JPH0850710A - 絶縁酸化物交換層を有する磁気抵抗効果式変換器 - Google Patents
絶縁酸化物交換層を有する磁気抵抗効果式変換器Info
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ変換器において、耐腐食性を良好にし、
かつ、バルクハウゼンノイズを減少させる。 【構成】 ＭＲセンサ層に隣接する交換層を、絶縁反強
磁性金属酸化物材料で形成する。材料としては、コバル
ト酸化物（ＣｏＯ）、ニッケル酸化物（ＮｉＯ）、コバ
ルト酸化物とニッケル酸化物の多層体、コバルトニッケ
ル酸化物（ＣｏＮｉＯ）、α鉄酸化物（αＦｅ2Ｏ3）、
およびこれらの混合物が適している。
かつ、バルクハウゼンノイズを減少させる。 【構成】 ＭＲセンサ層に隣接する交換層を、絶縁反強
磁性金属酸化物材料で形成する。材料としては、コバル
ト酸化物（ＣｏＯ）、ニッケル酸化物（ＮｉＯ）、コバ
ルト酸化物とニッケル酸化物の多層体、コバルトニッケ
ル酸化物（ＣｏＮｉＯ）、α鉄酸化物（αＦｅ2Ｏ3）、
およびこれらの混合物が適している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、バルクハウゼンノイ
ズを回避するために長手方向バイアス用の反強磁性交換
層を有する磁気抵抗効果式読み取り変換器に関し、とり
わけ磁気抵抗効果式変換器の酸化物交換層に関するもの
である。
ズを回避するために長手方向バイアス用の反強磁性交換
層を有する磁気抵抗効果式読み取り変換器に関し、とり
わけ磁気抵抗効果式変換器の酸化物交換層に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果式（ＭＲ）読み取り変換器
は、磁気媒体に記録された情報を電気信号に変換する。
ＭＲヘッドは、検知磁界の変化の結果生じるＭＲ読み取
り素子の磁化状態の変化に起因する抵抗変化によって、
高い線密度の磁界信号を検知する。
は、磁気媒体に記録された情報を電気信号に変換する。
ＭＲヘッドは、検知磁界の変化の結果生じるＭＲ読み取
り素子の磁化状態の変化に起因する抵抗変化によって、
高い線密度の磁界信号を検知する。
【０００３】ＭＲ変換器の使用において生じる一つの問
題は、変換器の出力における感度および直線性の不連続
な変化である。これは、通常「バルクハウゼンノイズ」
として知られている。バルクハウゼンノイズは、磁区壁
の不規則な動きに由来するもので、長手方向バイアス磁
界の付与により低減されてきた。長手方向バイアス磁界
は、磁化を整列し、単磁区状態を作り出す。
題は、変換器の出力における感度および直線性の不連続
な変化である。これは、通常「バルクハウゼンノイズ」
として知られている。バルクハウゼンノイズは、磁区壁
の不規則な動きに由来するもので、長手方向バイアス磁
界の付与により低減されてきた。長手方向バイアス磁界
は、磁化を整列し、単磁区状態を作り出す。
【０００４】米国特許第４，１０３，３１５号は、反強
磁性・強磁性結合に関連して長手方向バイアスを誘発す
る方法を開示している。この特許においては、交換層
は、ＭＲセンサの全長に亘って位置している。長手方向
バイアス付与の改善案が、米国特許第４，６６３，６８
５号に述べられており、そこではＭＲセンサは端部非作
動領域においてのみ長手方向にバイアス付与され、中央
部作動領域においてはされていなかった。交換層に遷移
元素金属の合金を使用することは、今日よく知られてい
る。ＭＲ交換バイアス膜において反強磁性材料として、
鉄マンガン（ＦｅＭｎ）合金が一般的に使用されてい
る。
磁性・強磁性結合に関連して長手方向バイアスを誘発す
る方法を開示している。この特許においては、交換層
は、ＭＲセンサの全長に亘って位置している。長手方向
バイアス付与の改善案が、米国特許第４，６６３，６８
５号に述べられており、そこではＭＲセンサは端部非作
動領域においてのみ長手方向にバイアス付与され、中央
部作動領域においてはされていなかった。交換層に遷移
元素金属の合金を使用することは、今日よく知られてい
る。ＭＲ交換バイアス膜において反強磁性材料として、
鉄マンガン（ＦｅＭｎ）合金が一般的に使用されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのよ
うな交換層の腐食の問題が発生している。したがって、
充分な長手方向バイアスを作り出し、かつ耐腐食性の改
善された交換層を有するＭＲ変換器を求める要望があ
る。
うな交換層の腐食の問題が発生している。したがって、
充分な長手方向バイアスを作り出し、かつ耐腐食性の改
善された交換層を有するＭＲ変換器を求める要望があ
る。
【０００６】この発明は、良好な耐腐食性および長手方
向バイアス付与特性を有する材料を提供することを目的
とする。
向バイアス付与特性を有する材料を提供することを目的
とする。
【０００７】さらに、この発明は、磁気抵抗効果式読み
取り変換器において、腐食を受けにくくしながら、バル
クハウゼンノイズを減少させることを目的とする。
取り変換器において、腐食を受けにくくしながら、バル
クハウゼンノイズを減少させることを目的とする。
【０００８】さらに、この発明は、最小の近零レベルの
バルクハウゼンノイズを有し、腐食を受けにくくしたＭ
Ｒ変換器の製作方法を提供することを目的とする。
バルクハウゼンノイズを有し、腐食を受けにくくしたＭ
Ｒ変換器の製作方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の一つの実施例
は、反強磁性酸化物を含む交換層を有する磁気抵抗効果
式読み取り変換器に関する。交換層は、好ましくは、以
下の酸化物の一つまたは混合物で構成される。すなわ
ち、ニッケル酸化物（ＮｉＯ）、コバルト酸化物（Ｃｏ
Ｏ）、コバルトニッケル酸化物、およびＣｏＯとＮｉＯ
の多層体である。好ましいＭＲ変換器は、基板層に隣接
して位置するＭＲセンサ層と、端部非作動領域において
ＭＲセンサ層に隣接して位置する反強磁性酸化物交換層
と、交換層に隣接して位置しＭＲセンサ層に電気的に接
触した導電リード層とを含む。変換器の中央部作動領域
は、実質的に交換層またはリード材料が存在しない。
は、反強磁性酸化物を含む交換層を有する磁気抵抗効果
式読み取り変換器に関する。交換層は、好ましくは、以
下の酸化物の一つまたは混合物で構成される。すなわ
ち、ニッケル酸化物（ＮｉＯ）、コバルト酸化物（Ｃｏ
Ｏ）、コバルトニッケル酸化物、およびＣｏＯとＮｉＯ
の多層体である。好ましいＭＲ変換器は、基板層に隣接
して位置するＭＲセンサ層と、端部非作動領域において
ＭＲセンサ層に隣接して位置する反強磁性酸化物交換層
と、交換層に隣接して位置しＭＲセンサ層に電気的に接
触した導電リード層とを含む。変換器の中央部作動領域
は、実質的に交換層またはリード材料が存在しない。
【００１０】この発明の他の実施例は、ＭＲ読み取り変
換器の交換層の腐食を最小限化する方法に関する。好ま
しい方法は、適宜の基板上の中央部作動領域にＭＲセン
サ層を形成することを含む。その方法は、さらに端部非
作動領域において部分的にＭＲセンサ層の端部に重なり
合う二つの反強磁性酸化物交換層を形成するとともに、
ＭＲセンサの中央部には交換材料を存在させないように
することを含む。中央部作動領域内または近傍に、交換
層に隣接しかつＭＲセンサ層と電気的に接触して導電リ
ード層が形成されるとともに、ＭＲセンサの中央部には
リード材料を存在させないようにする。
換器の交換層の腐食を最小限化する方法に関する。好ま
しい方法は、適宜の基板上の中央部作動領域にＭＲセン
サ層を形成することを含む。その方法は、さらに端部非
作動領域において部分的にＭＲセンサ層の端部に重なり
合う二つの反強磁性酸化物交換層を形成するとともに、
ＭＲセンサの中央部には交換材料を存在させないように
することを含む。中央部作動領域内または近傍に、交換
層に隣接しかつＭＲセンサ層と電気的に接触して導電リ
ード層が形成されるとともに、ＭＲセンサの中央部には
リード材料を存在させないようにする。
【００１１】
【実施例】図１を参照して説明すると、好ましいＭＲ読
み取り変換器１０の構造は、基板層１２上で中央に置か
れたＭＲセンサ層１８を含み、ＭＲ変換器１０の中央部
作動領域２０を定義する。変換器１０の端部非作動領域
において基板層１２に隣接して交換層１４および２６が
配置されている。交換層１４および２６は、ＭＲセンサ
層１８の端部領域に接触しているが、作動領域２０を完
全に通しては延びていない。端部非作動領域には、交換
層１４および２６に隣接して電気的導電リード１６およ
び２４が配置されている。リード層１６および２４も、
その張り出し端部２２によりＭＲセンサ層１８の端部領
域と電気的に接触しているが、作動領域２０を完全に通
しては延びていない。リード層は、好ましくは、約５０
から約３００ナノメートルの範囲の厚さである。
み取り変換器１０の構造は、基板層１２上で中央に置か
れたＭＲセンサ層１８を含み、ＭＲ変換器１０の中央部
作動領域２０を定義する。変換器１０の端部非作動領域
において基板層１２に隣接して交換層１４および２６が
配置されている。交換層１４および２６は、ＭＲセンサ
層１８の端部領域に接触しているが、作動領域２０を完
全に通しては延びていない。端部非作動領域には、交換
層１４および２６に隣接して電気的導電リード１６およ
び２４が配置されている。リード層１６および２４も、
その張り出し端部２２によりＭＲセンサ層１８の端部領
域と電気的に接触しているが、作動領域２０を完全に通
しては延びていない。リード層は、好ましくは、約５０
から約３００ナノメートルの範囲の厚さである。
【００１２】ＭＲセンサ層は、ニッケルと鉄の合金（Ｎ
ｉＦｅ）の単層構造体または三層構造体とすることがで
きる。図６は、三層ＭＲセンサ９０を分解断面図として
図解している。ＭＲセンサ９０は、ＮｉＦｅ層９２とセ
ンサ用の横方向バイアスを用意する軟質作動層９６（Ｓ
ＡＬ）の間に配置された非磁性スペーサ層９４を備えて
いる。ＭＲセンサ層のパターンは、イオンミリングまた
はリフトオフプロセスなどの異なる方法で形成すること
ができる。ＭＲセンサ層の厚さは、応用するデバイスに
応じて、約５から約９０ナノメートル、好ましくは約１
０から約７０ナノメートルと種々の値にすることができ
る。
ｉＦｅ）の単層構造体または三層構造体とすることがで
きる。図６は、三層ＭＲセンサ９０を分解断面図として
図解している。ＭＲセンサ９０は、ＮｉＦｅ層９２とセ
ンサ用の横方向バイアスを用意する軟質作動層９６（Ｓ
ＡＬ）の間に配置された非磁性スペーサ層９４を備えて
いる。ＭＲセンサ層のパターンは、イオンミリングまた
はリフトオフプロセスなどの異なる方法で形成すること
ができる。ＭＲセンサ層の厚さは、応用するデバイスに
応じて、約５から約９０ナノメートル、好ましくは約１
０から約７０ナノメートルと種々の値にすることができ
る。
【００１３】この発明の交換層は、耐腐食性の反強磁性
絶縁酸化物材料により従来のものより有利に形成されて
いて、この点が従来技術の鉄マンガン（ＦｅＭｎ）合金
に対する改善点である。好ましい交換材料は、コバルト
ニッケル酸化物（ＣｏＮｉＯ）、コバルト酸化物とニッ
ケル酸化物の多層構造体を含む。交換層の厚さは、具体
的な応用品に応じて種々であるが、好ましくは約１０か
ら約５０ナノメートルの範囲がよい。交換層は、種々の
方法でパターン化できるが、好ましい方法はリフトオフ
プロセスまたはエッチングプロセスである。
絶縁酸化物材料により従来のものより有利に形成されて
いて、この点が従来技術の鉄マンガン（ＦｅＭｎ）合金
に対する改善点である。好ましい交換材料は、コバルト
ニッケル酸化物（ＣｏＮｉＯ）、コバルト酸化物とニッ
ケル酸化物の多層構造体を含む。交換層の厚さは、具体
的な応用品に応じて種々であるが、好ましくは約１０か
ら約５０ナノメートルの範囲がよい。交換層は、種々の
方法でパターン化できるが、好ましい方法はリフトオフ
プロセスまたはエッチングプロセスである。
【００１４】図２〜３は、本件発明のＭＲ変換器３０の
別の実施例を図解するものである。これらの実施例で
は、交換層３４および４４は、端部非作動領域において
ＭＲセンサ領域３６と基板３２の間に配置されている。
リード層３８および４６は、端部非作動領域において交
換層３４および４４と反対側でＭＲセンサ層３６に隣接
して配置されている。長手方向バイアスを用意するため
に、ＭＲセンサ層３６の非作動領域と交換層との間は密
接触を成している。これらの実施例では、ＭＲドメイン
構造上の非平面効果を最小限にするために、交換層３４
および４４は、作動領域の近くでテーパが付けられてい
る。交換層のテーパ角４２、つまり基板層３２と交換層
３４または４４との間の角は、ある程度変更できるが、
好ましくは、約１５度から約６０度の範囲がよい。ＭＲ
作動領域４０の近くのリードパターンの端縁は、図２に
示すように交換層の端縁と整列されるか、または図３に
示すように、交換層の端縁を越えて作動領域の方へ延長
される。図２の配置形態においては、ＭＲセンサの作動
領域４０は、交換層３４、４４とリード層３８、４６に
よって定義される。他方、図３の配置形態における作動
領域４０は、主としてリード層３８、４６により定義さ
れる。
別の実施例を図解するものである。これらの実施例で
は、交換層３４および４４は、端部非作動領域において
ＭＲセンサ領域３６と基板３２の間に配置されている。
リード層３８および４６は、端部非作動領域において交
換層３４および４４と反対側でＭＲセンサ層３６に隣接
して配置されている。長手方向バイアスを用意するため
に、ＭＲセンサ層３６の非作動領域と交換層との間は密
接触を成している。これらの実施例では、ＭＲドメイン
構造上の非平面効果を最小限にするために、交換層３４
および４４は、作動領域の近くでテーパが付けられてい
る。交換層のテーパ角４２、つまり基板層３２と交換層
３４または４４との間の角は、ある程度変更できるが、
好ましくは、約１５度から約６０度の範囲がよい。ＭＲ
作動領域４０の近くのリードパターンの端縁は、図２に
示すように交換層の端縁と整列されるか、または図３に
示すように、交換層の端縁を越えて作動領域の方へ延長
される。図２の配置形態においては、ＭＲセンサの作動
領域４０は、交換層３４、４４とリード層３８、４６に
よって定義される。他方、図３の配置形態における作動
領域４０は、主としてリード層３８、４６により定義さ
れる。
【００１５】これらの実施例において、ＭＲセンサは、
単層構造を採ることもできるし、三層構造を採ることも
できる。もし、ＭＲセンサとして三層が使用されるとき
は、まずＮｉＦｅ層９２がその端部を交換層４４および
３４と直接接触させて形成され、次いで非磁性スペーサ
９４および横方向バイアス層９６が形成される。
単層構造を採ることもできるし、三層構造を採ることも
できる。もし、ＭＲセンサとして三層が使用されるとき
は、まずＮｉＦｅ層９２がその端部を交換層４４および
３４と直接接触させて形成され、次いで非磁性スペーサ
９４および横方向バイアス層９６が形成される。
【００１６】図４は、ＭＲ変換器５０の平面図で、ＭＲ
センサ層５６と交換層５２、５４の相対的な位置および
大きさを図解するものである。中央部作動領域５８は、
交換層またはリード層のない部分として定義される。つ
まり、ＭＲセンサ層５６の片面が基板層と密な接触とな
っており、他の面が露出している部分である。好ましく
は、中央部作動領域５８は、約１〜５マイクロメートル
の範囲である。交換層５２、５４の寸法は、ある程度変
更することができる。しかしながら、交換層の全長（ｌ
ex）および全幅（Ｗex）は、中央部作動領域に面しない
３面で交換層がＭＲセンサ層を越えて延びるのに充分な
寸法でなければならない。好ましくは、交換層の全長
（ｌex）は、ＭＲセンサ層の長さ（ｌMR）より少なくと
も２マイクロメートル長いのがよい。同様に、交換層の
幅（Ｗex）は、好ましくは、ＭＲセンサ層の幅（ＷMR）
より少なくとも２マイクロメートル広いのがよい。
センサ層５６と交換層５２、５４の相対的な位置および
大きさを図解するものである。中央部作動領域５８は、
交換層またはリード層のない部分として定義される。つ
まり、ＭＲセンサ層５６の片面が基板層と密な接触とな
っており、他の面が露出している部分である。好ましく
は、中央部作動領域５８は、約１〜５マイクロメートル
の範囲である。交換層５２、５４の寸法は、ある程度変
更することができる。しかしながら、交換層の全長（ｌ
ex）および全幅（Ｗex）は、中央部作動領域に面しない
３面で交換層がＭＲセンサ層を越えて延びるのに充分な
寸法でなければならない。好ましくは、交換層の全長
（ｌex）は、ＭＲセンサ層の長さ（ｌMR）より少なくと
も２マイクロメートル長いのがよい。同様に、交換層の
幅（Ｗex）は、好ましくは、ＭＲセンサ層の幅（ＷMR）
より少なくとも２マイクロメートル広いのがよい。
【００１７】図４は、他の代案のＭＲ読み取り変換器構
造７０の片側半分の断面視を示す。この実施例では、リ
ード層７４がＭＲセンサ層７６と基板層７２との間に配
置されている。交換層７８は、リード層７４の反対側で
ＭＲセンサ層７６に隣接して配置されている。前記の実
施例で詳述したように、ＭＲセンサ層７６は、好ましく
は、基板層７２の実質的に中央に置かれる。同じく前記
の実施例で詳述したように、交換層７８およびリード層
７４は、変換器７０の作動領域８０の中まで入り込まな
いで、ＭＲセンサ層７６と接している。
造７０の片側半分の断面視を示す。この実施例では、リ
ード層７４がＭＲセンサ層７６と基板層７２との間に配
置されている。交換層７８は、リード層７４の反対側で
ＭＲセンサ層７６に隣接して配置されている。前記の実
施例で詳述したように、ＭＲセンサ層７６は、好ましく
は、基板層７２の実質的に中央に置かれる。同じく前記
の実施例で詳述したように、交換層７８およびリード層
７４は、変換器７０の作動領域８０の中まで入り込まな
いで、ＭＲセンサ層７６と接している。
【００１８】以上、この発明を好ましい実施例について
詳しく述べたが、当業者であれば、この発明の精神およ
び範囲から逸脱することなく、多くの詳細事項が変更で
きることが分かるであろう。
詳しく述べたが、当業者であれば、この発明の精神およ
び範囲から逸脱することなく、多くの詳細事項が変更で
きることが分かるであろう。
【図１】 磁気抵抗効果式読み取り変換器の部分断面図
である。
である。
【図２】 別のＭＲ読み取り変換器の部分断面図であ
る。
る。
【図３】 別のＭＲ読み取り変換器の部分断面図であ
る。
る。
【図４】 図１のＭＲ読み取り変換器の平面図である。
【図５】 別のＭＲ読み取り変換器の部分断面図であ
る。
る。
【図６】 ＭＲ読み取り変換器の三重磁気抵抗効果式セ
ンサ層の分解断面図である。
ンサ層の分解断面図である。
１０…ＭＲ読み取り変換器、１２…基板層、１４…交換
層、１６…導電リード、１８…ＭＲセンサ層、２０…中
央作動領域、２２…張り出し端、２４…導電リード、２
６…交換層、３０…ＭＲ変換器、３２…基板、３４…交
換層、３６…ＭＲセンサ層、３８…リード層、４０…中
央作動領域、４２…テーパ角、４４…交換層、４６…リ
ード層、５０…ＭＲ変換器、５２、５４…交換層、５６
…ＭＲセンサ層、５８…中央作動領域、７０…ＭＲ読み
取り変換器、７２、７４…リード層、７６…ＭＲセンサ
層、７８…交換層、８０…中央作動領域、９０…ＭＲセ
ンサ、９２…ＮｉＦｅ層、９４…非磁性スペーサ層、９
６…軟質作動層。
層、１６…導電リード、１８…ＭＲセンサ層、２０…中
央作動領域、２２…張り出し端、２４…導電リード、２
６…交換層、３０…ＭＲ変換器、３２…基板、３４…交
換層、３６…ＭＲセンサ層、３８…リード層、４０…中
央作動領域、４２…テーパ角、４４…交換層、４６…リ
ード層、５０…ＭＲ変換器、５２、５４…交換層、５６
…ＭＲセンサ層、５８…中央作動領域、７０…ＭＲ読み
取り変換器、７２、７４…リード層、７６…ＭＲセンサ
層、７８…交換層、８０…中央作動領域、９０…ＭＲセ
ンサ、９２…ＮｉＦｅ層、９４…非磁性スペーサ層、９
６…軟質作動層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウイリアム チャールズ ケイン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95123 サンノゼ ランダウコート 5390 (72)発明者 ホワチング トン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95120 サンノゼ ホスリンドライブ 7184
Claims (15)
- 【請求項１】 絶縁反強磁性金属酸化物材料を含む交換
層を備えて成ることを特徴とする磁気抵抗効果式読み取
り変換器。 - 【請求項２】 請求項１に記載の変換器であって、 該金属酸化物材料は、コバルト酸化物（ＣｏＯ）、ニッ
ケル酸化物（ＮｉＯ）、コバルト酸化物とニッケル酸化
物の多層体、コバルトニッケル酸化物（ＣｏＮｉＯ）、
α鉄酸化物（αＦｅ2Ｏ3）、およびこれらの混合物から
成るグループから選ばれたものであることを特徴とする
もの。 - 【請求項３】 請求項１に記載の変換器であって、 該交換層が１０から５０ナノメートルの厚さであるも
の。 - 【請求項４】 請求項１に記載の変換器であって、さら
に （ａ）基板と、 （ｂ）該変換器の中央部作動領域において該基板に隣接
して位置する磁気抵抗効果式センサ層と、 （ｃ）端部非作動領域において該基板に隣接して位置
し、それぞれが該磁気抵抗効果式センサ層の近い方の端
部と密に原子的に接触している二つの絶縁反強磁性金属
酸化物交換層と、 （ｄ）該端部非作動領域においてそれぞれ該交換層の一
つに隣接して位置し、それぞれが該磁気抵抗効果式セン
サ層の近い方の端部と電気的に接触している二つの導電
リード層と、を備えて成ることを特徴とするもの。 - 【請求項５】 請求項４に記載の変換器であって、 該交換層が該変換器の中央部作動領域に向かってテーパ
付けされていることを特徴とするもの。 - 【請求項６】 請求項５に記載の変換器であって、 テーパの角度が約１５〜６０度であることを特徴とする
もの。 - 【請求項７】 請求項４に記載の変換器であって、 該磁気抵抗効果式センサ層が該交換層と該基板のオーバ
ラップ域でそれら両者の間に位置していることを特徴と
するもの。 - 【請求項８】 請求項４に記載の変換器であって、 該磁気抵抗効果式センサ層が該交換層と該リード層のオ
ーバラップ域でそれら両者の間に位置していることを特
徴とするもの。 - 【請求項９】 請求項８に記載の変換器であって、 該交換層が該磁気抵抗効果式センサ層と該基板のオーバ
ラップ域でそれら両者の間に位置していることを特徴と
するもの。 - 【請求項１０】 請求項８に記載の変換器であって、 該リード層が該磁気抵抗効果式センサ層と該基板のオー
バラップ域でそれら両者の間に位置していることを特徴
とするもの。 - 【請求項１１】 磁気抵抗効果式読み取り変換器の形成
方法であって、 （ａ）基板上に磁気抵抗効果式センサ層を形成し、それ
により該変換器の中央部磁気抵抗効果作動領域を定義す
るステップと、 （ｂ）該変換器の端部非作動領域において二つの反強磁
性絶縁酸化物交換層を、それぞれが該センサ層の近い方
の部分と密な原子的交換接触をするように、形成するス
テップと、 （ｃ）該端部非作動領域において二つの導電性のリード
層を、それぞれが該センサ層の近い方の部分と密な電気
的接触をするように、形成するステップと、を備えて成
るもの。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の形成方法であっ
て、 該交換層の酸化物材料は、コバルト酸化物（ＣｏＯ）、
ニッケル酸化物（ＮｉＯ）、コバルト酸化物とニッケル
酸化物の多層体、コバルトニッケル酸化物（ＣｏＮｉ
Ｏ）、α鉄酸化物（αＦｅ2Ｏ3）、およびこれらの混合
物から成るグループから選ばれたものであることを特徴
とするもの。 - 【請求項１３】 請求項１１に記載の形成方法であっ
て、さらに該交換層の厚さが、該端部非作動領域におい
て実質的に一様である一方、該磁気抵抗効果式センサ層
との接触域において徐々に減少しているように、該交換
層を形成するステップを備えて成ることを特徴とするも
の。 - 【請求項１４】 磁気抵抗効果式読み取り変換器の交換
層における腐食を減少させる方法であって、 交換層を反強磁性絶縁酸化物材料で形成するステップを
備えて成るもの。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載の方法であって、 該交換層の酸化物材料は、コバルト酸化物（ＣｏＯ）、
ニッケル酸化物（ＮｉＯ）、コバルト酸化物とニッケル
酸化物の多層体、コバルトニッケル酸化物（ＣｏＮｉ
Ｏ）、α鉄酸化物（αＦｅ2Ｏ3）、およびこれらの混合
物から成るグループから選ばれたものであることを特徴
とするもの。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US22459894A | 1994-04-07 | 1994-04-07 | |
| US08/224,598 | 1994-04-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0850710A true JPH0850710A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=22841356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7920295A Pending JPH0850710A (ja) | 1994-04-07 | 1995-04-04 | 絶縁酸化物交換層を有する磁気抵抗効果式変換器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0676747A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0850710A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000100153A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-04-07 | Hewlett Packard Co <Hp> | 磁気メモリ・セル |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11503553A (ja) * | 1996-01-31 | 1999-03-26 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 磁気抵抗センサを具える磁気ヘッド及び磁気ヘッドを具える走査デバイス |
| JP3291208B2 (ja) * | 1996-10-07 | 2002-06-10 | アルプス電気株式会社 | 磁気抵抗効果型センサおよびその製造方法とそのセンサを備えた磁気ヘッド |
| JP2001084530A (ja) | 1999-09-16 | 2001-03-30 | Alps Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4103315A (en) * | 1977-06-24 | 1978-07-25 | International Business Machines Corporation | Antiferromagnetic-ferromagnetic exchange bias films |
| US5018037A (en) * | 1989-10-10 | 1991-05-21 | Krounbi Mohamad T | Magnetoresistive read transducer having hard magnetic bias |
| JPH05250642A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-09-28 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果センサ |
| US5329413A (en) * | 1992-01-10 | 1994-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance sensor magnetically coupled with high-coercive force film at two end regions |
| JP3022023B2 (ja) * | 1992-04-13 | 2000-03-15 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録再生装置 |
| EP0587181B1 (en) * | 1992-09-11 | 1998-12-23 | Hitachi, Ltd. | Highly corrosion-resistant metal, method and apparatus of manufacturing the same, and use thereof |
| JP2861714B2 (ja) * | 1993-03-12 | 1999-02-24 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置 |
| US5966272A (en) * | 1993-06-21 | 1999-10-12 | Read-Rite Corporation | Magnetoresistive read head having an exchange layer |
-
1995
- 1995-04-04 JP JP7920295A patent/JPH0850710A/ja active Pending
- 1995-04-06 EP EP95105202A patent/EP0676747A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000100153A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-04-07 | Hewlett Packard Co <Hp> | 磁気メモリ・セル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0676747A3 (en) | 1996-05-01 |
| EP0676747A2 (en) | 1995-10-11 |
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