JPH0850996A

JPH0850996A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH0850996A
Application number: JP6184321A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Nogami; 裕野上
Original assignee: ANERUBA KK
Current assignee: ANERUBA KK
Priority date: 1994-08-05
Filing date: 1994-08-05
Publication date: 1996-02-20

Abstract

(57)【要約】【目的】プラズマ生成用チャンバー１、このチャンバ
ー１の周囲に設けられた複数の環状アンテナ２ａ，２ｂ
およびファラディーシールドを具えるプラズマ処理装置
において、ファラディーシールドでの環状電流の発生を
防止すること。【構成】ファラディーシールド１１０を、アンテナの
中心軸方向に長尺な導電性部材１０ａをチャンバーの周
方向に沿って複数配置し構成した導電性部材群１０ｂ
と、それぞれの長尺な導電性部材１０ａの下端同士を電
気的に接続しているがチャンバの周方向の電気的閉ルー
プを阻止するため一部を切り欠いてある環状の導電性部
材１０ｘとを具える構造体で構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置等の製造
の際のエッチングや成膜時などに用いて好適なプラズマ
処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ヘリコン波を用いたプラズマ処理装置が
知られている（例えば文献Ｉ「ＳＥＭＩテクノロジーシ
ンポジウム９３講演予稿集（1993.12.1-3 ）第４０２
頁」）。その構成例を図４に示した。この図４におい
て、１は誘電体で構成されたプラズマ生成用チャンバ
ー、２ａと２ｂはチャンバー１の周囲に設けられた複数
の環状アンテナであってヘリコン波励起電場を発生する
ためのアンテナ、３はヘリコン波を励起するために必要
な外部磁場を発生するコイル、４は被処理物５に対しプ
ラズマ処理を行なうための処理室であってプラズマ生成
用チャンバー１で生成されたプラズマが拡散する処理
室、６は処理室４内に設けられ被処理物５を置くための
電極ホルダ、７はアンテナ２ａ，２ｂにＲＦパワーを供
給する高周波電源、８はマッチングボックス、９は被処
理物５へ入射されるイオンのエネルギーを制御する高周
波バイアス電源、１０はいわゆるファラディーシールド
と称されるものである。

【０００３】従来のファラディーシールド１０は、図４
に既に示したようにまた図５に拡大図で示したように、
アンテナ２ａ，２ｂの中心軸Ｐ（図５参照）方向に長尺
な導電性部材１０ａをチャンバーの周方向Ｑ（図５参
照）に沿って複数配置し構成した導電性部材群１０ｂ
と、長尺な導電性部材１０ａおのおのの一方端同士を電
気的に接続している閉塞した環状の導電性部材１０ｃと
から成る構造体であった。このファラディーシールド１
０は独立した構造体であり、チャンバー１の外壁とアン
テナ２ａ，２ｂとの間に設けられていた。

【０００４】このファラディーシールド１０によれば、
長尺な導電性部材１０ａにより、アンテナ２ａ，２ｂの
軸方向電場を電気的に短絡して容量結合放電を抑制でき
る。また、アンテナ２ａ，２ｂの近接電場の侵入を阻止
できるので、純粋に誘導結合的な放電を得ることが出来
る。つまり、通常２つのアンテナ２ａ，２ｂ間の電位差
は周方向に変化し、また、アンテナの給電点近傍では近
接電場は大きい。しかし、ファラディーシールドを設け
ることにより、これらの影響を排除でき、均一なプラズ
マを実現できるのである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラズマ処理装置に具わるファラディーシールド１０で
は、閉塞した環状の導電性部材１０ｃを有していたた
め、この部分においてプラズマ生成用チャンバーの周方
向に沿う電気的な閉ループが構成されてしまう。ファラ
ディーシールドがこのように閉ループを構成するもので
あると、この閉ループ部分に大きな周方向電流が流れ
る。その理由を図６を用いて説明する。ここで、図６は
図４の一部を抽出した図である。高周波電源７よりマッ
チングボックス８を介してアンテナ２ａ，２ｂにＲＦパ
ワーを供給すると、図６中に２０で示すような電流がア
ンテナ２ａ，２ｂに流れる。このアンテナ電流２０はフ
ァラディーの方程式の第２則（∇×（Ｂ／μ）＝Ｊ＋∂
Ｄ／∂ｔ、μ；透磁率）に従い変動磁束密度２１を誘起
する。そして、その磁束密度２１の時間的変化を阻止す
る方向に、ファラディー方程式の第１則（∇Ｅ＝−∂Ｂ
／∂ｔ）に従い変動電場２２が誘起される。この変動
電場２２は、アンテナ２ａ，２ｂが円環状の場合には同
心円状となる。その為、従来技術によるファラディーシ
ールド１０においては、閉塞した環状の導電性部材１０
ｃよりなる閉ループ部に大電流が流れた。その為、多く
のエネルギーがこの閉塞した環状の導電性部材１０ｃで
消費され、プラズマへのエネルギー投入の効率が悪かっ
た。また、閉塞した環状の導電性部材１０ｃにおいて
は、環状電流に起因してジュール熱が発生するため発熱
する欠点があった。

【０００６】この出願はこのような点に鑑みなされたも
のであり、従ってこの発明の目的はファラディーシール
ドでの環状電流の発生を防止し、ファラディーシールド
の機能を有効に果たせるプラズマ処理装置を提供するこ
とにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
めこの発明によれば、プラズマ生成用チャンバー、この
チャンバーの周囲に設けられた螺旋状アンテナ又は複数
の環状アンテナおよびこのアンテナの前述のチャンバー
側に設けられたファラディーシールドを具えるプラズマ
処理装置において、ファラディーシールドを、アンテナ
の中心軸方向に長尺な導電性部材をチャンバーの周方向
に沿って複数配置した導電性部材群と、これら長尺な導
電性部材の一部同士を電気的に接続しているが前記チャ
ンバの周方向の電気的閉ループを阻止するため一部を切
り欠いてある環状の導電性部材とを具える構造体で、構
成したことを特徴とする。

【０００８】ここでこの発明において、環状のアンテナ
および環状の導電性部材における環状とは、必ずしも円
形に限られず、プラズマ生成用チャンバーの外形に応じ
てこのチャンバをとりかこむような形状を広く意味する
ものとする。

【０００９】また、この発明の実施に当たり、この発明
に係る構造体（ファラディーシールド）を設ける位置
は、：アンテナとチャンバー外壁との間（チャンバー
に接する場合も含む）、：チャンバー内（チャンバー
内壁に接する場合も含む）のいずれかとできる。また、
この構造体は、(1):導電性の板状体や棒状体や網状体
（これらを「板状の導電性材料」と総称する。）を組み
立てたもの、(2):板状の導電性材料から成る一体物、
(3):チャンバ−内壁や外壁に導電性薄膜を当該構造体に
相当する形状になるように形成して得た導電性膜のパタ
ーンなど、設計に応じた任意なもので構成出来る。

【００１０】

【作用】この発明の構成によれば、長尺な導電性部材群
は、アンテナの軸方向電場を緩和するため、容量結合放
電を抑制する。また、環状の導電性部材はアンテナ電場
の周方向の不均一性を緩和する。但し、この発明では、
環状の導電性部材がチャンバーの周方向における電気的
閉ループを阻止するために一部を切り欠いたものである
から、この環状の導電性部材では環状電流が流れない。
その為、効率良くプラズマにパワーを投入することが可
能で、且つ該構造体の発熱も防止することが出来る。

【００１１】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明のプラズマ処
理装置の実施例について説明する。しかしながら説明に
用いる各図はこの発明を理解出来る程度に各構成成分の
寸法、形状および配置関係を概略的に示してある。ま
た、これらの図において同様な構成成分については同一
の番号を付して示してある。さらに、従来と同様な構成
成分については同一の符号を付して示してある。

【００１２】１．第１実施例図１はこの発明のプラズマ処理装置の第１実施例の説明
図である。また図２は、この第１実施例のプラズマ処理
装置に具わるこの発明に係るファラディーシールド（以
下、「改良ファラディーシールド」ともいう。）を拡大
して示した図である。

【００１３】この第１実施例のプラズマ処理装置では、
図４を参照して説明した従来構成の閉塞した環状の導電
性部材の代わりに、一部を切り欠いてある環状の導電性
部材１０ｘを用い、改良ファラディーシールド１１０を
構成している。具体的には、アンテナ２ａ，２ｂの中心
軸Ｐ（図２参照）方向に長尺な導電性部材１０ａをチャ
ンバーの周方向Ｑ（図２参照）に沿って複数配置し構成
した導電性部材群１０ｂと、長尺な導電性部材１０ａお
のおのの一方端同士ここでは下端同士を電気的に接続し
ているがチャンバの周方向の電気的閉ループを阻止する
ため一部を切り欠いてある環状の導電性部材１０ｘとか
ら成る構造体で、改良ファラディーシールド１１０を構
成してある。

【００１４】ここで、この第１実施例の改良ファラディ
ーシールド１１０は、板状の導電性材料を組み立てたも
の或は板状の導電性材料の一体物などで構成している。
つまり、チャンバー１等とは別に独立の部品として用意
している。また、この場合は改良ファラディーシールド
１１０は、地絡（接地）していない状態としてある（以
下の第２、第３実施例において同じ。）。

【００１５】また、一部を切り欠いてある環状の導電性
部材１０ｘは、この例の場合、ある１つの長尺な導電性
部材１０ａとその隣に位置する長尺な導電性部材１０ａ
との間の一部を寸法ｄをもって切り欠いたものとしてあ
る。この切り欠き寸法ｄは、理論的には後述するよう
に、数μｍ以上であれば充分と考える。そして、一般的
な加工方法でこのような切り欠きを作製することを考え
るとその際に形成される切り欠きの寸法は数μｍより充
分に大きな値になる。

【００１６】この第１実施例の改良ファラディーシール
ド１１０を、プラズマ生成用チャンバ１とアンテナ２
ａ，２ｂとの間に設けてある。

【００１７】なお、環状の導電性部材１０ｘにおける切
り欠き部の寸法ｄを数μｍ以上で良いと考える理由は次
のとおりである。一部を切り欠いてある環状の導電性部
材１０ｘは、電気回路的には、インダクターとキャパシ
ターとが直列に接続されたものと考えられる。いま、半
径ｒが０．５ｃｍの導電性の線を、半径Ｒが１０ｃｍの
環状にかつこの線の両端同士が距離ｄ離れるように曲げ
たモデル（一部を切り欠いた環状の導電性部材１０ｘの
モデル）を考える。このモデルでのインダクタンスＬ₁
は、次の（１）式で与えられる。

【００１８】Ｌ₁ ＝μＲ［ｌｎ（Ｒ／ｒ）−７／４］・・・（１）この（１）式にＲ＝１０ｃｍ（０．１ｍ），ｒ＝０．５
ｃｍ，μ＝４π×１０^-7Ｈ／ｍを代入する。すると、Ｌ₁ ＝４π×１０^-7・０．１・（ｌｎ２０−７／４）＝４π×１０^-7・０．１・（３．０−７／４）＝１５．７×１０^-8（Ｈｅｎｒｙ）＝１．５７×１０^-7（（Ｈｅｎｒｙ）このようなインダクタンスを有するモデルに、プラズマ
処理で多用されている１３．５６ＭＨｚの高周波を印加
した際このインダクタンスにより生じるインピーダンス
Ｚ_L は、Ｚ_L ＝ωＬ＝１３．５６×２π×１０⁶ ×１．５７×１
０^-7＝８．５Ω となる。

【００１９】また、半径が０．５ｃｍすなわち直径が１
０ｍｍの導体がｄｍｍ離れて存在しているこのモデルに
おいて生じるキャパシタンスＣは、Ｃ＝ε₀ Ｓ／ｄ＝８．８５４×１０^-12 ×０．８×１０
^-4／（ｄ×１０^-3）となる。そして、このようなキャパシタンスを有するモ
デルに、プラズマ処理で多用されている１３．５６ＭＨ
ｚの高周波を印加した際このキャパシタンスにより生じ
るインピーダンスＺ_C は、Ｚ_C ＝１／ωＣ＝ｄ／（７×１０^-13 ・１３．５６×２π×１０⁶ ）＝１０⁷ ｄ／５９６＝１．７×１０⁴ ・ｄΩ となる。

【００２０】一部を切り欠いてある環状の導電性部材１
０ｘにおいて環状電流を阻止するためには、インダクタ
ーによって生じるインピーダンスがキャパシターによっ
て生じるインピーダンスより充分小さいことが必要であ
る。すなわちωＬ＜＜１／ωＣであることが必要であ
る。仮にｄ＝３μｍ＝３×１０^-3ｍｍとした場合、上記
Ｚ_C ＝１．７×１０⁴ ×３×１０^-3＝５１Ωである。５
１Ωは上記８．５Ωより充分大きいと考えられるので、
一部を切り欠いてある環状の導電性部材１０ｘでの切り
欠き寸法ｄが数μｍでも、環状電流を防止出来ると考え
られる。

【００２１】次に、この発明の理解を深めるために、図
１に示したプラズマ処理装置において、ヘリコン波プラ
ズマ源によりＳｉＯ₂ をエッチングする例を考える。な
お、以下に述べる使用材料や数値的条件はあくまで一例
にすぎない。

【００２２】まず処理室４を図示しない排気系で排気す
る。次に、図示しないガス供給系よりＣＨＦ₃ 、Ｃ₄ Ｆ
₈ 等の弗化炭化水素を、マスフローコントローラー（図
示せず）を介して流量制御して供給する。次に、処理室
４と排気系との間にあるバリアブルオリフィス（図示せ
ず）を圧力制御コントローラー（図示せず）で制御して
１〜１０ｍＴｏｒｒに保つ。次に、コイル３に所要の電
流を流して１００〜２００Ｇａｕｓｓの磁場を発生す
る。次に、アンテナ２ａ，２ｂに、出力が１０００〜３
０００Ｗで周波数が１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーを、
マッチングボックス８を介して印加する。ただし、アン
テナの２つの円環部２ａ，２ｂは、所定の間隔離し、互
いに反対方向に電流を流す。アンテナ２ａ，２ｂは誘導
電場を発生するが、その電場に同期しチャンバ１内にヘ
リコン波が発生する。発生したヘリコン波はランダウ減
衰により電子を加速する。ランダウ減衰によってヘリコ
ン波の位相速度と同程度の速度を持つ電子が選択的に生
成される。ヘリコン波の位相速度は外部磁場及びアンテ
ナ間隔によって変わるので、それらを所定の値に適切に
選ぶことにより、中性粒子を効率良く電離する１００ｅ
Ｖ前後のエネルギーを持つ電子を選択的に生成すること
が出来る。その結果、チャンバ１内に高密度プラズマを
得ることが出来る。一方、被処理物例えばウェーハ５が
載置されている電極ホルダー６には、１００〜８００Ｗ
の高周波パワーをマッチングボックス（図示せず）を介
して高周波バイアス電源９より供給し、ウェーハ５への
入射イオンエネルギーを制御する。

【００２３】ここで、改良ファラディーシールド１１０
は、図１及び図２を参照して上述したような構成であ
る。そのため、チャンバー１の軸方向の電場は改良ファ
ラディーシールド１１０に備わる長尺な導電性部材１０
ａにより緩和される。その結果、軸方向には電位差が無
い為、容量結合放電は生じない。故に、放電は主にアン
テナ２ａ，２ｂが発生する変動磁束密度に抗して発生す
る変動電場によって、即ち誘導結合放電によって維持さ
れる。また、全ての長尺な導電性部材１０ａは電気的に
短絡している為、同電位となっている。２つのアンテナ
２ａ，２ｂ間の電位差は、ＲＦパワーが印加されている
場合には周方向に変化しているが、本発明の改良ファラ
ディーシールド１１０に於ては周方向には電気的に閉ル
ープは形成していないが短絡している為、アンテナ２ａ
とアンテナ２ｂとの間の電位差の周方向の不均一性はな
くなる。しかも、環状の導電性部材１０ｃは、電気的な
閉ループを形成しないよう、一部を切り欠いてあるもの
であるため、改良ファラディーシールド１１０では、環
状の電流は流れ得ないので、ジュール損失が生じない。
そのため、プラズマに効率良くパワーを投入することが
可能で、且つ改良ファラディーシールド１１０自体の発
熱を抑制することが出来る。

【００２４】２．第２実施例上述の第１実施例では、改良ファラーディシールド１１
０を独立した部品として作製し、この改良ファラディー
シールド１１０をプラズマ生成用チャンバー１とアンテ
ナ２ａ，２ｂとの間に配設する例を説明した。しかし、
チャンバー１の外壁に導電性膜を改良ファラディーシー
ルドに相当する形状になるように形成し、これで得られ
る導電性膜のパターンにより改良ファラディーシールド
を構成しても良い。この第２実施例はその例である。こ
の説明を図３を参照して行なう。ここで、図３はプラズ
マ生成用チャンバー１およびこの第２実施例の改良ファ
ラディーシールド１１０ａ部分に着目した斜視図であ
る。

【００２５】この第２実施例の改良ファラディーシール
ド１１０ａは、これに限られないが、例えば次のような
方法で作製できる。

【００２６】チャンバ１の外壁表面のうちの、改良ファ
ラディーシールドの長尺な導電性部材１０ａおよび一部
を切り欠いてある環状の導電性部材１０ｃが形成される
予定部分を、好適な材料から成るマスクで覆う。このマ
スクの形成が済んだチャンバを例えば蒸着装置、スパッ
タ装置などの好適な成膜装置中に入れる。そして、この
チャンバ表面に導電性膜を堆積させる。この導電性膜の
構成材料は設計に応じた任意のものとできる。その後、
上記マスクをチャンバから剥離する。このとき導電性膜
の、マスク上にある部分もマスクと共に除去される（リ
フトオフされる）ので、誘電体よりなるチャンバー１の
外壁上に、図３に示すような導電性膜のパターンから成
る第２実施例の改良ファラディーシールド１１０ａが形
成出来る。導電性膜のパターンで構成した第２実施例の
ファラディーシールド１１０ａは、個別部品として作製
した第１実施例の改良ファラディーシールド１１０と同
等の働きをし、パワーの効率的なプラズマへの投入、導
電性膜自体の加熱の抑制を実現する。また、この第２実
施例の改良ファラディシールド１１０ａの場合、別パー
ツのファラディーシールドをチャンバー１とアンテナ２
ａ，２ｂとの間に配設する場合より、例えばファラディ
ーシールドの設置領域を少なくできるなどの利点が得ら
れる。

【００２７】３．第３実施例上述の第１および第２実施例では、改良ファラディーシ
ールドはいずれもチャンバー１の外側に設けていた。し
かし、改良ファラディーシールドをチャンバ１の内側に
設けても良い。この第３実施例はその例である。この第
３実施例の具体例としては、改良ファラディーシールド
を別部品として作製しこれをチャンバー１の内側に設置
する例、チャンバ１の内壁に導電性膜を改良ファラディ
ーシールドに相当する形状になるように形成し、これで
得られる導電性膜のパターンにより改良ファラディーシ
ールドを構成する例が挙げられる。前者の例は、上述の
第１実施例の改良ファラディーシールドのやや小型なも
のを作製しこれをチャンバー１の内部に設ける方法で実
現出来る。また、後者の例は、上述の第２実施例でチャ
ンバー外壁に導電性膜のパターンを形成したと同様な考
えでチャンバー内壁に導電性膜のパターンを形成する方
法で実現できる。この第３実施例の改良ファラディーシ
ールドの場合も、第１及び第２の改良ファラディーシー
ルドと同等の働きをし、パワーの効率的なプラズマへの
投入、導電性膜自体の加熱の抑制を実現する。また、こ
の第３実施例の改良ファラディシールドの場合、チャン
バー内の空間を有効に利用するので、ファラディーシー
ルドを設置する場所の省スペース化が期待出来る。

【００２８】なお、この第３実施例の場合でＳｉＯ₂ 膜
をエッチングする装置を構成する場合、改良ファラディ
ーシールドを炭素、炭化珪素あるいは高ドーズＳｉ等
の、弗素ラジカルと反応生成物を生成する導電性物質で
構成するのが良い。なぜなら、このような物質で構成さ
れた改良ファラディーシールドを酸化膜のエッチングに
応用した場合には、改良ファラディーシルド面上で弗化
物が生成され、その結果気相中の弗素ラジカル密度を低
下させることが出来る。このため、ＳｉＯ₂ のエッチン
グをＳｉに対し高選択比で実現することが出来る。

【００２９】なお、上述の各実施例では、改良ファラデ
ィーシールドを地絡していない例を示した。しかし、改
良ファラディーシールドを地絡する場合があっても良
い。高周波電源７より高周波電力を印加した場合、改良
ファラディーシールドを地絡した方が、プラズマ生成用
チャンバー１や処理室４におけるプラズマ電位が、安定
になる場合もあるからである。その理由は定かではない
が、改良ファラディーシールドを地絡することによって
改良ファラディーシールドの電位が安定するためと考え
る。この地絡する処理は、特に、改良ファラディーシー
ルドをプラズマ生成用チャンバーの内側に設けた実施例
の場合に有効である。

【００３０】また、上述の実施例ではヘリコン波プラズ
マ源を有したプラズマ処理装置に本発明を適用した例を
説明した。しかし、本発明は螺旋状のアンテナを持つ誘
導結合型プラズマ源に対しても有効なことは言うまでも
ない。

【００３１】また、上述の実施例ではプラズマエッチン
グ処理装置に本発明を適用した例を説明したが、本発明
はプラズマアッシング装置、プラズマ表面処理装置及び
プラズマＣＶＤ装置等の各種のプラズマ処理装置に適用
できることは言うまでもない。

【００３２】

【発明の効果】上述した説明から明らかなようにこの発
明によれば、ファラディーシールドを具えるプラズマ処
理装置の当該ファラディーシールドを所定の構造体で構
成したので、ファラディーシールドでの環状電流の発生
を防止出来る。このため、効率良くプラズマ中にパワー
が投入可能で且つ周方向に均一なプラズマを生成するプ
ラズマ処理装置を提供するこが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の説明図であり、第１実施例のプラ
ズマ処理装置の全体構成を示した図である。

【図２】第１実施例の説明図であり、第１実施例のファ
ラディーシールドを拡大して示した図である。

【図３】第２実施例の説明図であり、第２実施例のファ
ラディーシールドとチャンバーとを拡大して示した図で
ある。

【図４】従来技術の説明図であり、従来のプラズマ処理
装置の全体構成を示した図である。

【図５】従来技術の説明図であり、従来のファラディー
シールドを拡大して示した図である。

【図６】従来技術の問題点の説明図である。

【符号の説明】

１：プラズマ生成用チャンバー２ａ，２ｂ：環状アンテナ３：外部磁場発生用コイル４：処理室５：被処理物（ウェ−ハ）６：電極ホルダ７：高周波電源８：マッチングボックス９：高周波バイアス電源１０ａ：長尺な導電性部材１０ｂ：長尺な導電性部材の群１０ｘ：一部を切り欠いてある環状の導電性部材１１０：改良ファラディーシールド（第１実施例のも
の）１１０ａ：第２実施例の改良ファラディーシールド（チ
ャンバー外壁に形成した導電性膜のパターン）

【手続補正書】

【提出日】平成７年３月２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２６】チャンバ１の外壁表面のうちの、改良ファ
ラディーシールドの長尺な導電性部材１０ａおよび一部
を切り欠いてある環状の導電性部材１０ｃが形成される
予定部分以外の部分を、好適な材料から成るマスクで覆
う。このマスクの形成が済んだチャンバを例えば蒸着装
置、スパッタ装置などの好適な成膜装置中に入れる。そ
して、このチャンバ表面に導電性膜を堆積させる。この
導電性膜の構成材料は設計に応じた任意のものとでき
る。その後、上記マスクをチャンバから剥離する。この
とき導電性膜の、マスク上にある部分もマスクと共に除
去される（リフトオフされる）ので、誘電体よりなるチ
ャンバー１の外壁上に、図３に示すような導電性膜のパ
ターンから成る第２実施例の改良ファラディーシールド
１１０ａが形成出来る。導電性膜のパターンで構成した
第２実施例のファラディーシールド１１０ａは、個別部
品として作製した第１実施例の改良ファラディーシール
ド１１０と同等の働きをし、パワーの効率的なプラズマ
への投入、導電性膜自体の加熱の抑制を実現する。ま
た、この第２実施例の改良ファラディシールド１１０ａ
の場合、別パーツのファラディーシールドをチャンバー
１とアンテナ２ａ，２ｂとの間に配設する場合より、例
えばファラディーシールドの設置領域を少なくできるな
どの利点が得られる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマ生成用チャンバーと、該チャン
バーの周囲に設けられた螺旋状アンテナ又は複数の環状
アンテナと、該アンテナの前記チャンバー側に設けられ
たファラディーシールドとを具えるプラズマ処理装置に
おいて、ファラディーシールドを、アンテナの中心軸方向に長尺な導電性部材をチャンバー
の周方向に沿って複数配置し構成した導電性部材群と、それぞれの長尺な導電性部材の一部同士を電気的に接続
しているが前記チャンバの周方向の電気的閉ループを阻
止するため一部を切り欠いてある環状の導電性部材とを
具える構造体で構成したことを特徴とするプラズマ処理
装置。
【請求項２】請求項１に記載のプラズマ処理装置にお
いて、前記構造体を、前記アンテナと前記チャンバの外壁との
間に設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】請求項１または２に記載のプラズマ処理
装置において、前記構造体を、前記チャンバーの外壁に形成した導電性
膜のパターンで構成したことを特徴とするプラズマ処理
装置。
【請求項４】請求項１に記載のプラズマ処理装置にお
いて、前記構造体を、前記チャンバー内に設けたことを特徴と
するプラズマ処理装置。
【請求項５】請求項４に記載のプラスマ処理装置にお
いて、前記チャンバー内に設けた前記構造体を、前記チャンバ
ーの内壁に形成した導電性膜のパターンで構成したこと
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】請求項４に記載のプラスマ処理装置にお
いて、前記チャンバー内に設けた前記構造体を、板状の導電性
材料から成る構造体で構成したことを特徴とするプラズ
マ処理装置。
【請求項７】請求項４〜６のいずれか１項に記載のプ
ラズマ処理装置において、前記構造体を構成する材料を、弗素ラジカルと反応物を
生成する材料としたことを特徴とするプラズマ処理装
置。