JPH08503338A - 一体集積型半導体構造体とその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ヘテロ構造装置はうね形導波レーザ部（１１）と、それに一体に集積した背面ファセットモニタＲＦＭ検出部（１２）とを有する。基体（１０）に直接形成した一体のＶ溝蝕刻溝が、光学ファイバ（１３）をレーザ（１１）の活性領域（１１−１）に対して非賦活整列を行わせることができる。レーザ及びＲＦＭファセット面は多段階の活性イオン蝕刻法により形成される。

Description

【発明の詳細な説明】 一体集積型半導体構造体とその製造法 技術分野 本発明は半導体構造体、特に一体集積したレーザ部、光検出部、及びファイバ 受容溝よりなる構造体に関する。 従来技術 一体集積型光子回路を間発すると光学装置の機能性、信頼性及び経済効率は向 上する。これに対して、個別の装置及び光電子集積回路（ＯＥＩＣ）のパッケー ジはしばしば光学ファイバ端との賦活整列を必要とするので、これらの素子のコ ストを増す。レーザの賦活整列の代わりに非賦活整列を用いるレーザの経済的な ファイバ結合はファイバを収容するためのＶ溝を有する別個のシリコン基板を使 用することにより得られる。 特に、基準線等の機械的特徴パターンはシリコン基板面に蝕刻で形成され、チ ップ部品の位置決め用基準台として使用される。 従来技術による整列技術の例は、アミエント他の論文「シリコンウエーハを使 用するＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰレーザ整列とシングルモードファイバの非賦活結 合」Ｅ１ｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｐｐｌｌ０９− １１１０（１９９１）コーへン他の論文「インデックス法による非賦活レーザフ ァイバ整列」 ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｐｈｏｔ．Ｔｅｃｈ．Ｌｅｔｔｅｒｓ， Ｖｏｌ．３，ｐｐ９８５−９８７（１９９１）、および米国特許第５０７７８７ ８号に記載されている。 発明の説明 本発明の一態様によると、本発明の半導体構造体は、ファイバ受容溝と、検出 部と、これらの間にこれらと直列に整列して一体に（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ）集 積されたレーザ部を含む。 本発明の他の態様によると、基板上に成長させたへテロ構造を有する素材ウエ ーハから半導体構造物を製造する本発明の方法は、素材ウエーハの装置領域に対 応した露出窓を有する第１のマスクパターンでウエーハをマスクし、この第１マ スクパターンを有するウエーハの露出領域を所定の程度に蝕刻してうね形導波領 域とファイバ受容領域とを形成し、前記うね形導波領域にファセット面を形成す る領域に対応した露出窓を有する第２のマスクパターンでウエーハをマスクし、 この第２マスクパタ−ンを有するウエーハの露出領域を所定の程度に蝕刻してレ ーザ部と検出部とを形成し、前記ファイバ受容領域に対応した露出窓を有する第 ３のマスクでウエーハをマスクし、この第３マスクパターンを有するウエーハの 露出領域を所定の程度に蝕刻してファイバ受容溝を形成す る段階を含む。 以下本発明を図面に関連して詳しく説明する。 図面の簡単な説明 図１は本発明による集積装置構造体の断面図である。 図２は図１に示した装置を複数個配した一体型配列の上面斜視図である。 図３は第１図の装置構造体に関し、レーザ駆動電流の関数として表したレーザ ファセット面からの出力と、対応する検出電流とを示す。 図４は本発明による背部ファセット面モニタ（ＲＦＭ）の応答を示す。 図５は図１の構造と一体化したシングルモード及びマルチモードファイバに導 入される光学エネルギーを示す。 図６−１０は本発明の好ましい実施例に従って集積装置構造体を製造する方法 の順次工程を例示する斜視図及び断面図である。 上記のように、光ファイバと光学電子素子とを集積する従来の方法には、光学 電子素子を賦活しながらファイバを積極的に操作する必要のある賦活（active） 整列法が行われた。最近の技術では整列用の基準台或いは基準線を有する基板を 使用することにより賦活整列が回避された。本発明は以下に示すように、レーザ にシリコン等の混成基板を必要としないでファイバの非賦活（passive） 整列を可能にするＶ溝を一体化するものである。 本発明の好ましい実施例 本発明は図１に示されているように、レーザ部と、検出部と、ファイバ受容溝 とを一体化した装置とその製造法に関する。断面図で示されたように、活性レー ザ部１１−１は活性層１２−１と検出部１２を一体に有する。図示しないが、フ ァイバ受容溝が心線１４を有するファイバ１３を受容するようにレーザ部１１に 隣接して基板１０に蝕刻で形成されている。充分な駆動電流がレーザ部に印加さ れると、光がレーザ部１１の前部ファセット面から光ファイバ１３に向けて前方 に放出されると共に、レーザ部１１の背部ファセット面から検出部１２に向けて 後方に放出される。 検出部１２はレーザ部１１の光出力を監視するのに役立つ背面モニタ（ＲＦＭ ）光検出器であり、これを用いて駆動回路（図示せず）のレーザ駆動電流は光信 号１５の所望の出力を維持するように調製できる。以下に詳細に示すように、領 域１１及び１２は共通の素材ウエーハより製造される。従って、活性層１１−１ 及び１２−１は同軸上に正確に整列している。ファイバ受容溝の加工は、ファイ バ１３を溝内に位置付ける時に、心線１４が実質的に活性層１１−１とほぼ同軸 上に配列するようにほぼ調整される。各装置構造体はファイバ１３を受け入れる 好ましくはＶ字形の溝を蝕刻して得たファイバ受容溝を有する。 本発明の装置構造体の性能は各種の測定を行うことにより評価される。レーザ の背面特性はパルスモードで動作する組み立て前の装置について測定した。装置 の相対的な光−電流特性の測定はウエーハ形態で、集積された光検出部を検査す ることにより行った。 図３はレーザの前面からの光出力（曲線３１）と、背面モニタ（ＲＦＭ）によ り検出した対応する光電流（曲線３２）をレーザ駆動電流（ＬＤ電流）の関数と して測定した値である。Ｖ溝を取り除いた装置をこの測定に使用した。グラフは レーザ閾値電流４０ｍＡ及び背面抵抗率ＲＦＭ０．３６Ａ／Ｗの装置を示す。各 種の装置構造体を測定したところ、２８ｍＡ程度の閾値電流と０．４９Ａ／Ｗ程 度の背面抵抗率ＲＦＭを有した。図４は背面抵抗率ＲＦＭとレーザ光出力の関係 を示す。レーザ部及び背面検出部と光学ファイバを本発明に従って非賦活接続し た集積体の特性は図５に示される。具体的に説明すると、これらの特性はＶ溝に シングルモードファイバ（ＳＭＦ）及びマルチモードファイバ（ＭＭＦ）を挿入 することにより得た。測定の結果シングルモードファイバ及びマルチモードファ イバに対する結合効率はそれぞれ８％及び１８％であった。 図６〜１０は本発明の一体集積型装置構造体の製造における中間段階の斜視図 及び断面図を示す。次の製造工程の説明は好ましい装置の材料及び構造について 行うが、本発明を限定するものと考えるべきではなく、他の材 料及び形状も本発明の範囲内で可能なことは当業者には明らかであろう。 図６は製造の第１工程を示す。ただし、製造方法の開始前には素材ウエーハは 基板１０及び層６１〜６５を有するものとする。具体的に説明すると、２重へテ ロ構造（異種層構造）を金属気相エピタキシアル法（ＭＯＶＰＥ）により成長さ せたもので、これらの層はｐ−ＩｎＧａＡｓ抵抗性接触層６５（Ｚｎドープ量２ ×１０¹⁹ｃｍ−³）と、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６４（Ｚｎドープ量１×１０^{1 8} ｃｍ−³）と、未ドープＩｎＧａＡｓＰエッチ停止層６３（λ＝１．０μｍ）と 、未ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層６２（λ＝１．３μｍミクロン）と、４．０μ ｍ（７）ｎ−ＩｎＰ下側クラッド層６１、１００）ｎ⁺ーＩｎＰ基板１０とより なる。 レーザ部、背面モニタ検出部及びＶ溝を組み合わせた一体集積型装置の製造工 程の多くは一般に反応性イオン蝕刻（ＲＩＥ）法を含む。この反応性蝕刻法は化 学反応が違う４つの別々の蝕刻室を備えたコンピュータ制御反応性イオン蝕刻装 置により実施される。この装置には装入ロック室、及び上記４つの室の間でウエ ーハを移動させるロボット腕を備えた中央トランスファー室を含む。このような 反応性イオン蝕刻装置の例はロースマン他の論文「ＩｎＧａＡｓＰうね形導波部 の多室ＲＩＥ処理」Ｍａｔｈ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．Ｖｏ１． ２４２，ｐｐ３４１−３４８（１９９２）に記載さ れている。 集積装置構造体の第１工程は、Ｐｌａｓｍａ Ｔｅｃｈ．ＰＥＣＶＤ装置を使 用して、素材ウエーハ上にＳｉＮｘ層の蒸着を行うことにより開始する。ＰＥＣ ＶＤ装置のプロセス１工程３のタイマーは厚さ２００ｎｍのＳｉＮ層を蒸着する ように１６分にセットされる。ＳｉＮ_X蒸着に先立ってバッファＨＦ蝕刻を１５ 分間行う。 うね形導波領域とファイバ受容溝領域を形成するためのマスク開口を有するフ ォトレジトパターンを形成する。このうね形導波領域はレーザ部と背面検出部を 形成する箇所に対応し、溝領域はＶ溝部を形成する箇所に相当する。うね形領域 とｖ溝部に対して共通の一つのマスクを使用するため、両者の正確な整列と間隔 が確保される。パターンは次の工程で現像される。 ａ）ＨＭＤＳを５ｋｒｐｍで６０秒間回転する。 ｂ）Ｓｈｉｐ１ｅｙ２４００を５ｋｒｐｍで６０秒間回転する。 ｃ）９０℃で２０分間ベークする。 ｄ）壁開縁部を介してウエーハをマスクに対して適正な方向に配向する。 ｅ）マスクをＫａｒｌ Ｓｕｓｓ３００マスク整列器により整列し１３秒間Ｓ Ｔモードで露出する。 ｆ）マスクを溶液（１部のＡｚ２４０１と４部の水）中で７５秒間現像する。 このフォトレジストパターンは次にＳＦ６反応性イオ ン蝕刻法によりＳｉＮｘ層に転写される。具体的に説明すると、パターンを有す るＳｉＮｘをＳＦ₆プラズマにより２分間蝕刻し、次いで酸素プラズマで１０分 間蝕刻する。このパターン蝕刻工程を行った後のウエーハの構造は図６に斜視図 で示す。 ＳｉＮｘ層６６はフォトレジストパターンに従って蝕刻され抵抗性接触層６５ の選択された領域を露出させる。 次に、反応性イオン蝕刻法を使用して、抵抗性接触層６５の露出領域を通して その下のクラッド層６４まで蝕刻を行う。詳しく言うと、ＣＨ₄／Ｈ₂／Ａｒプラ ズマを使用して３０分間乾式蝕刻を行った後に、蝕刻の深さを測定し、最終的に 蝕刻が停止層６３の０．２５μｍ以内に至るように蝕刻を進める。湿式蝕刻に先 立って、ウエーハをアセトン及びイソプロピルアルコールで各１０分間煮沸して 清浄化し、Ｎ。中で乾燥する。湿式化学蝕刻は８：１のＨ₃ＰＯ₄／ＨＣＩ混合液 を使用する。乾式蝕刻と湿式蝕刻の後の状態を図７Ａに示す。 図７Ｂは図７Ａの構造からＳｉＮｘをバッファＨＦを使用して除去した後の前 端から見た断面図である。ウエーハは次いで脱イオン水中でゆすぎ、Ｎ₂中で吹 付け乾燥する。 次いで図７Ｂのウエーハ上にＳｉＮｘ層を蒸着して下記の次処理工程において ウエーハを保護する。これはうね形領域の上にｐ−オーミック金属（ＡｕＺｎ） と最終 金属（ＴｉＡｕ）のパターンを形成する工程である。図８の前面断面図に示され ているように、ＳｉＮｘ蒸着工程に対しては、Ｐｌａｓｍａ Ｔｅｃｈ．ＰＥＣ ＶＤ装置のプロセス２工程５のタイマーを３２分にセットし、ＳｉＮｘ層８１が 厚さ４００ｎｍになるように蒸着する。背面検出部（ＲＦＭ）及びレーザ部の上 のうね形構造の金属パターンニングは次のように実施される。 第２のフォトレジストパターンはウエーハのうね形構造に対応する露出領域を 形成するためのものである。このパターンは次の工程により形成される。 ａ）ＨＭＤＳを５ｋｒｐｍで６０秒間回転する。 ｂ）ＡＺ１４５０を５ｋｒｐｍで６０秒間回転し、１ｋｒｐｍで２５秒間回転 する。 ｃ）９０℃で２０分間ベークする。 ｄ）マスクをＫａｒｌ Ｓｕｓｓ３００マスク整列器により整列し１３秒間現 像する。 ｅ）マスクを溶液（１部のＡｚ２４０１と４部の水）中で７５秒間現像する。 このフォトレジストパターンは次にウエーハに転写される。すなわち露出され たＳｉＮｘはＳＦ₄プラズマで４分間蝕刻することにより除去される。露出され た抵抗性接触層は８０：１：１のＨ₂Ｏ／Ｈ₂Ｏ₂／ＨＳＯ₄混合液で２０秒間蝕刻 し、ついで脱イオン水でゆすぎ、更にＮ。中で吹付乾燥する。厚さ２００μｍの Ａｕ：Ｚｎ層６５をウエーハ全体に蒸着し、次いでアセトン中で 煮沸しスプレーしてＡｕ：Ｚｎのうね形構造のみを残す。Ａｕ：Ｚｎ層はウエー ハの面を上にしてＨｅａｔ Ｐｕｌｓｅ ２１０装置に装入し、３０％の電力で 使用して手動で温度を４００℃に上昇させ、その温度に１０秒間保ち、電力を切 ることにより台金化する。ウエーハを次に１００℃に冷却し、装置から取り出す 。 図９Ａは、最終金属をウエーハ上に蒸着し、次いでうね形領域に垂直なファセ ット面を形成することにより個別の背面検出部（ＲＦＭ）とレーザ部を形成する ための処理工程（次に説明する）を経て得られた構造体の斜視図である。ファセ ット面は具体的には反応性イオン蝕刻法により形成される。 ウエーハ上に最終金属を蒸着するために第３のフォトレジストパターンが図９ Ａの表面９２〜９５に対応した露出領域を形成するように形成される。第３のフ ォトレジストパターンは次の工程により作製される。 ａ）ＨＭＤＳを５ｋｒｐｍで６０秒間回転する。 ｂ）ＡＺ２４００を５ｋｒｐｍで６０秒間回転する。 ｃ）９０℃で２０分間ベークする。 ｄ）マスクをＫａｒｌ Ｓｕｓｓ３００マスク整列器によりＳＴモードで整列 し３０秒間露出する。 ｅ）マスクを４：１のＨ₂Ｏ／ＡＺ２４Ｏ１溶液中で３０秒間現像する。 次にＴｉ／Ａｕを次の工程で上記パターンを有するウ エーハ上に蒸着する。 ａ）ＳｉＮｘをＳＦ₆プラズマ中で２５秒間蝕刻する。 ｂ）酸素プラズマ中で６０秒間蝕刻する。 ｃ）Ｔｉを５０ｎｍＮＡｕを５００ｎｍの厚さに上表面に蒸着し、次いで好ま しくはうね形の線方向に対して両側４５゜の角度に交互に傾動させてステップカ バレッジを改善する。 ｄ）アセトン中で煮沸及びスプレーによりリフトオフし、 ｅ）ＳＦ。プラズマ中で４分間蝕刻する。 更に、次の工程で垂直ファセット面を形成する。個別の背面検出部及びレーザ 部をうね形領域に形成するための準備として、第３のＳｉＮｘ層をウエーハ上に 蒸着する。すなわち、Ｐｌａｓｍａ Ｔｅｃｈ．ＰＥＣＶＤ装置のプロセス２工 程５のタイマーを３２分にセットし、４００ｎｍの厚さのＳｉＮｘ層を蒸着する 。第４のフォトレジストパターンを形成してウエーハにおけるファセット面領域 に対応する露出領域を形成する。このパターンは次の工程による。 ａ）ＨＭＤＳを５ｋｒｐｍで６０秒間回転する。 ｂ）ＡＺ４４００を５ｋｒｐｍで６０秒間回転する。 ｃ）９０℃で２０分間ベークする。 ｄ）マスクをＫａｒｌ Ｓｕｓｓ３００マスク整列器 によりＳＴモードで整列し１５秒間露出する。 ｅ）マスクを３：１のＨ₂Ｏ／ＡＺ４００ｋ溶液中で９０秒間現像する。 ＳｉＮｘ層を上記マスクでパターン形成し、ＳＦ６プラズマ中で３分間蝕刻し て所望のファセット領域に対応するウエーハ領域を露出させる。乾式活性イオン 蝕刻工程とそれに続く湿式化学蝕刻工程により活性層を４μｍの深さに蝕刻して 平滑な垂直ファセット面を形成する。この乾式蝕刻では酸素プラズマ中で５分間 蝕刻し、ＣＨ₄／Ｈ₂／Ａｒプラズマで３００Å／分の速度で深さ４μｍまで蝕刻 する。この湿式化学蝕刻では８：１のＨ₃ＰＯ₃／ＨＣＩ混合物で３０秒蝕刻しフ ァセット面を平滑化する。 図９Ａの斜視図に示されているように、活性イオン蝕刻工程により形成される ファセットはレーザ部と背面検出部を分離すると共に、レーザ部とＶ溝とを分離 する。活性イオン蝕刻工程はまたうね形導波領域及びｖ溝領域に隣接した基体上 のウエーハ部分を除去する。最終の処理工程ではウエーハにファイバ受容溝が形 成される。すなわち、Ｖ溝がレーザ部の前方のウエーハ領域に形成される。 ウエーハにｖ溝を形成する準備として、第４のＳｉＮ_X層９１をウエーハ上に 蒸着する。すなわち、Ｐｌａｓｍａ Ｔｅｃｈ．ＰＥＣＶＤ装置のプロセス２工 程５のタイマーを３２分にセットし、４００ｎｍの厚さのＳｉ Ｎｘ層を蒸着する。次いで第５のフォトレジストパタ−ンを形成してウエーハに おけるＶ溝領域に対応する露出領域を形成する。具体的には、このマスクパター ンは後続のＶ溝の下記の深蝕刻工程中にレーザ部と背面検出部を保護する。この パターンの形成は次の工程による。 ａ）ＨＭＤＳを５ｋｒｐｍで６０秒間回転する。 ｂ）ＡＺ４４００を５ｋｒｐｍで６０秒間回転する。 ｃ）９０℃で２０分間ベークする。 ｄ）マスクをＫａｒｌ Ｓｕｓｓ３００マスク整列器により１５秒間露出する 。 ｅ）マスクを３：１のＨ₂Ｏ／ＡＺ４００ｋ溶液中で９０秒間現像する。 ウエーハを上記マスクでパターン形成し、ＳｉＮｘ層９１をＳＦ₆プラズマ中 で３分間蝕刻してＶ溝領域の下の蝕刻停止層６３を露出させる。抵抗性接触層６ ５の一部９３も露出する。図９ＢはＳｉＮｘ層９１を蝕刻した後のＶ溝領域の前 面断面図である。 乾式活性イオン蝕刻工程とそれに続く湿式化学蝕刻工程によりＶ溝を形成する 。すなわち、この乾式蝕刻では酸素プラズマ中で５分間蝕刻し、ＣＨ₄／Ｈ₂／Ａ ｒプラズマで３０分間蝕刻する。この湿式化学蝕刻では１：１のＨＣＩ／ＣＨ₃ ＣＯＯＨ混合物で１５分間蝕刻し、次いで残りのＳｉＮｘ層をＳＦ₆プラズマで ４分間蝕刻する。蝕刻工程では（１１２）Ａ結晶面がウエーハの（ １００）面に対して３５度の角度をなすことが分かる。 最終構造の斜視図及び前面断面図は図１０Ａ及び１０Ｂにそれぞれ示されている 。図示のように、Ｖ溝の縁部は停止層まで蝕刻することにより階段状になってい る。 Ｖ溝は深さ４４．７μｍである。溝の端部は垂直な（１１０）面であり、レー ザのファセット面とファイバの端部との間の正確かつ再現性の良い距離を与える ための機械的ストッパを提供する。Ｖ溝のこの垂直面はまたファイバ挿入時の機 械的な損傷からレーザ部のファセット面を保護する。 製造された構造体は、５μｍ幅のチャンネルで隔離されたレーザ部及び背面検 出部に対する３μｍ幅のうね形導波領域を含む。レーザキャビティの長さは３０ ０μｍであり、背面検出部ＲＦＭ部の長さは１５０μｍである。Ｖ溝の幅と深さ はそこに挿入される光学ファイバの心線がレーザ部の活性領域に整列するように 制御して蝕刻される。 好ましくは、本製造方法はＳｎＡｕのｎ−抵抗性接触金属化層を基体裏面上に 形成する工程を含む。この裏面金属化は１０ｎｍのＳｎと、３０ｎｍのＡｕと、 ５０ｎｍのＴｉと、２００ｎｍのＡｕとをウエーハの裏面に蒸着し、次いでそれ らを合金化することにより達成される。 以上の説明ではレーザ部と背面検出部とＶ溝とよりなる単一の構造体の形成に 関して詳述したが、このような 構造のもの複数個を適当なフォトレジストマスクパターンを使用して単一のウエ ーハ上に形成し、次いで切断して個々の棒状の単一構造体にし得ることは当業者 には明らかであろう。 以上により本発明の好ましいと思われる実施例を説明したが、本発明の範囲内 で種々の変形例及び修正例が可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シエー，チャンロング アメリカ合衆国 85253 アリゾナ，パラ ダイス バリー，イースト バー ゼッド レイン 6739 (72)発明者 アーミエントー，クレイグ アルフレッド アメリカ合衆国 01720 マサチューセッ ツ，アクトン，バジャー サークル ４ (72)発明者 トンプソン，ジョン アルビン アメリカ合衆国 01730 マサチューセッ ツ，ベドフォード，ジョナサン レイン 15 (72)発明者 ネグリ，アルフレッド ジョゼフ アメリカ合衆国 02154 マサチューセッ ツ，ウォルサム，ライマン ストリート 37

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．ファイバ受容溝と、光検出部と、前記ファイバ受容溝及び前記光検出部と直 列に整列してそれらの間に配置されたレーザ部とを具備した一体集積型半導体構 造体。 ２．前記ファイバ受容部は光ファイバが位置決めできるＶ溝を有し、前記光検出 部は背面モニタ構造を有する請求項１の一体集積型半導体構造体。 ３．前記光検出部及びレーザ部はうね形導波構造を含む請求項１の一体集積型半 導体構造体。 ４．一体集積型半導体構造体は、下から順にＩｎＰ基体と、第１のＩｎＰクラッ ド層と、ＩｎＧａＡｓ活性層と、ＩｎＧａＡｓＰ蝕刻停止層と、第２のＩｎＰク ラッド層と、ＩｎＧａＡｓ抵抗性接触層とよりなる請求項１に記載の一体集積型 半導体構造体。 ５．基板上に成長させたへテロ構造を有する素材ウエーハから半導体構造物を製 造する方法において、 素材ウエーハの装置領域に対応した露出窓を有する第１マスクパターンでウエ ーハをマスクし、 この第１マスクパターンを有するウエーハの露出領域を蝕刻してうね形導波領 域とファイバ受容領域とを形成し、 前記うね形導波領域にファセット面を形成する領域に対応した露出窓を有する 第２マスクパターンでウエーハ をマスクし、 この第２マスクパターンを有するウエーハの露出領域を蝕刻してレーザ部と検 出部とを形成し、 前記ファイバ受容領域に対応した露出窓を有する第３マスクでウエーハをマス クし、 この第３マスクパターンを有するウエーハの露出領域を蝕刻してファイバ受容 溝を形成する段階を含む、基板上に成長させたへテロ構造を有する素材ウエーハ から半導体構造物を製造する方法。 ６．前記第１マスクパターンを有するウエーハの露出領域を蝕刻してうね形導波 領域とファイバ受容領域とを形成する工程は、活性イオン蝕刻法により蝕刻停止 層に達するまで前記露出領域を蝕刻するものである請求項５の半導体構造物を製 造する方法。 ７．前記第２マスクパターンでウエーハをマスクする前に、抵抗性金属と最終金 属をうね形導波領域にパターンニングする請求項５の半導体構造物を製造する方 法。 ８．前記第２マスクパターンを有するウエーハの露出領域を蝕刻してレーザ部と 検出部とを形成する工程は、前記露出領域を活性層の下まで深さに活性イオン蝕 刻を行うものである請求項５の半導体構造物を製造する方法。 ９．前記第３マスクパターンを有するウエーハの露出領域を蝕刻してファイバ受 容溝を形成する段階は、前記露出領域を蝕刻してファイバ受容溝を形成するもの である 請求項５の半導体構造物を製造する方法。 １０．ファイバ受容溝はＶ溝を含む請求項５の半導体構造物を製造する方法。 １１．複数のファイバ受容溝と、前記ファイバ受容溝のそれぞれに関連している 複数の光検出部と、前記ファイバ受容溝と前記関連している光検出部との間にあ ってそれらに対してそれぞれ直列に整列している複数レーザ部とよりなる、一体 集積型ウエーハの組立て体。 １２．前記ファイバ受容部は光ファイバを位置決めできるＶ溝を有し、前記光検 出部は背面モニタ構造を有する請求項１１の一体集積型ウエーハの組立て体。 １３．前記光検出部及びレーザ部はうね形導波構造を含む請求項１１の一体集積 型ウエーハの組立て体。 １４．複数の光検出手段と、各々が対応した前記光検出手段に関連している複数 のファイバ受容溝と、各々が対応した前記光検出手段と対応した前記ファイバ受 容溝に位置付けられる光案内手段との間に介在して光学的に結合し得る複数の光 発生手段とよりなる、一体集積型光学組立て体。 １５．前記複数の光検出手段の各々は背面モニタ光検出器を有し、前記複数のフ ァイバ受容溝の各々はｖ溝を有し、前記光発生手段の各々はレーザを含む請求項 １４の一体集積型光学組立て体。