JPH0855374A - 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 光磁気記録媒体は、磁性層３と磁性層４とを
備えている。磁性層４は、磁性層３のキュリー点より低
いキュリー点と、室温で磁性層３の保磁力よりも低い保
磁力とを有しており、室温から磁性層４のキュリー点ま
で垂直磁化となる特性を有している。さらに、室温から
磁性層４のキュリー点までの温度範囲内に、保磁力が磁
性層３の保磁力より大きくなる温度範囲を有している。 【効果】 光磁気記録媒体の作成プロセスおよび光磁気
記録媒体の設計を複雑にすることなく、光変調オーバー
ライトによる情報の記録が行え、充分な再生信号を得る
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気学的に情報の記
録、再生、消去の少なくとも一つを行う光ディスク、光
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録方式とは、基板上に磁性体か
らなる垂直磁化膜を形成させたものを記録媒体とし、以
下の方法で記録、再生を行うものである。記録の際に
は、記録媒体を、まず、強力な外部磁界等によって初期
化し、磁化の方向を一方向（上向きまたは下向き）に揃
えておく。その後、記録したいエリアにレーザビームを
照射して、媒体部分の温度をキュリー点近傍以上、もし
くは補償点近傍以上に加熱し、その部分の保磁力（Ｈ
ｃ）をゼロ、またはほとんどゼロとした上で、初期化の
際の磁化方向と逆向きの外部磁界（バイアス磁界）を印
加して、磁化の向きを反転させる。レーザビームの照射
を止めると、記録媒体は室温に戻るので、反転した磁化
は反転したまま固定される。つまり、情報が熱磁気的に
記録される。

【０００３】再生の際には、直線偏光のレーザビームを
記録媒体に照射し、その反射光や透過光の偏光面が磁化
の向きに応じて回転する現象（磁気カー効果、磁気ファ
ラデー効果）を利用して、光学的に情報の読み出しを行
う。

【０００４】光磁気記録方式は、書き換え可能な大容量
記憶素子として注目されているが、その記録媒体を再使
用（書き換え）するためには、次のいずれかの方法を採
る必要がある。 （ａ）何らかの方法で初期化することにより、記録され
た情報を消去する。 （ｂ）外部磁界発生装置を工夫してオーバーライト（消
去が不要な書き換え）を可能にする。 （ｃ）記録媒体を工夫してオーバーライトを可能にす
る。

【０００５】しかし、上記（ａ）の方法では、初期化装
置あるいはヘッドが２個必要になるので、コスト高を招
く。また、１個のヘッドで書き換えを行おうとすると、
消去のために記録媒体にそのヘッド上を通過させた後、
記録のために記録媒体にそのヘッド上をもう一度通過さ
せる必要があるため、時間がかかる。

【０００６】（ｂ）の方法では、磁気記録の場合と同じ
ようにヘッドクラッシュが問題となる。

【０００７】このため、（ｃ）の方法が最も有効であ
る。例えば、Ｊａｐ．Ｊｏｕｒ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，Ｖｏｌ．２８（１９８９）Ｓｕｐｐｌ．２８−
３，ｐｐ．３６７−３７０には、記録層を交換結合２層
膜とすれば、オーバーライト可能な記録媒体を実現でき
ると記載されている。

【０００８】ここで、オーバーライトの手順について図
１４ないし図１８を用いて簡単に説明する。従来の光磁
気記録媒体は、例えば、図１４に示すように、透光性基
板１０１上に、透光性を有する誘電体層１０２と、第１
磁性層１０３と、第２磁性層１０４と、保護層１０５と
を順次形成した構成になっている。

【０００９】図１５に示すように、第１磁性層１０３
は、第２磁性層１０４のキュリー点Ｔ_C2よりも低いキュ
リー点Ｔ_C1を有している。

【００１０】まず、同図に示すように、第１磁性層１０
３の室温における保磁力Ｈ_C1より小さく第２磁性層１０
４の室温における保磁力Ｈ_C2より大きい初期化磁界Ｈ
_initを印加することにより、図１８に示すように、第２
磁性層１０４の磁化のみを一方向（図では下向き）に揃
える（Ｓ１０１またはＳ１０２）。Ｈ_initは第１磁性層
１０３の室温における保磁力Ｈ_C1より小さいので、第１
磁性層１０３の磁化は反転しない。なお、この初期化
は、常時、あるいは記録時のみ行われる。

【００１１】次に、以下に示すように、図１７に示す、
Ｈ_initより小さい記録磁界Ｈ_W （図では上向き）を印加
しながら、図１６に示す高レベルＩ（図中Ｐh)および低
レベルII（図中Ｐl)に変調された光ビームを照射するこ
とによって記録を行う。

【００１２】ここで、図１５に示すように、高レベルＩ
のレーザ光の光強度は、第１磁性層１０３・第２磁性層
１０４がともにそれぞれのキュリー点Ｔ_C1・Ｔ_C2付近ま
たはそれ以上となる温度Ｔ_H まで昇温するような値に設
定されている。低レベルIIのレーザ光の光強度は、第１
磁性層１０３だけがキュリー点（Ｔ_C1）付近またはそれ
以上となる温度Ｔ_L まで昇温するような値に設定されて
いる。

【００１３】高レベルＩのレーザ光が照射された場合、
図１８に示すように、Ｓ１０４を経て一旦第１磁性層１
０３・第２磁性層１０４の磁化が消滅した後、記録磁界
Ｈ_Wによって、第２磁性層１０４の磁化が上向きに反転
する（Ｓ１０５）。一方、第１磁性層１０３の磁化は、
冷却の過程で、第１磁性層１０３と第２磁性層１０４と
の界面に作用する交換力によって第２磁性層１０４の磁
化の向きと一致する（Ｓ１０６）。このため、第１磁性
層１０３の磁化の向きは上向きとなる（Ｓ１０７）。初
期化磁界Ｈ_initを再び印加すると、第２磁性層１０４の
磁化の向きが前記と同じ向きに揃えられる（Ｓ１０
２）。

【００１４】一方、低レベルIIのレーザ光が照射された
場合は、図１５に示すように、その温度（Ｔ_L ）範囲に
おける第２磁性層１０４の保磁力が高いため、図１８に
示すように、第２磁性層１０４の磁化が記録磁界Ｈ_W に
より反転しない（Ｓ１０３）。その後、冷却の過程で、
第１磁性層１０３の磁化は、第１磁性層１０３と第２磁
性層１０４との界面に作用する交換力によって第２磁性
層１０４の磁化の向きと一致する（Ｓ１０３）。このた
め、第１磁性層１０３の磁化の向きは下向きとなる（Ｓ
１０１）。

【００１５】このようにして、記録のたびに第１磁性層
１０３を初期化することなく、第１磁性層１０３に情報
が記録される。すなわち、第１磁性層１０３に対して光
変調オーバーライトによる情報記録が実現される。

【００１６】なお、図１６に示すように、再生時のレー
ザ光の強度（図中Ｐr)は、低レベルIIのレーザ光の強度
（図中Ｐl)よりもかなり小さいレベルに設定されてい
る。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のオー
バーライトを可能にする光磁気記録媒体においては、前
述のように、カー回転角を読みだすことにより再生を行
っている。このカー回転角は、一般に、キュリー点に比
例する。しかしながら、上記の構成では、第１磁性層１
０３のキュリー点Ｔ_C1を第２磁性層１０４のキュリー点
Ｔ_C2よりも低くする必要があるために、カー回転角を大
きくすることができない。このため、充分な再生信号が
得られないという問題点を有している。

【００１８】また、例えば、ＩＳＯＭ９１、Ｔｅｃｈｎ
ｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ、４Ｉ−２１、Ｐ９（１９９
１）には、第１磁性層の再生側（再生用光ビームの照射
される側）にキュリー点の高い再生磁性層を設けること
により、再生信号の改善されたオーバーライトを可能に
する構成が開示されている。しかしながら、この構成で
は、光磁気記録媒体の作成プロセスおよび光磁気記録媒
体の設計が複雑になるという問題点を有している。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１記載の光磁気記録媒体は、第１磁性層と、
第１磁性層のキュリー点Ｔ_C1より低いキュリー点Ｔ_C2を
有し、室温における保磁力が室温における第１磁性層の
保磁力より小さく、室温からＴ_C2までの所定の温度範囲
における保磁力が該温度範囲における第１磁性層の保磁
力より大きい第２磁性層とが設けられていることを特徴
としている。

【００２０】請求項２記載の光磁気記録方法は、請求項
１記載の光磁気記録媒体に対して、照射部位の温度が、
第１磁性層の保磁力が第２磁性層の保磁力より小さくな
る温度範囲になる強度を有する光ビームと、照射部位の
温度が第１磁性層のキュリー点以上になる強度を有する
光ビームとを照射することによって、情報を記録するこ
とを特徴としている。

【００２１】

【作用】上記の請求項１記載の光磁気記録媒体の構成に
より、キュリー点Ｔ_C1がキュリー点Ｔ_C2より高いので、
キュリー点Ｔ_C1まで昇温されると、磁界を印加する適当
な手段によってその磁界の向きが第１および第２磁性層
に記録される。

【００２２】室温における第２磁性層の保磁力が室温に
おける第１磁性層の保磁力よりも小さいので、室温に戻
ったときに、適当な初期化手段によって第２磁性層のみ
が初期化され、第１磁性層は現在の磁化の向きを保持す
る。

【００２３】一方、上記の所定の温度範囲まで昇温され
ると、第１磁性層の保磁力が第２磁性層の保磁力より小
さくなるので、第２磁性層の磁化の向きが第１磁性層に
転写される。

【００２４】すなわち、例えば昇温するために照射する
光ビーム等の強度を調整し、照射部位の温度を調整する
ことによって、第１磁性層の磁化の向きを所望の向きに
変えることができる。したがって、第１磁性層に対して
光変調オーバーライトによる情報記録を行うことができ
る。そして、第１磁性層のキュリー点Ｔ_C1を第２磁性層
のキュリー点Ｔ_C2より高く設定することができるので、
情報を再生する際の光ビームのカー回転角を増加させる
ことができる。

【００２５】それによって、光磁気記録媒体の作成プロ
セスおよび光磁気記録媒体の設計を複雑にすることな
く、光変調オーバーライトによる情報の記録が行え、充
分な再生信号を得ることができる。

【００２６】上記の請求項２記載の光磁気記録方法によ
り、記録時には、まず、室温付近において、第２磁性層
の保磁力（Ｈ_C2とする）よりも大きく第１磁性層の保磁
力（Ｈ_C1とする）よりも小さい適当な初期化磁界（Ｈ
_initとする）を印加することにより、第２磁性層の磁化
の向きを所定の向きに揃える。一方、第１磁性層の磁化
の向きは変わらない。

【００２７】次に、上記Ｈ_initと同一方向でＨ_initより
小さい適当な記録磁界（Ｈ_W とする）を印加しながら、
高レベルＩおよび低レベルIIに変調された光ビームを以
下のように照射する。

【００２８】すなわち、記録磁界Ｈ_W を印加しなが
ら、高レベルＩの光ビームを照射し、照射部位の温度を
Ｔ_C1付近まで上昇させる。その結果、第１磁性層および
第２磁性層がそれぞれのキュリー点以上の温度になるの
で、両層の磁化が消滅する。

【００２９】照射が終了して冷却過程に移り、照射され
た部位の温度がＴ_C1以下にまで下降すると、第１磁性層
の磁化は、記録磁界Ｈ_W によって記録磁界Ｈ_W の向きに
揃えられる。このとき第２磁性層の磁化はまだ消滅して
いる。

【００３０】さらに冷却されて、照射された部位の温度
がＴ_C2以下にまで下降すると、第２磁性層の磁化の向き
は、第１磁性層と第２磁性層との界面に作用する交換力
によって、第１磁性層の磁化の向きに揃えられる。

【００３１】室温に戻った後、再び初期化磁界Ｈ_initが
印加される。すると、室温での第１磁性層の保磁力Ｈ_C1
はＨ_initより大きいので、第１磁性層の磁化の向きは変
わらない。一方、室温での第２磁性層の保磁力Ｈ_C2はＨ
_initより小さいので、Ｈ_initによって第２磁性層の磁化
は前記した所定の向きに揃えられる。これにより、第１
磁性層に磁化が記録される。

【００３２】また、低レベルIIの光ビームを照射し
て、照射部位の温度を、第２磁性層の保磁力が第１磁性
層の保磁力よりも大きくなるような温度範囲にまで上昇
させる。そこで、その温度での第２磁性層の保磁力より
小さい記録磁界Ｈ_W を、上記低レベルIIの光ビームの照
射時に印加する。記録磁界Ｈ_W はその温度での第２磁性
層の保磁力より小さいため、第２磁性層の磁化の向きは
変わらない。

【００３３】照射が終了し、冷却過程に移ると、第１磁
性層の副格子磁化の向きは、第１磁性層と第２磁性層と
の界面に作用する交換力によって、第２磁性層の副格子
磁化の向きに揃えられる。これにより、第１磁性層に磁
化が記録される。

【００３４】以上のように、高レベルＩの光ビームを照
射したプロセスの場合、第１磁性層は、磁化が記録磁界
Ｈ_W の向きを向く状態に移行し、低レベルIIの光ビーム
を照射したプロセスの場合、第１磁性層は、磁化が第２
磁性層の磁化の向きを向く状態に移行する。したがっ
て、第１磁性層に対して光変調オーバーライトによる情
報記録を行うことができる。そして、第１磁性層のキュ
リー点Ｔ_C1を第２磁性層のキュリー点Ｔ_C2より高く設定
することができるので、情報を再生する際の光ビームの
カー回転角を増加させることができる。

【００３５】それによって、光磁気記録媒体の作成プロ
セスおよび光磁気記録媒体の設計を複雑にすることな
く、光変調オーバーライトによる情報の記録が行え、充
分な再生信号を得ることができる。

【００３６】

【実施例】

〔実施例１〕本発明の一実施例について図１ないし図５
に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施例に
かかる光磁気記録媒体は、図１に示すように、透光性基
板１上に、透光性を有する誘電体層２と、磁性層３（第
１磁性層）と、磁性層４（第２磁性層）と、保護層５と
を順次形成した構成になっている。さらに、普通は光磁
気記録媒体の保護のために、オーバーコート膜が形成さ
れている。

【００３７】磁性層３と磁性層４とは、希土類金属−遷
移金属合金からなっている。磁性層３は、図２に示すよ
うに、磁性層４と比較して、高いキュリー点Ｔ_C1と、室
温で高い保磁力Ｈ_C1とを有しており、室温から温度Ｔ_C1
まで垂直磁化となる遷移金属リッチの特性を有してい
る。

【００３８】磁性層４は、Ｔ_C1より低いキュリー点Ｔ_C2
と、室温でＨ_C1よりも低い保磁力Ｈ_C2とを有しており、
室温から温度Ｔ_C2まで垂直磁化となる希土類金属リッチ
の特性を有している。さらに、室温からＴ_a までの温度
範囲と、Ｔ_b 以上の温度範囲とでは、磁性層３の保磁力
が磁性層４の保磁力より大きく、Ｔ_a からＴ_b までの温
度範囲では、磁性層４の保磁力が磁性層３の保磁力より
大きい特性を有している。

【００３９】ここで、本実施例の光磁気記録媒体を用い
た光変調オーバーライトプロセスを、図３ないし図５を
用いて説明する。図５においては磁性層３および磁性層
４の磁化状態を示している。横軸は温度を表す。上記各
層は希土類遷移金属合金であるため、トータル磁化と、
希土類金属、遷移金属それぞれの副格子磁化があるが、
矢印は各層の遷移金属の副格子磁化の向きを示してい
る。

【００４０】このような光磁気記録媒体を用いて光変調
オーバーライトを行う場合、まず、室温付近において、
磁性層４の保磁力Ｈ_C2よりも大きく磁性層３の保磁力Ｈ
_C1よりも小さい、図４に示す初期化磁界Ｈ_initが印加さ
れる。すると、磁性層４のトータル磁化の向きがＨ_init
の向きに揃えられる。磁性層４は希土類金属リッチなの
で、磁性層４の遷移金属の副格子磁化は、トータル磁化
の向きと逆の向き、すなわちＨ_initと逆の向きに揃えら
れる。このとき、磁性層３の磁化の向きに応じて、光磁
気記録媒体の状態はＳ１およびＳ２の２つの状態が存在
する。一方、磁性層３の磁化の向きは変わらない。

【００４１】次に、Ｈ_initと同一方向でＨ_initより小さ
い、図４に示す記録磁界Ｈ_W を印加しながら、図３に示
す高レベルＩ（図中Ｐh)および低レベルII（図中Ｐl)に
変調された光ビームを以下のように照射する。

【００４２】すなわち、記録磁界Ｈ_W を印加しなが
ら、高レベルＩの光ビームを照射し、照射部位の温度を
Ｔ_C1付近まで上昇させる。その結果、磁性層３および磁
性層４がそれぞれのキュリー点以上の温度になるので、
両層の磁化が消滅する。

【００４３】例えば光磁気ディスクであれば光磁気ディ
スクの回転によって、レーザ光の照射部位が移行して照
射が終了すると、冷却過程に移る。そして、照射された
部位の温度がＴ_C1以下にまで下降すると、磁性層３の副
格子磁化は、記録磁界Ｈ_W によって記録磁界Ｈ_W の向き
に揃えられる（Ｓ３ないしＳ５）。このとき磁性層４の
磁化はまだ消滅している。

【００４４】さらに冷却されて、照射された部位の温度
がＴ_C2以下にまで下降すると、磁性層４の副格子磁化の
向きは、磁性層３と磁性層４との界面に作用する交換力
によって、磁性層３の副格子磁化の向きに揃えられる
（Ｓ６、Ｓ７）。

【００４５】室温に戻った後、光磁気ディスクであれば
光磁気ディスクの回転によって、再び初期化磁界Ｈ_init
が印加される。すると、室温での第１磁性層の保磁力Ｈ
_C1はＨ_initより大きいので、磁性層３の磁化の向きは変
わらない。一方、室温での第２磁性層の保磁力Ｈ_C2はＨ
_initより小さいので、Ｈ_initによって磁性層４の磁化の
向きは反転する（Ｓ２）。これにより、磁性層３に上向
きの磁化が記録される。

【００４６】また、低レベルIIの光ビームを照射し
て、照射部位の温度を、磁性層４の保磁力が磁性層３の
保磁力より大きくなるような温度範囲であるＴ_a ないし
Ｔ_b の範囲にまで上昇させる。そこで、その温度での磁
性層４の保磁力より小さい記録磁界Ｈ_W を、上記低レベ
ルIIの光ビームの照射時に印加する。記録磁界Ｈ_W はそ
の温度での磁性層４の保磁力より小さいため、磁性層４
の磁化の向きは変わらない（Ｓ３）。

【００４７】光磁気ディスクであれば光磁気ディスクの
回転によって照射が終了し、冷却過程に移ると、磁性層
３の副格子磁化の向きは、磁性層３と磁性層４との界面
に作用する交換力によって、磁性層４の副格子磁化の向
きに揃えられる（Ｓ１）。これにより、磁性層３に下向
きの磁化が記録される。

【００４８】以上のように、高レベルＩの光ビームを照
射したプロセスの場合、磁性層３は、トータル磁化が上
向き（副格子磁化が上向き）の状態Ｓ２に移行し、低レ
ベルIIの光ビームを照射したプロセスの場合、磁性層３
は、磁化が下向き（副格子磁化が下向き）の状態Ｓ１に
移行する。したがって、磁性層３に対して光変調オーバ
ーライトによる情報記録を行うことができる。そして、
磁性層３のキュリー点Ｔ_C1を磁性層４のキュリー点Ｔ_C2
より高く設定することができるので、情報を再生する際
の光ビームのカー回転角を増加させることができる。

【００４９】それによって、光磁気記録媒体の作成プロ
セスおよび光磁気記録媒体の設計を複雑にすることな
く、光変調オーバーライトによる情報の記録が行え、充
分な再生信号を得ることができる。

【００５０】上記のようにして記録された情報の再生
は、上記記録時よりもかなり低いレベルのレーザ光III
（図３中、Ｐｒで示す）を照射し、その反射光における
偏光面を検出することによって行う。

【００５１】以下に、上記光磁気記録媒体の一例とし
て、光磁気ディスクのサンプルを示す。サンプル＃１で
は、透光性の基板１は、外径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、
厚さ１．２ｍｍの円盤上のガラスからなっている。基板
１の片側の表面には、レーザ光案内用の凹凸状のガイド
トラックが反応性イオンエッチング法により直接形成さ
れている。トラックピッチは１．６μｍ、グルーブ（凹
部）の幅は０．８μｍ、ランド（凸部）の幅は０．８μ
ｍであり、反応性イオンエッチング法により、ガラスに
直接形成された。

【００５２】基板１のガイドトラック側の面上に、反応
性スパッタリングにより、膜厚８０ｎｍのＡｌＮからな
る誘電体層２と、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時ス
パッタリングにより膜厚５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏからな
る磁性層３、磁性層４と、膜厚８０ｎｍのＡｌＮからな
る保護層５とを積層した。

【００５３】磁性層３、４の成膜時のスパッタリング条
件は、到達真空度２．０×１０^-4Ｐａ以下、Ａｒガス圧
６．５×１０^-1Ｐａ、放電電力３００Ｗであり、誘電体
層２および保護層５の成膜時のスパッタリング条件は、
到達真空度２．０×１０^-4Ｐａ以下、Ｎ₂ ガス圧３．０
×１０^-1Ｐａ、放電電力８００Ｗである。

【００５４】さらに、保護層５の上にアクリレート系紫
外線硬化樹脂をコーティングし、紫外線照射により硬化
させてオーバーコート膜を形成した。

【００５５】磁性層３は、組成Ｔｂ_0.19（Ｆｅ_0.81Ｃｏ
_0.19）_0.81、遷移金属リッチ、キュリー点Ｔ_C1＝２２０
℃、室温での保磁力Ｈ_C1＝１２００ｋＡ／ｍである。磁
性層４は、組成Ｔｂ_0.26（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.74、希
土類金属リッチ、キュリー点Ｔ_C2＝１８０℃、補償点Ｔ
_COMP2 ＝１６０℃、室温での保磁力Ｈ_C2＝８０ｋＡ／ｍ
である。

【００５６】サンプル＃１の光磁気ディスクに対して、
初期化磁界Ｈ_init＝１６０ｋＡ／ｍ、記録磁界Ｈ_W ＝３
０ｋＡ／ｍ、高レベルＩのレーザパワー（Ｐ_H ）＝１０
ｍＷ、低レベルIIのレーザパワー（Ｐ_L ）＝４ｍＷ、レ
ベルIII の再生レーザパワー（Ｐ_R ）＝１ｍＷ、記録ビ
ット長＝０．７８μｍにて記録を行った結果、消し残り
のない光変調オーバーライトができ、信号対雑音比（Ｃ
／Ｎ）＝４７ｄＢという良好な再生信号を得ることがで
きた。

【００５７】なお、比較として、上記の光磁気記録媒体
の磁性層のうち、上記磁性層３を、キュリー点が上記磁
性層４のキュリー点よりも低い光磁気記録媒体、具体的
には、組成Ｔｂ_0.19（Ｆｅ_0.90Ｃｏ_0.10）_0.81、遷移金
属リッチ、キュリー点Ｔ_C1＝１６０℃、室温での保磁力
Ｈ_C1＝１２００ｋＡ／ｍである磁性層に替えた光磁気記
録媒体では、消し残りのない光変調オーバーライトはで
きるものの、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４５ｄＢであっ
た。

【００５８】〔実施例２〕本発明の他の実施例について
図６に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、説
明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部材と同一の
機能を有する部材には、同一の符号を付記してその説明
を省略する。

【００５９】本実施例にかかる光磁気記録媒体は、図６
に示すように、透光性基板１上に、透光性を有する誘電
体層２と、磁性層２３（第１磁性層）と、磁性層２４
（第２磁性層）と、保護層５とを順次形成した構成にな
っている。さらに、普通は光磁気記録媒体の保護のため
に、オーバーコート膜が形成されている。

【００６０】磁性層２３と磁性層２４とは希土類金属−
遷移金属合金からなっている。磁性層２３は、室温では
面内磁化となり、所定温度以上で垂直磁化となる特性を
有している。磁性層２４は、実施例１の磁性層４同様、
磁性層２３のキュリー点Ｔ_C1より低いキュリー点Ｔ_C2を
有しており、室温から温度Ｔ_C2まで垂直磁化となる希土
類金属リッチの特性を有している。さらに、室温からＴ
_a までの温度範囲と、Ｔ_b 以上の温度範囲とでは、磁性
層２３の保磁力が磁性層２４の保磁力より大きく、Ｔ_a
からＴ_b までの温度範囲では、磁性層２４の保磁力が磁
性層２３の保磁力より大きい特性を有している。

【００６１】本実施例にかかる光磁気記録媒体を用いて
の光変調オーバーライトプロセスによる情報の記録時に
おいては、室温において、磁性層２３の磁化の垂直成分
が飽和する磁界以下、磁性層２４の保磁力Ｈ_C2以上の初
期化磁界Ｈ_initにより磁性層２４を初期化する。なお、
磁性層２３は記録時には垂直磁化膜となり、実施例１に
おける磁性層３と同様の動作をする。したがって、光変
調オーバーライトプロセスによる情報の記録は実施例１
と同様に行われる。

【００６２】次に、再生時の動作について説明する。磁
性層２３に再生用のレーザ光が照射されると、照射され
た部位の温度分布がほぼガウス分布になる。このため、
レーザ光の径よりも小さい中心近傍領域のみの温度が上
昇する。この温度上昇に伴って、温度上昇部位の磁化は
垂直磁化に移行する。したがって、この温度上昇部位の
みが極カー効果を示すようになり、該部位からの反射光
に基づいて情報が再生される。

【００６３】レーザ光が移動して次の記録ビットを再生
する時には、先に再生した部位の温度は低下しており、
垂直磁化ではなくなっている。このため、先に再生した
部位は極カー効果を示さなくなる。これにより、隣接ビ
ットからの信号混入がなくなるので、雑音の発生や再生
の分解能の低下を防止することができる。

【００６４】つまり、所定温度以上の温度を有する領域
のみを再生に関与させるので、従来よりも小さな記録ビ
ットの再生が行え、記録密度を著しく向上させることが
できる。

【００６５】以下に、上記光磁気記録媒体の一例とし
て、光磁気ディスクのサンプルを示す。なお、実施例１
で説明したサンプル＃１と同じ箇所は説明を省略する。
サンプル＃２では、実施例１同様の基板１のガイドトラ
ック側の面上に、反応性スパッタリングにより、膜厚８
０ｎｍのＡｌＮからなる誘電体層２と、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃ
ｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍ
のＧｄＦｅＣｏからなる磁性層３、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｆｅ、
Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚５０ｎ
ｍのＧｄＤｙＦｅＣｏからなる磁性層２４と、膜厚８０
ｎｍのＡｌＮからなる保護層５とを積層した。

【００６６】磁性層２３および磁性層２４の成膜時の条
件はそれぞれ実施例１における磁性層３、磁性層４の成
膜時の条件と同様である。

【００６７】磁性層２３は、希土類金属リッチ、キュリ
ー点Ｔ_C1≧３００℃、補償点Ｔ_{COMP 1} ＝１５０℃、室温
での保磁力Ｈ_C1〜０ｋＡ／ｍであり、約８０℃で垂直磁
化となる。磁性層２４は、希土類金属リッチ、キュリー
点Ｔ_C2＝２５０℃、補償点Ｔ_COMP2 ＝２１０℃、室温で
の保磁力Ｈ_C2＝６４ｋＡ／ｍである。

【００６８】サンプル＃２の光磁気ディスクに対して、
初期化磁界Ｈ_init＝８０ｋＡ／ｍ、記録磁界Ｈ_W ＝１６
ｋＡ／ｍ、高レベルＩのレーザパワー（Ｐ_H ）＝１０ｍ
Ｗ、低レベルIIのレーザパワー（Ｐ_L ）＝４ｍＷ、レベ
ルIII の再生レーザパワー（Ｐ_R ）＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．６５μｍにて記録を行った結果、消し残りの
ない光変調オーバーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／
Ｎ）＝４７ｄＢという良好な再生信号を得ることができ
た。

【００６９】すなわち、実施例１と同様、光磁気記録媒
体の作成プロセスおよび光磁気記録媒体の設計を複雑に
することなく、光変調オーバーライトによる情報の記録
が行え、充分な再生信号を得ることができる。

【００７０】また、磁性層２３が室温では垂直磁化を示
さず、再生時においては再生レベルIII のレーザパワー
のレーザ光が照射されたときだけ垂直磁化を示すので、
短い記録ビットであっても隣接記録ビットからの影響を
受けずに情報を再生できる。このため、記録ビット長さ
が短い（すなわち本実施例では０．６５μｍ）場合にお
いても、良好なＣ／Ｎを得ることができる。

【００７１】〔実施例３〕本発明のさらに他の実施例に
ついて図７に基づいて説明すれば、以下の通りである。
なお、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した部材
と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記して
その説明を省略する。本実施例にかかる光磁気記録媒体
は、図７に示すように、透光性基板１上に、透光性を有
する誘電体層２と、磁性層２３（第３磁性層）と、磁性
層３（第１磁性層）と、磁性層４（第２磁性層）と、保
護層５とを順次形成した構成になっている。さらに、普
通は光磁気記録媒体の保護のために、オーバーコート膜
が形成されている。

【００７２】すなわち、第１磁性層としての磁性層３、
および第２磁性層としての磁性層４に加え、第３磁性層
として、実施例２にかかる光磁気記録媒体に用いた磁性
層２３を積層している。

【００７３】本実施例にかかる光磁気記録媒体を用いて
の光変調オーバーライトプロセスによる情報の記録時に
おいては、実施例１同様に行われ、一方、再生時には実
施例２同様に行われる。

【００７４】以下に、上記光磁気記録媒体の一例とし
て、光磁気ディスクのサンプルを示す。なお、実施例
１、２で説明したサンプル＃１、＃２と同じ箇所は説明
を省略する。サンプル＃３では、実施例１同様の基板１
のガイドトラック側の面上に、反応性スパッタリングに
より、膜厚８０ｎｍのＡｌＮからなる誘電体層２と、Ｇ
ｄ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより
膜厚５０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなる磁性層２３と、Ｔ
ｂ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより
膜厚５０ｎｍのＴｂＦｅＣｏからなる磁性層３、４と、
膜厚８０ｎｍのＡｌＮからなる保護層５とを積層した。

【００７５】磁性層２３は、希土類金属リッチ、キュリ
ー点Ｔ_C0≧３００℃、補償点Ｔ_{COMP 0} ＝１５０℃、室温
での保磁力Ｈ_C0〜０ｋＡ／ｍであり、約８０℃で垂直磁
化となる。磁性層３は、サンプル＃１同様、組成Ｔｂ
_0.19（Ｆｅ_0.81Ｃｏ_0.19）_0.81、遷移金属リッチ、キュ
リー点Ｔ_C1＝２２０℃、室温での保磁力Ｈ_C1＝１２００
ｋＡ／ｍである。磁性層４は、サンプル＃１同様、組成
Ｔｂ_0.26（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.74、希土類金属リッ
チ、キュリー点Ｔ_C2＝１８０℃、補償点Ｔ_COMP2 ＝１６
０℃、室温での保磁力Ｈ_C2＝８０ｋＡ／ｍである。

【００７６】サンプル＃３の光磁気ディスクに対して、
初期化磁界Ｈ_init＝１６０ｋＡ／ｍ、記録磁界Ｈ_W ＝３
２ｋＡ／ｍ、高レベルＩのレーザパワー（Ｐ_H ）＝１０
ｍＷ、低レベルIIのレーザパワー（Ｐ_L ）＝４ｍＷ、レ
ベルIII の再生レーザパワー（Ｐ_R ）＝１ｍＷ、記録ビ
ット長＝０．６５μｍにて記録を行った結果、消し残り
のない光変調オーバーライトができ、信号対雑音比（Ｃ
／Ｎ）＝４７ｄＢという良好な再生信号を得ることがで
きた。

【００７７】すなわち、実施例１と同様、光変調オーバ
ーライトによる情報の記録が行え、充分な再生信号を得
ることができる。

【００７８】また、実施例２同様、磁性層２３が室温で
は垂直磁化を示さず、再生時においては再生レベルIII
のレーザパワーのレーザ光が照射されたときだけ垂直磁
化を示すので、短い記録ビットであっても隣接記録ビッ
トからの影響を受けずに情報を再生できる。このため、
記録ビット長さが短い（すなわち本実施例では０．６５
μｍ）場合においても、良好なＣ／Ｎを得ることができ
る。

【００７９】さらに、室温では垂直磁化を示さず、再生
レベルIII のレーザパワーのレーザ光が照射されたとき
だけ垂直磁化を示す磁性層２３（第３磁性層）と、情報
の記録を行う磁性層３（第１磁性層）とを別々の層とし
たので、３層構造となるものの、実施例２で用いたサン
プル＃２と比べ、第１磁性層の組成に関するマージンが
大きくなり、作成しやすいという長所がある。

【００８０】〔実施例４〕本発明の他の実施例について
図８ないし図１２に基づいて説明すれば、以下の通りで
ある。なお、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
記してその説明を省略する。

【００８１】本実施例にかかる光磁気記録媒体は、図８
に示すように、透光性基板１上に、透光性を有する誘電
体層２と、磁性層３（第１磁性層）と、磁性層４７（第
４磁性層）と、磁性層４（第２磁性層）と、保護層５と
を順次形成した構成になっている。さらに、普通は光磁
気記録媒体の保護のために、オーバーコート膜が形成さ
れている。

【００８２】磁性層４７は、希土類金属−遷移金属合金
からなっている。磁性層４７の磁気特性は図９に示す通
りである。なお、磁性層３、４の磁気特性も同時に記載
してある。磁性層４７は、室温で面内磁化となり、所定
温度以上で垂直磁化となる特性を有している。

【００８３】ここで、本実施例の光磁気記録媒体を用い
た光変調オーバーライトプロセスを、図１０ないし図１
２を用いて説明する。図１２においては磁性層３および
磁性層４の磁化状態を示している。横軸は温度を表す。
上記各層は希土類遷移金属合金であるため、トータル磁
化と希土類金属、遷移金属それぞれの副格子磁化がある
が、矢印は各層の遷移金属の副格子磁化の向きを示して
いる。

【００８４】このような光磁気記録媒体を用いて光変調
オーバーライトを行う場合、まず、室温付近において、
磁性層４の保磁力Ｈ_C2よりも大きく磁性層３の保磁力Ｈ
_C1よりも小さい、図１１に示す初期化磁界Ｈ_initが印加
される。すると、磁性層４のトータル磁化の向きがＨ
_initの向きに揃えられる。磁性層４は希土類金属リッチ
なので、磁性層４の遷移金属の副格子磁化は、トータル
磁化の向きと逆の向き、すなわちＨ_initと逆の向きに揃
えられる。このとき、磁性層３の磁化の向きに応じて、
光磁気記録媒体の状態はＳ１１およびＳ１２の２つの状
態が存在する。一方、磁性層３の磁化の向きは変わらな
い。

【００８５】次に、Ｈ_initと同一方向でＨ_initより小さ
い、図１１に示す記録磁界Ｈ_W を印加しながら、図１０
に示す高レベルＩ（図中Ｐh)および低レベルII（図中Ｐ
l)に変調された光ビームを以下のように照射する。

【００８６】すなわち、記録磁界Ｈ_W を印加しなが
ら、高レベルＩの光ビームを照射し、照射部位の温度を
Ｔ_C1付近まで上昇させる。その結果、磁性層３および磁
性層４がそれぞれのキュリー点以上の温度になるので、
両層の磁化が消滅する。

【００８７】例えば光磁気ディスクであれば光磁気ディ
スクの回転によって、レーザ光の照射部位が移行して照
射が終了すると、冷却過程に移る。そして、照射された
部位の温度がＴ_C1以下にまで下降すると、磁性層３およ
び磁性層４７の副格子磁化は、記録磁界Ｈ_W によって記
録磁界Ｈ_W の向きに揃えられる（Ｓ１３ないしＳ１
５）。このとき磁性層４の磁化はまだ消滅している。

【００８８】さらに冷却されて、照射された部位の温度
がＴ_C2以下にまで下降すると、磁性層４の副格子磁化の
向きは、磁性層４７と磁性層４との界面に作用する交換
力によって、磁性層３の副格子磁化の向きに揃えられる
（Ｓ１６）。

【００８９】さらに、室温まで冷却されると、磁性層４
７は面内磁化に移行する（Ｓ１７）。このため、磁性層
３と磁性層４との間に交換力が作用しなくなる。

【００９０】室温に戻った後、例えば光磁気ディスクで
あれば光磁気ディスクの回転によって、再び初期化磁界
Ｈ_initが印加される。すると、室温での第１磁性層の保
磁力Ｈ_C1はＨ_initより大きいので、磁性層３の磁化の向
きは変わらない。一方、室温での第２磁性層の保磁力Ｈ
_C2はＨ_initより小さいので、Ｈ_initによって磁性層４の
磁化の向きは反転する（Ｓ１２）。これにより、磁性層
３に上向きの磁化が記録される。

【００９１】また、低レベルIIの光ビームを照射し
て、照射部位の温度を、磁性層４の保磁力が磁性層３の
保磁力より大きくなるような温度範囲であるＴ_a ないし
Ｔ_b の範囲にまで上昇させる。そこで、その温度での磁
性層４の保磁力より小さい記録磁界Ｈ_W を、上記低レベ
ルIIの光ビームの照射時に印加する。記録磁界Ｈ_W はそ
の温度での磁性層４の保磁力より小さいため、磁性層４
の磁化の向きは変わらない。

【００９２】光磁気ディスクであれば光磁気ディスクの
回転によって照射が終了し、冷却過程に移ると、磁性層
３の副格子磁化の向きは、磁性層３と磁性層４７との界
面に作用する交換力によって、磁性層４の副格子磁化の
向きに揃えられる（Ｓ１３）。これにより、磁性層３に
下向きの磁化が記録される。

【００９３】さらに、室温まで冷却されると、磁性層４
７は面内磁化に移行する（Ｓ１１）。このため、磁性層
３と磁性層４との間に交換力が作用しなくなる。

【００９４】以上のように、高レベルＩの光ビームを照
射したプロセスの場合、磁性層３は、トータル磁化が上
向き（副格子磁化が上向き）の状態Ｓ１２に移行し、低
レベルIIの光ビームを照射したプロセスの場合、磁性層
３は、磁化が下向き（副格子磁化が下向き）の状態Ｓ１
１に移行する。したがって、磁性層３に対して光変調オ
ーバーライトによる情報記録を行うことができる。そし
て、磁性層３のキュリー点Ｔ_C1を磁性層４のキュリー点
Ｔ_C2より高く設定することができるので、情報を再生す
る際の光ビームのカー回転角を増加させることができ
る。

【００９５】それによって、実施例１同様、光変調オー
バーライトによる情報の記録が行え、充分な再生信号を
得ることができる。

【００９６】さらに、本実施例においては、室温でほぼ
面内磁化を示す上記磁性層４７を磁性層３と磁性層４と
の間に設けていることにより、３層構造となるものの、
初期化磁界Ｈ_initを低減することができる。これによ
り、装置の大型化を防ぎ、消費電力を抑えることができ
る。

【００９７】情報の再生は、実施例１同様、上記記録時
よりもかなり低いレベルのレーザ光III （図１０中、Ｐ
ｒで示す）を照射し、その反射光における偏光面を検出
することによって行う。

【００９８】以下に、上記光磁気記録媒体の一例とし
て、光磁気ディスクのサンプルを示す。なお、サンプル
＃１ないし＃３と同じ箇所は説明を省略する。サンプル
＃４では、実施例１同様の基板１のガイドトラック側の
面上に、反応性スパッタリングにより、膜厚８０ｎｍの
ＡｌＮからなる誘電体層２と、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏターゲ
ットの同時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのＤｙＦ
ｅＣｏからなる磁性層３と、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏターゲッ
トの同時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのＧｄＦｅ
Ｃｏからなる磁性層４７と、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏタ
ーゲットの同時スパッタリングにより膜厚５０ｎｍのＧ
ｄＤｙＦｅＣｏからなる磁性層４と、膜厚８０ｎｍのＡ
ｌＮからなる保護層５とを積層した。

【００９９】磁性層３は、組成Ｄｙ_0.19（Ｆｅ_0.75Ｃｏ
_0.25）_0.81、遷移金属リッチ、キュリー点Ｔ_C1＝２２０
℃、室温での保磁力Ｈ_C1＝９５０ｋＡ／ｍであり、磁性
層４７は、組成Ｇｄ_0.28（Ｆｅ_0.61Ｃｏ_0.39）_0.72、希
土類金属リッチ、キュリー点Ｔ_C3≧３００℃、補償点Ｔ
_COMP3 ＝１５０℃、室温での保磁力Ｈ_C3〜０ｋＡ／ｍで
あり、約８０℃で垂直磁化となり、約１６０℃で面内磁
化を示す。磁性層４は、組成（Ｇｄ_0.40Ｄｙ_0.60）_0.32
（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.68、希土類金属リッチ、キュリ
ー点Ｔ_C2＝２１０℃、補償点Ｔ_COMP2 ＝１９０℃、室温
での保磁力Ｈ_C2＝４８ｋＡ／ｍである。

【０１００】サンプル＃４の光磁気ディスクに対して、
初期化磁界Ｈ_init＝６４ｋＡ／ｍ、記録磁界Ｈ_W ＝１６
ｋＡ／ｍ、高レベルＩのレーザパワー（Ｐ_H ）＝８ｍ
Ｗ、低レベルIIのレーザパワー（Ｐ_L ）＝４ｍＷ、レベ
ルIII の再生レーザパワー（Ｐ_R ）＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．７８μｍにて記録を行った結果、消し残りの
ない光変調オーバーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／
Ｎ）＝４７ｄＢという良好な再生信号を得ることができ
た。

【０１０１】サンプル＃１に比べて、磁性層４７を設け
たことにより、３層構造となるものの、初期化磁界Ｈ
_initを低減することができた。

【０１０２】〔実施例５〕本発明のさらに他の実施例に
ついて図１３に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。なお、説明の便宜上、前記の実施例の図面に示した
部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記
してその説明を省略する。本実施例にかかる光磁気記録
媒体は、図１３に示すように、透光性基板１上に、透光
性を有する誘電体層２と、磁性層２３（第３磁性層）
と、磁性層３（第１磁性層）と、磁性層４７（第４磁性
層）と、磁性層４（第２磁性層）と、保護層５とを順次
形成した構成になっている。さらに、普通は光磁気記録
媒体の保護のために、オーバーコート膜が形成されてい
る。

【０１０３】すなわち、第３磁性層として、実施例２に
かかる光磁気記録媒体に用いた磁性層２３を積層し、第
４磁性層として、実施例４にかかる光磁気記録媒体に用
いた磁性層４７を積層している。

【０１０４】本実施例にかかる光磁気記録媒体を用いて
の光変調オーバーライトプロセスによる情報の記録時に
おいては、実施例４同様に行われ、一方、再生時には実
施例２同様に行われる。

【０１０５】以下に、上記光磁気記録媒体の一例とし
て、光磁気ディスクのサンプルを示す。なお、すでに説
明したサンプル＃１〜＃４と同じ箇所は説明を省略す
る。サンプル＃５では、実施例１同様の基板１のガイド
トラック側の面上に、反応性スパッタリングにより、膜
厚８０ｎｍのＡｌＮからなる誘電体層２と、Ｇｄ、Ｆ
ｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚５
０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなる磁性層２３と、Ｄｙ、Ｆ
ｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚５
０ｎｍのＤｙＦｅＣｏからなる磁性層３と、Ｇｄ、Ｆ
ｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより膜厚５
０ｎｍのＧｄＦｅＣｏからなる磁性層４７と、Ｇｄ、Ｄ
ｙ、Ｆｅ、Ｃｏターゲットの同時スパッタリングにより
膜厚５０ｎｍのＧｄＤｙＦｅＣｏからなる磁性層４と、
膜厚８０ｎｍのＡｌＮからなる保護層５とを積層した。

【０１０６】磁性層２３は、サンプル＃２同様、希土類
金属リッチ、キュリー点Ｔ_C0≧３００℃、補償点Ｔ
_COMP0 ＝１５０℃、室温での保磁力Ｈ_C0〜０ｋＡ／ｍで
あり、約８０℃で垂直磁化となる。磁性層３、４７、４
はサンプル＃４同様である。すなわち、磁性層３は、組
成Ｄｙ_0.19（Ｆｅ_0.75Ｃｏ_0.25）_0.81、遷移金属リッ
チ、キュリー点Ｔ_C1＝２２０℃、室温での保磁力Ｈ_C1＝
９５０ｋＡ／ｍであり、磁性層４７は、組成Ｇｄ
_0.28（Ｆｅ_0.61Ｃｏ_0.39）_0.72、希土類金属リッチ、キ
ュリー点Ｔ_C3≧３００℃、補償点Ｔ_COMP3 ＝１５０℃、
室温での保磁力Ｈ_C3〜０ｋＡ／ｍ、約８０℃で垂直磁化
となり、約１６０℃で面内磁化を示す。磁性層４は、組
成（Ｇｄ_0.40Ｄｙ_0.60）_0.32（Ｆｅ_0.80Ｃ
ｏ_0.20）_0.68、希土類金属リッチ、キュリー点Ｔ_C2＝２
１０℃、補償点Ｔ_COMP2 ＝１９０℃、室温での保磁力Ｈ
_C2＝４８ｋＡ／ｍである。

【０１０７】サンプル＃５の光磁気ディスクに対して、
初期化磁界Ｈ_init＝８０ｋＡ／ｍ、記録磁界Ｈ_W ＝１６
ｋＡ／ｍ、高レベルＩのレーザパワー（Ｐ_H ）＝１０ｍ
Ｗ、低レベルIIのレーザパワー（Ｐ_L ）＝４ｍＷ、レベ
ルIII の再生レーザパワー（Ｐ_R ）＝１ｍＷ、記録ビッ
ト長＝０．６５μｍにて記録を行った結果、消し残りの
ない光変調オーバーライトができ、信号対雑音比（Ｃ／
Ｎ）＝４７ｄＢという良好な再生信号を得ることができ
た。

【０１０８】すなわち、実施例１と同様、光変調オーバ
ーライトによる情報の記録が行え、充分な再生信号を得
ることができる。

【０１０９】また、磁性層２３が室温では垂直磁化を示
さず、再生時においては再生レベルIII のレーザパワー
のレーザ光が照射されたときだけ垂直磁化を示すので、
サンプル＃４と比べて短い記録ビット（すなわち本実施
例では０．６５μｍ）であっても、隣接記録ビットから
の影響を受けずに情報を再生できる。このため、記録ビ
ット長さが短い場合においても、良好なＣ／Ｎを得るこ
とができる。

【０１１０】以上の各実施例においてはすべて第２磁性
層を初期化する初期化磁界が必要であるが、初期化磁界
は、外部磁界であっても、初期化磁性層であってもよ
い。また、基板、誘電体層、磁性層は、請求項に記載し
た要件を満足するものであれば、上記に限定されるもの
ではない。

【０１１１】

【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
光磁気記録媒体は、第１磁性層と、第１磁性層のキュリ
ー点Ｔ_C1より低いキュリー点Ｔ_C2を有し、室温における
保磁力が室温における第１磁性層の保磁力より小さく、
室温からＴ_C2までの所定の温度範囲における保磁力が該
温度範囲における第１磁性層の保磁力より大きい第２磁
性層とが設けられている構成である。

【０１１２】それゆえ、光磁気記録媒体の作成プロセス
および光磁気記録媒体の設計を複雑にすることなく、光
変調オーバーライトによる情報の記録が行え、充分な再
生信号を得ることができるという効果を奏する。

【０１１３】請求項２記載の光磁気記録方法は、請求項
１記載の光磁気記録媒体に対して、照射部位の温度が、
第１磁性層の保磁力が第２磁性層の保磁力より小さくな
る温度範囲になる強度を有する光ビームと、照射部位の
温度が第１磁性層のキュリー点以上になる強度を有する
光ビームとを照射することによって、情報を記録する方
法である。

【０１１４】それゆえ、光磁気記録媒体の作成プロセス
および光磁気記録媒体の設計を複雑にすることなく、光
変調オーバーライトによる情報の記録が行え、充分な再
生信号を得ることができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の光磁気記録媒体の概略の構
成を示す説明図である。

【図２】図１の光磁気記録媒体における各磁性層の保磁
力の温度依存性を示すグラフである。

【図３】図１の光磁気記録媒体に照射されるレーザ光の
強度を示すグラフである。

【図４】図１の光磁気記録媒体に印加される磁界の強度
を示すグラフである。

【図５】図１の光磁気記録媒体における記録プロセスを
示す説明図である。

【図６】本発明の他の実施例の光磁気記録媒体の概略の
構成を示す説明図である。

【図７】本発明のさらに他の実施例の光磁気記録媒体の
概略の構成を示す説明図である。

【図８】本発明のさらに他の実施例の光磁気記録媒体の
概略の構成を示す説明図である。

【図９】図８の光磁気記録媒体における各磁性層の保磁
力の温度依存性を示すグラフである。

【図１０】図８の光磁気記録媒体に照射されるレーザ光
の強度を示すグラフである。

【図１１】図８の光磁気記録媒体に印加される磁界の強
度を示すグラフである。

【図１２】図８の光磁気記録媒体における記録プロセス
を示す説明図である。

【図１３】本発明のさらに他の実施例の光磁気記録媒体
の概略の構成を示す説明図である。

【図１４】従来の光磁気記録媒体の概略の構成を示す説
明図である。

【図１５】従来の光磁気記録媒体における各磁性層の保
磁力の温度依存性を示すグラフである。

【図１６】従来の光磁気記録媒体に照射されるレーザ光
の強度を示すグラフである。

【図１７】従来の光磁気記録媒体に印加される磁界の強
度を示すグラフである。

【図１８】従来の光磁気記録媒体における記録プロセス
を示す説明図である。

【符号の説明】

３ 磁性層（第１磁性層） ４ 磁性層（第２磁性層） ２３ 磁性層（第１磁性層、第３磁性層） ２４ 磁性層（第２磁性層） ４７ 磁性層（第４磁性層）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１磁性層と、 第１磁性層のキュリー点Ｔ_C1より低いキュリー点Ｔ_C2を
   有し、室温における保磁力が室温における第１磁性層の
   保磁力より小さく、室温からＴ_C2までの所定の温度範囲
   における保磁力が該温度範囲における第１磁性層の保磁
   力より大きい第２磁性層とが設けられていることを特徴
   とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】請求項１記載の光磁気記録媒体に対して、
   照射部位の温度が、第１磁性層の保磁力が第２磁性層の
   保磁力より小さくなる温度範囲になる強度を有する光ビ
   ームと、照射部位の温度が第１磁性層のキュリー点以上
   になる強度を有する光ビームとを照射することによっ
   て、情報を記録することを特徴とする光磁気記録方法。