JPH08505268A - 回転可能で水平に伸ばし得るウェーハホルダを備えたウェーハ移送モジュール - Google Patents
回転可能で水平に伸ばし得るウェーハホルダを備えたウェーハ移送モジュールInfo
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- JPH08505268A JPH08505268A JP6515296A JP51529694A JPH08505268A JP H08505268 A JPH08505268 A JP H08505268A JP 6515296 A JP6515296 A JP 6515296A JP 51529694 A JP51529694 A JP 51529694A JP H08505268 A JPH08505268 A JP H08505268A
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Abstract
(57)【要約】
ウェーハ移送モジュール(10)は、水平ウェーハ取扱装置(11)を垂直ウェーハ処理装置(12)と相互結合し、かつ、この水平ウェーハ取扱装置(11)に通じ、ウェーハ(35)を水平状態で通過できるような大きさの第1口(36)とこの垂直ウェーハ処理装置(12)に通じ、ウェーハ(35)を垂直状態で通過できるようにする大きさの第2口(38)を備えた排気可能ハウジング(26)を含む。この移送モジュール(10)は、ウェーハ(35)をペデスタル(52)上に支持するウェーハホルダ(25)を含み、このペデスタル(52)とウェーハ(35)を傾斜軸(28)周りに、第1口(36)に近接した水平状態と第2口(38)に近接し、それと整列した垂直状態の間に回転する。このウェーハホルダ(25)は、この垂直に向いたプラテン(52)とウェーハ(35)を、この第2位置から第2口(38)を通して垂直処理装置(12)の装入/取出し部へ水平に伸ばす。処理が終わってから、この順序を反転して、ウェーハ(35)を水平ウェーハ取扱装置(11)へ戻す。
Description
【発明の詳細な説明】回転可能で水平に伸ばし得るウェーハホルダを備えたウェーハ移送モジュール 発明の分野
この発明は、半導体ウェーハを製造する際に使用する移送モジュールに関し、
更に詳しくは、ウェーハを水平ウエーハ取扱装置と垂直ウェーハ処理装置の間に
運搬する、ウェーハ移送モジュールに関する。発明の背景
半導体基板またはウェーハの製造には、汚染物質のない真空環境を必要とする
。取扱または処理中に発生する微粒子および/または粉塵は、ウェーハを損傷す
ることがある。ウェーハの微粒子汚染に対する感受性を下げるためには、ウェー
ハを垂直状態に保持して処理するのが好ましい。
この出願人の米国特許明細書第4,909,695号は、装入/取出し部と水
平軸周りに等間隔に離間した複数の処理部を含む、垂直ウェーハ処理装置を開示
している。この垂直ウェーハ処理装置の運搬装置には、ウェーハを垂直状態で保
持する、少なくとも一つのウェーハ保持リングがあり、各部に一つのウェーハ保
持リングがあるのが好ましい。ウェーハを処理するために、この運搬装置は、ウ
ェーハを、回転コンベヤ式に、連続的に各処理部へ回転する。各部で一つの処理
工程が行われ、この工程は、この装入/取出し部で始まり、装入/取出し部で終
わる。
もう一つの種類のウェーハ処理装置には、複数のウェーハ処理モジュールに結
合された中央水平ウェーハ取扱モジュールまたは装置があり、それらの処理モジ
ュールは、このウェーハ取扱モジュールの外側の周りに結合可能である。この水
平ウエーハ取扱装置には、ウェーハに所望の処理を行うために、このウェーハを
他の処理モジュールのどれかの中へ移送するため、その中へ伸び得るロボットア
ームがある。この種のウェーハ処理システムでは、このウェーハロボットが、ど
れか選択した処理順序に従って、各ウェーハを一つ以上のモジュールに出し入れ
できるので、色々な種類のウェーハを処理する多様性が得られ、スループットが
向上する。また、周囲の処理モジュールは、必要な特定の種類のウェーハ処理に
適合させるために、変えることができる。この出願人の米国特許明細書第5,1
54,730号は、この種の水平ウェーハ取扱装置に結合可能なスパッタリング
モジュールを開示している。
残念ながら、あるウェーハ製造の用途には、この手法は、各モジュールで一つ
の製造工程しかできないので、スループットを低下する。追加のモジュールをこ
の取扱モジュールに結合したり、追加の取扱モジュールを付加したりできるが、
これはこのシステムの全体の複雑さを増し、スペース要件も増す。
この発明の目的は、垂直ウェーハ処理装置の汚染物質のない利点を、水平ウェ
ーハ取扱装置が提供する処理能力の多様性の強化と組合わせることである。
この発明のもう一つの目的は、高度のウェーハ処理多様性とウェーハ処理スル
ープットを、最少のスペースしか要求しないで、同時に達成することである。
上記の目的は、水平ウェーハ取扱装置を垂直ウェーハ処理装置と相互連結する
ウェーハ移送モジュールによって達成される。この発明のウェーハ移送モジュー
ルは、ウェーハホルダを収容するハウジングと、この水平ウェーハ取扱装置に通
じ、ウェーハが水平状態で通過できる大きさの第1口を含む。このウェーハ移送
モジュールは、この垂直ウエーハ処理装置に通じる第2口も含み、この第2口は
、このウェーハが、この第2口が作られているこのハウジングの壁と平行な、垂
直状態で通過できる大きさである。
このウェーハホルダは、水平ウェーハ取扱装置のロボットから水平状態のウェ
ーハを受け、そのウェーハを水平ペデスタルに固着し、このウェーハとペデスタ
ルを傾斜軸周りに垂直状態へ回転し、そして次に、この垂直に保持したウェーハ
を、この移送モジュールから垂直ウェーハ処理装置の装入/取出し部へ、水平に
伸ばす。
このウェーハ移送モジュールで使うウェーハホルダは、傾斜軸周りに回転する
ので、1回転の運動でこのウェーハを第1口に近接した水平状態から、第2口に
近接し、それと整列した垂直状態へ動かす。次に、このウェーハホルダは、垂直
に保持したウェーハを、垂直ウェーハ処理装置へ移送するために、第2口を通し
て装入/取出し部の中へ伸ばす。ウェーハの処理が終わってから、順序を逆にし
て、このウェーハを水平ウェーハ取扱装置へ戻す。
この移送モジュールは、最少量のスペースしか占めないで、水平ウェーハ取扱
装置を垂直ウェーハ処理装置と有効に相互連結する。このウェーハ移送モジュー
ルは、水平ウェーハ処理および/または取扱システムと垂直ウェーハ処理および
/または取扱システムの間の融合をもたらし、それによてウェーハ製造業者にウ
ェーハのスループットを最大にし、所望する工程の順序の選択の多様性を最適化
し、ウェーハの微粒子汚染に対する感受性を最少で操業できるようにもする。
この発明の好ましい実施例によれば、水平ウェーハ取扱装置を垂直ウェーハ処
理装置と相互連結するためのウェーハ移送モジュールは、排気可能なハウジング
を含み、そのハウジングは、その隣接する側壁に第1口および第2口が作られて
いる。この第1口は、水平ウェーハ取扱装置に通じ、ウェーハが水平状態で通過
できる大きさである。この第2口は、垂直ウェーハ処理装置の装入/取出し部に
通じ、ウェーハが、この第2口が作られているこのハウジングの壁と平行な、垂
直状態で通過できる大きさである。
このウェーハ移送モジュールは、更に、ウェーハ保持ペデスタルを備えたウェ
ーハホルダを含む。このウェーハホルダは、傾斜タレットに取付けられ、このウ
ェーハホルダおよびペデスタルを水平状態と垂直状態の間、およびその逆に動か
すために、このタレットに関して回転可能である。このウェーハ移送モジュール
は、この第2口と対向して位置するこのハウジングの側壁に取付けられたピスト
ンも含む。このウェーハホルダとペデスタルが垂直状態にあり、この第2口と整
列しているとき、このピストンは、このウェーハホルダとペデスタルを、この第
2口を通して、垂直ウェーハ処理装置の装入/取出し部の中へ伸ばしおよびそれ
から引っ込める。
このウェーハホルダは、更に、このペデスタルから外に伸びられ、かつその中
に引っ込める複数のピンを含む。これらのピンは、このウェーハホルダ内のペデ
スタルの下に位置する板に支持されている。このペデスタル水平であって、ピン
が伸びているとき、この水平ウェーハ取扱装置から第1口を通して伸びたロボッ
トアームを介して、この第1口からウェーハをこれらのピンの上に受けることが
できる。ピンが引っ込むと、ウェーハは、その裏面がペデスタルで支持されるま
で、このペデスタルまで下がる。
このペデスタルの半径方向に外側に、複数のクランプがある。これらのクラン
プは、半径方向に外方の開位置と、半径方向に内方の閉位置の間を動く。この閉
位置にあるとき、これらのクランプは、このウェーハの前面とその外周付近で係
合する。これらのピンが伸びたとき、これらのクランプは、この開位置にある。
このウェーハがこれらのクランプによってペデスタル上に保持され、このペデ
スタルおよびウェーハが、この第1口に近接して水平状態にあるとき、このウェ
ーハホルダは、傾斜軸周りに回転して、ペデスタルとウェーハを垂直状態に、こ
の第2口と整列して動かすことができる。その後、このピストンは、ペデスタル
とその上に保持されたウェーハを含めてウェーハホルダを水平に伸ばす。
この第2口を通して水平に伸びると、このウェーハの前面は、この垂直ウェー
ハ処理装置が備えるウェーハ保持リングに支持された、ばねで片寄せられたタブ
と接触する。このウェーハがその前面でこれらのタブと係合すると、このウェー
ハホルダが備え、このペデスタルの半径方向に外側に位置する複数のアクチュエ
ータが、この垂直ウェーハ処理装置のウェーハ保持リングと相互作用して、この
リングが保持するローラを回転し、このウェーハの裏面と係合させる。これらの
ローラは、このペデスタルの脇の切欠き領域の中へ回転して、ペデスタルそれ自
身と干渉することなく、このウェーハの後ろへ動く。このウェーハをローラとウ
ェーハ保持リングの間で垂直状態に保持して、これらのクランプは、半径方向に
外方に、それらの開位置へ動く。このウェーハホルダには、半径方向に内方に向
いた切欠きが作られていて、クランプが、ウェーハ保持リングそれ自身と干渉す
ることなく、半径方向に外方に動けるようにする。次に、このウェーハホルダは
、このモジュールの中へ引っ込む。そこで、ゲート弁と閉じて、この移送モジュ
ールを垂直ウェーハ処理装置から分離してもよい。
この最初のウェーハを垂直ウェーハ処理装置に移送してから、この水平ウェー
ハ取扱装置からもう一つのウェーハを得て、垂直ウェーハ処理装置の次のウェー
ハ保持リングへ移送してもよい。この垂直ウェーハ処理装置の全てのウェーハ保
持リングがウェーハを保持するまで、この工程を続ける。
この垂直処理装置によるウェーハの処理が終わってから、上記の順序を逆転す
る。最初に、既に処理したウェーハをこの垂直ウェーハ処理装置の装入/取出し
部に置いて、ゲート弁を開く。次に、ウェーハホルダが第2口を通ってウェーハ
の裏側付近の位置へ水平に伸びる。次に、クランプが半径方向に内方に閉じて、
ウェーハの前面と接触する。次に、このウェーハホルダが備えるアクチュエータ
が、ローラを回転して、このウェーハの裏面との接触を外し、このウェーハがク
ランプによってペデスタルに対して垂直に保持されるようにする。次に、このウ
ェーハホルダが、第2口を通ってハウジングの中へ水平に引っ込む。引っ込んだ
後に、このウェーハホルダは、このウェーハとペデスタルを、傾斜軸周りに垂直
状態から、第1口に近接した水平状態へ回転する。次に、クランプがこのウェー
ハから半径方向に外方に動く。次に、この板が上方に動いてピンを伸ばし、ウェ
ーハをペデスタルから上方に挙げ、それによってロボットアームがウェーハを回
収して水平ウェーハ処理装置へ戻せるようにする。
これらのピン、クランプ、アクチュエータ、ウェーハホルダの回転およびウェ
ーハホルダの伸縮の動作のタイミングおよび順序は、単一のプログラム可能制御
装置で制御するのが好ましい。この制御装置は、この垂直ウェーハ処理装置、ウ
ェーハ移送モジュールおよび水平ウェーハ取扱装置、並びにそれらと相互連結さ
れたその他のウェーハ取扱および/若しくは処理装置またはモジュールが行うウ
ェーハ処理および取扱作業の全体の順序を調整する主制御装置と作用するように
接続されているのが好ましい。
本発明のこれらおよびその他の特徴は、以下の詳細な説明および図面を参照す
ればより容易に理解できるだろう。図面の簡単な説明
第1図は、本発明の好ましい実施例に従って、水平ウェーハ取扱装置と垂直ウ
ェーハ処理装置の間に相互結合されたウェーハ移送モジュールを含むウェーハ処
理システムの概略平面図である。
第2図は、第1図の線2−2に沿って取られた断面図で、ウェーハ移送モジュ
ールのウェーハホルダが、このモジュールの第1口に近接して水平状態に回転さ
れ、それによってウェーハが水平状態でそこを通過してこのモジュールと水平ウ
ェーハ取扱装置の間を移動できるようにすることを示す。
第3図は、第2図に類似する断面図で、ウェーハホルダが垂直状態に回転され
、モジュールの第2口と整列したことを示す。
第4図は、第3図に類似する断面図で、ウェーハホルダが第2口を通って、垂
直ウェーハ処理装置の装入/取出し部の中へ伸びたことを示す。
第5図は、第2、3および4図に示すウェーハホルダの部分断面立面図である
。
第6図は、第5図の線6−6に沿って取られたウェーハホルダの断面図である
。
第7図は、この装入/取出し部で協同して移送するウェーハをずらす、移送モ
ジュールと垂直ウェーハ処理装置の一組の部品の拡大断面概略図である。図面の詳細な説明
第1図は、この発明の好ましい実施例に従って、水平ウェーハ取扱装置11と
垂直ウェーハ処理装置12の間に相互連結されたウェーハ移送モジュール10を
示す。この水平ウェーハ取扱装置11には、中心軸15の周りに回転でき、この
中心軸15から半径方向に外方に伸縮できて、一つのウェーハを、そこに連結さ
れた種々の他のウェーハ取扱装置の間に動かす、中央に位置するロボットアーム
14がある。
第1図は、この発明のモジュール10を使うウェーハ処理システムの特定の構
成を示す。第1図では、このウェーハ取扱装置11に二つの装填/固定モジュー
ル18および19が結合されている。これらの装填/固定モジュール18および
19の各には、複数の水平に積み重ねたウェーハ(図示せず)を保持するカセッ
トがある。この水平ウェーハ取扱装置11には、更にウェーハ処理モジュール2
1および22が結合されている。上記のように、もし望むなら、ウェーハ処理能
力と多用性を最適にするために、ウェーハ処理システムにこの種のモジュールを
追加して結合してもよい。これらのモジュールの構成と動作順序は、処理すべき
ウェーハの種類によって決まるだろう。
この発明のウェーハ移送モジュール10は、垂直、回転コンベヤ型ウェーハ処
理装置12が提供する汚染物質のない環境の利点と組合わさった、この種のウェ
ーハシステムの利点を与える。この発明のウェーハ移送モジュール10は、第1
図に示すように、特に回転コンベヤ型垂直ウェーハ処理装置12を水平ウェーハ
取扱装置11と相互連結するとき有利であるが、このウェーハ移送モジュール1
0は、どんな水平ウェーハ処理または取扱モジュール/装置を、もう一つの垂直
ウェーハ取扱または処理モジュール/装置と連結するためにでも使うことができ
ることも理解すべきである。
第2図に示すように、このウェーハ移送モジュール10には、排気可能ハウジ
ング26の内部に取付けたウェーハホルダ25がある。このウェーハホルダ25
は、好ましくは水平から約45°に向いた傾斜軸線28に合わせて配置された軸
またはタレット27によって支持されている。主回転フィードスルー29がこの
タレット27を軸線28の周りに回転する。このウェーハホルダ25とタレット
27は、ベース30に取付けられている。ピストン32がこのベース30を排気
可能ハウジング26の側壁31に結合する。ハウジング26には、更に上蓋33
と底開口部34があり、その開口部を通して真空ポンプ(図示せず)がこのハウ
ジング26を排気することができる。
この排気可能ハウジング26には、第1側壁37に作られた第1口36がある
。この第1口36は、ウェーハ35が水平状態で通過できる大きさになっている
。更に詳しくは、この第1口36は、ロボットアーム14が、ウェーハ35を保
持しながら、水平ウェーハ取扱装置11から外へ、およびウェーハ移送モジュー
ル10の中へ伸びることができる。ハウジング26には、第2側壁39に作られ
た第2口38もある。この第2側壁39は、ピストン側の壁31と対向する位置
にある。第2口38は、ウェーハ35が第2側壁39と平行に置かれた、垂直状
態で通過できる大きさになっている。
ウェーハ35は、第1口36および第2口38を通して、このウェーハ移送モ
ジュール10に出入りする。ゲート弁41(第1図)が第1口36を閉じてウェ
ーハ移送モジュール10を水平ウェーハ取扱装置11から分離でき、ゲート弁4
2が第2口38を閉じてウェーハ移送モジュール10を垂直ウェーハ処理装置1
2から分離できるのが好ましい。第1口36から受けたウェーハ35を、第2口
38を通して垂直ウェーハ処理装置12へ動かすために、ウェーハホルダ25は
、第3図に示すように、ウェーハ35を傾斜軸線28の周りに垂直状態へ回転し
て、第2口38と整列させる。次に、ピストン32が、第4図に示すように、ベ
ース30、タレット27およびウェーハホルダ25を水平に伸ばし、ウェーハホ
ルダ
25を第2口38を通して垂直ウェーハ処理装置12の装入/取出し部46の中
へ入れる。この垂直ウェーハ処理装置12には、更なるウェーハ処理部47、4
8および49があり、それらを通してこのウェーハ35を、回転コンベヤ方式で
軸線50の周りに連続的に動かしてウェーハ処理工程を実施することができる。
この垂直ウェーハ処理装置12によって行われるウェーハ処理工程は、このウェ
ーハ35が装入/取出し部46に戻ったときに終わる。
第5図および第6図に示すように、ウェーハホルダ25には、運搬中にウェー
ハ35の裏側と接触するペデスタル52がある。複数、好ましくは三つのピン5
3がこのペデスタル52内に収容されている。これらのピン53は、このぺデス
タル52から出入りするようにされている。これらのピン53は、ペデスタル5
2の後ろにあってそれとほぼ平行な板56に取付けられているのが好ましい。板
56は、ペデスタル52の底にブラケット付けされた内部直線アクチュエータ5
7に取付いている。板56は、アクチュエータ57によって、ペデスタル52に
接近および離隔して動き、それによってこれらのピン53をペデスタル52に関
して、それぞれ、出入りするようにされている。ピン53は、ペデスタル52が
第1口36に近接して、水平状態にあるとき、出入りする。ピン53は、上がり
、または伸びたとき、ロボットアーム14がウェーハ35を口36を通してこれ
らのピン52の上の位置へ動かせるようにする。次に、ロボットアーム14(第
1図)は、このウェーハ15をピン53の上に降ろす。板56が下方に動くこと
によりピン53が引っ込むと、このウェーハ35を直接ペデスタル52上に置く
。
ウェーハホルダ25には、半径方向にペデスタル52の外側にある、複数、好
ましくは三つのクランプ54もある。これらのクランプ54は、外の、開いた位
置と内の、閉じた位置の間を半径方向に動く。この閉位置にあるとき、クランプ
54は、ウェーハ35の前面にその外周で接触して、このウェーハ35をペデス
タル52上に保持する。
各クランプ54は、ウェーハホルダ25内でペデスタル52の下に伸びるレバ
ー58に結合されている。各レバー58は、ばね59によって上方に片寄せられ
、それぞれのレバー58の下端にあるカムローラ60を、中央の回転アクチュエ
ータ、またはカム装置63の弧状のカム面62と係合させる。このカム装置63
は、
ブラケット57に取付けられ、ペデスタル52を通る中心軸64の周りに回転で
きる。これが回転すると、弧状カム面62を上げ下げして、レバー58を、それ
ぞれ、ペデスタル52の方へまたは離して上げ下げし、それによってそれぞれの
クランプ54を開閉する。クランプ54によってウェーハ35をペデスタル52
にしっかりと保持して、ウェーハホルダ25を傾斜軸線28周りに180゜回転
して、ウェーハ35を水平状態と垂直状態の間に動かしてもよい。
ウェーハホルダ25には、半径方向にペデスタル52の外側に位置する複数の
アクチュエータ65もある。これらのアクチュエータ65は、垂直ウェーハ処理
装置12のウェーハ取扱リング66(第4図)と装入/取出し部46で協同し、
ウェーハ35をこの発明のウェーハ移送モジュール10と垂直ウェーハ処理装置
12の間に移送する。
更に詳しくは、これらのアクチュエータ65には、アクチュエータヘッド69
に結合された1対の角68がある。第6図に示すように、このアクチュエータヘ
ッド69は、回転フィードスルー70に結合し、そのフィードスルーは、回転ア
クチュエータ71によって駆動される。このアクチュエータ71は、ケーブル7
3を通して供給される電気信号によって電気的に駆動される。ケーブル73並び
に、それぞれ、直線アクチュエータ57および中央カム装置63に電力信号を伝
える、他のケーブル74および75は、タレット27を通り、ベース30を通っ
て、ピストン32からハウジング26の外へ出る経路を採るのが好ましい。
第7図に示すように、ウェーハホルダ25を装入/取出し部46の中へ動かし
たとき、角68は、支持部材78の中空くぼみ76に嵌まり、その支持部材は、
ボルト79によってウェーハ保持リング66に保持され、そのボルトは、スリー
ブ80を貫通し、ねじ孔82によってこのリング66とねじ結合する。このスリ
ーブ80は、支持部材78をリング66に関して回転できるようにする。この支
持部材78は、ローラ84を支持し、そのローラは、角68が回転すると、回転
してウェーハ35の裏面85と接触するようになる。ウェーハ35の前面86は
、このローラ86に抗して、ばねの掛かったタブ88によって保持される。この
工程は、ペデスタル52の周囲の離間した三つの位置の各々で起こる。
第5図は、これら3本のピン53に関する三つの垂直回転フィードスルー70
の相対位置を示す。3組の回転フィードスルー70とピン53を図示するが、も
し必要なら、この発明は、ピン53とフィードスルー70を追加することも意図
することを理解すべきである。クランプ54の一つが、各組のピン53および回
転フィードスルー70と関連する。再び、第5図に示すように、三つのクランプ
54を図示するが、必要ならこの数を増すことができる。クランプ54は、軸線
64に関して半径方向に内方に、閉位置(第6図)へ動いて、ウェーハ35と接
触する。ウェーハ35の縁が占める位置を、参照番号90で示す。開位置(第2
図)では、このクランプ54は、ウェーハ35の縁90の半径方向に外側に位置
する。
前記のように、各クランプ54は、レバー58、ばね59、および中央回転ア
クチュエータ63のカム面62上にあるカムローラ60に連結している。更に、
レバー58をそれぞれのクランプ54と相互連結するために、複数の回転フィー
ドスルー92が設けられている。これらの回転フィードスルー92は、ウェーハ
ホルダ25内にあるが、ペデスタル52および軸線64に関して外方に接線方向
に伸び、各回転フィードスルー92は、それぞれのクランプ54がある切欠き領
域94の中へ伸びる。ウェーハ処理の技術分野で知られるように、回転フィード
スルーは、真空環境で動かなければならない可動部に対する適切なインタフェー
スとなる。三つの切欠き領域94の各々は、回転フィードスルー92が、ウェー
ハホルダ25の外部にあるクランプ54を、ウェーハホルダ25の内部にあるそ
れぞれのレバー54と連結できるようにする。
弧状隙間切欠き95も、ウェーハ35の縁90を越えて半径方向に内方に、装入
/取出し部46にあるとき、アクチュエータ回転フィードスルー70がウェーハ
35の後ろのウェーハ保持リング66のローラ84を回転できるに十分な距離だ
け伸びる。
動作する際は、ゲート弁41が開いた状態で、ウェーハ35の載せたロボット
アーム14が、水平ウェーハ取扱装置11から口36を通って、ウェーハホルダ
25の上に伸びたピン53の上の位置へ伸びる。このロボットアーム14は、下
方に動いてウェーハ35をピン53の上に置く。次に、ロボットアーム14が口
36から引っ込んで、ゲート弁41が閉じる。
ピン53が引っ込んでウェーハ35を直接ペデスタル52上に置く。その後、
カム装置63が軸線64の周りに回転し、カム面62がカムローラ60に作用し
てレバー58をペデスタル52から離し、それによってクランプ54を半径方向
に内方に動かしてウェーハ35の上面と接触させる。次に、ウェーハホルダ25
が軸線28周りに回転して、ペデスタル52とこの保持されたウェーハ35を垂
直状態に位置づけ、第2口38と整列させる。その後、ゲート弁42が開き、ピ
ストン32がベース30、タレット27およびウェーハホルダ25を水平に伸ば
して、このウェーハホルダ25、ペデスタル52およびウェーハ35が口38を
通って水平に動き、垂直ウェーハ処理装置12の装入/取出し部46の中へ入る
ようにする。この位置で、ウェーハ35の前面は、ウェーハ保持リング66に取
付けられた、少なくとも三つのばね掛けタブ88に近接し、または接触している
。
ウェーハホルダ25が水平に動くと、アクチュエータヘッド69の角68も、
ウェーハ保持リング66に回転可能に固着された支持部材78の中空領域76の
中に入る。アクチュエータ70が回転すると、角68とそれぞれの支持部材78
を回転して、ローラ84を、ペデスタル52の弧状隙間切欠き95を通して動か
し、ウェーハ35の裏面85と接触させる。ウェーハ35がローラ84とばね掛
けタブ88の間に係合すると、カム装置63が再び軸線64の周りに回転して、
カムローラ60とそれぞれのレバー58をペデスタル52の方に動かし、それに
よってクランプ54を、外縁90を越えて半径方向に外方に動かす。次に、ピス
トン32がウェーハホルダ25を第2口38から水平に引っ込めてハウジング2
6に戻し、ゲート弁42が閉じてこのウェーハ移送モジュール10を垂直ウェー
ハ処理装置12から分離する。
次に、別のウェーハ35を水平ウェーハ取扱装置11から受けるために、ウェ
ーハホルダ25を回転して水平状態に戻してもよい。この次のウェーハ35も、
垂直状態に回転し、それから、垂直ウェーハ処理装置12の回転コンベヤ(図示
せず)に取付けられた次のウェーハ保持リング66に移送するために、同様に、
口38を通して伸ばす。4枚のウェーハ35を垂直ウェーハ処理装置12に移し
てしまうまで、この工程を同様な方法で続けてもよい。もし、この垂直ウェーハ
処理装置12に、装入/取出し部46を含めて五つ以上の部分があるならば、こ
の方法で5枚以上のウェーハ35をこの垂直ウェーハ処理装置12に移送しても
よい。
この垂直ウェーハ処理装置12を、これらの各部分に1枚ずつのウェーハ35
で完全に装填した後に、処理されたウェーハは、この回転コンベヤの次の回転で
、この装入/取出し部46に戻るだろう。すると、ウェーハホルダ25は、ウェ
ーハ35を回収してハウジング26に戻し、このウェーハ35を回転して水平状
態に戻し、このウェーハ35を水平状態で垂直に上方に伸ばしてロボットアーム
14が回収できるようにする。次に、このウェーハホルダは、装入/取出し部4
6で空のウェーハ保持リング66に移送すべき別のウェーハ35を待ってもよい
し、軸線28の周りに回転して、第2口38を通して装入/取出し部46の中へ
水平に伸ばし、次のウェーハ保持リング66が保持する次のウェーハ35を回収
してもよい。そこで、この垂直ウェーハ処理装置が処理したウェーハ35を全て
一つずつ水平ウェーハ取扱装置11に戻し、この垂直ウェーハ処理装置11を空
にするまで、この工程を続けてもよい。
ウェーハ35を水平ウェーハ取扱装置11と垂直ウェーハ処理装置12の間に
動かす特定の順序は、処理すべきウェーハ35の種類とこれら全てのウェーハ取
扱および処理モジュールの特定の組織および順序に依って変わってもよい。
この発明を、図示した好ましい実施例で説明したが、当業者は、この発明の概
念から逸脱することなく、種々の変更ができることが分かるだろう。
【手続補正書】特許法第184条の8
【提出日】1994年12月5日
【補正内容】
向上する。また、周囲の処理モジュールは、必要な特定の種類のウェーハ処理に
適合させるために、変えることができる。この出願人の米国特許明細書第5,1
54,730号は、この種の水平ウェーハ取扱装置に結合可能なスパッタリング
モジュールを開示している。
残念ながら、あるウェーハ製造の用途には、この手法は、各モジュールで一つ
の製造工程しかできないので、スループットを低下する。追加のモジュールをこ
の取扱モジュールに結合したり、追加の取扱モジュールを付加したりできるが、
これはこのシステムの全体の複雑さを増し、スペース要件も増す。
この発明の目的は、垂直ウェーハ処理装置の汚染物質のない利点を、水平ウェ
ーハ取扱装置が提供する処理能力の多様性の強化と組合わせることである。
この発明のもう一つの目的は、高度のウェーハ処理多様性とウェーハ処理スル
ープットを、最少のスペースしか要求しないで、同時に達成することである。
この発明によれば、ウェーハを水平ウェーハ取扱装置から垂直ウェーハ処理装
置へ運搬するためのウェーハ移送装置であって、この水平ウェーハ取扱装置に通
じ、ウェーハを水平状態で通過できるようにする大きさの第1口を有する排気可
能ハウジング、このハウジング内にあり、ウェーハをこの第1口に近接して水平
状態で受けかつ保持するようにされたウェーハホルダ、このウェーハホルダを傾
斜軸周りに回転して、この保持したウェーハを垂直状態に配置するための手段を
含む装置において、この装置がウェーハをこの水平ウェーハ取扱装置とこの垂直
ウェーハ処理装置の間に運搬するためのウェーハ移送モジュールであること、こ
のハウジングが、この垂直ウェーハ処理装置に通じ、ウェーハを垂直状態で通過
できるようにする大きさの第2口を含むこと、この回転手段が、この保持したウ
ェーハを垂直状態に、およびこの第2口と整列して配置すること、並びにこのモ
ジュールが、このウェーハホルダをこの第2口を通して、この垂直ウェーハ処理
装置の装入/取出し部の中へ伸ばし、それによってこの垂直ウェーハ処理装置へ
の移送を容易にすることを特徴とする。
このウェーハ移送モジュールは、水平ウェーハ取扱装置を垂直ウェーハ処理装
置と相互連結する。このェエーハ移送モジュールは、ウェーハホルダを収容する
ハウジングと、この水平ウェーハ取扱装置に通じ、ウェーハが水平状態で通過で
きる大きさの第1口を含む。このウェーハ移送モジュールは、この垂直ウェーハ
処理装置に通じる第2口も含み、この第2口は、このウェーハが、この第2口の
作られているこのハウジングの壁と平行な、垂直状態で通過できる大きさである
。
このウェーハホルダは、水平ウェーハ取扱装置のロボットから水平状態のウェ
ーハを受け、そのウェーハを水平ぺデスタルに固着し、このウェーハとペデスタ
ルを傾斜軸周りに垂直状態へ回転し、そして次に、この垂直に保持したウェーハ
を、この移送モジュールから垂直ウェーハ処理装置の装入/取出し部へ、水平に
伸ばす。
このウェーハ移送モジュールで使うウェーハホルダは、傾斜軸周りに回転する
ので、1回転の運動でこのウェーハを第1口に近接した水平状態から、第2口に
近接し、それと整列した垂直状態へ動かす。次に、このウェーハホルダは、垂直
に保持したウェーハを、垂直ウェーハ処理装置へ移送するために、第2口を通し
て装入/取出し部の中へ伸ばす。ウェーハの処理が終わってから、順序を逆にし
て、このウェーハを水平ウェーハ取扱装置へ戻す。
この移送モジュールは、最少量のスペースしか占めないで、水平ウェーハ取扱
装置を垂直ウェーハ処理装置と有効に相互連結する。このウェーハ移送モジュー
ルは、水平ウェーハ処理および/または取扱システムと垂直ウェーハ処理および
/または取扱システムの間の融合をもたらし、それによてウェーハ製造業者にウ
ェーハのスループットを最大にし、所望する工程の順序の選択の多様性を最適化
し、ウェーハの微粒子汚染に対する感受性を最少で操業できるようにもする。
好ましい実施例においては、第1口および第2口がハウジングの隣接する側壁
に作られている。このウェーハ移送モジュールは、更に、ウェーハ保持ペデスタ
ルを備えたウェーハホルダを含む。このウェーハホルダは、傾斜タレットに取付
けられ、このウェーハホルダおよびペデスタルを水平状態と垂直状態の間、およ
びその逆に動かすために、このタレットに関して回転可能である。このウェーハ
移送モジュールは、この第2口と対向して位置するこのハウジングの側壁に取付
けられたピストンも含む。このウェーハホルダとペデスタルが垂直状態にあり、
この第2口と整列しているとき、このピストンは、このウェーハホルダとペデス
タルを、この第2口を通して、垂直ウェーハ処理装置の装入/取出し部の中へ伸
ばしおよびそれから引っ込める。
このウェーハホルダは、更に、このペデスタルから外に伸びられ、かつその中
に引っ込める複数のピンを含む。これらのピンは、このウェーハホルダ内のペデ
スタルの下に位置する板に支持されている。このペデスタル水平であって、ピン
が伸びているとき、この水平ウェーハ取扱装置から第1口を通して伸びたロボッ
トアームを介して、この第1口からウェーハをこれらのピンの上に受けることが
できる。ピンが引っ込むと、ウェーハは、その裏面がペデスタルで支持されるま
の方法で5枚以上のウェーハ35をこの垂直ウェーハ処理装置12に移送しても
よい。
この垂直ウェーハ処理装置12を、これらの各部分に1枚ずつのウェーハ35
で完全に装填した後に、処理されたウェーハは、この回転コンベヤの次の回転で
、この装入/取出し部46に戻るだろう。すると、ウェーハホルダ25は、ウェ
ーハ35を回収してハウジング26に戻し、このウェーハ35を回転して水平状
態に戻し、このウェーハ35を水平状態で垂直に上方に伸ばしてロボットアーム
14が回収できるようにする。次に、このウェーハホルダは、装入/取出し部4
6で空のウェーハ保持リング66に移送すべき別のウェーハ35を待ってもよい
し、10 軸線28の周りに回転して、第2口38を通して装入/取出し部46の
中へ水平に伸ばし、次のウェーハ保持リング66が保持する次のウェーハ35を
回収してもよい。そこで、この垂直ウェーハ処理装置が処理したウェーハ35を
全て一つずつ水平ウェーハ取扱装置11に戻し、この垂直ウェーハ処理装置11
を空にするまで、この工程を続けてもよい。
ウェーハ35を水平ウェーハ取扱装置11と垂直ウェーハ処理装置12の間に
動かす特定の順序は、処理すべきウェーハ35の種類とこれら全てのウェーハ取
扱および処理モジュールの特定の組織および順序に依って変わってもよい。請求の範囲
1. ウェーハ(35)を水平ウェーハ取扱装置(11)から垂直ウェーハ処理
装置(12)へ運搬するためのウェーハ移送装置であって、この水平ウェーハ取
扱装置(11)に通じ、ウェーハ(35)を水平状態で通過できるようにする大
きさの第1口(36)を有する排気可能ハウジング(26)、このハウジング(
26)内にあり、ウェーハ(35)をこの第1口(36)に近接して水平状態で
受けかつ保持するようにされたウェーハホルダ(25)、このウェーハホルダ(
25)を傾斜軸(28)周りに回転して、この保持したウェーハ(35)を垂直
状態に配置するための手段(27)を含む装置において、この装置がウェーハ(
35)をこの水平ウェーハ取扱装置(11)とこの垂直ウェーハ処理装置(12
)の間に運搬するためのウェーハ移送モジュール(10)であること、このハウ
ジング(26)が、この垂直ウェーハ処理装置(12)に通じ、ウェーハ(35
)を垂直状態で通過できるようにする大きさの第2口(38)を含むこと、この
回転手段(27)が、この保持したウェーハ(35)を垂直状態に、およびこの
第2口(38)と整列して配置すること、並びにこのモジュール(10)が、こ
のウェーハホルダ(25)をこの第2口(38)を通して、この垂直ウェーハ処
理装置(12)の装入/取出し部の中へ伸ばし、それによってこの垂直ウェーハ
処理装置(12)への移送を容易にすることを特徴とするウェーハ移送モジュー
ル。
2. 請求項1に記載するウェーハ移送モジュールにおいて、このウェーハホル
ダ(25)を水平に伸ばすための手段が、この第2口(38)に対向して、それ
と整列して位置するピストン(32)を含むウェーハ移送モジュール。
3. 請求項2に記載するウェーハ移送モジュールにおいて、このピストン(3
2)と第2口(38)がこのハウジング(26)の対向する側壁(31,39)
に位置し、この第1口(36)が、これらの対向する側壁(31,39)の間に
ある側壁(37)に作られているウェーハ移送モジュール。
4. 請求項1から請求項3までのいずれか一つに記載するウェーハ移送モジュ
ールにおいて、この傾斜軸(28)が、水平に関して約45°の角度に向き、こ
のウェーハホルダ(25)が180°回転してこのウェーハ(35)を水平状態
と垂直状態の間に動かすウェーハ移送モジュール。
5. 請求項1から請求項4までのいずれか一つに記載するウェーハ移送モジュ
ールにおいて、このウェーハホルダ(25)が、更に、上にこのウェーハ(35
)を受け、保持する支持面を有するペデスタル(52)を含むウェーハ移送モジ
ュール。
6. 請求項5に記載するウェーハ移送モジュールにおいて、このウェーハ保持
手段(25)が、更に、このペデスタル(52)の半径方向に外側に位置し、こ
の垂直ウェーハ処理装置(12)と協同して、このウェーハ(35)をこの移送
モジュール(10)とこの垂直ウェーハ処理装置(12)の間に移送するように
された、アクチュエータ手段(65)を含むウェーハ移送モジュール。
7. 請求項5または請求項6のどちらかに記載するウェーハ移送モジュールに
おいて、このウェーハ保持手段(25)が、更に、引っ込み可能からこのペデス
タル(52)の中へ外方に伸び得る複数のピン(53)、および、複数のクラン
プ(54)を含み、これらのクランプ(54)は、これらのピン(53)が引っ
込んでいるときに、このウェーハ(35)をこのペデスタル(52)上に保持す
るために、このウェーハ(35)の前面と係合する閉位置へ動き得るウェーハ移
送モジュール。
8. 請求項7に記載するウェーハ移送モジュールにおいて、このウェーハ保持
手段(25)が、更に、このペデスタル(52)のウェーハ支持面とほぼ平行に
、それと対向して位置し、これらのピン(53)を支持する板(56)、および
、この板(56)をこのペデスタル(52)の方に、および離れるように動かし
て、それぞれ、これらのピン(53)を伸ばし、および引っ込めるための手段(
57)を含むウェーハ移送モジュール。
9. 請求項8に記載するウェーハ移送モジュールにおいて、このウェーハ保持
手段(25)が、更に、各々これらのクランプ(54)の一つにしっかりと結合
された複数のレバー(58)、各々それぞれのクランプ(54)を、このペデス
タル(52)の半径方向に外側の開位置へ片寄せるようにされた複数のばね手段
(59)、このウェーハ保持装置の中に、この板(56)のペデスタル(52)
と対向する側に位置し、各々これらのレバー(58)の一つと係合する複数のカ
ム面(62)を含む中央アクチュエータ(63)、並びに、この中央アクチュエ
ータを回転し、それによって、これらのカム面(62)がこれらのレバー(58
)をこのペデスタル(52)の方に、およびそれから離れるように動かして、そ
れぞれ、これらのクランプ(54)を開きまたは閉じるようにするための手段を
含むウェーハ移送モジュール。
10. ウェーハ(35)を垂直状態で受けかつ処理するための、回転コンベヤ
型垂直ウェーハ処理装置(12)であって、複数の処理部(47,48,49)
並びにこの垂直装置(12)へおよび垂直装置(12)からの移送に対応するた
めの装入/取出し部(46)を有する垂直ウェーハ処理装置(12)、ウェーハ
(35)を水平状態で動かすようにされた水平ウェーハ取扱装置(11)であっ
て、ウェーハ(35)を水平状態で通過できる大きさの、少なくとも一つの口、
およびこの口を通って伸びるように動いててウェーハ(35)を回収するための
ウェーハ支持手段(14)を有する水平ウェーハ取扱装置(11)、並びに、請
求項1から請求項9までのいずれか一つに記載されたウェーハ移送モジュール(
10)であって、この垂直装置(12)と水平装置(11)の間に相互連結され
、このモジュールの第1口(36)がこの水平ウェーハ取扱装置(11)の上記
少なくとも一つの口に通じ、およびこのモジュールの第2口(38)がこの垂直
ウェーハ処理装置(12)の装入/取出し部(46)に通じるウェーハ移送モジ
ュール(10)の組合せ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE,
DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M
C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG
,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN,
TD,TG),AT,AU,BB,BG,BR,BY,
CA,CH,CZ,DE,DK,ES,FI,GB,H
U,JP,KP,KR,KZ,LK,LU,LV,MG
,MN,MW,NL,NO,NZ,PL,PT,RO,
RU,SD,SE,SK,UA,VN
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1. ウェーハを水平ウェーハ取扱装置と垂直ウェーハ処理装置の間に運搬する ためのウェーハ移送モジュール。 この水平ウェーハ取扱装置に通じる第1口とこの垂直ウェーハ処理装置に通じ る第2口を有し、この第1口は、ウェーハが水平状態で通過できる大きさであり 、第2口は、ウェーハが垂直状態で通過できる大きさである、排気可能ハウジン グ; このハウジング内にあり、この第1口に近接してウェーハを水平状態で受け、 かつ保持するようにされたウェーハホルダ; このウェーハホルダを傾斜軸周りに回転して、保持したウェーハを垂直状態で 、この第2口と整列して位置付けるための手段;および このウェーハホルダをこの第2口を通して、垂直ウェーハ処理装置の装入/取 出し部の中へ伸ばし、それによってこの垂直ウェーハ処理装置への移送を容易に するための手段。 2. 請求項1に記載するウェーハ移送モジュールにおいて、このウェーハホル ダが、更に: 上にこのウェーハを受け、保持するペデスタル; このペデスタル内に位置し、このペデスタルから外に伸びられ、かつその中に 引っ込める複数のピン;および このウェーハの裏面がこのペデスタルと接触し、これらのピンが引っ込んでい るとき、ウェーハの前面と接触および離脱するように動き得る複数のクランプを 含むウェーハ移送モジュール。 3. 請求項2に記載するウェーハ移送モジュールにおいて、このウェーハホル ダが、更に: このペデスタルの半径方向に外側に位置し、この装入/取出し部でこの垂直処 理装置と協同して、このウェーハの裏面と係合し、このウェーハをこの垂直処理 装置へおよびこの装置から移送することを容易にするようにされた、複数のアク チュエータを含むウェーハ移送モジュール。 4. 請求項1に記載するウェーハ移送モジュールにおいて、この水平に伸ばす ための手段が、この第2口に対向して、それと整列して位置するピストンを含む ウェーハ移送モジュール。 5. 請求項4に記載するウェーハ移送モジュールにおいて、このハウジングが 四つの側壁を有し、このピストンと第2口が対向する側壁に位置し、この第1口 が、上記対向する側壁の間の側壁に作られているウェーハ移送モジュール。 6. 請求項1に記載するウェーハ移送モジュールにおいて、この傾斜軸が、水 平に関して約45°の角度に向き、このウェーハホルダが180°回転してこの ペデスタルを水平状態と垂直状態の間に動かすウェーハ移送モジュール。 7. ウェーハを垂直状態で受けかつ処理するための、回転コンベヤ型垂直ウェ ーハ処理装置であって、複数の処理部並びにこの垂直装置へおよび垂直装置から の移送に対応するための装入/取出し部を有する垂直ウェーハ処理装置; ウェーハを水平状態で動かすようにされた水平ウェーハ取扱装置であって、ウ ェーハを水平状態で通過できる大きさの、少なくとも一つの口、およびこの口を 通って伸びてウェーハを受けかつ回収するためのウェーハ支持手段を有する水平 ウェーハ取扱装置; この垂直装置と水平装置の間に相互連結され、この水平ウェーハ取扱装置の上 記少なくとも一つの口に通じる第1口およびこの垂直ウェーハ処理装置の装入/ 取出し部に通じる第2口を有するウェーハ移送モジュール;および このウェーハ移送モジュール内にあり、この第1口に近接してウェーハを水平 状態で支持しかつ保持し、この保持したウェーハを傾斜軸によって垂直状態にこ の第2口と整列して回転し、およびこの保持した、垂直状態のウェーハをこの第 2口を通してこの装入/取出し部の中へ水平に伸ばし、それによってこの垂直ウ ェーハ処理装置とこの水平ウェーハ取扱装置の間の移送を容易にするようにされ た、ウェーハ保持手段、を組合わせて含む発明。 8. 請求項7に記載する発明において、このウェーハ保持手段が、更に: このモジュール内にあるときに、このウェーハの裏側を支持するためのウェー ハ支持面を有するペデスタル;および このペデスタルの半径方向に外側でこのウェーハ保持手段に取付けられ、この 垂直ウェーハ処理装置と協力してこのウェーハをこの移送モジュールとこの垂直 ウェーハ処理装置の間に移送するようにされたアクチュエータ手段、を含む発明 。 9. 請求項8に記載する発明において、このウェーハ保持手段が、更に: このペデスタルから外方に伸びかつその中に引っ込める複数のピン;および このペデスタルの半径方向に外側に取付けられ、これらのピンが引っ込んでい るとき、半径方向に閉位置へ動いて、このウェーハの前面と係合し、このウェー ハをこのペデスタル上に保持できる複数のクランプ、を含む発明。 10. 請求項9に記載する発明において、このウェーハ保持手段が、更に: このペデスタルのウェーハ支持面とほぼ平行に、それと対向して位置し、これ らのピンを支持する板;並びに この板をこのペデスタルの方に、および離れるように動かして、それぞれ、こ れらのピン伸ばし、および引っ込めるための手段、を含む発明。 11. 請求項10に記載する発明において、このウェーハ保持手段が、更に: 各々これらのクランプの一つにしっかりと結合された複数のレバー; 各々それぞれのクランプを、このペデスタルの半径方向に外側の開位置へ片寄 せるようにされた複数のばね手段; このウェーハ保持装置の中に、この板のペデスタルと対向する側に位置する中 央アクチュエータ; この中央アクチュエータを回転するための手段;並びに この中央アクチュエータの第2端にある複数のカム面であって、これらのカム 面の各々は、これらのレバーの一つと係合し、それによって、この中央アクチュ エータが回転すると、これらのカム面がこれらのレバーをこのペデスタルの方に 、および離れるように動かして、それぞれ、これらのクランプを開きまたは閉じ るカム面、を含む発明。
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Families Citing this family (258)
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|---|---|---|---|---|
| JP2644912B2 (ja) * | 1990-08-29 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置及びその運転方法 |
| US5421889A (en) * | 1993-06-29 | 1995-06-06 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for inverting samples in a process |
| US5642298A (en) * | 1994-02-16 | 1997-06-24 | Ade Corporation | Wafer testing and self-calibration system |
| US5751385A (en) * | 1994-06-07 | 1998-05-12 | Honeywell, Inc. | Subtractive color LCD utilizing circular notch polarizers and including a triband or broadband filter tuned light source or dichroic sheet color polarizers |
| US5898588A (en) * | 1995-10-27 | 1999-04-27 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Method and apparatus for controlling substrate processing apparatus |
| US5997235A (en) * | 1996-09-20 | 1999-12-07 | Brooks Automation, Inc. | Swap out plate and assembly |
| TW398024B (en) * | 1997-09-01 | 2000-07-11 | United Microelectronics Corp | Method to prevent stepper fetch arm from scratching the wafer back and its control device |
| US5982132A (en) * | 1997-10-09 | 1999-11-09 | Electroglas, Inc. | Rotary wafer positioning system and method |
| US6050739A (en) * | 1997-12-01 | 2000-04-18 | Micron Technology, Inc. | Robot end effector for automated wet wafer processing |
| USD422866S (en) * | 1999-01-07 | 2000-04-18 | Tooltek Engineering Corporation | Substrate fixturing device |
| US6340090B1 (en) | 1999-01-07 | 2002-01-22 | Tooltek Engineering Corporation | Substrate fixturing device |
| US6627466B1 (en) * | 2002-05-03 | 2003-09-30 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for detecting backside contamination during fabrication of a semiconductor wafer |
| US7720558B2 (en) | 2004-09-04 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for mapping carrier contents |
| US8137048B2 (en) * | 2006-09-27 | 2012-03-20 | Vserv Technologies | Wafer processing system with dual wafer robots capable of asynchronous motion |
| US9117870B2 (en) * | 2008-03-27 | 2015-08-25 | Lam Research Corporation | High throughput cleaner chamber |
| US8562272B2 (en) * | 2010-02-16 | 2013-10-22 | Lam Research Corporation | Substrate load and unload mechanisms for high throughput |
| US8893642B2 (en) | 2010-03-24 | 2014-11-25 | Lam Research Corporation | Airflow management for low particulate count in a process tool |
| US8282698B2 (en) * | 2010-03-24 | 2012-10-09 | Lam Research Corporation | Reduction of particle contamination produced by moving mechanisms in a process tool |
| US9449862B2 (en) | 2011-06-03 | 2016-09-20 | Tel Nexx, Inc. | Parallel single substrate processing system |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| TWI871083B (zh) | 2018-06-27 | 2025-01-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) * | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
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| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102762833B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-02-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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| CN112216646B (zh) | 2019-07-10 | 2026-02-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR102895115B1 (ko) | 2019-07-16 | 2025-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TWI826704B (zh) | 2019-07-17 | 2023-12-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 自由基輔助引燃電漿系統和方法 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| US11276593B2 (en) | 2019-07-22 | 2022-03-15 | Rorze Automation, Inc. | Systems and methods for horizontal wafer packaging |
| CN112309843B (zh) | 2019-07-29 | 2026-01-23 | Asmip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210015655A (ko) | 2019-07-30 | 2021-02-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| KR20210018761A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP7810514B2 (ja) | 2019-08-21 | 2026-02-03 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR102928101B1 (ko) | 2019-08-23 | 2026-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
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| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR102948143B1 (ko) | 2019-10-08 | 2026-04-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| KR20220090438A (ko) | 2020-12-22 | 2022-06-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이금속 증착 방법 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
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| US12512348B2 (en) * | 2021-09-10 | 2025-12-30 | Mit Semiconductor (Tian Jin) Co., Ltd. | System and process for sorting die from wafer using angled wafer table and angled turret |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE240913C (ja) * | ||||
| US3756939A (en) * | 1971-10-14 | 1973-09-04 | Materials Research Corp | Target mounting device for sequential sputtering |
| US4241698A (en) * | 1979-02-09 | 1980-12-30 | Mca Discovision, Inc. | Vacuum evaporation system for the deposition of a thin evaporated layer having a high degree of uniformity |
| US4405435A (en) * | 1980-08-27 | 1983-09-20 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for performing continuous treatment in vacuum |
| US4498833A (en) * | 1982-05-24 | 1985-02-12 | Varian Associates, Inc. | Wafer orientation system |
| US4634331A (en) * | 1982-05-24 | 1987-01-06 | Varian Associates, Inc. | Wafer transfer system |
| SE452428B (sv) * | 1983-07-11 | 1987-11-30 | Asea Ab | Robotinstallation for montering |
| JPS6052574A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-25 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
| JPS61106768A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-24 | Anelva Corp | 基体処理装置 |
| JPH07105345B2 (ja) * | 1985-08-08 | 1995-11-13 | 日電アネルバ株式会社 | 基体処理装置 |
| US4735540A (en) * | 1985-11-15 | 1988-04-05 | Komag, Inc. | Robotic disk handler system |
| US4909695A (en) * | 1986-04-04 | 1990-03-20 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for handling and processing wafer-like materials |
| US4670126A (en) * | 1986-04-28 | 1987-06-02 | Varian Associates, Inc. | Sputter module for modular wafer processing system |
| JPS6361140U (ja) * | 1986-10-11 | 1988-04-22 | ||
| DE3702775A1 (de) * | 1987-01-30 | 1988-08-11 | Leybold Ag | Vorrichtung zum quasi-kontinuierlichen behandeln von substraten |
| US4778332A (en) * | 1987-02-09 | 1988-10-18 | The Perkin-Elmer Corporation | Wafer flip apparatus |
| US4795299A (en) * | 1987-04-15 | 1989-01-03 | Genus, Inc. | Dial deposition and processing apparatus |
| SU1465247A1 (ru) * | 1987-05-21 | 1989-03-15 | В.М.Таныгин | Транспортирующее устройство дл роторных машин |
| US4836905A (en) * | 1987-07-16 | 1989-06-06 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus |
| US5004399A (en) * | 1987-09-04 | 1991-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Robot slice aligning end effector |
| US4851101A (en) * | 1987-09-18 | 1989-07-25 | Varian Associates, Inc. | Sputter module for modular wafer processing machine |
| US4859137A (en) * | 1987-10-21 | 1989-08-22 | Asyst Technologies | Apparatus for transporting a holder between a port opening of a standardized mechanical interface system and a loading and unloading station |
| US4907931A (en) * | 1988-05-18 | 1990-03-13 | Prometrix Corporation | Apparatus for handling semiconductor wafers |
| US4952299A (en) * | 1988-10-31 | 1990-08-28 | Eaton Corporation | Wafer handling apparatus |
| US4923584A (en) * | 1988-10-31 | 1990-05-08 | Eaton Corporation | Sealing apparatus for a vacuum processing system |
| US4944860A (en) * | 1988-11-04 | 1990-07-31 | Eaton Corporation | Platen assembly for a vacuum processing system |
| US5154730A (en) | 1991-05-17 | 1992-10-13 | Materials Research Corporation | Semiconductor wafer processing module having an inclined rotating wafer handling turret and a method of using the module |
-
1992
- 1992-12-23 US US07/996,102 patent/US5295777A/en not_active Expired - Fee Related
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