JPH0851301A - 誘電体フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】誘電体ブロックの形状を変えることなく、容易
にＴＥモードの共振周波数（スプリアス周波数）を調整
することができ、よって、スプリアス特性を改善できる
誘電体フィルタを提供する。 【構成】誘電体ブロック１の対向する一対の端面１ａ，
１ｂを貫通して、その内面に内導体３が形成された共振
器孔２ａ〜２ｃが形成され、誘電体ブロック１の外面の
略全面には外導体４が形成されている。各内導体３は、
開放側端面１ａの近傍に内導体非形成部３ａが設けら
れ、外導体４の所定箇所に入出力電極５、５が形成され
てフィルタが構成されている。そして、フィルタ構成
後、開放側端面１ａの外導体４の一部を削り取り、外導
体削除部４ａを形成することにより、ＴＥモードのスプ
リアス周波数を調整して、スプリアス特性の改善を図
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、誘電体ブロック内に共
振器孔を形成し、誘電体ブロックの外面に外導体を形成
してなる誘電体フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】誘電体ブロック内に共振器孔が形成され
た従来の誘電体フィルタの構造を図４に示す。なお、以
下の図において、点塗り潰し部は、誘電体ブロックの素
地の見える部分（導体非形成部）を示す。

【０００３】この誘電体フィルタは、図４に示すよう
に、略直方体形状の誘電体ブロック１の対向する一対の
端面１ａ、１ｂ間を貫通して、その内面に内導体３が形
成された３個の共振器孔２ａ，２ｂ，２ｃが形成され、
誘電体ブロック１の外面の略全面には外導体４が形成さ
れ、該外導体４の所定箇所に一対の入出力電極５、５が
形成されている。各内導体３、３、３は、共振器孔２
ａ，２ｂ，２ｃの一方の開口面１ａ（以下、開放側端面
と記す）では、その近傍に内導体の非形成部（以下、内
導体非形成部と記す）が設けられ外導体４と分離（開
放）され、他方の開口面１ｂ（以下、短絡側端面と記
す）では、外導体４と導通（短絡）している。

【０００４】この誘電体フィルタは、各共振器孔２ａ，
２ｂ，２ｃ毎に形成される３段の共振器からなり、各共
振器間は、開放側端面側に形成された内導体非形成部に
発生するストレー容量によりいわゆるコムライン結合さ
れ、入出力電極５とこれに対応する内導体３との間に発
生する外部結合容量により外部結合を得て構成されてい
る。

【０００５】通常、このような誘電体フィルタでは、基
本波としてＴＥＭモードを利用しているが、ＴＥＭモー
ド共振の他にＴＥモードの共振が発生し、このＴＥモー
ド共振周波数でのレスポンスはスプリアスとなる。つま
り、上記誘電体フィルタの周波数減衰特性は、図５に示
すように、ＴＥＭモードの基本周波数（以下、ｆｏと記
す）より高い周波数において、ＴＥモードのスプリアス
ＴＥ₁₀₁ ，ＴＥ₁₀₂ ，ＴＥ₁₀₃ ，・・・を有している。

【０００６】これらのＴＥモードのスプリアスレベルが
要求特性を満たさない場合があり、このスプリアス特性
の改善が必要となっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
誘電体フィルタにおいては、誘電体ブロックの形状が決
まれば、ＴＥモードの共振周波数（以下、スプリアス周
波数と記す）がほぼ決まってしまい、要求される（目的
とする）スプリアス特性を得るためには、誘電体ブロッ
クの外形寸法等を変更して対処していた。すなわち、要
求特性に応じて、その都度、誘電体ブロックの幅、厚
み、長さ等を変更して、ＴＥモードのスプリアス周波数
を調整（シフト）して、所定（要求）周波数帯域でのス
プリアスレベル（減衰量）の改善を行っていた。このよ
うに、従来の誘電体フィルタでは、ＴＥモードのスプリ
アス特性改善のために、その要求特性に応じて形状の異
なる誘電体ブロックを多数必要とし、誘電体ブロックの
共通化、標準化が困難であり、金型コスト等が高くな
り、生産性が低下し、よって、製造コストが高くなると
いう問題があった。

【０００８】そこで、本発明の目的は、以上のような従
来の誘電体フィルタが持つ問題点を解消し、誘電体ブロ
ックの形状を変えることなく、容易にＴＥモードのスプ
リアス周波数を調整することができ、よって、スプリア
ス特性を改善することができる誘電体フィルタを提供す
ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明は、誘電体ブロックの対向する
一対の端面間に共振器孔を設け、該共振器孔の内面に内
導体を形成し、誘電体ブロックの外面の略全面に外導体
を形成し、前記共振器孔の一方の開口面の近傍に内導体
の非形成部を設けてなる誘電体フィルタにおいて、前記
内導体の非形成部が設けられた側の端面の外導体の一部
を削除し、ＴＥモードのスプリアス周波数を調整したこ
とを特徴とするものである。

【００１０】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明において、外導体の一部に内導体と容量結合する入出
力電極を設けたことを特徴とするものである。

【００１１】

【作用】請求項１に係る発明においては、内導体非形成
部が設けられた側の端面（開放側端面）に形成されてい
る外導体の一部を削除することにより、ＴＥモードの共
振周波数（スプリアス周波数）をずらすことができる。
すなわち、該外導体削除後のスプリアス周波数は、外導
体削除前のスプリアス周波数より低い周波数にシフトす
ることができるので、所定周波数でのスプリアスレベル
を要求レベル以下とすることができる。

【００１２】請求項２に係る発明においては、上記作用
に加え、他の接続部品を用いることなく、入出力電極に
より外部回路と接続できる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。図において、従来例と同一部分
については同一符号を付す。

【００１４】本発明の一実施例である誘電体フィルタの
構造及びその周波数減衰特性を図１及び図２に示す。図
１は誘電体フィルタの外観斜視図であり、図２は図１に
示す誘電体フィルタの周波数減衰特性図である。なお、
図２において点線は従来例を示す。

【００１５】図１に示すように、本実施例の誘電体フィ
ルタは、３つの共振器孔２ａ，２ｂ，２ｃが形成された
３段構成のフィルタであり、開放側端面１ａの数箇所
（図において、５箇所）に外導体４の削除部４ａ（以
下、外導体削除部と記す）が設けられている。この外導
体削除部４ａは、誘電体フィルタ構成後に、開放側端面
１ａに形成された外導体４の一部をリューター等で削り
落として形成される。なお、この時、外導体４とともに
誘電体を削り取ってもよい。外導体削除部４ａ以外の他
の構成については、従来例の図４に示したものと同様の
構成であり、その説明を省略する。

【００１６】この構成においては、開放側端面１ａに外
導体削除部４ａが設けられているので、この誘電体フィ
ルタのＴＥモードのスプリアス周波数は、図２に示すよ
うに、外導体削除部４ａ形成前より低い周波数にシフト
することができる。この場合、その削除量を多くすれば
周波数シフトは大きくなり、また、その削除箇所により
その周波数シフト量が異なる。なお、共振器孔２ａ，２
ｂ，２ｃで形成される各共振器の共振器長は短絡側端面
１ｂから内導体非形成部３ａの寸法で決定されるので、
開放側端面１ａに外導体削除部４ａを設けても、基本波
（ＴＥＭモード）周波数ｆｏはほとんど変化することが
ない。

【００１７】つまり、上記外導体削除部４ａを設けるこ
とにより、スプリアスとなるＴＥモードの共振周波数を
調整（シフト）することができ、所定周波数帯域でのス
プリアスレベルを要求レベル以下とすることができる。

【００１８】なお、上記外導体削除部４ａの形成位置、
形状、数は、上記実施例に限ることはなく、その形成位
置、形状、数等を適宜調整することにより、ＴＥモード
の共振周波数つまりスプリアス周波数のシフト量を容易
に変化させることができる。したがって、１つの誘電体
ブロックの形状で、多様なスプリアス特性の要求に対応
することができ、そのばらつきをも調整することができ
る。

【００１９】また、上記実施例では、誘電体ブロック内
に複数の共振器孔を設けた誘電体フィルタで説明した
が、図３に示すように、誘電体ブロック１に１個の共振
器孔２を形成した１段の誘電体フィルタ（トラップ）に
も本発明を適用できる。図３に示す誘電体フィルタにお
いても、開放側端面１ａに外導体非形成部４ａを形成
し、その形成位置、形状等を変えることにより、ＴＥモ
ードのスプリアス周波数を調整することができる。

【００２０】また、上記各実施例では、外導体４の一部
に入出力電極５を形成しているが、これに限るものでは
なく、入出力電極を形成せずに、例えば、樹脂ピンまた
は金属端子等の接続端子を入出力段の共振器孔に挿入し
て外部回路に接続するようにしてもよい。

【００２１】要するに、本発明は、開放側端面に外導体
が形成された誘電体フィルタにおいて、開放側端面の外
導体の一部を削除することにより、ＴＥモードのスプリ
アス特性を改善するものであり、他の構成については特
に限定するものではない。

【００２２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る誘電
体フィルタによれば、開放側端面の外導体の一部を削り
取ることにより、ＴＥモードの共振周波数すなわちスプ
リアス周波数を低い周波数にシフトすることができ、所
定の周波数帯域でのスプリアスレベルを要求レベル以下
とすることができる。このため、誘電体ブロックの形
状、サイズを変えることなく、ＴＥモードのスプリアス
特性を改善することができ、誘電体ブロックの共通化、
標準化ができるので、金型コスト、部資材管理コストを
低減できるとともに、生産性が向上し、よって、製造コ
ストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る誘電体フィルタの外観
斜視図である。

【図２】図１に示す誘電体フィルタの周波数減衰特性図
である。

【図３】本発明の他の実施例に係る１段の誘電体フィル
タの外観斜視図である。

【図４】従来の誘電体フィルタの外観斜視図である。

【図５】図４に示す誘電体フィルタの周波数減衰特性図
である。

【符号の説明】

１ 誘電体ブロック ２、２ａ〜２ｃ 共振器孔 ３ 内導体 ３ａ 内導体非形成部 ４ 外導体 ４ａ 外導体削除部 ５ 入出力電極

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体ブロックの対向する一対の端面間
   に共振器孔を設け、該共振器孔の内面に内導体を形成
   し、誘電体ブロックの外面の略全面に外導体を形成し、
   前記共振器孔の一方の開口面の近傍に内導体の非形成部
   を設けてなる誘電体フィルタにおいて、 前記内導体の非形成部が設けられた側の端面の外導体の
   一部を削除し、ＴＥモードのスプリアス周波数を調整し
   たことを特徴とする誘電体フィルタ。
2. 【請求項２】 前記外導体の一部に前記内導体と容量結
   合する入出力電極を設けたことを特徴とする請求項１に
   記載の誘電体フィルタ。