JPH085548Y2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH085548Y2 JPH085548Y2 JP5228190U JP5228190U JPH085548Y2 JP H085548 Y2 JPH085548 Y2 JP H085548Y2 JP 5228190 U JP5228190 U JP 5228190U JP 5228190 U JP5228190 U JP 5228190U JP H085548 Y2 JPH085548 Y2 JP H085548Y2
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、チャンバにおける基板への薄膜形成時に、
基板に流れる電流を測定するようにした薄膜形成装置に
関する。
基板に流れる電流を測定するようにした薄膜形成装置に
関する。
従来の薄膜形成装置は、第3図に示すように構成され
ている。
ている。
同図において、(1)はチャンバ内の支持板、(2)
は支持板(1)に透設された透孔、(3)は支持板
(1)の上面に重合された絶縁板、(4)は金属製の円
筒状のハウジング(5)はハウジング(4)のつば状の
基部であり、基部(5)に絶縁カラー(6)を介してボ
ルト(7)が挿通され、ボルト(7)が支持板(1)に
螺合し、ハウジング(4)が支持板(1)に装着されて
いる。
は支持板(1)に透設された透孔、(3)は支持板
(1)の上面に重合された絶縁板、(4)は金属製の円
筒状のハウジング(5)はハウジング(4)のつば状の
基部であり、基部(5)に絶縁カラー(6)を介してボ
ルト(7)が挿通され、ボルト(7)が支持板(1)に
螺合し、ハウジング(4)が支持板(1)に装着されて
いる。
(8)はハウジング(4)に上下方向に挿通された回
転軸、(9)はハウジング(4)の内面に設けられた回
転軸(8)の軸受、(10)はハウジング(4)の上面に
設けられた支持杆、(11)は支持杆(10)の上端に装着
されたばね板からなるブラシ状の端子であり、回転軸
(8)の周面に摺接している。(12)はリード線(13)
を支持杆(10)に固着したボルトである。
転軸、(9)はハウジング(4)の内面に設けられた回
転軸(8)の軸受、(10)はハウジング(4)の上面に
設けられた支持杆、(11)は支持杆(10)の上端に装着
されたばね板からなるブラシ状の端子であり、回転軸
(8)の周面に摺接している。(12)はリード線(13)
を支持杆(10)に固着したボルトである。
(14)は回転軸(8)の下端部に固着された基板ホル
ダ、(15)はホルダ(14)に保持された基板、(16)は
回転軸(8)に固着された伝導歯車、(17)はモータに
より駆動され伝導歯車(16)に歯合した駆動歯車であ
る。
ダ、(15)はホルダ(14)に保持された基板、(16)は
回転軸(8)に固着された伝導歯車、(17)はモータに
より駆動され伝導歯車(16)に歯合した駆動歯車であ
る。
そして、駆動歯車(17)の回転により伝導歯車(16)
を介して回転軸(8)が回転し、基板ホルダ(14)を介
して基板(15)が回転し、イオン源からのイオンビーム
によりターゲットからのスパッタ粒子が基板(15)に薄
膜を形成する。
を介して回転軸(8)が回転し、基板ホルダ(14)を介
して基板(15)が回転し、イオン源からのイオンビーム
によりターゲットからのスパッタ粒子が基板(15)に薄
膜を形成する。
このとき、基板(15)に到達する電流がホルダ(1
4),回転軸(8),端子(11),支持杆(10)を介し
てリード線(13)から測定される。
4),回転軸(8),端子(11),支持杆(10)を介し
てリード線(13)から測定される。
従来の前記装置の場合、端子(11)と回転軸(8)と
の当接部が露出しているため、その当接部にスパッタ粒
子が着膜し、特にスパッタ粒子が絶縁物のときには、電
流値に大きな変動を生じる。
の当接部が露出しているため、その当接部にスパッタ粒
子が着膜し、特にスパッタ粒子が絶縁物のときには、電
流値に大きな変動を生じる。
また、ばね板の端子(11)が回転軸(8)の周面に摺
接するため、摩耗によりごみが発生し、基板(15)の膜
質に悪影響を生ずる。
接するため、摩耗によりごみが発生し、基板(15)の膜
質に悪影響を生ずる。
さらに、酸化膜の形成時、基板(15)の近傍に酸素を
導入し、基板(15)を800℃位の高温に上昇させるた
め、回転軸(8)も高温となって雰囲気酸素と反応し、
端子(11)との当接部に絶縁膜が形成され、電流量が変
化するという問題点がある。
導入し、基板(15)を800℃位の高温に上昇させるた
め、回転軸(8)も高温となって雰囲気酸素と反応し、
端子(11)との当接部に絶縁膜が形成され、電流量が変
化するという問題点がある。
本考案は、前記の点に留意し、回転軸と端子との当接
部の着膜を防止し、また、ごみの発生を防止するように
した薄膜形成装置を提供することを目的とする。
部の着膜を防止し、また、ごみの発生を防止するように
した薄膜形成装置を提供することを目的とする。
前記課題を解決するために、本考案の薄膜形成装置
は、基板を保持した基板ホルダと、ホルダを固着し駆動
機構により回転される回転軸と、回転軸に当接した基板
の電流測定用の端子と、端子と回転軸の当接部を密閉し
た密閉体とを備えたものである。
は、基板を保持した基板ホルダと、ホルダを固着し駆動
機構により回転される回転軸と、回転軸に当接した基板
の電流測定用の端子と、端子と回転軸の当接部を密閉し
た密閉体とを備えたものである。
また、本考案の装置は、基板を保持した基板ホルダ
と、ホルダを固着し駆動機構により回転される回転軸
と、該回転軸の端面の軸中心にばねにより先端が当接し
た前記基板の電流測定用ピン状端子とを備えたものであ
る。
と、ホルダを固着し駆動機構により回転される回転軸
と、該回転軸の端面の軸中心にばねにより先端が当接し
た前記基板の電流測定用ピン状端子とを備えたものであ
る。
前記のように構成された本考案の薄膜形成装置は、基
板ホルダを固着した回転軸と基板の電流測定用の端子と
の当接部が密閉体により密閉されているため、当接部に
スパッタ粒子が付着することがなく、かつ、酸化膜の形
成時でも当接部が雰囲気酸素と隔離されているため、当
接部に絶縁膜の形成されることがない。
板ホルダを固着した回転軸と基板の電流測定用の端子と
の当接部が密閉体により密閉されているため、当接部に
スパッタ粒子が付着することがなく、かつ、酸化膜の形
成時でも当接部が雰囲気酸素と隔離されているため、当
接部に絶縁膜の形成されることがない。
また、基板ホルダを固着した回転軸の端面の軸中心に
電流測定用ピン状端子の先端がばねにより当接している
ため、当接部が僅少でごみの発生が少く、膜質に悪影響
を与えなく、さらに、当接部が酸素雰囲気で高温にさら
されても、回転軸と端子とがばねにより常時1点で当接
しているため、この部分に絶縁酸化膜が形成されない。
電流測定用ピン状端子の先端がばねにより当接している
ため、当接部が僅少でごみの発生が少く、膜質に悪影響
を与えなく、さらに、当接部が酸素雰囲気で高温にさら
されても、回転軸と端子とがばねにより常時1点で当接
しているため、この部分に絶縁酸化膜が形成されない。
実施例について第1図及び第2図を参照して説明す
る。
る。
まず、1実施例を示した第1図において、第3図と異
なる点は、ハウジング(4)の上端に連続して密閉体
(18)を設け、回転軸(8)と端子(11)との当接部
を、軸受(9),ハウジング(4),密閉体(18)によ
り密閉し、軸受(9)に密閉型が用いられている点であ
る。
なる点は、ハウジング(4)の上端に連続して密閉体
(18)を設け、回転軸(8)と端子(11)との当接部
を、軸受(9),ハウジング(4),密閉体(18)によ
り密閉し、軸受(9)に密閉型が用いられている点であ
る。
つぎに、他の実施例を示した第2図について説明す
る。同図において、第3図と同一記号は同一若しくは相
当するものを示す。
る。同図において、第3図と同一記号は同一若しくは相
当するものを示す。
(19)は支持板(1)に立設された複数本のスタッ
ド、(20)は各スタッド(19)の上端に装着された絶縁
カラー、(21)は各絶縁カラー(20)に保持された固定
板、(22)は固定板(21)に一体に形成された固定軸、
(23)は固定軸(22)の軸心に透設された端子孔であ
る。
ド、(20)は各スタッド(19)の上端に装着された絶縁
カラー、(21)は各絶縁カラー(20)に保持された固定
板、(22)は固定板(21)に一体に形成された固定軸、
(23)は固定軸(22)の軸心に透設された端子孔であ
る。
(24)は固定板(21)の上面に形成された凹部、(2
5)は端子孔(23)に上方より挿入された電流測定用ピ
ン状端子、(26)は端子(25)に形成されたつば部、
(27)は凹部(24)を閉塞した蓋板、(28)はつば部
(26)と蓋板(27)の間に設けられたばねであり、端子
(25)を下方に押圧する。
5)は端子孔(23)に上方より挿入された電流測定用ピ
ン状端子、(26)は端子(25)に形成されたつば部、
(27)は凹部(24)を閉塞した蓋板、(28)はつば部
(26)と蓋板(27)の間に設けられたばねであり、端子
(25)を下方に押圧する。
(29)は回転軸(8)の上端に一体に形成された有底
円筒体、(30)は固定軸(22)と円筒体(29)の内面間
に設けられた密閉型の軸受、(31)は円筒体(29)の底
面の中心部即ち回転軸(8)の軸中心に形成された小凹
部であり、端子(25)の下先端が当接している。
円筒体、(30)は固定軸(22)と円筒体(29)の内面間
に設けられた密閉型の軸受、(31)は円筒体(29)の底
面の中心部即ち回転軸(8)の軸中心に形成された小凹
部であり、端子(25)の下先端が当接している。
そして、ボルト(12)が固定板(21)に螺合してリー
ド線(13)を、固定板(21),蓋板(27),ばね(2
8),端子(25),円筒体(29),回転軸(8)及びホ
ルダ(14)を介して基板(15)に接続している。
ド線(13)を、固定板(21),蓋板(27),ばね(2
8),端子(25),円筒体(29),回転軸(8)及びホ
ルダ(14)を介して基板(15)に接続している。
この場合、ピン状端子(25)の先端が回転軸(8)の
軸中心にばね(28)により当接し、かつ、端子(25)と
回転軸(8)の当接部が、有底円筒体(29),軸受(3
0)及び固定軸(22)により密閉されている。
軸中心にばね(28)により当接し、かつ、端子(25)と
回転軸(8)の当接部が、有底円筒体(29),軸受(3
0)及び固定軸(22)により密閉されている。
本考案は、以上説明したように構成されているので、
以下に記載する効果を奏する。
以下に記載する効果を奏する。
基板ホルダ(14)を固着した回転軸(8)と基板(1
5)の電流測定用の端子(11)との当接部が密閉体(1
8)により密閉されているため、当接部にスパッタ粒子
が付着せず、かつ、酸化膜の形成時、当接部が高温にな
っても雰囲気酸素と隔離され、当接部に絶縁膜が形成さ
れず、電流測定に変動の発生を防止することができる。
5)の電流測定用の端子(11)との当接部が密閉体(1
8)により密閉されているため、当接部にスパッタ粒子
が付着せず、かつ、酸化膜の形成時、当接部が高温にな
っても雰囲気酸素と隔離され、当接部に絶縁膜が形成さ
れず、電流測定に変動の発生を防止することができる。
また、基板ホルダ(14)を固着した回転軸(8)の端
面の軸中心に電流測定用ピン状端子(25)がばね(28)
により当接しているため、当接部が僅少でごみの発生を
防止することができ、膜質を良好に保持することがで
き、さらに、回転軸(8)と端子(25)とがばね(28)
により常時1点で当接しているため、この当接部にスパ
ッタ粒子が付着したり、高温で酸素雰囲気にさらされて
も絶縁酸化膜の形成されることがなく、電流測定に変動
を生じることが防止される。
面の軸中心に電流測定用ピン状端子(25)がばね(28)
により当接しているため、当接部が僅少でごみの発生を
防止することができ、膜質を良好に保持することがで
き、さらに、回転軸(8)と端子(25)とがばね(28)
により常時1点で当接しているため、この当接部にスパ
ッタ粒子が付着したり、高温で酸素雰囲気にさらされて
も絶縁酸化膜の形成されることがなく、電流測定に変動
を生じることが防止される。
第1図及び第2図はそれぞれ本考案の薄膜形成装置の実
施例の切断正面図、第3図は従来例の切断正面図であ
る。 (8)……回転軸、(11)……端子、(14)……基板ホ
ルダ、(15)……基板、(18)……密閉体、(25)……
端子、(28)……ばね。
施例の切断正面図、第3図は従来例の切断正面図であ
る。 (8)……回転軸、(11)……端子、(14)……基板ホ
ルダ、(15)……基板、(18)……密閉体、(25)……
端子、(28)……ばね。
Claims (2)
- 【請求項1】基板を保持した基板ホルダと、該ホルダを
固着し駆動機構により回転される回転軸と、該回転軸に
当接した前記基板の電流測定用の端子と、該端子と前記
回転軸の当接部を密閉した密閉体とを備えた薄膜形成装
置。 - 【請求項2】基板を保持した基板ホルダと、該ホルダを
固着し駆動機構により回転される回転軸と、該回転軸の
端面の軸中心にばねにより先端が当接した前記基板の電
流測定用ピン状端子とを備えた薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5228190U JPH085548Y2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5228190U JPH085548Y2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412632U JPH0412632U (ja) | 1992-01-31 |
| JPH085548Y2 true JPH085548Y2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=31572454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5228190U Expired - Fee Related JPH085548Y2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085548Y2 (ja) |
-
1990
- 1990-05-18 JP JP5228190U patent/JPH085548Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0412632U (ja) | 1992-01-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |