこの試料台１は、複数の温度制御ブロック１１に分割
された円板状の本体１０を備えてなる。そして、複数の
温度制御ブロック１１の上面によって本体１の上面を構
成している。
【００１２】上記温度制御ブロック１１は、本体１０を
同心円状に分割する状態で形成されている。例えばこの
実施例において本体１０は、本体１０の中心側に設けら
れた円板状の温度制御ブロック１１ａと、その外側に設
けられたリング状の温度制御ブロック１１ｂとからな
る。
同心円状に分割する状態で形成されている。例えばこの
実施例において本体１０は、本体１０の中心側に設けら
れた円板状の温度制御ブロック１１ａと、その外側に設
けられたリング状の温度制御ブロック１１ｂとからな
る。
【００１３】また温度制御ブロック１１ａ、１１ｂはそ
れぞれ、中空部１２を有している。各中空部１２には、
冷媒または温媒からなる温度調節用媒体の導入管１３と
排出管１４とがそれぞれ接続されている。そして各中空
部１２には、それぞれの導入管１３と排出管１４とを介
して、所要の温度の温度調節用媒体が循環するようにな
っている。ここで温度調節用媒体には、例えば水やエチ
レングリコールなどの液体や炭酸ガスや窒素ガスなどの
気体が用いられる。
れぞれ、中空部１２を有している。各中空部１２には、
冷媒または温媒からなる温度調節用媒体の導入管１３と
排出管１４とがそれぞれ接続されている。そして各中空
部１２には、それぞれの導入管１３と排出管１４とを介
して、所要の温度の温度調節用媒体が循環するようにな
っている。ここで温度調節用媒体には、例えば水やエチ
レングリコールなどの液体や炭酸ガスや窒素ガスなどの
気体が用いられる。
【００１４】なお本体１０上には、例えば機械的チャッ
クまたは静電チャック（いずれも図示せず）などが設け
られている。そして、本体１０上に載置する試料、例え
ばウエハＳは、上記チャックなどによって本体１０に密
着固定されるようになっている。
クまたは静電チャック（いずれも図示せず）などが設け
られている。そして、本体１０上に載置する試料、例え
ばウエハＳは、上記チャックなどによって本体１０に密
着固定されるようになっている。
【００１５】このように構成された試料台１では、温度
制御ブロック１１ａ、１１ｂにそれぞれ異なる温度の温
度調節用媒体を循環させることができる。このため、試
料台１の周辺と中心とを独立して温度調節できるので、
本体１０の上面に所望の温度分布を発生させることが可
能になる。
制御ブロック１１ａ、１１ｂにそれぞれ異なる温度の温
度調節用媒体を循環させることができる。このため、試
料台１の周辺と中心とを独立して温度調節できるので、
本体１０の上面に所望の温度分布を発生させることが可
能になる。
【００１６】したがって上記試料台１によれば、試料台
１に載置したウエハＳの面内温度分布を自在に制御でき
ることになる。そのため、この試料台１をエッチング装
置に用いた場合にはウエハＳの面内におけるエッチング
速度の調節が可能になるので、エッチングの面内均一性
を向上することができる。またこの試料台１をＣＶＤ装
置に用いた場合には、ウエハＳの面内における堆積速度
の調整が可能になるので、成膜の面内均一性を向上する
ことができる。
１に載置したウエハＳの面内温度分布を自在に制御でき
ることになる。そのため、この試料台１をエッチング装
置に用いた場合にはウエハＳの面内におけるエッチング
速度の調節が可能になるので、エッチングの面内均一性
を向上することができる。またこの試料台１をＣＶＤ装
置に用いた場合には、ウエハＳの面内における堆積速度
の調整が可能になるので、成膜の面内均一性を向上する
ことができる。
【００１７】なお第１実施例では、本体１０を２つの温
度制御ブロック１１ａ、１１ｂに分割した場合について
説明したが、本体１０をさらに３つ以上の温度制御ブロ
ック１１に分割することもできる。この場合には、ウエ
ハＳの面内温度分布をより細かく制御可能になるので、
エッチングや成膜の面内均一性の一層の向上を図ること
ができる。
度制御ブロック１１ａ、１１ｂに分割した場合について
説明したが、本体１０をさらに３つ以上の温度制御ブロ
ック１１に分割することもできる。この場合には、ウエ
ハＳの面内温度分布をより細かく制御可能になるので、
エッチングや成膜の面内均一性の一層の向上を図ること
ができる。
【００１８】次に、本発明の第２実施例を図３に示す平
断面図を用いて説明する。図示したようにこの実施例で
は、本体２０を分割する温度制御ブロック２１の分割状
態が第１実施例と相異している。すなわち、円板状をな
す本体２０を、その中心から外方に向けて放射状に分割
する状態で複数の温度制御ブロック２１が形成されてい
る。例えばこの実施例において本体２０は、平面視略扇
状でかつ略等しい大きさの３つの温度制御ブロック２１
からなる。
断面図を用いて説明する。図示したようにこの実施例で
は、本体２０を分割する温度制御ブロック２１の分割状
態が第１実施例と相異している。すなわち、円板状をな
す本体２０を、その中心から外方に向けて放射状に分割
する状態で複数の温度制御ブロック２１が形成されてい
る。例えばこの実施例において本体２０は、平面視略扇
状でかつ略等しい大きさの３つの温度制御ブロック２１
からなる。
【００１９】各温度制御ブロック２１はそれぞれ、中空
部２２を有している。また各中空部２２には、温度調節
用媒体の導入管と排出管（いずれも図示せず）がそれぞ
れ接続されており、各中空部２２に所要の温度の温度調
節用媒体が循環するようになっている。
部２２を有している。また各中空部２２には、温度調節
用媒体の導入管と排出管（いずれも図示せず）がそれぞ
れ接続されており、各中空部２２に所要の温度の温度調
節用媒体が循環するようになっている。
【００２０】このように構成された試料台２でも、温度
制御ブロック２１毎に独立して温度調節できるので、本
体２０の上面に所望の温度分布を発生させることができ
る。その結果、試料台２に載置したウエハＳの面内温度
分布を自在に制御できることになるため、ウエハＳ面内
におけるエッチング速度や堆積速度の調整が可能にな
る。したがって、ウエハＳ面内におけるエッチングや成
膜の均一性の向上を図ることができる。
制御ブロック２１毎に独立して温度調節できるので、本
体２０の上面に所望の温度分布を発生させることができ
る。その結果、試料台２に載置したウエハＳの面内温度
分布を自在に制御できることになるため、ウエハＳ面内
におけるエッチング速度や堆積速度の調整が可能にな
る。したがって、ウエハＳ面内におけるエッチングや成
膜の均一性の向上を図ることができる。
【００２１】なお、第２実施例では、本体２０を３つの
温度制御ブロック２１に分割した場合について説明した
が、本体２０をさらに４つ以上の温度制御ブロック２１
に分割すればウエハＳ面内の温度分布をより細かく制御
可能になる。そして、エッチングや成膜の面内均一性の
一層の向上を図ることができる。
温度制御ブロック２１に分割した場合について説明した
が、本体２０をさらに４つ以上の温度制御ブロック２１
に分割すればウエハＳ面内の温度分布をより細かく制御
可能になる。そして、エッチングや成膜の面内均一性の
一層の向上を図ることができる。
【００２２】次に、本発明の第３実施例を図４に示す平
断面図を用いて説明する。図示したようにこの実施例で
は、円板状をなす本体３０を、同心円状に分割しかつ本
体３０の中心から外方に向けて放射状に分割する状態で
複数の温度制御ブロック３１が形成されている。例えば
この実施例では本体３０は、第１実施例および第２実施
例を組み合わせた状態に分割されて、６つの温度制御ブ
ロック３１からなる。
断面図を用いて説明する。図示したようにこの実施例で
は、円板状をなす本体３０を、同心円状に分割しかつ本
体３０の中心から外方に向けて放射状に分割する状態で
複数の温度制御ブロック３１が形成されている。例えば
この実施例では本体３０は、第１実施例および第２実施
例を組み合わせた状態に分割されて、６つの温度制御ブ
ロック３１からなる。
【００２３】また第１および第２実施例と同様に、各温
度制御ブロック３１はそれぞれ中空部３２を有してい
る。さらに各中空部３２には、温度調節用媒体の導入管
と排出管（いずれも図示せず）がそれぞれ接続されてお
り、各中空部３２に所要の温度の温度調節用媒体が循環
するようになっている。
度制御ブロック３１はそれぞれ中空部３２を有してい
る。さらに各中空部３２には、温度調節用媒体の導入管
と排出管（いずれも図示せず）がそれぞれ接続されてお
り、各中空部３２に所要の温度の温度調節用媒体が循環
するようになっている。
【００２４】このように構成された試料台３では、第１
および第２実施例に比べて本体３０が温度制御ブロック
３１で細かく分割されている。このため、本体３０の上
面の温度を一層細かく制御でき、所望の温度分布を確実
に実現することができる。したがって、試料台３に載置
したウエハＳ面内においてエッチング速度や堆積速度を
より自在に調整できることになるので、エッチングや成
膜の面内均一性をさらに向上することができる。
および第２実施例に比べて本体３０が温度制御ブロック
３１で細かく分割されている。このため、本体３０の上
面の温度を一層細かく制御でき、所望の温度分布を確実
に実現することができる。したがって、試料台３に載置
したウエハＳ面内においてエッチング速度や堆積速度を
より自在に調整できることになるので、エッチングや成
膜の面内均一性をさらに向上することができる。
【００２５】なお第３実施例では、本体３０を６つの温
度制御ブロック３１に分割した場合について説明した
が、本体３０をさらに細かく分割することも可能であ
る。この場合には、ウエハＳの面内温度分布をより細か
く制御することができるのは言うまでもない。
度制御ブロック３１に分割した場合について説明した
が、本体３０をさらに細かく分割することも可能であ
る。この場合には、ウエハＳの面内温度分布をより細か
く制御することができるのは言うまでもない。
【００２６】次に本発明の第４実施例を図５に示す平断
面図を用いて説明する。図示したようにこの実施例で
も、本体４０が複数の温度制御ブロック４１からなる。
図４では本体４０が、例えば第２実施例と同様に３つの
温度制御ブロック４１からなる場合を示している。そし
て、３つの温度制御ブロック４１の上面によって本体４
０の上面が構成されている。
面図を用いて説明する。図示したようにこの実施例で
も、本体４０が複数の温度制御ブロック４１からなる。
図４では本体４０が、例えば第２実施例と同様に３つの
温度制御ブロック４１からなる場合を示している。そし
て、３つの温度制御ブロック４１の上面によって本体４
０の上面が構成されている。
【００２７】一方、各温度制御ブロック４１内には、そ
れぞれヒータ４２が設けられている。ヒータ４２は、例
えばコイルやニクロム線などの抵抗加熱体からなる。そ
して、それぞれのヒータ４２によって各温度制御ブロッ
ク４１の温度を独立して調節可能になっている。
れぞれヒータ４２が設けられている。ヒータ４２は、例
えばコイルやニクロム線などの抵抗加熱体からなる。そ
して、それぞれのヒータ４２によって各温度制御ブロッ
ク４１の温度を独立して調節可能になっている。
【００２８】このように構成された試料台においても、
試料台の所定の箇所を独立して温度調節できるので、本
体４０の上面に所望の温度分布を発生させることが可能
になる。その結果、試料台に載置したウエハＳの面内温
度分布が自在に制御可能になるため、エッチングや成膜
の面内均一性の向上を図ることができる。
試料台の所定の箇所を独立して温度調節できるので、本
体４０の上面に所望の温度分布を発生させることが可能
になる。その結果、試料台に載置したウエハＳの面内温
度分布が自在に制御可能になるため、エッチングや成膜
の面内均一性の向上を図ることができる。
【００２９】なおこの実施例では、本体４０を放射状に
分割した温度制御ブロック４１にヒータ４２を設けた場
合について説明したが、同心円状または同心円状と放射
状とを組み合わせた状態に分割した温度制御ブロックに
ヒータを設けることも可能である。その場合にも、第４
実施例と同様の効果を得ることができる。また第１〜第
４実施例で説明した試料台は、エッチング装置やＣＶＤ
装置の他にも、ウエハＳの温度調節が必要なプロセス装
置の試料台として有効であるのは言うまでにない。
分割した温度制御ブロック４１にヒータ４２を設けた場
合について説明したが、同心円状または同心円状と放射
状とを組み合わせた状態に分割した温度制御ブロックに
ヒータを設けることも可能である。その場合にも、第４
実施例と同様の効果を得ることができる。また第１〜第
４実施例で説明した試料台は、エッチング装置やＣＶＤ
装置の他にも、ウエハＳの温度調節が必要なプロセス装
置の試料台として有効であるのは言うまでにない。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の試料台で
は、本体を構成する温度制御ブロック毎の温度調節が可
能であり、本体の上面に所要の温度分布を発生させるこ
とができる。そのためこの試料台を用いれば、試料台に
載置した試料の面内温度分布を自在に制御できることに
なるので、試料面内におけるエッチング速度や堆積速度
などの調整を行うことが可能になる。そして、エッチン
グや成膜などの面内均一性の向上を図ることができる。
したがって、本発明によれば微細な素子を高精度に形成
することが可能になるので、半導体装置の高集積化を進
めるうえで非常に有効なものになる。
は、本体を構成する温度制御ブロック毎の温度調節が可
能であり、本体の上面に所要の温度分布を発生させるこ
とができる。そのためこの試料台を用いれば、試料台に
載置した試料の面内温度分布を自在に制御できることに
なるので、試料面内におけるエッチング速度や堆積速度
などの調整を行うことが可能になる。そして、エッチン
グや成膜などの面内均一性の向上を図ることができる。
したがって、本発明によれば微細な素子を高精度に形成
することが可能になるので、半導体装置の高集積化を進
めるうえで非常に有効なものになる。
【図１】本発明の第１実施例を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す平断面図である。
【図４】本発明の第３実施例を示す平断面図である。
【図５】本発明の第４実施例を示す平断面図である。
【図６】従来の試料台の一例を示した断面図である。
１、２、３、４ 試料台 １０、２０、３０、４０ 本体 １１、１１ａ、１１ｂ、２１、３１、４１ 温度制御ブ
ロック １２、２２、３２ 中空部 ４２ ヒータ Ｓ ウエハ（試料）
ロック １２、２２、３２ 中空部 ４２ ヒータ Ｓ ウエハ（試料）
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の温度制御ブロックに分割した本体
を備え、 前記本体の上面を、前記複数の温度制御ブロックの上面
によって構成したことを特徴とする試料台。 - 【請求項２】 請求項１記載の試料台において、 前記本体を同心円状に分割し、または前記本体をその中
心から外方に向けて放射状に分割し、または前記本体を
前記同心円状に分割するとともに前記放射状に分割する
状態で前記複数の温度制御ブロックを形成したことを特
徴とする試料台。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の試料台に
おいて、 前記複数の温度制御ブロックはそれぞれ、温度調節用媒
体を循環させるための中空部を有していることを特徴と
する試料台。 - 【請求項４】 請求項１または請求項２記載の試料台に
おいて、 前記複数の温度制御ブロック内にそれぞれ、ヒータを設
けたことを特徴とする試料台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19487494A JPH0845909A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 試料台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19487494A JPH0845909A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 試料台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845909A true JPH0845909A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16331752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19487494A Pending JPH0845909A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 試料台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845909A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100337108B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2002-05-16 | 정기로 | 웨이퍼 냉각 장치 |
| JP2003526940A (ja) * | 2000-03-17 | 2003-09-09 | マットソン サーマル プロダクツ インコーポレイテッド | 基板の局部加熱および局部冷却 |
| KR100437284B1 (ko) * | 2001-09-18 | 2004-06-25 | 주성엔지니어링(주) | 정전척 |
| JP2004259829A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| US6838833B2 (en) | 2002-02-27 | 2005-01-04 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2006519497A (ja) * | 2003-02-27 | 2006-08-24 | ラム リサーチ コーポレーション | 局所的なウェーハの温度調節によるウェーハ全体における微細寸法のばらつき補正 |
| JP2006283173A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR100798813B1 (ko) * | 2006-07-25 | 2008-01-28 | 삼성전자주식회사 | 정전척 어셈블리 및 정전척 온도 제어방법 |
| JP2010067588A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Advanced Display Process Engineering Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| WO2015060185A1 (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置 |
| JP2015102437A (ja) * | 2013-11-26 | 2015-06-04 | 日本電信電話株式会社 | 促進耐候性試験装置および方法 |
| US20150377571A1 (en) * | 2014-06-27 | 2015-12-31 | Tokyo Electron Limited | System including temperature-controllable stage, semiconductor manufacturing equipment and stage temperature control method |
| WO2016076201A1 (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ及び基板処理装置 |
| WO2025187424A1 (ja) * | 2024-03-04 | 2025-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP19487494A patent/JPH0845909A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100337108B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2002-05-16 | 정기로 | 웨이퍼 냉각 장치 |
| JP2003526940A (ja) * | 2000-03-17 | 2003-09-09 | マットソン サーマル プロダクツ インコーポレイテッド | 基板の局部加熱および局部冷却 |
| KR100437284B1 (ko) * | 2001-09-18 | 2004-06-25 | 주성엔지니어링(주) | 정전척 |
| US6838833B2 (en) | 2002-02-27 | 2005-01-04 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2004259829A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2013077859A (ja) * | 2003-02-27 | 2013-04-25 | Lam Research Corporation | エッチング・システム及びエッチング方法 |
| JP2006519497A (ja) * | 2003-02-27 | 2006-08-24 | ラム リサーチ コーポレーション | 局所的なウェーハの温度調節によるウェーハ全体における微細寸法のばらつき補正 |
| US8124168B2 (en) | 2005-04-04 | 2012-02-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP2006283173A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR100798813B1 (ko) * | 2006-07-25 | 2008-01-28 | 삼성전자주식회사 | 정전척 어셈블리 및 정전척 온도 제어방법 |
| JP2010067588A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Advanced Display Process Engineering Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| TWI635563B (zh) * | 2013-10-25 | 2018-09-11 | Tokyo Electron Limited | 溫度控制機構、溫度控制方法及基板處理裝置 |
| WO2015060185A1 (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置 |
| JP2015084350A (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御機構、温度制御方法及び基板処理装置 |
| US10199246B2 (en) | 2013-10-25 | 2019-02-05 | Tokyo Electron Limited | Temperature control mechanism, temperature control method and substrate processing apparatus |
| JP2015102437A (ja) * | 2013-11-26 | 2015-06-04 | 日本電信電話株式会社 | 促進耐候性試験装置および方法 |
| US20150377571A1 (en) * | 2014-06-27 | 2015-12-31 | Tokyo Electron Limited | System including temperature-controllable stage, semiconductor manufacturing equipment and stage temperature control method |
| TWI628408B (zh) * | 2014-06-27 | 2018-07-01 | Tokyo Electron Limited | 包含可控制溫度之載台之系統、半導體製造裝置及載台之溫度控制方法 |
| JP2016012593A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御可能なステージを含むシステム、半導体製造装置及びステージの温度制御方法 |
| US10502508B2 (en) | 2014-06-27 | 2019-12-10 | Tokyo Electron Limited | System including temperature-controllable stage, semiconductor manufacturing equipment and stage temperature control method |
| JPWO2016076201A1 (ja) * | 2014-11-12 | 2017-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ及び基板処理装置 |
| WO2016076201A1 (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ及び基板処理装置 |
| WO2025187424A1 (ja) * | 2024-03-04 | 2025-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
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