JPH08502468A

JPH08502468A - 改良された熱応力特性を有する低温ガラスおよびその使用方法

Info

Publication number: JPH08502468A
Application number: JP6510323A
Authority: JP
Inventors: ディーツ，レイモンド・エル; ペック，デイビッド・エム
Original assignee: ディーマット・インコーポレイテッド
Priority date: 1992-10-19
Filing date: 1993-10-18
Publication date: 1996-03-19
Also published as: US5334558A; WO1994008911A1; US5543366A

Abstract

(57)【要約】独自の結晶化および結晶再溶融特性を有するガラス組成およびその使用方法が開示される。ガラス組成は、酸化物ベースの重量比で約４０−６５％Ａｇ₂Ｏと、約１５−３５％Ｖ₂Ｏ₅と、約０−３０％ＰｂＯ₂と、約２−２０％ＴｅＯ₂とから本質的になる。本発明はまた、上述の新規のガラス組成を利用する独自の、本質的に樹脂を含まない有機系を企図する。

Description

【発明の詳細な説明】改良された熱応力特性を有する低温ガラスおよびその使用方法技術分野この発明は低温ガラスの新規の設計およびその形成方法に関する。低温ガラスとはすなわち、結晶の再溶融温度が低い、低温で結晶化するガラスであり、特に電子産業で一般に使用されるセラミック基板にガラスが低温で接合することを可能にする。処理後の結晶化されたガラスの最終的な形はまた、ガラス質の（vitr eous）ガラスに対し、特に半導体デバイスをセラミック基板に接合するアプリケーションにおいておよび低温封止ガラスのアプリケーションにおいて重要な利点を有する。発明の背景この出願と出願人を同一にする米国特許番号第４，９３３，０３０号に関連し、Ａｇ／ガラスダイ接着産業において使用される既存のガラス組成の制限の多くを克服する低温ガラスが開発された。′０３０号の特許の教示は、引用により援用される。“Ａｇ／ガラス”とはガラスにＡｇ粉末および適切な有機物質を添加し、“ペースト”を作ることを指し、集積回路デバイスの下に与えられ、正しく処理されるときには、結果としての組立体に必要とされる電気的、機械的、および熱の特性を生出すだろう。要約すると、米国特許番号第４，９３３，０３０号に述べられた発明により達成される技術的な進歩は、：１．ダイの集積回路パッケージへの適切な接着性を生むために必要とされる高い処理温度を減ずる。高密度の集積回路デバイスの性能および歩留りは、高い（一般的には４００℃よりも高い）処理温度により悪化する。これらの感温性のデバイスを低温（たとえば３５０℃よりも低い）で接着する可能性は、ユーザにとって非常に有益であることが示された。２．感温性の集積回路デバイスを収容するセラミックパッケージの信頼性の向上および処理工程の減少。ダイ接着プロセスを３５０℃よりも低い温度で行なうことにより、先行技術の鉛−硼酸塩をもとにしたＡｇ／ガラスシステムに対して必要な温度である４００℃−４５０℃での処理と比較して、Ａｕめっきの下のニッケルめっきの酸化を排除または大きく低減する。４００℃−４５０℃で処理されるときには、ニッケル酸化物を減じ、セラミックパッケージ内のデバイスを気密封止するために用いられるＡｕＳｎ予備成形の適切な濡れを達成するために、付加的な成形ガス処理ステップが一般に必要である。この改良された気密性の発生および費用のかかるプロセスステップの排除は、特許番号第４，９３３，０３０号に述べられた製品の導入により可能となった。３．Ａｇ／ガラス内の有機物質の一部としての樹脂材料の排除。米国特許番号第４，９３３，０３０号に述べられた製品の前には、Ａｇ／ガラス組成には常に樹脂が用いられて、Ａｇ／ガラス材料を自動化されたディスペンサで与えるための適切な流動学、および懸濁力と安定性とがペーストにもたらされた。典型的には本質的にアクリル系であるこれらの樹脂には、Ａｇ／ガラスにどんなに大量に与えられるときにも、２つの主要な不利益が生じた。：（１）これらの樹脂はパッケージ内に封止される“残留”水分の原因となる水分を保持するものとして知られている。この残留水分は、気密的に封止された最終的なデバイスの信頼性に大きくまた逆に影響を与えるものとして示されている。（２）樹脂はすべて、典型的には３００ ℃よりも高い、比較的高温の完全燃焼特性を有する。ダイの浮き、Ａｇ／ガラス接着剤からの分離、したがって著しい接着欠陥の発生を防止するために、ダイ接着プロセスの間に、完全燃焼ガスを発生させるためには温度勾配を制御することが必要である。したがって、米国特許番号第４，９３３，０３０号に述べられた発明は樹脂を排除し、したがって水分レベルを低減し、ダイ接着サイクルの間の高速処理を可能にした。米国特許番号第４，９３３，０３０号に述べられた発明は実際、既存の技術の多くの障害を克服する、すなわち、別々の乾燥ガスと成形ガスの洗浄サイクルを排除することにより、デバイスおよびパッケージの信頼性を向上させ、組立コストを大きく低減する。しかし、改良の余地はあった。その他の点においては重要な進歩であるが、米国特許番号第４，９３３，０３０号に述べられたＴｌ₂Ｏ₃／Ｖ₂ Ｏ₅／Ｐ₂Ｏ₅ガラスは、確立された鉛−硼酸塩ガラスシステムの熱サイクル抵抗を持たなかった。これらのガラスを利用する仕上げられたデバイスはしばしば長期の熱サイクルにさらされる。パーツが−６５℃から１５０℃で１０００サイクルの間（軍用規格（ＭｉｌＳｔｄ）８８３、条件（Condition）Ｃ）循環されるとき、接着力の値は、熱サイクル応力の結果として、大きく減少するであろう。結果として生じる接着力の値は軍用規格８８３の要求に合格するだろうが、この値はさらに高温のＡｇ／ガラスシステムにより生ずる接着力の値よりも非常に低かった。低温（ガラス転移温度、Ｔｇ、２５０℃よりも低い）での処理、および特にＡｇ／ガラス組成に組入れられるときには高い熱応力抵抗の両方を可能にするガラス組成を開発するために、先行技術において様々な試みが行なわれている。不運にも、また一般的には、ガラスのＴｇが低減されるにつれ、熱膨張率が増大し、シリコン半導体デバイスのｐｐｍ／Ｃ）を有する低温ガラスの膨張率との不整合が大きいために、熱応力抵抗の大きい低温のＡｇ／ガラスを達成することを非常に困難にする。米国特許番号第４，９３３，０３０号に述べられたガラスは、最も低い温度で処理する可能性（３００−３２５℃での処理）を提供するが、１０００サイクルの間軍用規格８８３の条件Ｃ（−６５℃ないし１５０℃）で処理されるときには、５０％以上も接着力が低下する。他方、米国特許番号第４，４０１，７６７に述べられたＪＭＩの鉛−硼酸塩Ａｇ／ガラスは、同じ熱サイクルテストを受けるときには接着力の低下は最小であるが、４００℃より高温のＡｇ／ガラスの処理を必要とする〜３２５℃の高いＴｇを有する。したがって、ガラス、ペースト、および使用法に対する技術においては、上記の問題を克服し、低い処理温度と改良された特性、特に既存の低温システムの熱応力抵抗の両方を与える必要が大いにある。この発明は、これらの目的を達成する、ガラス設計および成形方法における新規の方策について述べる。先行技術（米国特許番号第４，９３３，０３０号を含む）は歴史的に、実質的に非晶質のガラス構造を有する接合層を利用する必要性について語っている、というのも処理中のガラスの結晶化は粘性を増大させ、ガラスが下の基板に濡れることを妨げるからである。この理由のため、市場の現在のすべてのＡｇ／ガラス組成は、本質的にガラス質のガラスを利用する、たとえば米国特許番号第４，４０１，７６７号に述べられるＪＭＩの鉛−硼酸塩ガラス、米国特許番号第４，９９６，１７１号に述べられるＪＭＩのＰｂＯ−Ｖ₂Ｏ₅−リン酸塩ガラス、米国特許番号第４，７６１，２２４号および第４，６３６，２５４号に述べられるＱＭＩの鉛−硼酸塩ガラス、米国特許番号第４，７４３，３０２号および５，０１３，３６０号に述べられるＶＬＳＩのＰｂＯ−Ｖ₂Ｏ₅ガラス、米国特許番号第４，９９７，７１８号に述べられるＶＬＳＩのＡｇ₂Ｏ−Ｐ₂Ｏ₅ガラス、ならびに米国特許番号第４，９４５，０７１号に述べられるナショナルスターチアンドケミカル（National Starch & Chemical）のＡｇ₂Ｏ−Ｖ₂Ｏ₅−ＴｅＯ₂−ＰｂＯガラスなどである。この発明は、よく似たＴｇを有する本質的にガラス質のガラスと比較して、熱応力抵抗といった優れた特性を有する低温結晶化ガラスの新規の発見を開示する。この発明の結晶化ガラスは、初期（または低温）の結晶化（Ｔｃ）においての低いＴｇ、これらの結晶の低温での再溶融（Ｔｒ）、およびガラスの冷却の間の重要な結晶化を表わすが、このことについては後により詳細に述べる。フリエッセン（Friessen）らは、米国特許番号第４，９４５，０７１号において、ガラス転移温度が約２６０℃の本質的にガラス質のＴｅＯ₂／Ｖ₂Ｏ₅／Ａｇ₂ Ｏ／ＰｂＯシステムについて述べている。フリエッセンの発明の核心は、いかなる結晶化も生じさせないことにあった。フリエッセンのガラスは、結晶ピーク温度がないように、または彼が述べたＡｇ／ガラスの処理温度を超える結晶化温度を有しないように、設計された。ガラスを本質的にガラス質に保つ（結晶ピークがないまたは高温の結晶ピーク）鍵は特に、欄５に述べられるように、ＰｂＯを加えることであった。後により詳細に説明するように、Ｐｂの酸化状態はこの発明にとって好ましい状態ではない。全く異なる組成は別として、この発明には上記の技術との重大な違いがいくつかある。最も重要なのは、この発明の新しいガラスシステムは、非常に低温の結晶化を、これらの結晶の非常に低温での再溶融とともに防止するよりもむしろ促進するという事実に基づくことである。さらに、結晶の再溶融により、フリエッセンのガラスよりも低い温度においてはより粘性の小さなガラスが生み出され、さらには、先に説明した関連の利点とともに必要な接着性をも体を処理することを可能にする。フリエッセンのガラスと異なり、この発明のガラスは、冷却された際には処理された最終的な形として大部分が結晶化されることとなり、このことは、後で詳細に説明されるような所望の特性（たとえば熱サイクル耐久性）を低温ガラスが示すには必須であると考えられている。同様に、その他のガラス組成は、この発明のガラスおよび特性を教示または示唆するものではない。たとえば、ドメスニル（Dumesnil）およびフィンケルスタイン（Finkelstein）は米国特許番号第４，９９７，７１８号の中で、組成の残りとしてほとんどＰ₂Ｏ₅およびＢ₂Ｏ₃を含む高Ａｇ₂Ｏガラス組成について述べている。これらのガラスは本質的にガラス質であり、高膨張率とともに水溶性を示し、約２５０℃という、非常に低いＴｇを有する。シャバタル（Chvatal）は米国特許番号第３，７９８，１１４号および第３，８５３，５６８号で、本質的にガラス質の高Ａｇ₂Ｏ低温ガラスについて述べており、そのいくつかはＡｇ₂Ｏ、Ｖ₂Ｏ₅およびＴｅＯ₂の配合を含む。シャバタルは、Ａｇ₂Ｏに対する１回分として必要な材料としてＡｇＮＯ₃を用いることについて教示する。シャバタルの特許では、Ａｇ／ガラスダイ接着ペーストにおけるこれらのガラス組成の有効性については教示しておらず、また部分的に結晶化仕上された構造またはその潜在的な利益についても教示していない。アクタール（Akhter）は米国特許番号第５，０１３，６９７号において、およびドメスニルとフィンケルスタインは米国特許番号第４，７４３，３０２号の中で、他の酸化物と配合してＰｂＯ／Ｖ₂Ｏ₅の２成分を含む封止ガラス、および低溶融系のガラス質封止ガラスを作り出す膨張率の低いセラミック充填材について述べている。この発明は、低温での結晶の再溶融を伴う低温での結晶化のためにガラスは設計できるという発見に基づく。結果として生じるガラスを、Ａｇ／ガラスに組入れられるとき、米国特許番号第４，９３３，０３０号で規定されたＴｌ₂Ｏ₃／Ｖ₂ Ｏ₅／Ｐ₂Ｏ₅ガラスのように低温で接合し、特性、特に熱応力抵抗および化学的耐久性における著しい向上を伴うであろう。これらの新しいガラスの特徴は、Ｔｇが低く（約２５０℃以下）、結晶形成温度が低く（約３００℃以下）、これら結晶の再溶融温度が低い（約３５０℃以下）、および処理後の優れた安定性を伴う結晶性の焼成された構造である。この発明に起因する重要な結果の１つは、最終的に得られたガラスの結晶化度が制御され、そのためダイ接着のためにＡｇ／ガラスペーストとして処理されるときには焼成ガラス／セラミックをもたらすことである。焼成されたガラス状の構造の結晶化を制御することは、ダイ接着の際の接着性を高め、熱サイクルが行なわれるときには接着力低下に対する抵抗を与えることに大いに貢献するが、詳細については後に説明する。その場結晶化（in-situ crystallization）は、シリコンダイ／Ａｇ−ガラス界面で発生する破損の拡大を防止する結晶場所を与えるものと信じられているが、このことについては後に詳細に述べる。膨張率ｐｐｍ／Ｃの低温ガラスとの間で、不整合が大きい。先に述べたように、ガラスの温度特性が減少するにつれて膨張率が増大し、熱サイクルでの接着力低下への抵抗をもたらす部分的に結晶化された構造の必要性が生じる。今まで、低温ダイ接着材料の主要な問題の１つは、より高温（４００℃よりも高い）の材料と比較して、熱応力抵抗が比較的低いことであった。この発明では、新しく開示されたガラスシステムおよび方法が、低温での処理を保持しつついかにして熱応力抵抗の欠陥を克服するかについて詳細に述べる。熱応力抵抗をさらに改良するため、およびその配合を封止ガラスまたは絶縁材料として用いるために、新規のガラス組成に熱膨張率の低い酸化物を約１ないし２５重量％加えることは、後に詳細に開示するようにこの発明の一部として考慮されている。発明の概要上記から明らかなように、先行技術のシステムに対する重要な改良点を有する新しいガラス組成、ペーストおよび使用方法の必要性がこの技術にある。この発明の目的は、この技術におけるこれらおよひその他の必要を満たすことである。包括的に言えば、この発明は、以下を有するガラス組成を提供することにより上記の必要を満たす。１）約２５０℃以下の、好ましくは２００℃以下の、または最も好ましくは約１５０℃である、ガラス転移（Ｔｇ）温度。２）約３００℃以下の、好ましくは２５０℃以下の、または最も好ましくは約２００℃である結晶化温度（Ｔｃ）。３）約３５０℃よりも低い、好ましくは３００℃よりも低い、または最も好ましくは約２７５℃である、結晶再溶融温度（Ｔｒ）。これらの必須のガラス特性を有する１つのガラスシステムは本質的に、酸化物ベースで重量パーセントにして以下を含む。約４０−６５％Ａｇ₂Ｏ約１５−３５％Ｖ₂Ｏ₅ 約０−３０％ＰｂＯ₂ 約０−２０％ＴｅＯ₂ この発明はまた、上記の新規のガラス組成を利用する、独自の、本質的に樹脂を使わない有機システムをまた意図する。有機システムはまた、官能性の低い芳香族および／または脂肪族溶媒の配合を、ヘラクレスＥＨＥＣ（Hercules EHEC ）のエチルセルロースのような樹脂とごく少量組合せて含み、分配のためのペーストの流動学を最適化する。この有機システムにより、気孔を生じることなく大きなダイを高速に処理することが可能になる。このようなペーストはさらに、電子構成部品をセラミックに接着するときには独自の適用性がある。この理由のため、この発明ではその範囲内において集積回路のシリコンダイといった電子構成部品をセラミック（基板）に接着する際の改良された方法を意図する。この方法は、この発明のＡｇ／ガラスペーストを、パッケージに接合されるパーツの間に接合材として与え、ガラスを溶融させるのに十分な時間および温度までパッケージを加熱し、そうしてデバイスをセラミックに接合し、その後パッケージを室温まで冷却することを含む。好ましい実施例においては、ペーストは銀フレークを含み、結果として生じる接合層は部分的に結晶質のガラスセラミックであり、最終的に封止されたパッケージでは５０００ｐｐｍよりもはるかに低い水分含有量を有する。この発明のいくつかの目的は上記から明らかである。この発明の１つの目的は、低温での流動性が優れ、室温に冷却されることが可能なときには部分的に結晶化する、低温ガラスを提供することである。この発明の他の目的は、上記のガラスを組入れ、低温でも高温でも（たとえば３５０℃よりも低いまたは高い）半導体デバイスの無機接着を可能にし、米国特許番号第４，９３３，０３０号で述べられた銀／ガラスダイ接着材料に対して改良された熱サイクル抵抗特性を表わす、銀／ガラスダイ接着材料を提供することである。この発明のさらに他の目的は、樹脂を実質的に全く用いずに、この発明のアプリケーションにおいて気孔を発生させずに、または水分をわずかも保持せずに、優れた分配特性および高速の処理をもたらす銀／ガラスペーストを提供することである。この発明のさらに他の目的は、上記のガラスを使用し、金属を添加することにより、３５０℃よりも低い温度で半導体デバイスを接着するための方法を提供することである。この発明のさらに他の目的は、特により大きなダイがパッケージされるときには、ダイにおける（熱により誘発される）残留応力を最小限とするＡｇ充填ガラスを提供することである。この発明のさらに他の目的は、パッケージのパーツを気密的に封止する低温封止ガラス組成を提供することである。これは、この明細書で述べられるように、膨張率の低い耐火性の充填材を含むだろう。この発明のさらに他の目的は、この発明の独自のガラスを利用して、熱特性の優れた電気絶縁性の組成を提供し、半導体または受動デバイスをパッケージ内に接着することである。この発明の目的は、この技術におけるこれらおよびその他の必要を満たすことであり、一旦以下の開示が与えられれば当業者には明らかになるであろう。この発明は、いくつかの実施例とともに、添付の図面と関連付けて説明されるだろう。図面の簡単な説明図１は、新しい発明と比較した場合の先行技術のガラス特性の違いを示す、熱分析グラフである。図２は、Ｔｇ、Ｔｃ、Ｔｒおよび関連のエンタルピー値を示す、図１の曲線Ｂのさらに詳細なＤＳＣグラフである。図３は、図２の予め結晶化したガラスのＤＳＣグラフである。図４は、この発明の好ましい使用環境の側面断面図である。この発明の実施例の詳細な説明この発明のガラス組成には広い利用分野がある。特に重要であり、したがってこれらのガラス組成を利用する好ましい実施例としては、電子デバイスをセラミックに接合する技術である。この点で特に好ましい利用法は、集積回路のシリコンダイをセラミック基板に接合することにあり、この発明のガラス組成はガラス材料をペースト状で形成するが、このペーストはさらに、溶媒、または任意に少量の樹脂、および好ましくは添加パウダー、特に銀（Ａｇ）の粒子をに伴う溶媒の配合を含む。このようなペーストは一般的に、Ａｇ／ガラスダイ接着ペーストとして使用される。この発明の特徴の多くは、先行技術の組成とこの発明の組成のガラス特性における重要な違いを示す図１を参照して、図示できる。図１は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）による熱分析グラフを示す。少量のガラスの粉末の試料を加熱することにより、エネルギの変化はｘ−軸の温度に対する垂直軸で測定される。ガラス特性における現在の技術の実態を例示するガラスは、曲線Ａにより図示される。エネルギレベルの第１の小さな変化は、ガラス転移温度（Ｔｇ）として知られており、ガラスの固体からの変化は、応力のないより可塑性のある構造である。たとえば、フリエッセンにより米国特許番号第４，９４５，０７１号で、およびドメスニルにより米国特許番号第４，７４３，３０２号で述べられるガラスは、そのＤＳＣが曲線Ａで描かれるガラスの例である。同様のＤＳＣを有するがＴｇが高い（〜３００℃）、たとえば米国特許番号第４，７０１，７６７号に述べられるＪＭＩのガラス、およびさらにＴｇが低いべられるディーマットのガラスのようなガラスがまた存在する。曲線Ａ（図１）により図示されるタイプのガラスは加熱されるにつれ、ガラスの粘性は、接合される表面を濡らし接着性のある接合層を形成するのに十分低くなるまで粘性が減少する。一般的に、この必要とされる粘性の低さに到達するのに要求される温度は、Ｔｇよりも少なくとも１００℃−１５０℃高いであろう。冷却の際に、粘性は次第に増加し、Ｔｇで最大に到達する。先に示したように、Ｔｇが低くなるほど、最終的な組立体におけるガラスの膨張率は高くなる。したがって、組立体が続けて熱サイクルを受けるとき、膨張率の不整合が大きいことにより、ガラス状の構造に微小亀裂を生じ、シリコンダイの基板への接着性が、上記のように低下する。曲線Ｂで示されるＤＳＣグラフは、新しい発明のガラスる。さらに加熱すると、ガラスは約２００℃で結晶化し、（Ｔｃ）はＤＳＣグラフ上に発熱曲線を示す。先行技術の教示は通常、この結晶化（発熱）を望ましくない反応とみなしていたが、これはガラスの粘性が急激に増大することにより、ガラスがダイおよび基板の界面に濡れることを抑制するからである。しかし、結晶化された構造をさらに加熱することにより、約２７５℃の非常に低温で、最初に形成された結晶の再溶融（Ｔｒ）が発生する。結晶の再溶融のこの吸熱反応は、この発明の鍵である、というのもガラスは今や急速に粘性の低い状態へと変化し、このことによりガラスは界面を濡らし強力な接合を生み出すからである。組立体をさらに加熱することには有害な影響はなく、４５０℃以上に、逆効果を生むことなく加熱できる。ダイ／Ａｇガラス／基板組立体が冷却されるにつれ、別の重要な反応が起こるが、それはすなわち非晶質ガラスが約２００℃で再び再結晶化することである。示されていないが、このことは、ＤＳＣ曲線の別の発熱ピークとして検出できる。冷却の間の再結晶化は、後に述べるように、この発明の熱応力抵抗への鍵となる。結晶化および再溶融の程度は、曲線のエネルギで測定でき、ジュール／ｇｍの単位で表現される。この発明はしたがって、図１の曲線Ｂで描かれた熱反応、すなわちこれらの結晶の低いＴｇ、初期結晶化（Ｔｃ）、低い温度での再溶融（Ｔｒ）および冷却の間の再結晶化を有するガラス組成、を教示する。この発明のガラス組成は、低温特性を生み出す共融（共晶）組成に近い、Ａｇ₂ ＯとＶ₂Ｏ₅との比に基づく。しかし、この２成分の共融組成を用いると、過度の制御されない結晶化が発生する。結晶化度は、ガラス形成材をプロセスパラメータとともに特定的に配合することにより制御できる。ＴｅＯ₂およびＰｂＯ₂またはＰｂ₃Ｏ₄は、一次安定材として働くように思われ、したがってもし過剰に使用されれば、先行技術のフリエッセンのガラスにおけるように、結晶化度がほとんどなくなる可能性があり、十分な量が用いられなければ、比較的高い再溶融温度で過剰に結晶化が発生し、低温での十分な接着性のために界面を十分に濡らすガラス相が不足するために、接着性が乏しくなる。したがって、ＴｅＯ₂およびＰｂＯ₂の最適量および最適な配合により、最終的に得られた構造の所望の結晶化度とともに低温特性を有するガラスが提供される。この発明の新規のガラス組成は本質的に、酸化物ベースで重量にして以下を含む。約４０−６５％Ａｇ₂Ｏ約１５−３５％Ｖ₂Ｏ₅ 約０−２０％ＴｅＯ₂ 約０−３０％ＰｂＯ₂ 好ましくは、これらは本質的に、酸化物ベースで重量にして、以下を含む。約４０−５０％Ａｇ₂Ｏ約１５−２５％Ｖ₂Ｏ₅ 約５−１５％ＴｅＯ₂ 約１０−２５％ＰｂＯ₂ これらのガラスはすべて、溶融プロセスにおいて安定した粘性ガラスを形成するが、再焼成の際には、最終構造において結晶化度が異なるものとなる。ガラス組成における構成成分の選択および割合により可能となる結晶化度は、この発明に従い、実質的に１００％よりも小さな好ましい範囲内となるように制御される。最終的なガラス構造において示される結晶化度は、主としてガラス組成の成分の特定の比率と用いられる溶融プロセスパラメータとに依存する。前記のように、結晶化度は、以下のように接着性への鍵となる。（１）ガラス遷移温度は先に定義したとおりである。（２）以下に説明する方法によって分析的に決定された、焼成構造に存在する概ねの結晶化度を指す。Ｍ３３７，Ｍ３５５，Ｍ３７０，Ｍ２０６のガラスペーストが裸のアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）基板に与えられ、３５０℃のピーク温度で処理された。これらのサンプルは次に、各結晶相につき１秒当りのカウント数を表すＸ線回折（ＸＲＤ）によって分析された。非結晶のバックグラウンド散乱と比較した結晶ピークの高さは、様々なガラスの結晶化度の定量的比較を与える。４つのガラスの各々がポットに入れられ、切断され、研磨された。そのガラス切断片の写真を与える後方散乱放出モードを用いて、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によってその切断片セクションが分析された。１０００Ｘの倍率で、結晶およびガラス状（ガラス質）相が明らかに区別され得た。各相の面積を推定し、それをＸＲＤ結果と比較すると、種々のガラスの比較的正確な結晶化の定量的な度合が与えられた。ＤＳＣ曲線はまた、エネルギ／ユニットの量によって結晶化の半定量的測定値を与え、またはＤＳＣ面積が発熱結晶化ピーク（エンタルピー値）および結晶の再溶融の間に認められる対応の吸熱エネルギを与える。基準が確立されると、この一連のテストによって得られた既知の標準と単に比較することによって、他のガラス（以下の表ＩＩＩ）に関して結晶化の割合を概ね知ることができる。（３）３５０℃で処理された．３３８× ．３３８ダイの裸のアルミナ基板への接着性。接着性は、米国特許番号第４，９３３，０３０号で説明されるようなセバスチョンＩＩＩスタッドプロテスタ（Sebastion III Stud pull tester ）によって測定された。低温での優れた接着性および優れた熱サイクル特性を示す、ＡＧ／ガラスダイ接着ペーストで用いるのに特に好ましいガラス組成は、本質的に、約４７％Ａｇ₂Ｏ約２２％Ｖ₂Ｏ₅ 約９％ＴｅＯ₂ 約２２％ＰｂＯ₂ からなり、以下、例Ｍ６６６と称する。Ｍ６６６の好ましい組成は、Ａｇ／ガラスペーストで用いられ、かつ本発明に従って処理されると、予期せぬような高い接着性を示すのみならず、他の重要な利点をも有する。最も重要なことには、熱サイクル後の接着力の値は、以下に示すように、米国特許番号第４，９３３，０３０号の例Ｍ４４の好ましいガラスと比較して、大きく劣化することはない。表ＩＩガラスガラス状結晶化度初期 1000T/C溶融物エッジ温度接着(1) の後(2) Ｍ４４２１０なし１１５３２−２８％Ｍ６６６２０５７０％１４０８９−６４％（１）＠３５０℃で処理された．３３８″× ．３３８″ダイ（単位はポンド）（２）ポンドで表わす初期接着とＭｉｌＳｔｄ８８３、条件Ｃによる１０００温度サイクル後の初期接着の保持の割合Ｍ４４ガラスの膨張率は約２３ｐｐｍ／ｃである一方で、Ｍ６６６ガラスの膨張率は約１９ｐｐｍ／ｃである。シリコンダイの膨張率である約３ｐｐｍ／ｃにより近いため、膨張率のより低いガラスが好ましい。しかしながら、膨張率の不整合はまだかなり大きく、したがって、膨張率が幾分低くなったことだけによって、熱サイクル後にも接着性が高く保持されることとともに初期接着性が高いことを説明できない。この大きな特性の改善は、その大部分が焼成ガラスにおける制御された結晶化度に起因する。結晶場所はガラス状構造を強化するだけでなく、ガラスとシリコンダイとの膨張率の不整合によって起こる微小亀裂が広がるのを防ぐというのが前提となっている。対照的に、ガラス質のガラスでの温度サイクルの際には、これらの初期の微少亀裂は広がり続け、組立体、すなわちアセンブリ全体を弱めてしまう。一方、部分的に結晶化されたガラスは、微少亀裂が大きくなるのを防ぐ役割を果たす結晶場所を有する。結晶場所は、特定の化学量論的比率を有する複雑なＡｇ₂Ｏ−Ｖ₂Ｏ₅−ＴｅＯ₂−ＰｂＯ₂結晶であると考えられる。この現象が温度サイクルの後にも接着性が高く保持される大きな理由であると考えられる。本発明のガラスの構成は、米国特許番号第４，９３３，０３０号に詳細に説明されるのと類似した態様で達成され、これらの手順をここに引用によって援用する。Ａｇ₂Ｏ，Ｖ₂Ｏ₅，ＰｂＯ₂およびＴｅＯ₂がガラスの４つの好ましい原料であるが、これら以外の配合でも同様のガラス特性、すなわち適切なＴｇ、ＴｃおよびＴｒ温度を達成することができ、本発明の一部であるとみなされる。他の多くの原料を種々の量で基本的構成に加えてもよいことが認められ、これらもまた本発明の範囲内であるとみなされる。一般に、約１０％を上回る量での他の材料の添加は、ガラスの特性を悪く変えてしまう傾向があるが、Ｔｌ₂Ｏ₃のように例外もある。以下の例（表ＩＩＩ参照）は、好ましい範囲がいかに決定されたか、および使用された種々の添加物、たとえばＰ₂Ｏ₅、Ｔｌ₂Ｏ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＣｕＯまたはＣｕ₂Ｏ、Ｂ₂Ｏ₃、ＭｎＯ₂、ＰｂＯ、Ｐｂ₃Ｏ₄、ＳｎＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₂、およびＷＯ₃を示す。これらの例より、特に好ましいガラス組成、すなわち例Ｍ６６６が選ばれた。多くの溶融物は２つ以上の結晶化および／または再溶融温度を有することに注目されたい。Ｍ６６６溶融物は、単一の低温再溶融を示し、ガラスはより低温での接合に関しては低粘性状態に達するので、このことは理想的である。この組成と、ダイ接着ペーストとして処理された後かなりの結晶化度を有する、本発明に従うＡｇ／ガラスダイ接着ペーストの形成プロセスの詳細を以下に説明する。好ましい組成、Ｍ６６６は、以下のように１回分を多くとってその重量が測定された。酸化物ベースでの重量％ｗｔ（ｇｍ）Ａｇ₂Ｏ４６．９ − １４０．７Ｖ₂Ｏ₅ ２２．０ − ６６．０ＴｅＯ₂ ８．９ − ２６．７ＰｂＯ₂ ２２．２ − ６６．６１００．０３００．０ｇｍ酸化物は、その重量が測定され、プラスチック容器内で十分に混合された。酸化物の純度は最小でも９９．９％であり、そのアルカリ含有量は非常に低かった。アルカリイオンが移動すると、半導体の実装において腐食を起こすことが知られている。混合物は磁性るつぼに移され、溶融炉に入れられた。約５５０℃に達した後、溶融物が除去され、完全に溶融してかつ均質となるように撹拌し、その後炉に戻して、５８０−６００℃のピーク温度まで加熱された。５８０℃を超えるが、６２０℃を下回る温度で保持した後、溶融物を低温のステンレス鋼のローラを介して注ぎ、その後の研削には理想的であるガラス質のガラスの薄いシートを形成した。約５８０℃未満、または約６２０℃を上回るピーク温度では、複数回、より高温で再溶融することが示された。結果として生じるガラスのフレークを砕き、アセトンと、Ａｌ₂Ｏ₃またはジルコニア等の高密度研削媒体とともに高アルミナボールミルに装填し、水研ぎして微細な粉末にした。乾燥させたあと、微細なガラス粉末をふるいにかけた。その結果としての平均の粒子の寸法が表面積で測定され、．１ないし．５ｍ²／ｇｍ以内と小さくなった。．５ｍ²／ｇｍを大きく上回る表面積を有する粉末は、再焼成中に過度の結晶化を生じる傾向があった。結果として生じる微細な粉末がＤＳＣによって熱的に分析され、以下の特性を有した。１５２．４℃ Ｔｇ（ガラス転移温度）１９９．２℃ Ｔｃ（ガラス結晶化ピーク温度）２７５．８℃ Ｔｒ（ガラス再溶融ピーク温度）これらの結果は、ガラス組成Ｍ６６６に関して図２にグラフで示される。これらの特性は、記録されたほとんどの溶融物に関して表ＩＩＩに要約されている。最も好ましいガラス（Ｍ６６６）が有する結晶ピークおよび低温再溶融ピークはどちらも１つだけであり、これは上述のように理想的である。溶融物形成において用いられるＰｂの酸化状態は、表ＩＩＩのＭ７３４、Ｍ７３５、およびＭ７３６に示されるように、本発明のガラスの特性に大きな影響を与えることが示された。Ｐｂ陽イオン比率は一定に保たれ、これが、ＰｂＯ₂、ＰｂＯおよびＰｂ₃Ｏ₄の重量％におけるわずかな差の理由である。ＰｂＯ（フリエッセンの′０７１特許では好ましい原料である）を用いるＭ７３５においては、２つの結晶ピークと２つのより高温の再溶融があることに注目されたい。一方、Ｐｂ₃Ｏ₄を用いるＭ７３６は、ＰｂＯ₂を用いるＭ７３４と同様に作用し、単一のより低温の再溶融をもたらし、好ましい結果となった。米国特許番号第４，９３３，０３０号で説明されるＡｇ／ガラスとは異なり、好ましい溶剤は、ごく少量の樹脂が溶解された、基本的に芳香族および脂肪族の溶剤の混合物であり、実際に使用する際にペーストを分配し、面積の大きなダイの下で気孔を最小にするための流動学上の最良の配合を示す。基本的に、好ましい溶剤は低水素結合（極性）を示すものであり、気孔および接着の面において全体的に最良の結果をもたらした。選ばれた芳香族の溶剤はコックケミカル社（Ko ch Chemical）のシュアソール（SureSol）２０５であり、脂肪族の溶剤はエクソン社（Exxon）の６８６溶剤であった。使用した樹脂はＥＨＥＣとして知られる、分子量の非常に高いエチルセルロースであった。したがって、好ましい実施例における有機系物質（ビヒクル）は、１／２％ＥＨＥＣが溶解された２：１の割合の上述の溶剤からなる。２つ以上の溶剤を混合する利点は特に、処理中の溶剤の放出（evolution）の温度範囲がより広いことである。使用する溶剤が１つだけであれば、通常は、比較的小さい温度範囲にわたって高い重量の損失が見られる。この重量の損失、すなわち溶剤の放出が早く起こりすぎると、接着されるダイの下のＡｇ／ガラスマトリックスに気孔が起こるか、または接着が悪くなり得る。放出が起こる温度が異なる混合溶剤を用いると仮定すれば、混合された溶剤を用いることで、重量の損失をより広い温度範囲に分散する。Ａｇペーストは、Ａｇ／ガラスペーストを作製する前に作製される。本発明においては特に好ましいＡｇフレークが用いられたが、他の多くの形態の銀、他の金属、酸化物等が、粉末、フレークまたは粉末とフレークとの混合物として用いることができることが認められる。好ましいフレークは、シュメット社（Chemet Corp.）が製造するナンバ−２９５である。しかしながら、他の多くのＡｇフレークまたは粉末がテストされ、その範囲は表面積が．６７ないし１．５５ｍ² ／ｇｍのもの、およびタップ（出湯）比重が３．２ないし４．６ｇｍ／ｃｃにわたった。フレークは、以下に示すように＠８８％でビヒクルと混合した。２９５Ａｇフレーク８８ｇ８８％ビヒクル１２ｇ１２％１００ｇＡｇペーストを十分に混合し、これを３ロールミルを介して通すことによって均質なクリーム状のペーストとなるように分散させた。Ａｇペーストおよびガラス粉末が、上述のものに類似した態様で混合され、焼成構造において７８％Ａｇ／２２％ガラスの比率をもたらした。以下に一例を上げる。合計固体Ａｇペースト − ７６．６７ｇ６７．４７ｇ（８８．０％固体）ガラス粉末 − １９．０３ｇ１９．０３ｇビヒクル − ４．３０ｇ１００．０ｇ８６．５ｇ結果としてできるＡｇ／ガラスペーストを、次に、シリコンダイを裸のおよび／またはＡｕ金属化セラミックに接着するために用いた。これは、制御された体積のペースト（体積はダイの寸法によって決定される）を容積式注射器で堆積することによって行なわれた。堆積させたＡｇ／ガラスドット上にダイを置き、均一に押圧して、図４に示されるようにダイのエッジのあたりを面取りした。次にアセンブリを炉の中に置き、典型的には３５０℃のピーク温度で５分間焼成した。使用する有機系物質のために、予備乾燥ステップは必要ない。加熱すると、ガラスは結晶化し、再溶融温度である２７５℃に達する前に有機物質が飛ぶ。ガラスは約２９０−３００℃で界面と濡れ、Ａｇ／ガラス構造がより固く焼結してより多くのガラスを界面に押圧する際も濡れ続ける。アセンブリの冷却中に、ガラスは再度約２００℃またはそれよりもわずかに高い温度で再結晶化した。初期接着性が高く、熱サイクルの後も接着性を高く保持する理由であり、本発明の鍵となるものの１つは、この再結晶化である。検査によって、優れた接着性を有する気孔のないアセンブリが認められた。図４は、セラミック基板４上に装着された典型的な半導体回路シリコンチップ１を示し、パッケージは、Ａｇ粒子３がその中に分散されたダイ接着結晶化ガラス２によって接合される。図４が概略的なものにすぎないことは当業者には理解されるであろう。実用において、および好ましい実施例において、体積において比較的多量の銀の粉末が加熱処理の際に溶融し、示されるような別個の粒子としてはほとんど残らず、したがって、最終的な接合構造は不透明なものとなる。図４の概略図の目的は、達成される接合構造が、溶融した銀の粒子間に存在する（すなわち実質的に粒子間の隙間を充填する）、本発明のガラス組成の部分的に結晶性を有するガラス状接着組織からなり、本質的に樹脂および有機溶剤を含まず、水分含有量が低い、溶融される銀の粒子の固体構造であることを簡単な製造技術の範囲内で示すことである。予備結晶化面積の大きなダイを処理する際に、Ａｇ／ガラスペーストに組込む前にガラスが予め結晶化されると、より広い処理ウィンドウが達成されることが認められた。この予備結晶化は、ガラス粉末を１８５ないし２５０℃で１／３ないし１時間焼付けることによって達成される。冷却したあと、サンプルはＤＳＣにかけられ、その結果が図３に示される。Ｔｇ反応は、これがガラス質のガラスでのみ起こるので、存在しないことに注目されたい。粉末は焼付けサイクルによって既に結晶化されているので、結晶化ピーク（Ｔｃ）も存在しない。唯一の作用は、通常２７５℃での単一の再溶融であり、この際にガラスは、高粘性の固体から低粘性ガラスに急激に変化し、低温でセラミックおよび半導体ダイを濡らす。より優れた濡れ、およびより高い接着性等のいくつかの重要な利点が、予め結晶化されたガラス粉末を用いての面積の大きなダイの処理において認められ、以下に示すとおりである。（１）％Ａは、界面で起こる破損モード（接着性）に対して、Ａｇ／ガラスマトリックスで起こる望ましい破損モード（凝集）の割合を示す。予め結晶化されたガラスを用いる場合のこの改良された結果は、結晶化自体によって起こる予備結晶化の焼付けの際のガラス粉末の脱気によるものと考えられる。結晶化の際の非結晶ガラスの再配置は、明らかに構造内の実質的にすべての吸収されたガスを押出し、その結果として結晶がしっかりと充填されたより密なガラスとなる。このことは、同じ重量のガラス状物（予備結晶化されていない）と比較すると、予め結晶化されたガラス粉末の体積がより小さいことから明らかであった。Ｔｇがないことも、処理中に閉込めることなく有機物質を飛ばすための時間をより長くし得る。低温ガラスにおけるほとんどの先行技術は、ガラスの不安定性、すなわち制御されない結晶化度のためにガラスを不透明にしない方法を教示している。しかしながら、本発明のガラスは、Ａｇ／ガラスの特定の組成、溶融プロセス、および応用プロセスによって制御される固有の量の結晶化を有することができる。最終アセンブリにおいて形成されるガラス／セラミックは、その特性において他の低温ガラスおよび多くの高温ガラスをはるかにしのいでいる。米国特許第４，９３３，０３０号で説明されているＡｇ／ガラスペーストと比較して、本発明で説明するＡｇ／ガラスペーストが有する別の大きな利点は、より高い温度での処理能力である。米国特許第４，９３３，０３０号のガラスはそのガラス質の性質のために、接着性を大きく低下させることなく約４００℃を上回って処理することができない。しかしながら、Ｍ６６６ガラスは、その部分的に結晶化される性質のために、以下に示すように、卓越した接着性をもって４５０℃で焼成することができる。表ＩＶ焼成温度接着性（．４００″×．４００″ダイ）３００℃ ２２０ポンド３５０℃ １９８ポンド４５０℃ ２２０ポンドこのように焼成温度の範囲が広いことによって、ダイ装着が３５０℃等の低温で行なわれ４５０℃等の高温でその後封止される（ガラス）ような応用も可能である。封止ガラス本発明の独自のガラスには水溶性成分が存在しないので、Ｈ₂Ｏ中で加熱したときのガラスの重量の損失が大きくないことからわかったように、その化学的耐久性が優れている。ガラスの低温特性とともに、この化学的耐久性が、このガラスをより低温でのセラミックパッケージの気密封止に理想的なものとしている。本発明を用いて２つのセラミック表面を十分に接合する可能性を評価するために、細かく分けられたＭ６６６の粒子（上に詳細に説明したとおりである）が以下からなるペーストにされた。８０％Ｍ６６６ガラス粒子２０％６８６溶剤１００％このペーストは十分に混合され、９２％の黒のＡｌ₂Ｏ₂本体（セラミック実装においてよく用いられる）のセラミック表面にドクターブレードされ、その後１０分間３５０℃まで加熱され、冷却された。検査によって、セラミックに対する接着性の優れた均質な結晶化ガラスが認められた。しかしながら、その断面は多くの小さな気泡でいっぱいの多孔性構造を示した。これらの気泡は、封止プロセスの前にガラス粉末を予め結晶化することによって本質的に排除され得た。これは、Ａｇ／ガラスと同じ態様で達成した、すなわちガラス粉末を１８５−２５０ ℃で１／３ないし１時間焼付け、これで図３にグラフで示されるようにガラスが結晶化される。エクソンの脂肪族６８６溶剤とともにペーストに入れ、セラミック表面上にドクターブレードし、１０分間３５０℃まで加熱し、室温まで冷却して調べると、その多孔性が消え、滑らかな光沢が見られた。この予期せぬ結果は、上述のように予備結晶化の焼付の際のガラス粉末の脱気、および閉込める前に有機物質を逃がしたことによると考えられる。熱膨張改質剤をガラス粉末とともに充填材として用いて、接合するセラミック本体の膨張率とより近く整合させてもよく、それによって熱衝撃耐性がより大きい構造となることが当該分野においては周知である。膨張率の低い以下の膨張率改質剤、すなわちＮｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₃、Ｖ₂Ｏ₅、ＰｂＴｉＯ₃ 、ＺｒＷ₂Ｏ₈、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、およびＹ₂Ｏ₃を種々の量でＭ６６６の予め結晶化されたガラス粉末および６８６溶剤と混合し、セラミック上にドクターブレードし、１０分間３５０℃まで加熱して、室温まで下げ、調べた。ベーターユークリプタイト（ＬｉＡｌＳｉＯ₃）、非晶質シリカ、ならびに種々の他のリン酸塩、バナジン酸塩、ヒ酸塩、アンチモン酸塩、モベイト（mobate ）、およびタンタル酸塩等の他の膨張率改質剤が、封止セラミックまたは金属／セラミック基板の熱衝撃耐性を向上することが示され、種々のセラミックもしくはガラスセラミック本体を封止する際に、またはダイ接着ペーストとして、ガラスとともに用いる場合に、本発明の一部であるとみなされる。熱伝導性ガラスこの新しいガラスの別の可能な応用例としては、種々の個別の電子部品のための電気的に絶縁する、熱放散度の高い接着剤が挙げられる。最も一般的な応用例は、基板から電気的に絶縁されるが接着剤を介しての熱放散度の優れている必要がある半導体装置の接着であろう。通常のＡｇ／ガラス接着ペーストは電気的にも熱的にも放散度が高く、したがって、適用できない。本発明のガラスの有用性を評価するために、Ｍ３５５ガラス粉末に、合成ダイヤモンド粉末、ＡｌＮ、Ｃｕ₂Ｏ、Ｎｉ、ＡｌおよびＢＮの粉末を添加し、これらはすべて優れた熱伝導性を有する。最も将来性のあるのは、エンジス社（Engi s Corporation）の合成ダイヤモンド粉末との組合せであった。様々な寸法および量のダイヤモンド粉末がＭ３５５粉末およびテルピネオールと混合され、ペーストを作製した。これをセラミックに塗布し、シリコンダイを上に置いた。Ａｇ／ガラスペーストと同様に、アセンブリを１０分間３５０℃まで焼成し、冷却した。ガラス粉末の４０％で添加した、１５２３６ミクロンの寸法のダイヤモンド粉末が、より優れた接着性および卓越した熱伝導性を与えることがわかった。この適用例のために他の熱伝導率の高いセラミックまたは金属粉末を用いてもよく、本発明の一部であると考えられる。本発明の多くの小さな変形および変更が、ガラス製造、Ａｇ／ガラスペースト製造、封止ガラス、半導体実装、および関連分野の当業者には明らかであることがわかる。たとえば、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩等の酸化物の何らかの前駆体を、これらは溶融プロセス中に酸化物に分解するので、酸化物の代わりに用いてもよい。このような変形、付加、および改良は本発明の一部であると考えられ、その範囲は以下の請求の範囲によって規定される。

Claims

【特許請求の範囲】１．約２５０℃以下のガラス転移温度、約３００℃以下の結晶ピーク温度、および約３５０℃以下の結晶再溶融温度を有する、結晶化ガラス。２．約２００℃以下のガラス転移温度、約２７５℃以下の結晶ピーク温度、および約３５０℃以下の結晶再溶融温度を有する、結晶化ガラス。３．約１５０℃以下のガラス転移温度、約２００℃以下の結晶ピーク温度、および約２７５℃以下の結晶再溶融温度を有する、ガラス組成。４．ガラス転移温度および結晶ピーク温度を有さず、約３５０℃以下の結晶再溶融温度を有する、予め結晶化されたガラス。５．前記ガラスが２０−８０％の結晶化度を可能とする、請求項１、２または３に記載のガラス。６．酸化物ベースの重量比で、約４０−６５％Ａｇ₂Ｏと、約１５−３５％Ｖ₂ Ｏ₅と、約０−５０％の、ＴｅＯ₂、ＰｂＯ₂およびＰｂ₃Ｏ₄からなる群からの酸化物の少なくとも１つとからなる、請求項１、２、３、４または５に記載のガラス。７．酸化物ベースの重量比で、約４０−６５％Ａｇ₂Ｏと、約１５−３５％Ｖ₂ Ｏ₅と、約０−５０％の、ＴｅＯ₂、ＰｂＯ₂およびＰｂ₃Ｏ₄からなる群からの少なくとも１つの酸化物とから本質的になる、請求項４に記載のガラス。８．酸化物ベースの重量比で、約４７％Ａｇ₂Ｏと、約２２％Ｖ₂Ｏ₅と、約９％ＴｅＯ₂と、約２２％ＰｂＯ₂とから本質的になる請求項１、２、３または５に記載のガラス組成。９．請求項１、２、３、４、５、６、７または８のガラスと、有機溶剤と、ペーストの．１％未満の樹脂とを含む、本質的に樹脂を含まないペースト。１０．前記溶剤が芳香族溶剤から選択され、前記ペーストがさらに、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｓｎおよびｐｔからなる群からの材料の少なくとも１つの導電性の金属粒子を含む、請求項９に記載のペースト。１１．前記溶剤が脂肪族溶剤から選択され、前記ペーストが、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｎ、ＳｎおよびＰｔからなる群からの材料の少なくとも１つの導電性の金属粒子をさらに含む、請求項９に記載のペースト。１２．前記パーツが、ダイヤモンド、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、ベリリア、アルミナおよびアルミニウムを含む群から選択される少なくとも１つの非導電性セラミック粒子を含む、請求項９に記載のペースト。１３．前記ペーストが、界面活性剤を有する約６７％の銀のフレークと、約１８％のガラスと、約１５％の前記溶剤とから本質的になり、前記ガラスが、酸化物ベースの重量比で、約４７％Ａｇ₂Ｏと、約２２％Ｖ₂Ｏ₅と、約９％ＴｅＯ₂と、約２２％ＰｂＯ₂とから本質的になる、請求項９、１０または１１に記載のペースト。１４．請求項１、２、３または４の特性を有するガラスを利用する、封止ガラス組成。１５．組成物の熱膨張係数が低減されるように耐火膨張率改質剤をさらに含む、請求項１３に記載の封止ガラス。１６．非導電性の熱伝導率が高い粉末をさらに含む、請求項９に記載のガラスペースト組成。