JPH085564Y2 - トランジスタの並列接続装置 - Google Patents
トランジスタの並列接続装置Info
- Publication number
- JPH085564Y2 JPH085564Y2 JP1986151360U JP15136086U JPH085564Y2 JP H085564 Y2 JPH085564 Y2 JP H085564Y2 JP 1986151360 U JP1986151360 U JP 1986151360U JP 15136086 U JP15136086 U JP 15136086U JP H085564 Y2 JPH085564 Y2 JP H085564Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- side terminal
- drain
- source
- heat sink
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
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- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はトランジスタの並列接続装置に関するもので
ある。
ある。
（従来の技術） 従来、複数個のトランジスタTr1,Tr2,……,Trnのドレ
イン又はコレクタ側をヒートシンク４に一列に接続し、
上記複数個のトランジスタTr1,Tr2,……,Trnのソース又
はエミッタ側を導体３で並列接続し、該導体３の端部に
ソース又はエミッタ側のターミナル２を配置すると共に
ヒートシンク４の側面にドレイン又はコレクタ側ターミ
ナル１を配置し、かつソース又はエミッタ側ターミナル
２とドレイン又はコレクタ側ターミナル１とは同一方向
に形成される構造としていた。
イン又はコレクタ側をヒートシンク４に一列に接続し、
上記複数個のトランジスタTr1,Tr2,……,Trnのソース又
はエミッタ側を導体３で並列接続し、該導体３の端部に
ソース又はエミッタ側のターミナル２を配置すると共に
ヒートシンク４の側面にドレイン又はコレクタ側ターミ
ナル１を配置し、かつソース又はエミッタ側ターミナル
２とドレイン又はコレクタ側ターミナル１とは同一方向
に形成される構造としていた。
又２個のトランジスタを並列に接続し、２個のトラン
ジスタの中間位置に接続端子を設ける構造のものがあっ
た。
ジスタの中間位置に接続端子を設ける構造のものがあっ
た。
（解決すべき問題点） 前者の構造では各トランジスタに流れる電流量にアン
バランスが生じトランジスタの破壊をまねいてしまう。
バランスが生じトランジスタの破壊をまねいてしまう。
以下この事について詳細に説明する。
第３図に示される装置は等価的に第４図のような回路
で表すことができる。この回路中にはR1,R2,……,Rnお
よびr1,r2,……,rnという抵抗が示されている。ここで
抵抗値という事について考えてみるとその値は同一材質
中においては距離に比例する。つまりR1,R2,……,Rnお
よびr1,r2,……,rnの間には次のような関係が成り立
つ。
で表すことができる。この回路中にはR1,R2,……,Rnお
よびr1,r2,……,rnという抵抗が示されている。ここで
抵抗値という事について考えてみるとその値は同一材質
中においては距離に比例する。つまりR1,R2,……,Rnお
よびr1,r2,……,rnの間には次のような関係が成り立
つ。
R1＜R2＜……＜Rn ―（１） r1＜r2＜……＜rn ―（２） また、ドレイン又はコレクタ側ターミナル１からソー
ス又はエミッタ側ターミナル２に向けて電流を流すとト
ランジスタTrlには なる電流が流れる。
ス又はエミッタ側ターミナル２に向けて電流を流すとト
ランジスタTrlには なる電流が流れる。
一般にトランジスタTrnには なる電流が流れる。
ここで、抵抗R1,R2……,Rnおよび r1,r2,……,rnにはそれぞれ（５），（６）のような関
係が成り立つことより R1＋r1＜R2＋r2……＜Rn＋rn ―（５） が成り立つ。
係が成り立つことより R1＋r1＜R2＋r2……＜Rn＋rn ―（５） が成り立つ。
故にTrl,Tr2……,Trnを流れる電流I1,I2……Inの間には I1＞I2＞……＞In ……（７） なる関係が成り立つ。
つまり、ソース又はエミッタ側ターミナル2,ドレイン
又はコレクタ側ターミナル１が同一方向にあると、それ
らに最も近い距離にあるトランジスタに電流の集中が起
こりトランジスタが破壊されてしまう。
又はコレクタ側ターミナル１が同一方向にあると、それ
らに最も近い距離にあるトランジスタに電流の集中が起
こりトランジスタが破壊されてしまう。
又後者の構造にあっては３個以上のものにあっては中
間位置がとれなく、取ろうとすればヒートシンク自体の
形状を変更するとか、接続する抵抗体の抵抗値を変更す
るとかの生産上管理上種々の煩わしさが生じるという欠
点があった。
間位置がとれなく、取ろうとすればヒートシンク自体の
形状を変更するとか、接続する抵抗体の抵抗値を変更す
るとかの生産上管理上種々の煩わしさが生じるという欠
点があった。
本考案はこれらの欠点を除去するため案出されたもの
である。
である。
（問題点を解決する手段） 本考案は、３個以上のトランジスタのドレイン又はコ
レクタ側を長方形のヒートシンクの長手方向に一列にそ
れぞれ嵌入固定することにより接続し、上記３個以上の
一列に接続したトランジスタのソース又はエミッタ側の
それぞれを一枚の帯板からなる導体に挿入接続し、該導
体の一端部に形成したソース又はエミッタ側ターミナル
を上記ヒートシンクの長手方向の一端に配置すると共に
上記ヒートシンクの長手方向の他端にドレイン又はコレ
クタ側ターミナルを配置し、各トランジスタのドレイン
又はコレクタと、ドレイン又はコレクタ側ターミナルと
の間の抵抗と、ソース又はエミッタと、ソース又はエミ
ッタ側ターミナルとの間の抵抗の合成値を同一とした接
続構成として電流の集中をなくそうとしたものである。
レクタ側を長方形のヒートシンクの長手方向に一列にそ
れぞれ嵌入固定することにより接続し、上記３個以上の
一列に接続したトランジスタのソース又はエミッタ側の
それぞれを一枚の帯板からなる導体に挿入接続し、該導
体の一端部に形成したソース又はエミッタ側ターミナル
を上記ヒートシンクの長手方向の一端に配置すると共に
上記ヒートシンクの長手方向の他端にドレイン又はコレ
クタ側ターミナルを配置し、各トランジスタのドレイン
又はコレクタと、ドレイン又はコレクタ側ターミナルと
の間の抵抗と、ソース又はエミッタと、ソース又はエミ
ッタ側ターミナルとの間の抵抗の合成値を同一とした接
続構成として電流の集中をなくそうとしたものである。
（実施例） 第１図は本考案の実施例であって、３個以上のトラン
ジスタTr1,Tr2,……,Trnのドレイン又はコレクタ側をヒ
ートシンク４に一列、かつ等間隔にそれぞれ嵌入固定す
ることにより接続し、上記３個以上の一列に接続したト
ランジスタTr1,Tr2,……,Trnのソース又はエミッタ側の
それぞれを一枚の導体３に挿入接続し、該導体３の一端
部に形成したソース又はエミッタ側ターミナル２を上記
ヒートシンクの長手方向の一端に配置すると共に上記ヒ
ートシンクの長手方向の他端にドレイン又はコレクタ側
ターミナル１を配置する構造としている。
ジスタTr1,Tr2,……,Trnのドレイン又はコレクタ側をヒ
ートシンク４に一列、かつ等間隔にそれぞれ嵌入固定す
ることにより接続し、上記３個以上の一列に接続したト
ランジスタTr1,Tr2,……,Trnのソース又はエミッタ側の
それぞれを一枚の導体３に挿入接続し、該導体３の一端
部に形成したソース又はエミッタ側ターミナル２を上記
ヒートシンクの長手方向の一端に配置すると共に上記ヒ
ートシンクの長手方向の他端にドレイン又はコレクタ側
ターミナル１を配置する構造としている。
このような構造においてr1,r2,……,rnはソース又は
エミッタ側導体即ち銅板の抵抗、R1,R2,……,Rnはドレ
イン又はコレクタ側ヒートシンク即ちアルミニウムの抵
抗である。
エミッタ側導体即ち銅板の抵抗、R1,R2,……,Rnはドレ
イン又はコレクタ側ヒートシンク即ちアルミニウムの抵
抗である。
1,l2,……,lnはそれぞれソース又はエミッタ側ター
ミナルからトランジスタTr1,Tr2,……Trnまでの距離、L
1,L2,……Lnはそれぞれドレイン又はコレクタ側ターミ
ナルからトランジスタTr1,Tr2,……,Trnまでの距離であ
る。
ミナルからトランジスタTr1,Tr2,……Trnまでの距離、L
1,L2,……Lnはそれぞれドレイン又はコレクタ側ターミ
ナルからトランジスタTr1,Tr2,……,Trnまでの距離であ
る。
第１図は等価的に第２図のような回路で表すことがで
きる。
きる。
ここでドレイン又はコレクタ側ターミナル１からソー
ス又はエミッタ側ターミナル２に向けて電力を流すとト
ランジスタTr1,Tr2,……,Trnにはそれぞれ（４）式で示
される電流が流れる。また抵抗値は同一材質で、かつ断
面積が一定の大きさであると距離に比例するため、アル
ミニウムからなるヒートシンク４は長方形であり、その
断面積は一定であり、かつ、銅板からなる導体３は帯板
であり断面積は一定である。更に、ヒートシンクと銅板
の断面積の比を100:61になるようヒートシンクと銅板の
大きさを決めると、 従ってこの回路においては、 １＋L1＝l2＋L2＝……ln＋Ln ……（８） が成立し、故に R1＋r1＝R2＋r2……＝Rn＋rn ……（９） とみなすことができる。
ス又はエミッタ側ターミナル２に向けて電力を流すとト
ランジスタTr1,Tr2,……,Trnにはそれぞれ（４）式で示
される電流が流れる。また抵抗値は同一材質で、かつ断
面積が一定の大きさであると距離に比例するため、アル
ミニウムからなるヒートシンク４は長方形であり、その
断面積は一定であり、かつ、銅板からなる導体３は帯板
であり断面積は一定である。更に、ヒートシンクと銅板
の断面積の比を100:61になるようヒートシンクと銅板の
大きさを決めると、 従ってこの回路においては、 １＋L1＝l2＋L2＝……ln＋Ln ……（８） が成立し、故に R1＋r1＝R2＋r2……＝Rn＋rn ……（９） とみなすことができる。
よって、11,12……Inの間には I1＝I2……＝In ……（10） なる関係が成り立つ。
（効果） 以上説明したように、本考案の実施により、接続個数
の増減があっても簡単に対応でき、生産上管理上の煩わ
しさがなく、しかもそれぞれのトランジスタに流れる電
流量は等しくすることができ、その結果電流集中による
トランジスタの破壊をなくすことができる。
の増減があっても簡単に対応でき、生産上管理上の煩わ
しさがなく、しかもそれぞれのトランジスタに流れる電
流量は等しくすることができ、その結果電流集中による
トランジスタの破壊をなくすことができる。
また、本考案は前記実施例に限定するものではなく、
その他サイリスタなど並列にヒートシンク等に固定する
必要がある素子に対して適用することができるのは勿論
である。
その他サイリスタなど並列にヒートシンク等に固定する
必要がある素子に対して適用することができるのは勿論
である。
第１図は本考案の基本的な実施例であり、第２図はその
等価回路を表したものである。第３図は従来よりの装置
であり、第４図はその等価回路である。 １……ドレイン又はコレクタ側ターミナル ２……ソース又はエミッタ側ターミナル ３……導体 ４……ヒートシンク
等価回路を表したものである。第３図は従来よりの装置
であり、第４図はその等価回路である。 １……ドレイン又はコレクタ側ターミナル ２……ソース又はエミッタ側ターミナル ３……導体 ４……ヒートシンク
Claims (1)
- 【請求項１】３個以上のトランジスタのドレイン又はコ
レクタ側を長方形のヒートシンクの長手方向に一列にそ
れぞれ嵌入固定することにより接続し、上記３個以上の
一列に接続したトランジスタのソース又はエミッタ側の
それぞれを一枚の帯板からなる導体に挿入接続し、該導
体の一端部に形成したソース又はエミッタ側ターミナル
を上記ヒートシンクの長手方向の一端に配置すると共に
上記ヒートシンクの長手方向の他端にドレイン又はコレ
クタ側ターミナルを配置し、各トランジスタのドレイン
又はコレクタと、ドレイン又はコレクタ側ターミナルと
の間の抵抗と、ソース又はエミッタと、ソース又はエミ
ッタ側ターミナルとの間の抵抗の合成値を同一としたこ
とを特徴とするトランジスタの並列接続装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986151360U JPH085564Y2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | トランジスタの並列接続装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986151360U JPH085564Y2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | トランジスタの並列接続装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6356830U JPS6356830U (ja) | 1988-04-15 |
| JPH085564Y2 true JPH085564Y2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=31068363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986151360U Expired - Lifetime JPH085564Y2 (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | トランジスタの並列接続装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085564Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5939055B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2016-06-22 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP6599736B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2019-10-30 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6127186Y2 (ja) * | 1981-05-28 | 1986-08-13 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP1986151360U patent/JPH085564Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6356830U (ja) | 1988-04-15 |
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