JPH0851143A - 基板保持装置 - Google Patents
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- JPH0851143A JPH0851143A JP19176592A JP19176592A JPH0851143A JP H0851143 A JPH0851143 A JP H0851143A JP 19176592 A JP19176592 A JP 19176592A JP 19176592 A JP19176592 A JP 19176592A JP H0851143 A JPH0851143 A JP H0851143A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/78—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハ等の基板を吸着保持するホルダーとウ
ェハとの間の熱伝導を、接触面積を減少させた状態でも
良好にする。 【構成】 ウェハ吸着用に形成された溝の周辺に突出部
を形成し、この突出部の先端面がウェハ裏面と接触する
ようにする。そして突出部の周囲に吸着用の溝よりも十
分に浅い凹部、例えば２０μｍ程度の深さのくぼみを形
成する。
ェハとの間の熱伝導を、接触面積を減少させた状態でも
良好にする。 【構成】 ウェハ吸着用に形成された溝の周辺に突出部
を形成し、この突出部の先端面がウェハ裏面と接触する
ようにする。そして突出部の周囲に吸着用の溝よりも十
分に浅い凹部、例えば２０μｍ程度の深さのくぼみを形
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、比較的クリーンな環境
で使用される加工装置、露光装置、あるいは検査装置等
に組み込まれ、被加工基板、被露光基板あるいは被検査
基板を真空吸着する保持装置に関するものである。
で使用される加工装置、露光装置、あるいは検査装置等
に組み込まれ、被加工基板、被露光基板あるいは被検査
基板を真空吸着する保持装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の保持装置は様々なものが
提案され、実用化されてきた。特に半導体素子や液晶表
示素子等の製造に使われる露光装置においては、露光す
べき感光基板（ウェハ、又はガラスプレート）を平担に
矯正するという目的で、古くから真空吸着方式のホルダ
ーが利用されてきた。そこでホルダーの従来例のいくつ
かを図１を参照して説明する。
提案され、実用化されてきた。特に半導体素子や液晶表
示素子等の製造に使われる露光装置においては、露光す
べき感光基板（ウェハ、又はガラスプレート）を平担に
矯正するという目的で、古くから真空吸着方式のホルダ
ーが利用されてきた。そこでホルダーの従来例のいくつ
かを図１を参照して説明する。
【０００３】図１（Ａ）は最も古いタイプのウェハホル
ダーＷＨ１の表面構造の一例を示し、全体はアルミニウ
ム等の金属、又はセラミックスによって肉厚の円板状に
作られている。またホルダーＷＨ１の中心部にはセンタ
ーアップ用の開口ＳＵが形成されている。この開口ＳＵ
内には載置されたウェハを持ち上げるための上下動可能
なセンターアップ部材が貫通している。このウェハホル
ダーＷＨ１の載置面はウェハを平担化矯正するために、
平面度が極めて高くなるように研摩されている。さらに
その載置面には、同心円状に複数本（ここでは３本）の
吸着用の溝ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＣ３が適当な間隔で刻設
されている。この溝の幅と深さは１〜２mm程度である。
そして３本の溝ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＣ３を放射方向につ
なぐ溝ＶＣ４が、周方向に適当な角度（ここでは９０
°）毎に形成される。これらの溝の適当な位置の内部に
は、真空減圧源へ接続される吸気孔が形成される。
ダーＷＨ１の表面構造の一例を示し、全体はアルミニウ
ム等の金属、又はセラミックスによって肉厚の円板状に
作られている。またホルダーＷＨ１の中心部にはセンタ
ーアップ用の開口ＳＵが形成されている。この開口ＳＵ
内には載置されたウェハを持ち上げるための上下動可能
なセンターアップ部材が貫通している。このウェハホル
ダーＷＨ１の載置面はウェハを平担化矯正するために、
平面度が極めて高くなるように研摩されている。さらに
その載置面には、同心円状に複数本（ここでは３本）の
吸着用の溝ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＣ３が適当な間隔で刻設
されている。この溝の幅と深さは１〜２mm程度である。
そして３本の溝ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＣ３を放射方向につ
なぐ溝ＶＣ４が、周方向に適当な角度（ここでは９０
°）毎に形成される。これらの溝の適当な位置の内部に
は、真空減圧源へ接続される吸気孔が形成される。
【０００４】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）がもつ問題点を
解消するために考えられたウェハホルダーＷＨ２の表面
構造を示し、ウェハ外形に合わせて、同心円状に吸着用
の溝ＶＣＳを放射方向に細かいピッチで多数本形成した
ものである。あるいは螺線状に溝ＶＣＳを形成したもの
である。溝ＶＣＳは一例として幅１mm、ピッチ２〜３mm
程度で刻設される。このように溝ＶＣＳを細かいピッチ
で全面に配置すると、溝と溝との間の突出部（載置面）
がウェハ裏面と接触するときの接触面積は、図１（Ａ）
よりも格段に小さくなる。このため、載置面（突出部）
とウェハ裏面との間に異物（塵埃）をはさみ込む可能性
が小さくなるとともに、仮りに異物をはさみ込んだとし
ても、突出部の両側には溝ＶＣＳが存在するので、ウェ
ハを吸着している過程で、その異物が溝ＶＣＳの方へ排
除されることが期待できる。
解消するために考えられたウェハホルダーＷＨ２の表面
構造を示し、ウェハ外形に合わせて、同心円状に吸着用
の溝ＶＣＳを放射方向に細かいピッチで多数本形成した
ものである。あるいは螺線状に溝ＶＣＳを形成したもの
である。溝ＶＣＳは一例として幅１mm、ピッチ２〜３mm
程度で刻設される。このように溝ＶＣＳを細かいピッチ
で全面に配置すると、溝と溝との間の突出部（載置面）
がウェハ裏面と接触するときの接触面積は、図１（Ａ）
よりも格段に小さくなる。このため、載置面（突出部）
とウェハ裏面との間に異物（塵埃）をはさみ込む可能性
が小さくなるとともに、仮りに異物をはさみ込んだとし
ても、突出部の両側には溝ＶＣＳが存在するので、ウェ
ハを吸着している過程で、その異物が溝ＶＣＳの方へ排
除されることが期待できる。
【０００５】図１（Ｃ）はウェハの裏面との接触面積を
図１（Ｂ）のものよりもさらに小さくしたホルダーＷＨ
３の表面構造を示す。このホルダーＷＨ３は載置するウ
ェハの外形に合わせた外側の環状突出面Ｒ１と、センタ
ーアップ用の開口ＳＵをかこむ内側の環状突出面Ｒ２と
を有し、それらが、凹部ＢＴに対して１〜数mm程度突出
するように形成されている。そして凹部ＢＴ内には、先
端が0.１〜１mm程度の径でウェハ裏面と接触するピンＰ
Ｖの複数個が、ほぼ一様の間隔で２次元的に植設されて
いる。さらにこのホルダーＷＨ３の突出面Ｒ１、Ｒ２及
びピンＰＶの先端は、ミクロンオーダーで同一面になる
ように作られている。真空吸着用の吸気孔は凹部ＢＴ内
に設けられ、ウェハを載置した状態で凹部ＢＴ内の全体
を減圧することで、ウェハの吸着が行なわれる。
図１（Ｂ）のものよりもさらに小さくしたホルダーＷＨ
３の表面構造を示す。このホルダーＷＨ３は載置するウ
ェハの外形に合わせた外側の環状突出面Ｒ１と、センタ
ーアップ用の開口ＳＵをかこむ内側の環状突出面Ｒ２と
を有し、それらが、凹部ＢＴに対して１〜数mm程度突出
するように形成されている。そして凹部ＢＴ内には、先
端が0.１〜１mm程度の径でウェハ裏面と接触するピンＰ
Ｖの複数個が、ほぼ一様の間隔で２次元的に植設されて
いる。さらにこのホルダーＷＨ３の突出面Ｒ１、Ｒ２及
びピンＰＶの先端は、ミクロンオーダーで同一面になる
ように作られている。真空吸着用の吸気孔は凹部ＢＴ内
に設けられ、ウェハを載置した状態で凹部ＢＴ内の全体
を減圧することで、ウェハの吸着が行なわれる。
【０００６】図１（Ｄ）は、図１（Ｃ）と同様に、一様
の間隔でピン状の突起部ＰＶ’を形成し、その突起部Ｐ
Ｖ’の先端に吸着用の吸気孔ＣＣを設けたホルダー表面
の一部分を示す。このホルダーは多数本の突起部ＰＶ’
の夫々が全て吸着力を発生するので、図１（Ｃ）のよう
に、凹部ＢＴを閉じた空間とするための環状突出面Ｒ
１、Ｒ２がなくても良いといった利点がある。
の間隔でピン状の突起部ＰＶ’を形成し、その突起部Ｐ
Ｖ’の先端に吸着用の吸気孔ＣＣを設けたホルダー表面
の一部分を示す。このホルダーは多数本の突起部ＰＶ’
の夫々が全て吸着力を発生するので、図１（Ｃ）のよう
に、凹部ＢＴを閉じた空間とするための環状突出面Ｒ
１、Ｒ２がなくても良いといった利点がある。
【０００７】以上のように、従来では歴史的にウェハ裏
面との接触面積をより少なくする方向で改良がなされて
きた。これは塵埃等の異物を挾み込んだ場合、それがウ
ェハ表面（露光面）に反映して、その部分が膨らみ、ウ
ェハの平面度を著しく低下するからである。半導体素子
製造で使われる露光装置は、年々高解像力化が要求さ
れ、投影露光方式の場合では異物によって膨らんだ部分
が焦点外れを起し、投影光学系の解像力がいくら良くて
も所望の線幅のパターンが露光できない、あるいは重ね
合わせの精度が上がらないといった不都合が生じるから
である。
面との接触面積をより少なくする方向で改良がなされて
きた。これは塵埃等の異物を挾み込んだ場合、それがウ
ェハ表面（露光面）に反映して、その部分が膨らみ、ウ
ェハの平面度を著しく低下するからである。半導体素子
製造で使われる露光装置は、年々高解像力化が要求さ
れ、投影露光方式の場合では異物によって膨らんだ部分
が焦点外れを起し、投影光学系の解像力がいくら良くて
も所望の線幅のパターンが露光できない、あるいは重ね
合わせの精度が上がらないといった不都合が生じるから
である。
【０００８】このような事情から、異物の挾み込みの確
率を小さくする目的で接触面積を極力小さくしているの
である。
率を小さくする目的で接触面積を極力小さくしているの
である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで一般に使われ
ているマイクロリソグラフィ用の露光装置では、レチク
ルと呼ばれている原版に形成されたパターンを、高輝度
光源（水銀ランプ、レーザ等）からの照明光で一様に照
射し、その透過光を投影光学系を介してウェハ等の感光
基板のレジスト（感光剤）に結像することで、パターン
転写を行なっている。このとき、レジストは基板表面に
所定の厚み（0.８〜２μｍ）で塗布され、パターン転写
に見合った適当な露光量が決められる。その露光量は同
じ厚みのレジスト層でも、元々の感光感度のちがい、下
地の反射率のちがいによって大増に変化する。いずれに
しろ、感光基板に与えられた露光エネルギー（主に紫外
線）の大半は、最終的には熱エネルギーに変換されて基
板内に拡散され、蓄積される。
ているマイクロリソグラフィ用の露光装置では、レチク
ルと呼ばれている原版に形成されたパターンを、高輝度
光源（水銀ランプ、レーザ等）からの照明光で一様に照
射し、その透過光を投影光学系を介してウェハ等の感光
基板のレジスト（感光剤）に結像することで、パターン
転写を行なっている。このとき、レジストは基板表面に
所定の厚み（0.８〜２μｍ）で塗布され、パターン転写
に見合った適当な露光量が決められる。その露光量は同
じ厚みのレジスト層でも、元々の感光感度のちがい、下
地の反射率のちがいによって大増に変化する。いずれに
しろ、感光基板に与えられた露光エネルギー（主に紫外
線）の大半は、最終的には熱エネルギーに変換されて基
板内に拡散され、蓄積される。
【００１０】特にステップアンドリピート方式で感光基
板を露光する場合、１回のステッピングに伴って露光さ
れるウェハ上の１ショットの露光時間は短時間（１秒以
下）であっても、その１ショットの露光エネルギーは相
当に高く、ウェハ上で８００ｍＷ／cm2 以上にもおよ
ぶ。このため、１枚のウェハの各ショットに対する露光
が進むにつれて感光基板の熱蓄積も進み、基板の熱変形
が生じることになる。
板を露光する場合、１回のステッピングに伴って露光さ
れるウェハ上の１ショットの露光時間は短時間（１秒以
下）であっても、その１ショットの露光エネルギーは相
当に高く、ウェハ上で８００ｍＷ／cm2 以上にもおよ
ぶ。このため、１枚のウェハの各ショットに対する露光
が進むにつれて感光基板の熱蓄積も進み、基板の熱変形
が生じることになる。
【００１１】このように熱変形は基板の部分的な伸縮を
誘発し、そこに形成されたショット領域と、それに重ね
合わせ露光されるパターン像との重ね合わせ誤差が増大
することを意味する。この重ね合わせ誤差は１０〜３０
nm程度であり、従来は総合的な重ね合せ精度（トータル
・オーバレイ・アキュラシィ）がそれ程きびしくなかっ
たために無視されてきたが、線幅がサブミクロン領域に
なってくると、その誤差が無視できなくなってくる。特
に１６ＭＤ−ＲＡＭ以降のプロセスでは、線幅は0.５μ
ｍ程度になり、トータル・オーバレイでも５０〜７０nm
以下が望まれている。
誘発し、そこに形成されたショット領域と、それに重ね
合わせ露光されるパターン像との重ね合わせ誤差が増大
することを意味する。この重ね合わせ誤差は１０〜３０
nm程度であり、従来は総合的な重ね合せ精度（トータル
・オーバレイ・アキュラシィ）がそれ程きびしくなかっ
たために無視されてきたが、線幅がサブミクロン領域に
なってくると、その誤差が無視できなくなってくる。特
に１６ＭＤ−ＲＡＭ以降のプロセスでは、線幅は0.５μ
ｍ程度になり、トータル・オーバレイでも５０〜７０nm
以下が望まれている。
【００１２】従って、基板の熱変形を押えるために、蓄
積した熱量をすみやかに基板外部へ放出することが重要
になる。すなわち、基板の熱量をホルダーへ逃がすこと
が必要となる。そのために、ホルダー内にペルチェ素子
等のアクティブな温度制御部材を設けたり、ホルダー内
に温度制御された流体を循環させる構造を設けたりする
ことで、基板の熱量をすみやかに吸収することも考えら
れている。
積した熱量をすみやかに基板外部へ放出することが重要
になる。すなわち、基板の熱量をホルダーへ逃がすこと
が必要となる。そのために、ホルダー内にペルチェ素子
等のアクティブな温度制御部材を設けたり、ホルダー内
に温度制御された流体を循環させる構造を設けたりする
ことで、基板の熱量をすみやかに吸収することも考えら
れている。
【００１３】ところが、先にも述べたようにホルダーの
表面はウェハ等の基板との接触面積を可能な限り小さく
する方向にあり、基板内に蓄積した熱量がホルダー側に
すみやかに伝熱されないといった欠点があった。そこで
本発明は、基板との間の伝熱特性を向上させつつ、接触
面積を低減させて良好な平担化特性も合わせもつ保持装
置（ホルダー）を得ることを目的とする。
表面はウェハ等の基板との接触面積を可能な限り小さく
する方向にあり、基板内に蓄積した熱量がホルダー側に
すみやかに伝熱されないといった欠点があった。そこで
本発明は、基板との間の伝熱特性を向上させつつ、接触
面積を低減させて良好な平担化特性も合わせもつ保持装
置（ホルダー）を得ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決する為の手段】上記問題点の解決の為に本
発明では、基板保持装置の吸着面の溝（空隙）を２種類
設け、１つは専ら速やかに排気減圧して基板を吸着でき
るように、適当な深さの溝とし、もう１つは基板と基板
保持装置間の熱伝導を良くするため、塵埃の挾み込みに
よる影響の無い範囲で、溝の深さの非常に浅い構造とし
た。そして、後者の面積を前者に比べ大きくした。
発明では、基板保持装置の吸着面の溝（空隙）を２種類
設け、１つは専ら速やかに排気減圧して基板を吸着でき
るように、適当な深さの溝とし、もう１つは基板と基板
保持装置間の熱伝導を良くするため、塵埃の挾み込みに
よる影響の無い範囲で、溝の深さの非常に浅い構造とし
た。そして、後者の面積を前者に比べ大きくした。
【００１５】
【作用】ここで、溝部分での伝熱を考える。この種の極
く狭い空隙では、熱は大部分空気の熱伝導により輸送さ
れる。基板と基板保持装置表面の間隔（溝の深さ）を
ｄ、溝部分の面積をＡ、空気の熱伝導率をｋ、温度差を
ΔＴとすれば、熱流速ｑは次式で表される。
く狭い空隙では、熱は大部分空気の熱伝導により輸送さ
れる。基板と基板保持装置表面の間隔（溝の深さ）を
ｄ、溝部分の面積をＡ、空気の熱伝導率をｋ、温度差を
ΔＴとすれば、熱流速ｑは次式で表される。
【００１６】ｑ＝−ｋＡΔＴ／ｄ （１） この種の装置では、いわゆる真空吸着といっても、大気
圧に対して１／３〜１／１０程度に減圧するのが普通
で、この程度の圧力範囲ではｋは通常気圧の場合とほと
んど変わらない。したがって、ｋは圧力によらない定数
と考えてよい。（１）式からわかるように、ｑを増すに
は、溝面積Ａを大きくすることと、溝深さｄを小さくす
ることが有効である。
圧に対して１／３〜１／１０程度に減圧するのが普通
で、この程度の圧力範囲ではｋは通常気圧の場合とほと
んど変わらない。したがって、ｋは圧力によらない定数
と考えてよい。（１）式からわかるように、ｑを増すに
は、溝面積Ａを大きくすることと、溝深さｄを小さくす
ることが有効である。
【００１７】
【実施例】図２、図３は本発明の第１の実施例による保
持装置（ホルダーＷＨ）を示し、図２は基板の載置面の
構造を示し、図３（Ａ）は図２中のＡ−Ａ’矢視断面を
示し、そして図３（Ｂ）は図２中のＢ−Ｂ’矢視断面を
示す。また図３（Ｃ）は図３（Ｂ）、（Ｃ）に示した断
面の一部分を拡大して示したものである。
持装置（ホルダーＷＨ）を示し、図２は基板の載置面の
構造を示し、図３（Ａ）は図２中のＡ−Ａ’矢視断面を
示し、そして図３（Ｂ）は図２中のＢ−Ｂ’矢視断面を
示す。また図３（Ｃ）は図３（Ｂ）、（Ｃ）に示した断
面の一部分を拡大して示したものである。
【００１８】図２において、ウェハＷの外形よりもわず
かに小さい径のホルダーＷＨの表面には、ここでは４本
の真空吸着用の溝（本発明における第１空隙部分）２
Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄが径方向に一定の間隔をあけて、
同心円状に刻設されている。この溝２Ａ〜２Ｂの両側に
はわずかな高さで突出部５Ａ、５Ｂが形成されている。
そしてある吸着用溝（例えば２Ａ）の内側の突出部５Ｂ
と、内側の吸着用溝（例えば２Ｂ）の外側の突出部５Ａ
との間に形成される輪帯部分（本発明における第２空隙
部分）１Ａ、１Ｂ、１Ｃの深さは、吸着用溝２Ａ〜２Ｄ
の深さよりも小さくなるように作られている。また吸着
用溝２Ａ〜２Ｄの夫々の内側には、真空減圧源へつなが
れた吸気孔３の複数個の適当な間隔で形成されている。
さらに浅い溝として形成される輪帯部分１Ａ〜１Ｃ内の
夫々には、複数個の開口４が形成され、本実施例では開
口４を大気へ開放しておくものとする。図２でも明らか
なように、吸着用溝２Ａ〜２Ｄの夫々の径方向の寸法
（幅）に対して輪帯部分１Ａ〜１Ｃの夫々の径方向の寸
法（幅）を大きくしておき、輪帯部分１Ａ、１Ｂ、１Ｃ
の各面積の合計が、吸着用溝２Ａ〜２Ｄの各面積の合計
よりも十分に大きくなるようにしてある。
かに小さい径のホルダーＷＨの表面には、ここでは４本
の真空吸着用の溝（本発明における第１空隙部分）２
Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄが径方向に一定の間隔をあけて、
同心円状に刻設されている。この溝２Ａ〜２Ｂの両側に
はわずかな高さで突出部５Ａ、５Ｂが形成されている。
そしてある吸着用溝（例えば２Ａ）の内側の突出部５Ｂ
と、内側の吸着用溝（例えば２Ｂ）の外側の突出部５Ａ
との間に形成される輪帯部分（本発明における第２空隙
部分）１Ａ、１Ｂ、１Ｃの深さは、吸着用溝２Ａ〜２Ｄ
の深さよりも小さくなるように作られている。また吸着
用溝２Ａ〜２Ｄの夫々の内側には、真空減圧源へつなが
れた吸気孔３の複数個の適当な間隔で形成されている。
さらに浅い溝として形成される輪帯部分１Ａ〜１Ｃ内の
夫々には、複数個の開口４が形成され、本実施例では開
口４を大気へ開放しておくものとする。図２でも明らか
なように、吸着用溝２Ａ〜２Ｄの夫々の径方向の寸法
（幅）に対して輪帯部分１Ａ〜１Ｃの夫々の径方向の寸
法（幅）を大きくしておき、輪帯部分１Ａ、１Ｂ、１Ｃ
の各面積の合計が、吸着用溝２Ａ〜２Ｄの各面積の合計
よりも十分に大きくなるようにしてある。
【００１９】さて、図３（Ａ）に示すように、ホルダー
ＷＨの内部には吸着用溝２Ａ〜２Ｄ内の吸気孔３と連通
するための径方向に伸びた穴６Ａが形成され、この穴６
ＡはホルダーＷＨの裏側に形成された接続口６Ｂと連通
される。接続口６Ｂには真空減圧源からのパイプが電磁
弁等を介して接続される。さらに図３（Ｂ）に示すよう
に、ホルダーＷＨの内部には輪帯部分１Ａ〜１Ｃ内の開
口４と連通するための径方向に伸びた穴７が形成され、
この穴７をホルダーＷＨの側壁に貫通して設けることで
輪帯部分１Ａ〜１Ｃを大気へ開放している。
ＷＨの内部には吸着用溝２Ａ〜２Ｄ内の吸気孔３と連通
するための径方向に伸びた穴６Ａが形成され、この穴６
ＡはホルダーＷＨの裏側に形成された接続口６Ｂと連通
される。接続口６Ｂには真空減圧源からのパイプが電磁
弁等を介して接続される。さらに図３（Ｂ）に示すよう
に、ホルダーＷＨの内部には輪帯部分１Ａ〜１Ｃ内の開
口４と連通するための径方向に伸びた穴７が形成され、
この穴７をホルダーＷＨの側壁に貫通して設けることで
輪帯部分１Ａ〜１Ｃを大気へ開放している。
【００２０】以上の図３（Ａ）、（Ｂ）から明らかなよ
うに、ウェハＷの裏面が突出部５Ａ、５Ｂの先端面と接
触して吸着されることで所望の平面度をもってウェハＷ
は平担化矯正される。このため全ての突出部５Ａ、５Ｂ
の先端面を一様の面精度（例えば±１〜５μｍ程度）で
加工しておく必要がある。またウェハＷの裏面が突出部
５Ａ、５Ｂと接触した状態では、溝２Ａ〜２Ｂの夫々
と、輪帯部分１Ａ〜１Ｃの夫々とは閉じた空隙となる。
うに、ウェハＷの裏面が突出部５Ａ、５Ｂの先端面と接
触して吸着されることで所望の平面度をもってウェハＷ
は平担化矯正される。このため全ての突出部５Ａ、５Ｂ
の先端面を一様の面精度（例えば±１〜５μｍ程度）で
加工しておく必要がある。またウェハＷの裏面が突出部
５Ａ、５Ｂと接触した状態では、溝２Ａ〜２Ｂの夫々
と、輪帯部分１Ａ〜１Ｃの夫々とは閉じた空隙となる。
【００２１】ここで図３（Ｃ）を参照して、ホルダーＷ
Ｈの表面構造をより詳細に説明する。まず突出部５Ａ、
５Ｂの輪帯部分１Ａ〜１Ｃに対する高さＤ1 は、このホ
ルダーＷＨが使用される環境で出現する塵埃（異物）の
大きさを基準に定められる。露光装置用のホルダーの場
合、問題とされる塵埃の大きさは１０μｍ前後であり、
これ以上に大きな塵埃が発生する場合は、装置本体を収
納するチャンバーの性能に問題があることになる。ある
いは１０μｍ以上の大きさの塵埃が発生する可能性とし
て、ウェハＷに塗布されたレジスト層の部分的な剥離が
考えられる。しかしながら、レジスト層の厚みはウェハ
Ｗの表面では１μｍ前後であり、ウェハＷのエッジ部分
では厚くても数μｍ前後である。このため面積的に大き
な寸法で剥離が生じても、その厚みは１０μｍ以下にな
ることがほとんどである。そこで本実施例では高さＤ1
を１０μｍ以上とし、加工性も考慮して２０μｍ前後と
する。このように高さＤ1 を１０μｍ以上にしておけ
ば、ウェハＷの裏面に付着した塵埃が輪帯部分１Ａ〜１
Ｃとの間に挾み込まれても、それによってウェハＷの表
面側が膨らむ確率は極めて小さく押えられる。また同時
に、高さＤ1 が１０〜２０μｍ程度と極めて小さいた
め、輪帯部分１Ａ〜１Ｃとウェハ裏面との間の熱伝導も
良好に維持される。
Ｈの表面構造をより詳細に説明する。まず突出部５Ａ、
５Ｂの輪帯部分１Ａ〜１Ｃに対する高さＤ1 は、このホ
ルダーＷＨが使用される環境で出現する塵埃（異物）の
大きさを基準に定められる。露光装置用のホルダーの場
合、問題とされる塵埃の大きさは１０μｍ前後であり、
これ以上に大きな塵埃が発生する場合は、装置本体を収
納するチャンバーの性能に問題があることになる。ある
いは１０μｍ以上の大きさの塵埃が発生する可能性とし
て、ウェハＷに塗布されたレジスト層の部分的な剥離が
考えられる。しかしながら、レジスト層の厚みはウェハ
Ｗの表面では１μｍ前後であり、ウェハＷのエッジ部分
では厚くても数μｍ前後である。このため面積的に大き
な寸法で剥離が生じても、その厚みは１０μｍ以下にな
ることがほとんどである。そこで本実施例では高さＤ1
を１０μｍ以上とし、加工性も考慮して２０μｍ前後と
する。このように高さＤ1 を１０μｍ以上にしておけ
ば、ウェハＷの裏面に付着した塵埃が輪帯部分１Ａ〜１
Ｃとの間に挾み込まれても、それによってウェハＷの表
面側が膨らむ確率は極めて小さく押えられる。また同時
に、高さＤ1 が１０〜２０μｍ程度と極めて小さいた
め、輪帯部分１Ａ〜１Ｃとウェハ裏面との間の熱伝導も
良好に維持される。
【００２２】さて、これに対して吸着用の溝２Ａ〜２Ｄ
の深さＤ2 （突出部５Ａ、５Ｂの先端面から見た深さ）
とその幅Ｌ4 は、良好な吸着が達成される範囲と加工性
とを考慮して設定されている。熱伝導という観点だけか
ら考えると、溝２Ａ〜２Ｄの深さＤ2 も高さＤ1 程度に
浅い方が望ましい。ところが深さＤ2 をある程度以上、
一例として１００〜２００μｍ以上にしておかないと、
ウェハの吸着に時間がかかったり、あるいは部分的に吸
着不良を起すといった不都合が生じる。このことは、溝
２Ａ〜２Ｄの幅Ｌ4 の決め方についても同じであり、実
用的な幅Ｌ4 は0.２〜２mm程度である。ただし同一溝内
での吸気孔３の配置や個数によっても、深さＤ2 、幅Ｌ
4 は多少異なるので、実際は実験等によって最適値を決
めることになる。
の深さＤ2 （突出部５Ａ、５Ｂの先端面から見た深さ）
とその幅Ｌ4 は、良好な吸着が達成される範囲と加工性
とを考慮して設定されている。熱伝導という観点だけか
ら考えると、溝２Ａ〜２Ｄの深さＤ2 も高さＤ1 程度に
浅い方が望ましい。ところが深さＤ2 をある程度以上、
一例として１００〜２００μｍ以上にしておかないと、
ウェハの吸着に時間がかかったり、あるいは部分的に吸
着不良を起すといった不都合が生じる。このことは、溝
２Ａ〜２Ｄの幅Ｌ4 の決め方についても同じであり、実
用的な幅Ｌ4 は0.２〜２mm程度である。ただし同一溝内
での吸気孔３の配置や個数によっても、深さＤ2 、幅Ｌ
4 は多少異なるので、実際は実験等によって最適値を決
めることになる。
【００２３】さて、突出部５Ａ、５Ｂの先端面の径方向
の幅Ｌ3 は、接触面積の低減という目的から、極力小さ
くすることが望ましく、また加工性の点から0.１〜１mm
程度に定められる。また突出部５Ａ、５Ｂの幅Ｌ3 、溝
２Ａ〜２Ｄの幅Ｌ4 が決まると、溝２Ａ〜２Ｄを挾む突
出部５Ａ、５Ｂの間隔Ｌ1 も決まる。間隔Ｌ1 は以上の
条件から、0.３〜４mm程度になる。一方、溝２Ｂに対す
る内側の環状突出部５Ｂと、溝２Ｃに対する外側の環状
突出部５Ａとの径方向の間隔Ｌ2 、すなわち実質的な輪
帯部分１Ｂの幅は、溝の幅Ｌ1 よりも十分に大きく定め
られるが、実用上は数mm〜十数mm程度に設定される。輪
帯部分１Ｂ（１Ａ、１Ｃも同じ）はウェハ裏面との間に
わずかな間隙（Ｄ1 ）を有するので、輪帯部分１Ｂの幅
Ｌ2 が必要以上に大きいとウェハの平担化矯正力が低減
する。また間隔Ｌ2 の最適値はウェハの厚さによっても
異なるので実際は実験等によって決めるのが望ましい。
尚間隔Ｌ2 を間隔Ｌ1 程度に小さくしてしまうと、接触
面積の増大に伴う塵埃の挾み込みの問題と、輪帯部分１
Ａ〜１Ｃの総面積の減少に伴う熱伝導効率の低下という
問題との両方が解決できなくなる。
の幅Ｌ3 は、接触面積の低減という目的から、極力小さ
くすることが望ましく、また加工性の点から0.１〜１mm
程度に定められる。また突出部５Ａ、５Ｂの幅Ｌ3 、溝
２Ａ〜２Ｄの幅Ｌ4 が決まると、溝２Ａ〜２Ｄを挾む突
出部５Ａ、５Ｂの間隔Ｌ1 も決まる。間隔Ｌ1 は以上の
条件から、0.３〜４mm程度になる。一方、溝２Ｂに対す
る内側の環状突出部５Ｂと、溝２Ｃに対する外側の環状
突出部５Ａとの径方向の間隔Ｌ2 、すなわち実質的な輪
帯部分１Ｂの幅は、溝の幅Ｌ1 よりも十分に大きく定め
られるが、実用上は数mm〜十数mm程度に設定される。輪
帯部分１Ｂ（１Ａ、１Ｃも同じ）はウェハ裏面との間に
わずかな間隙（Ｄ1 ）を有するので、輪帯部分１Ｂの幅
Ｌ2 が必要以上に大きいとウェハの平担化矯正力が低減
する。また間隔Ｌ2 の最適値はウェハの厚さによっても
異なるので実際は実験等によって決めるのが望ましい。
尚間隔Ｌ2 を間隔Ｌ1 程度に小さくしてしまうと、接触
面積の増大に伴う塵埃の挾み込みの問題と、輪帯部分１
Ａ〜１Ｃの総面積の減少に伴う熱伝導効率の低下という
問題との両方が解決できなくなる。
【００２４】以上のことから、８インチウェハに好適な
ウェハホルダーとしての数値例をまとめてあげてみる
と、Ｄ1 ＝２０μｍ、Ｄ2 ＝１mm、Ｌ4 ＝１mm、Ｌ3 ＝
0.５mm、Ｌ2 ＝１０mm、Ｌ1 ＝３mmにすることによっ
て、所期の効果を良好に得ることができる。ところで、
図３（Ｃ）からも明らかなように、環状突出部５Ａ、５
Ｂはせいぜい２０μｍ程度であるため、突出部５Ａ、５
ＢのみをＣＶＤ法により後から付着するようにしてもよ
い。あるいは輪帯部分１Ａ〜１Ｃのみを後からエッチン
グして所望の深さ（Ｄ1 ）に仕上げてもよい。また本実
施例では、輪帯部分１Ａ〜１Ｃを開口４を介して大気に
開放する構成としたが、輪帯部分１Ａ〜１Ｃを減圧する
ようにしてもよい。ただし輪帯部分１Ａ〜１Ｃの幅Ｌ2
が比較的大きいことから、むやみに減圧してしまうと、
輪帯部分１Ａ〜１Ｃに対向するウェハの一部分が矯正力
（吸着力）のために湾曲する可能性がある。そこで輪帯
部分１Ａ〜１Ｃを、開口４を介して減圧するときは、そ
の減圧を小さなものにすることが望ましい。さらに吸着
されたウェハをホルダーＷＨからはずす際、輪帯部分１
Ａ〜１Ｃ内の開口４から圧縮空気を一時的に噴出させる
構成にしてもよい。
ウェハホルダーとしての数値例をまとめてあげてみる
と、Ｄ1 ＝２０μｍ、Ｄ2 ＝１mm、Ｌ4 ＝１mm、Ｌ3 ＝
0.５mm、Ｌ2 ＝１０mm、Ｌ1 ＝３mmにすることによっ
て、所期の効果を良好に得ることができる。ところで、
図３（Ｃ）からも明らかなように、環状突出部５Ａ、５
Ｂはせいぜい２０μｍ程度であるため、突出部５Ａ、５
ＢのみをＣＶＤ法により後から付着するようにしてもよ
い。あるいは輪帯部分１Ａ〜１Ｃのみを後からエッチン
グして所望の深さ（Ｄ1 ）に仕上げてもよい。また本実
施例では、輪帯部分１Ａ〜１Ｃを開口４を介して大気に
開放する構成としたが、輪帯部分１Ａ〜１Ｃを減圧する
ようにしてもよい。ただし輪帯部分１Ａ〜１Ｃの幅Ｌ2
が比較的大きいことから、むやみに減圧してしまうと、
輪帯部分１Ａ〜１Ｃに対向するウェハの一部分が矯正力
（吸着力）のために湾曲する可能性がある。そこで輪帯
部分１Ａ〜１Ｃを、開口４を介して減圧するときは、そ
の減圧を小さなものにすることが望ましい。さらに吸着
されたウェハをホルダーＷＨからはずす際、輪帯部分１
Ａ〜１Ｃ内の開口４から圧縮空気を一時的に噴出させる
構成にしてもよい。
【００２５】図４は、第２の実施例による基板保持装置
の構成を示し、ここでは角形のプレートを吸着するため
のプレートホルダーＰＨに本発明を適用した場合を示
す。図４において、Ｌ字状に刻設された吸着溝２Ａ、２
Ｂ、２Ｃ、２Ｄは先の実施例と同様、突出部５Ａ、５Ｂ
によって囲まれている。またこの図４には表わしていな
いが、各溝２Ａ〜２Ｄ内には吸気孔３が設けられてい
る。そしてＬ字状の溝２Ａ〜２Ｄで挾まれた浅い溝部分
１Ａ、１Ｂ、１Ｃには、大気へ開放、又は弱く減圧する
ための開口４が複数の位置に形成される。このようなプ
レートホルダーＰＨの場合、保持するプレートが数mm程
度の厚みをもつため、具体的な数値は第１の実施例の場
合とは異なるが、吸着用の溝２Ａ〜２Ｄの深さは、溝部
分１Ａ〜１Ｃの深さよりも大きくされ、溝部分１Ａ〜１
Ｃの深さ、すなわち突出部５Ａ、５Ｂの高さは塵埃の大
きさを考慮して決定される。
の構成を示し、ここでは角形のプレートを吸着するため
のプレートホルダーＰＨに本発明を適用した場合を示
す。図４において、Ｌ字状に刻設された吸着溝２Ａ、２
Ｂ、２Ｃ、２Ｄは先の実施例と同様、突出部５Ａ、５Ｂ
によって囲まれている。またこの図４には表わしていな
いが、各溝２Ａ〜２Ｄ内には吸気孔３が設けられてい
る。そしてＬ字状の溝２Ａ〜２Ｄで挾まれた浅い溝部分
１Ａ、１Ｂ、１Ｃには、大気へ開放、又は弱く減圧する
ための開口４が複数の位置に形成される。このようなプ
レートホルダーＰＨの場合、保持するプレートが数mm程
度の厚みをもつため、具体的な数値は第１の実施例の場
合とは異なるが、吸着用の溝２Ａ〜２Ｄの深さは、溝部
分１Ａ〜１Ｃの深さよりも大きくされ、溝部分１Ａ〜１
Ｃの深さ、すなわち突出部５Ａ、５Ｂの高さは塵埃の大
きさを考慮して決定される。
【００２６】図５は、第３の実施例によるウェハホルダ
ーの表面構造を示し、この表面構造は図１（Ｃ）に示し
た従来のものと基本的には同じである。図５（Ａ）はホ
ルダー表面の一部分の正面図であり、図５（Ｂ）は図５
（Ａ）のＣ−Ｃ’矢視断面図である。図５に示すよう
に、ホルダーの表面１には、所定間隔で複数個のリング
状突出部５Ａが形成され、この突出部５Ａの夫々の中心
には吸着用の吸気孔３が形成される。ウェハホルダーの
場合、リング状突出部５Ａの直径は２〜３mm程度に設定
され、突出部間のピッチは数mm〜十数mm程度に定められ
る。ここでもリング状突出部５Ａの先端面がウェハ裏面
と接触するので、各突出部５Ａの先端面は極めて平面度
が高くなるように仕上げられている。
ーの表面構造を示し、この表面構造は図１（Ｃ）に示し
た従来のものと基本的には同じである。図５（Ａ）はホ
ルダー表面の一部分の正面図であり、図５（Ｂ）は図５
（Ａ）のＣ−Ｃ’矢視断面図である。図５に示すよう
に、ホルダーの表面１には、所定間隔で複数個のリング
状突出部５Ａが形成され、この突出部５Ａの夫々の中心
には吸着用の吸気孔３が形成される。ウェハホルダーの
場合、リング状突出部５Ａの直径は２〜３mm程度に設定
され、突出部間のピッチは数mm〜十数mm程度に定められ
る。ここでもリング状突出部５Ａの先端面がウェハ裏面
と接触するので、各突出部５Ａの先端面は極めて平面度
が高くなるように仕上げられている。
【００２７】さらにリング状突出部５Ａの高さ（表面１
から突出部５Ａの先端面までの高さ）も第１の実施例と
同様に、発生し得る塵埃の大きさの程度によって決めら
れる。そして表面１内の複数ケ所には、ウェハ裏面と表
面１との間のわずかな空隙を大気へ開放、又は弱く減圧
するための開口４が設けられる。
から突出部５Ａの先端面までの高さ）も第１の実施例と
同様に、発生し得る塵埃の大きさの程度によって決めら
れる。そして表面１内の複数ケ所には、ウェハ裏面と表
面１との間のわずかな空隙を大気へ開放、又は弱く減圧
するための開口４が設けられる。
【００２８】本実施例の場合、吸着用の溝自体はない
が、吸気孔３の夫々がウェハ裏面を直接吸着する構造な
ので、その吸気孔３を溝と同等に考えてもよい。する
と、リング状突出部５Ａの先端面から浅く刻設された表
面１は図２、図３中の輪帯部分１Ａ〜１Ｃに相当し、表
面１よりも深く刻設された吸気孔３は図２、図３中の溝
２Ａ〜２Ｄに相当することになる。
が、吸気孔３の夫々がウェハ裏面を直接吸着する構造な
ので、その吸気孔３を溝と同等に考えてもよい。する
と、リング状突出部５Ａの先端面から浅く刻設された表
面１は図２、図３中の輪帯部分１Ａ〜１Ｃに相当し、表
面１よりも深く刻設された吸気孔３は図２、図３中の溝
２Ａ〜２Ｄに相当することになる。
【００２９】この図５のような表面構造は、ホルダーを
金属で作る場合にはエッチング等で容易に形成できる。
またセラミックで作る場合は、焼結時の型で予め形成し
ておけばよい。
金属で作る場合にはエッチング等で容易に形成できる。
またセラミックで作る場合は、焼結時の型で予め形成し
ておけばよい。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、小面積の
専ら排気減圧して基板を吸着保持する溝（又は孔）部分
と、基板と保持装置の伝熱のための大面積で非常に浅い
溝部分との２種の溝部分を設けた為に、平面度良く基板
を吸着するという機能を損なうこと無く、基板とその保
持装置の間の良好な伝熱が得られる。このため、基板の
熱変形が非常に小さく抑えられ、良好な重ね合わせ精度
が得られるという効果がある。
専ら排気減圧して基板を吸着保持する溝（又は孔）部分
と、基板と保持装置の伝熱のための大面積で非常に浅い
溝部分との２種の溝部分を設けた為に、平面度良く基板
を吸着するという機能を損なうこと無く、基板とその保
持装置の間の良好な伝熱が得られる。このため、基板の
熱変形が非常に小さく抑えられ、良好な重ね合わせ精度
が得られるという効果がある。
【００３１】さらに熱伝導が良好なことから、保持装置
（ホルダー）内に温調用の流体を循環させた場合、保持
装置側へ伝導された基板の熱量はすみやかに吸収される
ことになり、温調制御時の効率が極めて高くなるといっ
た利点もある。換言すると、温調用の流体温度がすみや
かに基板側へ伝わることになる。
（ホルダー）内に温調用の流体を循環させた場合、保持
装置側へ伝導された基板の熱量はすみやかに吸収される
ことになり、温調制御時の効率が極めて高くなるといっ
た利点もある。換言すると、温調用の流体温度がすみや
かに基板側へ伝わることになる。
【図１】従来の保持装置（ウェハホルダー）の構成を示
す図
す図
【図２】本発明の第１の実施例によるホルダーの表面構
造を示す平面図
造を示す平面図
【図３】図２に示したホルダーの断面構造を示す断面図
【図４】本発明の第２の実施例によるホルダーの表面構
造を示す平面図
造を示す平面図
【図５】本発明の第３の実施例によるホルダーの一部分
の表面構造とその断面を示す図
の表面構造とその断面を示す図
ＷＨ、ＰＨ ホルダー １Ａ〜１Ｃ 浅い溝部分 ２Ａ〜２Ｄ 吸着用の深い溝 ３ 吸気孔 ４ 開口 ５Ａ、５Ｂ 突出部
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２３Ｑ 3/08 Ａ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板の一方の面に部分的に接触する突出
部を有し、該突出部に前記基板を載置したときに前記突
出部の周囲に形成される閉じた空隙を減圧することによ
って前記基板を吸着保持する装置において、前記突出部
によって囲まれた第１の空隙部分と；前記突出部によっ
て囲まれるとともに、前記第１の空隙部分よりも広い面
積で、かつ浅く形成された第２の空隙部分と；前記第１
の空隙部分に接続され、前記基板が前記突出部上に載置
されたとき前記第１の空隙部分を減圧する減圧手段とを
備えたことを特徴とする基板保持装置。 - 【請求項２】 前記突出部は、前記基板の外形とほぼ相
似の形で周回するとともに、前記基板の面との接触部分
の幅が極めて狭い帯状に形成された第１の環状突出部
と、該第１の環状突出部とほぼ並行して形成された第２
の環状突出部と、前記第１の環状突出部、もしくは前記
第２の環状突出部とほぼ並行して形成された第３の環状
突出部とを有し；前記第１の環状突出部と第２の環状突
出部とに挾まれた部分を前記第１の空隙部分とし、前記
第１の環状突出部と第３の環状突出部とに挾まれた部
分、もしくは前記第２の環状突出部と第３の環状突出部
とに挾まれた部分を前記第２の空隙部分としたことを特
徴とする請求項第１項に記載の装置。 - 【請求項３】 前記第２の空隙部分の前記突出部に対す
る深さを、使用環境内で発生し得る塵埃の大きさよりも
おおきく、かつ前記第１の空隙部分よりは浅くしたこと
を特徴とする請求項第１項に記載の装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19176592A JPH0851143A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 基板保持装置 |
| JP5074478A JP2982844B2 (ja) | 1992-07-20 | 1993-03-31 | 酸素電極、バイオセンサ、その製造方法 |
| US08/481,157 US5563683A (en) | 1992-07-20 | 1995-06-07 | Substrate holder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19176592A JPH0851143A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 基板保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851143A true JPH0851143A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16280144
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19176592A Pending JPH0851143A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 基板保持装置 |
| JP5074478A Expired - Lifetime JP2982844B2 (ja) | 1992-07-20 | 1993-03-31 | 酸素電極、バイオセンサ、その製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5074478A Expired - Lifetime JP2982844B2 (ja) | 1992-07-20 | 1993-03-31 | 酸素電極、バイオセンサ、その製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5563683A (ja) |
| JP (2) | JPH0851143A (ja) |
Cited By (18)
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| JP2021502696A (ja) * | 2017-11-10 | 2021-01-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 両面処理のためのパターニングされたチャック |
| JP2023080269A (ja) * | 2018-02-19 | 2023-06-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
| CN116276624A (zh) * | 2023-03-29 | 2023-06-23 | 江苏山水半导体科技有限公司 | 一种提高psg去除速率及其一致性的化学机械抛光方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3487368B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2004-01-19 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
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