JPH0846285A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH0846285A JPH0846285A JP17690194A JP17690194A JPH0846285A JP H0846285 A JPH0846285 A JP H0846285A JP 17690194 A JP17690194 A JP 17690194A JP 17690194 A JP17690194 A JP 17690194A JP H0846285 A JPH0846285 A JP H0846285A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ストライプ幅が１００μｍ以上の大出力型の
半導体レーザ素子において、端面コートのない状態より
高光出力を得る。 【構成】 活性層４における発光領域のストライプ幅が
１００μｍ以上で、光の出射方向に対する前端面および
後端面に、単層または多層の光学薄膜が設けられてたも
のであって、前端面の反射率を５％〜２５％、後端面の
反射率を９０〜１００％とした。
半導体レーザ素子において、端面コートのない状態より
高光出力を得る。 【構成】 活性層４における発光領域のストライプ幅が
１００μｍ以上で、光の出射方向に対する前端面および
後端面に、単層または多層の光学薄膜が設けられてたも
のであって、前端面の反射率を５％〜２５％、後端面の
反射率を９０〜１００％とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大出力型の半導体レー
ザ素子に係り、特に、ロボットの目やレーザレーダシス
テム等を構成する測距用の半導体レーザとして用いられ
る。
ザ素子に係り、特に、ロボットの目やレーザレーダシス
テム等を構成する測距用の半導体レーザとして用いられ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、連続駆動（駆動電流は数十ｍＡ程
度）で光出力が数十ｍＷクラスといった小出力半導体レ
ーザがＣＤ等に用いられている。このものにおいては、
発光領域のストライプ幅が数μｍから２０μｍ程度であ
り、発光端面には端面の保護と光出力の効率を向上させ
るためＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の光学薄膜が設けられて
いる。この光学薄膜は、出射面（前端面）に低反射の光
学薄膜を設け、他方の端面（後端面）に高反射の光学薄
膜を設けている。
度）で光出力が数十ｍＷクラスといった小出力半導体レ
ーザがＣＤ等に用いられている。このものにおいては、
発光領域のストライプ幅が数μｍから２０μｍ程度であ
り、発光端面には端面の保護と光出力の効率を向上させ
るためＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の光学薄膜が設けられて
いる。この光学薄膜は、出射面（前端面）に低反射の光
学薄膜を設け、他方の端面（後端面）に高反射の光学薄
膜を設けている。
【０００３】ここで、後端面の反射率は６０から９０％
であり、前端面の反射率は、低いほど効率がよいが作製
の安定性などから２〜３％程度としている。
であり、前端面の反射率は、低いほど効率がよいが作製
の安定性などから２〜３％程度としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これに対し、ストライ
プ幅が１００μｍより広く、主にパルス駆動を行う大出
力半導体レーザにおいて、前端面の反射率を小出力半導
体レーザのような低い反射率にすると、十分に光の利用
効率が得られず有効に光を利用できないとう問題がある
ことが判明した。すなわち、そのような低い反射率で
は、レーザ発振が起き難くなり、光学薄膜（端面コー
ト）がない状態よりも光強度が弱くなるという問題があ
る。
プ幅が１００μｍより広く、主にパルス駆動を行う大出
力半導体レーザにおいて、前端面の反射率を小出力半導
体レーザのような低い反射率にすると、十分に光の利用
効率が得られず有効に光を利用できないとう問題がある
ことが判明した。すなわち、そのような低い反射率で
は、レーザ発振が起き難くなり、光学薄膜（端面コー
ト）がない状態よりも光強度が弱くなるという問題があ
る。
【０００５】なお、数十Ｗクラスの大出力半導体レーザ
では、大出力を得るためストライプ幅が１００μｍ以上
必要であるのに対し、小出力半導体レーザでは、上記し
たように数μｍから２０μｍ程度である。従って、スト
ライプ幅が１００μｍ以上とすることで大出力半導体レ
ーザが定義される。本発明は上記問題に鑑みたもので、
ストライプ幅が１００μｍ以上の大出力型の半導体レー
ザ素子において、端面コートのない状態より高光出力を
得ることを目的とする。
では、大出力を得るためストライプ幅が１００μｍ以上
必要であるのに対し、小出力半導体レーザでは、上記し
たように数μｍから２０μｍ程度である。従って、スト
ライプ幅が１００μｍ以上とすることで大出力半導体レ
ーザが定義される。本発明は上記問題に鑑みたもので、
ストライプ幅が１００μｍ以上の大出力型の半導体レー
ザ素子において、端面コートのない状態より高光出力を
得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、請求項１に記載の発明においては、発光領域
のストライプ幅が１００μｍ以上で、光の出射方向に対
する前端面および後端面に、単層または多層の光学薄膜
が設けられている半導体レーザ素子であって、前記前端
面の反射率を５％以上にしたことを特徴としている。
するため、請求項１に記載の発明においては、発光領域
のストライプ幅が１００μｍ以上で、光の出射方向に対
する前端面および後端面に、単層または多層の光学薄膜
が設けられている半導体レーザ素子であって、前記前端
面の反射率を５％以上にしたことを特徴としている。
【０００７】請求項２に記載の発明においては、前記前
端面の反射率を５〜２５％、後端面の反射率を９０〜１
００％としたことを特徴としている。
端面の反射率を５〜２５％、後端面の反射率を９０〜１
００％としたことを特徴としている。
【０００８】
【発明の作用効果】請求項１に記載の発明によれば、発
光領域のストライプ幅が１００μｍ以上の大出力半導体
レーザにおいて、光の出射方向に対する前端面の反射率
を５％以上にしているから、レーザ発振を良好にすると
ともに、図３に示すように、端面コートがない場合に比
べ光出力を大きくすることができる。
光領域のストライプ幅が１００μｍ以上の大出力半導体
レーザにおいて、光の出射方向に対する前端面の反射率
を５％以上にしているから、レーザ発振を良好にすると
ともに、図３に示すように、端面コートがない場合に比
べ光出力を大きくすることができる。
【０００９】特に、請求項２に記載のように、前端面の
反射率を５〜２５％、後端面の反射率を９０〜１００％
とすることにより、良好な光出力を得る半導体レーザ素
子を構成することができる。
反射率を５〜２５％、後端面の反射率を９０〜１００％
とすることにより、良好な光出力を得る半導体レーザ素
子を構成することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図に示す実施例について説明
する。図１は、本発明の一実施例を示す半導体レーザ素
子の斜視図である。図１において、ｎ−ＧａＡｓ基板１
上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓク
ラッド層３、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸構造
からなる活性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ｐ
−ＧａＡｓ層６が順に積層されており、活性層４〜ｐ−
ＧａＡｓ層６はメサ状に形成されている。また、ｎ−Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層３及びメサ部の上面に、絶縁膜７
が窓部を有して形成され、この絶縁膜７上にｐ型電極
（上部電極）８が形成されている。このｐ型電極として
は、Ａｕ−Ｚｎ／Ａｕ，Ｃｒ／Ａｕ，Ｍｏ／Ａｕ，Ｔｉ
／Ｐｔ／Ａｕなどを用いることができる。また、絶縁膜
７の窓部に形成されたｐ型電極８はｐ−ＧａＡｓ層６と
オーミックコンタクトが取られている。
する。図１は、本発明の一実施例を示す半導体レーザ素
子の斜視図である。図１において、ｎ−ＧａＡｓ基板１
上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓク
ラッド層３、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸構造
からなる活性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ｐ
−ＧａＡｓ層６が順に積層されており、活性層４〜ｐ−
ＧａＡｓ層６はメサ状に形成されている。また、ｎ−Ａ
ｌＧａＡｓクラッド層３及びメサ部の上面に、絶縁膜７
が窓部を有して形成され、この絶縁膜７上にｐ型電極
（上部電極）８が形成されている。このｐ型電極として
は、Ａｕ−Ｚｎ／Ａｕ，Ｃｒ／Ａｕ，Ｍｏ／Ａｕ，Ｔｉ
／Ｐｔ／Ａｕなどを用いることができる。また、絶縁膜
７の窓部に形成されたｐ型電極８はｐ−ＧａＡｓ層６と
オーミックコンタクトが取られている。
【００１１】ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面にはＡｕＧｅ／
Ｎｉ／Ａｕからなるｎ型電極（下部電極）９が形成され
ており、ｎ型電極９の表面にははんだ層１０が形成され
ている。はんだ層１０は、半導体レーザ素子とヒートシ
ンク等の台座とを接合するための接合剤である。次に、
半導体レーザの製造方法を説明する。
Ｎｉ／Ａｕからなるｎ型電極（下部電極）９が形成され
ており、ｎ型電極９の表面にははんだ層１０が形成され
ている。はんだ層１０は、半導体レーザ素子とヒートシ
ンク等の台座とを接合するための接合剤である。次に、
半導体レーザの製造方法を説明する。
【００１２】まず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ｇａ
Ａｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３、活
性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ｐ−ＧａＡｓ
層６をＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Dep
osition ）法により順次積層する。その後、エッチング
によりメサ部を形成する。次にｎ−ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層３及びメサ部の上面にＳｉＯ2 からなる絶縁膜７を
プラズマＣＶＤ法により成膜し、エッチングにより窓開
けして窓部を形成する。その後、絶縁膜７上に、Ｃｒ／
Ａｕからなるｐ型電極８を電子ビーム蒸着法により形成
し、約３６０℃において熱処理を行い、オーミックコン
タクトを取る。
Ａｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３、活
性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ｐ−ＧａＡｓ
層６をＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Dep
osition ）法により順次積層する。その後、エッチング
によりメサ部を形成する。次にｎ−ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層３及びメサ部の上面にＳｉＯ2 からなる絶縁膜７を
プラズマＣＶＤ法により成膜し、エッチングにより窓開
けして窓部を形成する。その後、絶縁膜７上に、Ｃｒ／
Ａｕからなるｐ型電極８を電子ビーム蒸着法により形成
し、約３６０℃において熱処理を行い、オーミックコン
タクトを取る。
【００１３】次に、チップ化の際のへき開を容易にする
ために、ｎ−ＧａＡｓ基板１側を研磨しウエハー厚を１
００μｍ程度にする。この厚さはキャビテイ長（共振器
長）の約１／３以下でよく、キャビテイ長は３００μｍ
〜１ｍｍ程度であるが、薄い方が放熱性がよいので加工
性からも５０μｍ〜２００μｍが望ましい。但し、へき
開面を使用せずドライエッチにより反射面を作製する場
合には、この限りではない。
ために、ｎ−ＧａＡｓ基板１側を研磨しウエハー厚を１
００μｍ程度にする。この厚さはキャビテイ長（共振器
長）の約１／３以下でよく、キャビテイ長は３００μｍ
〜１ｍｍ程度であるが、薄い方が放熱性がよいので加工
性からも５０μｍ〜２００μｍが望ましい。但し、へき
開面を使用せずドライエッチにより反射面を作製する場
合には、この限りではない。
【００１４】次に、ｎ−ＧａＡｓ基板１の裏面にＡｕＧ
ｅ／Ｎｉ／ＡｕまたはＡｕ−Ｓｎ／Ａｕからなるｎ型電
極９を電子ビーム蒸着法、スパッタ法により形成し、熱
処理を行いオーミックコンタクトを取る。その後、はん
だ層１０を電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着、スパッタ
法等により形成する。はんだ層１０の材料としてはＡｕ
−Ｓｎ，Ａｕ−Ｓｉ，Ｉｎ，Ｉｎ−Ｐｂ，Ｐｂ−Ｓｎ、
Ａｕ−Ｐｂ，Ａｕ−Ｇｅ等を用いることができる。
ｅ／Ｎｉ／ＡｕまたはＡｕ−Ｓｎ／Ａｕからなるｎ型電
極９を電子ビーム蒸着法、スパッタ法により形成し、熱
処理を行いオーミックコンタクトを取る。その後、はん
だ層１０を電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着、スパッタ
法等により形成する。はんだ層１０の材料としてはＡｕ
−Ｓｎ，Ａｕ−Ｓｉ，Ｉｎ，Ｉｎ−Ｐｂ，Ｐｂ−Ｓｎ、
Ａｕ−Ｐｂ，Ａｕ−Ｇｅ等を用いることができる。
【００１５】この後、端面を形成し、半導体レーザチッ
プとする。このとき、レーザ光の出力面は鏡面でないと
レーザ発振が起こらないのでへき開面とするか、ドライ
エッチングにより発光端面を作製する。発光端面には端
面の保護と光出力の効率を向上させるため、前端面に低
反射膜（前面コート）、他の一方の後端面に高反射膜
（裏面コート）を設ける。
プとする。このとき、レーザ光の出力面は鏡面でないと
レーザ発振が起こらないのでへき開面とするか、ドライ
エッチングにより発光端面を作製する。発光端面には端
面の保護と光出力の効率を向上させるため、前端面に低
反射膜（前面コート）、他の一方の後端面に高反射膜
（裏面コート）を設ける。
【００１６】このようにして作製した半導体レーザチッ
プをヒートシンク、他の半導体基板や回路基板といった
台座に接合し実装（ダイボンド）する。ダイボンドを行
った後、半導体レーザ素子の電気的コンタクトをとるた
めに上部電極８と駆動回路配線とをＡｕ，Ｐｔ等のワイ
ヤーでボンデイングする。最後に、必要に応じてカン封
入を行い半導体レーザの完成品とする。
プをヒートシンク、他の半導体基板や回路基板といった
台座に接合し実装（ダイボンド）する。ダイボンドを行
った後、半導体レーザ素子の電気的コンタクトをとるた
めに上部電極８と駆動回路配線とをＡｕ，Ｐｔ等のワイ
ヤーでボンデイングする。最後に、必要に応じてカン封
入を行い半導体レーザの完成品とする。
【００１７】図２に、端面コートを形成した状態の模式
図を示す。端面の反射率を非対象とすることで反射率の
低い方から効率よく光を取り出すことができる。反射膜
は単層膜、多層膜どちらの構成でもよいが、低反射膜は
Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ０2 ，ＳｉＮx ，ＳｉＣ，Ｃ，ＭｇＯ
等の単層膜、高反射膜はＡｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ０2 ，ＳｉＮ
x ，Ｃ，ＭｇＯ等とａ−Ｓｉ、Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 等
の屈折率差のある多層膜が望ましい。
図を示す。端面の反射率を非対象とすることで反射率の
低い方から効率よく光を取り出すことができる。反射膜
は単層膜、多層膜どちらの構成でもよいが、低反射膜は
Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ０2 ，ＳｉＮx ，ＳｉＣ，Ｃ，ＭｇＯ
等の単層膜、高反射膜はＡｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ０2 ，ＳｉＮ
x ，Ｃ，ＭｇＯ等とａ−Ｓｉ、Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 等
の屈折率差のある多層膜が望ましい。
【００１８】このような端面コートとして、例えば、前
端面をＡｌ2 Ｏ3 の単層膜８６０Åとし発振波長８５０
μｍでの反射率１２％、後端面をＡｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉ
／Ａｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉ４層膜としそれぞれの膜厚１４
００Å／６５０Å／１４００Å／６５０Åとして反射率
を９０％とした構成とすることができる。また、前端面
をＳｉＯ2 の単層膜１６００Åとし発振波長８５０μｍ
での反射率１０％、高反射膜はＡｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉ／
Ａｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉの６層膜
としそれぞれの膜厚１４００Å／６５０Å／１４００Å
／６５０Åとし反射率を９６％とした構成とすることが
できる。
端面をＡｌ2 Ｏ3 の単層膜８６０Åとし発振波長８５０
μｍでの反射率１２％、後端面をＡｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉ
／Ａｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉ４層膜としそれぞれの膜厚１４
００Å／６５０Å／１４００Å／６５０Åとして反射率
を９０％とした構成とすることができる。また、前端面
をＳｉＯ2 の単層膜１６００Åとし発振波長８５０μｍ
での反射率１０％、高反射膜はＡｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉ／
Ａｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 ／ａ−Ｓｉの６層膜
としそれぞれの膜厚１４００Å／６５０Å／１４００Å
／６５０Åとし反射率を９６％とした構成とすることが
できる。
【００１９】図３に、大出力半導体レーザでの前端面の
反射率と光出力の関係を示す。実線は後端面の反射率を
８５％一定とした場合の特性である。これからわかるよ
うに、反射率が５％より低い場合、端面コートがない場
合よりも光出力が低くなっている。さらに反射率を低く
すると急激に光出力が弱くなりレーザ発振が起き難くな
る。反射率が５〜２５％の範囲で端面コートのない場合
に比べて光出力が増しており、特に７〜２０％の範囲で
は２０％以上の光出力の増加が得られ強度が安定してい
る。
反射率と光出力の関係を示す。実線は後端面の反射率を
８５％一定とした場合の特性である。これからわかるよ
うに、反射率が５％より低い場合、端面コートがない場
合よりも光出力が低くなっている。さらに反射率を低く
すると急激に光出力が弱くなりレーザ発振が起き難くな
る。反射率が５〜２５％の範囲で端面コートのない場合
に比べて光出力が増しており、特に７〜２０％の範囲で
は２０％以上の光出力の増加が得られ強度が安定してい
る。
【００２０】また、図中の点線は、後端面の反射率を９
５％一定とした場合の特性である。このように後端面の
反射率を変化させても、光出力は上下方向に変化するだ
けである。図４に、後端面の反射率と光出力との関係を
示す。この時、前端面はコート膜を設けず反射率３２％
一定とした。図からわかるように反射率が高くなるに従
って光出力が増加し、８０％以上で１．５倍以上の光強
度が得られる。従って、後端面の反射率は１．５倍以上
の光強度が得られる８０％以上が望ましい。
５％一定とした場合の特性である。このように後端面の
反射率を変化させても、光出力は上下方向に変化するだ
けである。図４に、後端面の反射率と光出力との関係を
示す。この時、前端面はコート膜を設けず反射率３２％
一定とした。図からわかるように反射率が高くなるに従
って光出力が増加し、８０％以上で１．５倍以上の光強
度が得られる。従って、後端面の反射率は１．５倍以上
の光強度が得られる８０％以上が望ましい。
【００２１】従来のＣＤ等で使用される連続発振半導体
レーザでは後端面からの光出力をモニターし駆動電流を
制御するために反射率を９０％程度までしか高くするこ
とができなかった。これ以上高くすると光をモニターで
きないためである。これに対し、大出力半導体レーザに
おいては光出力をモニターすることがほとんどないため
９０％以上の反射率でもよく、図４からわかるように反
射率が高いほど光出力が高く素子として望ましい。
レーザでは後端面からの光出力をモニターし駆動電流を
制御するために反射率を９０％程度までしか高くするこ
とができなかった。これ以上高くすると光をモニターで
きないためである。これに対し、大出力半導体レーザに
おいては光出力をモニターすることがほとんどないため
９０％以上の反射率でもよく、図４からわかるように反
射率が高いほど光出力が高く素子として望ましい。
【００２２】従って、端面での反射率は低反射膜側では
５〜２５％望ましくは７〜２０％、高反射膜では８０〜
１００％望ましくは９０〜１００％である。図５にＡｌ
2 Ｏ3 の膜厚と反射率の関係を示す。反射率は膜厚λ／
４ｎ毎に極小値と極大値を持つ（λ：光の波長。ｎ：膜
の屈折率）。生産性を考えて膜厚はなるべく薄い方がよ
く、始めのλ／４ｎの極小値前後の膜厚が望ましい。高
反射膜は屈折率の差が大きい多層膜が望ましく、その膜
厚はそれぞれλ／４ｎが望ましい。高反射膜には金属等
の単体で高反射を得られる物を用いることができるがｐ
側とｎ側がショートしないように金属膜を成膜する前に
透明な絶縁膜を設ける必要がある。
５〜２５％望ましくは７〜２０％、高反射膜では８０〜
１００％望ましくは９０〜１００％である。図５にＡｌ
2 Ｏ3 の膜厚と反射率の関係を示す。反射率は膜厚λ／
４ｎ毎に極小値と極大値を持つ（λ：光の波長。ｎ：膜
の屈折率）。生産性を考えて膜厚はなるべく薄い方がよ
く、始めのλ／４ｎの極小値前後の膜厚が望ましい。高
反射膜は屈折率の差が大きい多層膜が望ましく、その膜
厚はそれぞれλ／４ｎが望ましい。高反射膜には金属等
の単体で高反射を得られる物を用いることができるがｐ
側とｎ側がショートしないように金属膜を成膜する前に
透明な絶縁膜を設ける必要がある。
【００２３】なお、上記実施例では、ＡｌＧａＡｓ系材
料を用いて半導体レーザを構成するものを示したが、Ｇ
ａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ−ＩｎＰ系、
ＩｎＧａＰ−ＩｎＧａＡｌＰ系等の材料にて構成しても
よい。また、活性層５の構造も量子井戸構造以外のダブ
ルへテロ構造を用いてもよい。また、基板上にクラッド
層、光ガイド層、活性層等を形成する際に用いるエピタ
キシャル成長方法としては、液層エピタキシャル、分子
線エピタキシ（ＭＢＥ：molecular beam epitaxy）、有
機金属気相エピタキシ（ＭＯＣＶＤ：metal organic ch
emical vapaor deposition）等を用いることができる。
料を用いて半導体レーザを構成するものを示したが、Ｇ
ａＡｓ−ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ−ＩｎＰ系、
ＩｎＧａＰ−ＩｎＧａＡｌＰ系等の材料にて構成しても
よい。また、活性層５の構造も量子井戸構造以外のダブ
ルへテロ構造を用いてもよい。また、基板上にクラッド
層、光ガイド層、活性層等を形成する際に用いるエピタ
キシャル成長方法としては、液層エピタキシャル、分子
線エピタキシ（ＭＢＥ：molecular beam epitaxy）、有
機金属気相エピタキシ（ＭＯＣＶＤ：metal organic ch
emical vapaor deposition）等を用いることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体レーザ素子の斜
視図である。
視図である。
【図２】端面コートを形成した状態の模式図である。
【図３】前端面の反射率と光出力の関係を示す特性図で
ある。
ある。
【図４】後端面の反射率と光出力と関係を示す特性図で
ある。
ある。
【図５】Ａｌ2 Ｏ3 の膜厚と反射率の関係を示す特性で
ある。
ある。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ４ 活性層 ５ ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ６ ｐ−ＧａＡｓ層 ７ 絶縁膜 ８ ｐ型電極 ９ ｎ型電極 １０ はんだ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松下 規由起 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 発光領域のストライプ幅が１００μｍ以
上で、光の出射方向に対する前端面および後端面に、単
層または多層の光学薄膜が設けられている半導体レーザ
素子であって、 前記前端面の反射率を５％以上にしたことを特徴とする
半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 前記前端面の反射率を５〜２５％、後端
面の反射率を９０〜１００％としたことを特徴とする請
求項１に記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17690194A JPH0846285A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17690194A JPH0846285A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846285A true JPH0846285A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16021741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17690194A Pending JPH0846285A (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846285A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016455A1 (en) * | 1998-09-10 | 2000-03-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor luminous element and semiconductor laser |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP17690194A patent/JPH0846285A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016455A1 (en) * | 1998-09-10 | 2000-03-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor luminous element and semiconductor laser |
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