JPH085569A - パーティクル測定装置およびパーティクル検査方法 - Google Patents
パーティクル測定装置およびパーティクル検査方法Info
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- JPH085569A JPH085569A JP13297094A JP13297094A JPH085569A JP H085569 A JPH085569 A JP H085569A JP 13297094 A JP13297094 A JP 13297094A JP 13297094 A JP13297094 A JP 13297094A JP H085569 A JPH085569 A JP H085569A
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 101100282455 Arabidopsis thaliana AMP1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100218464 Haloarcula sp. (strain arg-2 / Andes heights) cop2 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単一波長レーザー光では検知できなかったパ
ーティクルの測定を可能にするパーティクル測定装置を
提供する。 【構成】 ウェハ１３を水平に置く。そのウェハ１３に
Ｐ偏光するＨｅ−Ｎｅレーザー光が垂直に照射するよう
にレーザー光源１１を設置する。また、Ｓ偏光するＨｅ
−Ｎｅレーザー光が垂直に照射するようにレーザー光源
１２を設置した。これらのレーザー光がウェハ１３上の
同一領域に照射するように配置した。ウェハに照射した
レーザー光の反射光を受けるように偏光ビームスプリッ
タ１４を置いた。この偏光ビームスプリッタで分離した
Ｐ偏光成分を受けるように受光部１５を設置した。ま
た、この偏光ビームスプリッタで分離したＳ偏光成分を
受けるように受光部１６を設置した。受光部１５，１６
で受けた成分を電気信号に変換し、計算処理するように
コンピュータ１７を設置した。
ーティクルの測定を可能にするパーティクル測定装置を
提供する。 【構成】 ウェハ１３を水平に置く。そのウェハ１３に
Ｐ偏光するＨｅ−Ｎｅレーザー光が垂直に照射するよう
にレーザー光源１１を設置する。また、Ｓ偏光するＨｅ
−Ｎｅレーザー光が垂直に照射するようにレーザー光源
１２を設置した。これらのレーザー光がウェハ１３上の
同一領域に照射するように配置した。ウェハに照射した
レーザー光の反射光を受けるように偏光ビームスプリッ
タ１４を置いた。この偏光ビームスプリッタで分離した
Ｐ偏光成分を受けるように受光部１５を設置した。ま
た、この偏光ビームスプリッタで分離したＳ偏光成分を
受けるように受光部１６を設置した。受光部１５，１６
で受けた成分を電気信号に変換し、計算処理するように
コンピュータ１７を設置した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパーティクル検査装置お
よび検査方法に関するものである。
よび検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＵＬＳＩデバイスの超微細化に伴
い、プロセスのクリーン化の必要性が高まっている。中
でも、半導体デバイスの歩留り対策および装置管理の面
からも、パーティクル検査は重要な技術である。
い、プロセスのクリーン化の必要性が高まっている。中
でも、半導体デバイスの歩留り対策および装置管理の面
からも、パーティクル検査は重要な技術である。
【０００３】従来のパーティクル検査では、図６に示す
ような検査装置を用いていた。すなわち、単一波長のレ
ーザー光を発振する光源１を持ち、ベアシリコンウェハ
２（以下ウェハという）に垂直にレーザー３を照射す
る。そのレーザー散乱光４を受光部５で受け、それをコ
ンピュータ６を用いて処理を行うことによってパーティ
クル測定を行う。
ような検査装置を用いていた。すなわち、単一波長のレ
ーザー光を発振する光源１を持ち、ベアシリコンウェハ
２（以下ウェハという）に垂直にレーザー３を照射す
る。そのレーザー散乱光４を受光部５で受け、それをコ
ンピュータ６を用いて処理を行うことによってパーティ
クル測定を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構成では、ウェハ２上のパーティクル７の大きさが微小
なものから極大なものまで広範囲にわたっている場合に
は、単一波長の垂直レーザー光照射による測定のみでは
十分な感度を得ることができず、十分なパーティクル測
定を行うことができなかった。
構成では、ウェハ２上のパーティクル７の大きさが微小
なものから極大なものまで広範囲にわたっている場合に
は、単一波長の垂直レーザー光照射による測定のみでは
十分な感度を得ることができず、十分なパーティクル測
定を行うことができなかった。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、パーティクルの大きさが種々であるパーティクルの
検知を可能にすることのできるパーティクル検査装置お
よび検査方法を提供することを目的とする。
で、パーティクルの大きさが種々であるパーティクルの
検知を可能にすることのできるパーティクル検査装置お
よび検査方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のパーティクル測定装置は、半導体基板と、半
導体基板に垂直入射するように置かれたＰ偏光したレー
ザー光を発振する光源と、半導体基板に垂直入射するよ
うに置かれたＳ偏光したレーザー光を発振する光源と、
半導体基板で反射した光をＰ偏向成分とＳ偏向成分とに
分離するビームスプリッターと、分離したＰ偏向成分を
受光する第１の受光部と、分離したＳ偏向成分を受光す
る第２の受光部と、受光部からの信号を処理するコンピ
ュータとを備える。
に本発明のパーティクル測定装置は、半導体基板と、半
導体基板に垂直入射するように置かれたＰ偏光したレー
ザー光を発振する光源と、半導体基板に垂直入射するよ
うに置かれたＳ偏光したレーザー光を発振する光源と、
半導体基板で反射した光をＰ偏向成分とＳ偏向成分とに
分離するビームスプリッターと、分離したＰ偏向成分を
受光する第１の受光部と、分離したＳ偏向成分を受光す
る第２の受光部と、受光部からの信号を処理するコンピ
ュータとを備える。
【０００７】また、半導体基板と、半導体基板に垂直入
射するように置かれたＰ偏光したレーザー光を発振する
光源と、半導体基板に低角度で入射するＳ偏光したレー
ザー光を発振する光源と、半導体基板で反射した光をＰ
偏向成分とＳ偏向成分とに分離するビームスプリッター
と、分離したＰ偏向成分を受光する第１の受光部と、分
離したＳ偏向成分を受光する第２の受光部と、受光部か
らの信号を処理するコンピュータとを備える。
射するように置かれたＰ偏光したレーザー光を発振する
光源と、半導体基板に低角度で入射するＳ偏光したレー
ザー光を発振する光源と、半導体基板で反射した光をＰ
偏向成分とＳ偏向成分とに分離するビームスプリッター
と、分離したＰ偏向成分を受光する第１の受光部と、分
離したＳ偏向成分を受光する第２の受光部と、受光部か
らの信号を処理するコンピュータとを備える。
【０００８】この目的を達成するために本発明のパーテ
ィクルの検査方法は、Ｐ偏光したレーザー光とＳ偏光し
たレーザー光を半導体基板上の同一領域に垂直に照射
し、半導体基板上に照射したレーザー光の反射光をＰ偏
向成分とＳ偏向成分とに分離し、分離したＰ偏向成分と
Ｓ偏向成分を受光し、受光した光強度を電気信号に変換
し、それを計算処理する。
ィクルの検査方法は、Ｐ偏光したレーザー光とＳ偏光し
たレーザー光を半導体基板上の同一領域に垂直に照射
し、半導体基板上に照射したレーザー光の反射光をＰ偏
向成分とＳ偏向成分とに分離し、分離したＰ偏向成分と
Ｓ偏向成分を受光し、受光した光強度を電気信号に変換
し、それを計算処理する。
【０００９】
【作用】上記の構成によって、Ｐ偏光するレーザー光
と、Ｓ偏光するレーザー光が入射されるため、単一レー
ザーの不十分であった感度を補うことができ、十分なパ
ーティクルを測定することができる。
と、Ｓ偏光するレーザー光が入射されるため、単一レー
ザーの不十分であった感度を補うことができ、十分なパ
ーティクルを測定することができる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の装置の光学系の構成
の概略を示すものである。
しながら説明する。図１は本発明の装置の光学系の構成
の概略を示すものである。
【００１１】１１は波長５９４ｎｍのＰ偏光するＨｅ−
Ｎｅレーザー光源、１２は波長６３３ｎｍのＳ偏光する
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光源である。これらは、発せられた
レーザー光が水平に置かれたベアシリコンウェハ１３の
同一領域に垂直入射するように、配置されている。ま
た、このウェハ１３上で反射した散乱光が入射するよう
に、偏光ビームスプリッタ１４が置かれている。さら
に、この偏光ビームスプリッタによってＰ偏光成分とＳ
偏光成分とに分離された光が入射するように、Ｐ偏光成
分の受光部１５とＳ偏光成分の受光部１６がこれら偏光
成分に対応させて配置されている。また、これらのＰ偏
光信号とＳ偏光信号をコンピュータ１７に入力されるよ
うしている。
Ｎｅレーザー光源、１２は波長６３３ｎｍのＳ偏光する
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光源である。これらは、発せられた
レーザー光が水平に置かれたベアシリコンウェハ１３の
同一領域に垂直入射するように、配置されている。ま
た、このウェハ１３上で反射した散乱光が入射するよう
に、偏光ビームスプリッタ１４が置かれている。さら
に、この偏光ビームスプリッタによってＰ偏光成分とＳ
偏光成分とに分離された光が入射するように、Ｐ偏光成
分の受光部１５とＳ偏光成分の受光部１６がこれら偏光
成分に対応させて配置されている。また、これらのＰ偏
光信号とＳ偏光信号をコンピュータ１７に入力されるよ
うしている。
【００１２】以下このように構成された装置を用いてパ
ーティクル測定を行う場合の動作について説明する。
ーティクル測定を行う場合の動作について説明する。
【００１３】波長５９４ｎｍのＰ偏光するＨｅ−Ｎｅレ
ーザー光と波長６３３ｎｍのＳ偏光するＨｅ−Ｎｅレー
ザー光を、水平に置かれたウェハ１３上の同一領域に垂
直に照射する。このウェハ１３上で反射された光は、偏
光ビームスプリッタ１４に入り、ここでＰ偏光成分とＳ
偏光成分とに分離される。分離されたＰ偏光成分はＰ偏
光成分の受光部１５で電気信号として変換される。ま
た、分離されたＳ偏光成分はＳ偏光成分の受光部１６で
電気信号として変換される。そして、これらの信号出力
がコンピュータ１７に送られる。そして、ここで計算処
理によってパーティクル１８の有無を検知し、粒径別に
計算する。
ーザー光と波長６３３ｎｍのＳ偏光するＨｅ−Ｎｅレー
ザー光を、水平に置かれたウェハ１３上の同一領域に垂
直に照射する。このウェハ１３上で反射された光は、偏
光ビームスプリッタ１４に入り、ここでＰ偏光成分とＳ
偏光成分とに分離される。分離されたＰ偏光成分はＰ偏
光成分の受光部１５で電気信号として変換される。ま
た、分離されたＳ偏光成分はＳ偏光成分の受光部１６で
電気信号として変換される。そして、これらの信号出力
がコンピュータ１７に送られる。そして、ここで計算処
理によってパーティクル１８の有無を検知し、粒径別に
計算する。
【００１４】図２に本発明のステージの走査系の構成を
示す。装置内のステージ１９はウェハのサイズとほぼ同
等でここにウェハ１３を載せる。ステージ１９はウェハ
１３を載せたまま、装置内を約２０μｍのステップで＋
ｘ方向に移動させる。これによって、装置内のウェハ１
３を載せたステージ１９の移動にともなって、２種類の
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光が２０μｍのステップ間隔でウェ
ハ１３上を走査する。レーザー光がウェハ１３の一方の
端から他端まで走査し終わったら、次にステージ１９は
ウェハ１３を載せたまま、＋ｙ方向に２０μｍ移動し、
つづけて、−ｘ方向に約２０μｍのステップ間隔で移動
する。この動作を繰り返すことによって、ウェハ１３全
面をレーザー光が走査できる。このようにしてウェハ１
３全面のパーティクル測定を行うことができる。
示す。装置内のステージ１９はウェハのサイズとほぼ同
等でここにウェハ１３を載せる。ステージ１９はウェハ
１３を載せたまま、装置内を約２０μｍのステップで＋
ｘ方向に移動させる。これによって、装置内のウェハ１
３を載せたステージ１９の移動にともなって、２種類の
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光が２０μｍのステップ間隔でウェ
ハ１３上を走査する。レーザー光がウェハ１３の一方の
端から他端まで走査し終わったら、次にステージ１９は
ウェハ１３を載せたまま、＋ｙ方向に２０μｍ移動し、
つづけて、−ｘ方向に約２０μｍのステップ間隔で移動
する。この動作を繰り返すことによって、ウェハ１３全
面をレーザー光が走査できる。このようにしてウェハ１
３全面のパーティクル測定を行うことができる。
【００１５】図３には、Ｓ偏光レーザー（波長６３３ｎ
ｍ）、Ｐ偏光レーザー（波長５９４ｎｍ）の２種類につ
いて、パーティクル粒子の粒径に対する散乱光強度を示
す。ここで、散乱光強度は散乱断面積（μｍ2）という
単位で表示している。
ｍ）、Ｐ偏光レーザー（波長５９４ｎｍ）の２種類につ
いて、パーティクル粒子の粒径に対する散乱光強度を示
す。ここで、散乱光強度は散乱断面積（μｍ2）という
単位で表示している。
【００１６】０.１〜０.３μｍの大きさのパーティクル
粒子を測定した場合は、各粒径に対する散乱光強度は、
Ｓ偏光の散乱光の方がＰ偏光の散乱光より約一桁大きな
強度が得られる。よって、０.１〜０.３μｍのパーティ
クル粒子を測定する場合には、Ｓ偏光を用いた方がＰ偏
向に比べて高感度な測定が行える。
粒子を測定した場合は、各粒径に対する散乱光強度は、
Ｓ偏光の散乱光の方がＰ偏光の散乱光より約一桁大きな
強度が得られる。よって、０.１〜０.３μｍのパーティ
クル粒子を測定する場合には、Ｓ偏光を用いた方がＰ偏
向に比べて高感度な測定が行える。
【００１７】しかし、Ｓ偏光では、図３に示すように
０.３μｍを越えたあたりから、急に感度が落ち込む。
これに対して、Ｐ偏光では、０.３５μｍ付近から急に
感度が上昇して、感度が落ち込むＳ偏光よりも強い散乱
光強度が得られる。よって、０.３５μｍよりも大きな
パーティクル粒子を測定する場合には、Ｐ偏光を用いた
方がＳ偏向よりも高感度な測定を行える。
０.３μｍを越えたあたりから、急に感度が落ち込む。
これに対して、Ｐ偏光では、０.３５μｍ付近から急に
感度が上昇して、感度が落ち込むＳ偏光よりも強い散乱
光強度が得られる。よって、０.３５μｍよりも大きな
パーティクル粒子を測定する場合には、Ｐ偏光を用いた
方がＳ偏向よりも高感度な測定を行える。
【００１８】このようにＳ偏光とＰ偏光の２種類のレー
ザーを用いて測定を行うことにより、最も感度の高いパ
ーティクル測定が行える。
ザーを用いて測定を行うことにより、最も感度の高いパ
ーティクル測定が行える。
【００１９】以下に本発明の第２の実施例について、図
面を参照しながら説明する。図４は本発明の第２の実施
例の装置の光学系の構成の概略を示すものである。
面を参照しながら説明する。図４は本発明の第２の実施
例の装置の光学系の構成の概略を示すものである。
【００２０】２１は波長５９４ｎｍのＰ偏光するＨｅ−
Ｎｅレーザー光源、２２は波長６３３ｎｍのＳ偏光する
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光源である。レーザー光源２１から
発せられたレーザー光は水平に置かれたベアシリコンウ
ェハ２３に垂直に入射するように配置されている。他
方、レーザー光源２２から発せられたレーザー光は水平
に置かれたベアシリコンウェハ２３に仰角１０度の低角
度で入射するように配置されている。また、このウェハ
２３上で反射した散乱光が入射するように、偏光ビーム
スプリッタ２４が置かれている。さらに、この偏光ビー
ムスプリッタ２４によってＰ偏光とＳ偏光に分離された
光が入射するようにＰ偏光の受光部２５とＳ偏光の受光
部２６がそれぞれ配置されている。また、これらのＰ偏
光信号とＳ偏光信号とをコンピュータ２７に入力される
ようしている。
Ｎｅレーザー光源、２２は波長６３３ｎｍのＳ偏光する
Ｈｅ−Ｎｅレーザー光源である。レーザー光源２１から
発せられたレーザー光は水平に置かれたベアシリコンウ
ェハ２３に垂直に入射するように配置されている。他
方、レーザー光源２２から発せられたレーザー光は水平
に置かれたベアシリコンウェハ２３に仰角１０度の低角
度で入射するように配置されている。また、このウェハ
２３上で反射した散乱光が入射するように、偏光ビーム
スプリッタ２４が置かれている。さらに、この偏光ビー
ムスプリッタ２４によってＰ偏光とＳ偏光に分離された
光が入射するようにＰ偏光の受光部２５とＳ偏光の受光
部２６がそれぞれ配置されている。また、これらのＰ偏
光信号とＳ偏光信号とをコンピュータ２７に入力される
ようしている。
【００２１】以下このように構成された装置を用いてパ
ーティクル測定を行う場合の動作について説明する。
ーティクル測定を行う場合の動作について説明する。
【００２２】波長５９４ｎｍのＰ偏光するＨｅ−Ｎｅレ
ーザー光が、水平に置かれたウェハ２３上に垂直に照射
される。他方、波長６３３ｎｍのＳ偏光するＨｅ−Ｎｅ
レーザー光はウェハ２３上に仰角１０度の低角度で照射
される。これらのレーザー光はウェハ２３上の同一領域
に照射される。これらのレーザー光のウェハ２３上で反
射された光は、偏光ビームスプリッタ２４に入り、ここ
でＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離される。分離された
Ｐ偏光成分はＰ偏光の受光部２５で電気信号として変換
される。また、分離されたＳ偏光成分はＳ偏光の受光部
２６で電気信号として変換される。そして、これらの信
号出力がコンピュータ２７に送られる。そして、ここで
計算処理によってパーティクル２８の有無を検知し、粒
径別に計算する。
ーザー光が、水平に置かれたウェハ２３上に垂直に照射
される。他方、波長６３３ｎｍのＳ偏光するＨｅ−Ｎｅ
レーザー光はウェハ２３上に仰角１０度の低角度で照射
される。これらのレーザー光はウェハ２３上の同一領域
に照射される。これらのレーザー光のウェハ２３上で反
射された光は、偏光ビームスプリッタ２４に入り、ここ
でＰ偏光成分とＳ偏光成分とに分離される。分離された
Ｐ偏光成分はＰ偏光の受光部２５で電気信号として変換
される。また、分離されたＳ偏光成分はＳ偏光の受光部
２６で電気信号として変換される。そして、これらの信
号出力がコンピュータ２７に送られる。そして、ここで
計算処理によってパーティクル２８の有無を検知し、粒
径別に計算する。
【００２３】図５（ａ）に示すように、レーザー光を８
８〜９０度程度の高角度で照射すると、ウェハ２３上の
パーティクル２８でレーザー光は散乱される。また、図
５（ｂ）に示すように、レーザー光はウェハ２３表面の
結晶起因パーティクル（以下ＣＯＰという）２９でも散
乱する。これらの２種類の散乱光は区別することができ
ない。したがって、被測定ウェハ２３上にパーティクル
２８とＣＯＰ２９が同時に存在すると、パーティクル２
８とＣＯＰ２９の両方を検出することになり、測定結果
を見る限り両者の区別ができない。しかしながら、ＣＯ
Ｐ２９の欠陥は電気特性に影響を及ぼす可能性がある。
ＣＯＰ２９の欠陥がエッチングされた跡であるＣＯＰ２
９自体は電気特性には影響を及ぼさないことが報告され
ている。したがって、パーティクル２８であるか、ＣＯ
Ｐ２９であるかを区別することが必要になってくる。
８〜９０度程度の高角度で照射すると、ウェハ２３上の
パーティクル２８でレーザー光は散乱される。また、図
５（ｂ）に示すように、レーザー光はウェハ２３表面の
結晶起因パーティクル（以下ＣＯＰという）２９でも散
乱する。これらの２種類の散乱光は区別することができ
ない。したがって、被測定ウェハ２３上にパーティクル
２８とＣＯＰ２９が同時に存在すると、パーティクル２
８とＣＯＰ２９の両方を検出することになり、測定結果
を見る限り両者の区別ができない。しかしながら、ＣＯ
Ｐ２９の欠陥は電気特性に影響を及ぼす可能性がある。
ＣＯＰ２９の欠陥がエッチングされた跡であるＣＯＰ２
９自体は電気特性には影響を及ぼさないことが報告され
ている。したがって、パーティクル２８であるか、ＣＯ
Ｐ２９であるかを区別することが必要になってくる。
【００２４】ここで、レーザー光を約１０度の低角度で
ウェハ２３に照射したところを図５（ｃ），（ｄ）に示
す。ウェハ２３上のパーティクル２８による散乱とＣＯ
Ｐ２９による散乱の状態にはかなり違いがある。レーザ
ー光を低角度でウェハ２３に照射することにより、ウェ
ハ２３表面のＣＯＰ２９での散乱はかなり抑えられたも
のになる。したがって、レーザー光を低角度でウェハ２
３に照射すれば、ウェハ２３表面のＣＯＰ２９の影響を
受けず、パーティクル２８だけの測定を行うことが可能
となる。
ウェハ２３に照射したところを図５（ｃ），（ｄ）に示
す。ウェハ２３上のパーティクル２８による散乱とＣＯ
Ｐ２９による散乱の状態にはかなり違いがある。レーザ
ー光を低角度でウェハ２３に照射することにより、ウェ
ハ２３表面のＣＯＰ２９での散乱はかなり抑えられたも
のになる。したがって、レーザー光を低角度でウェハ２
３に照射すれば、ウェハ２３表面のＣＯＰ２９の影響を
受けず、パーティクル２８だけの測定を行うことが可能
となる。
【００２５】このように２種類のレーザーのうち、少な
くとも一つ以上を低角度で照射することにより、ＣＯＰ
２９を測定せずに、パーティクル２８だけを測定するこ
とが可能になる。
くとも一つ以上を低角度で照射することにより、ＣＯＰ
２９を測定せずに、パーティクル２８だけを測定するこ
とが可能になる。
【００２６】第３の実施例は第２の実施例の構成におい
て、ウェハ上に少なくとも１層以上の反射膜が形成され
た構成を有するものである。たとえば、ウェハ表面にポ
リシリコン膜が５００ｎｍ成膜されている場合には、９
０度程度の高角度でレーザーを照射した場合にはポリシ
リコン膜の表面で乱反射し、パーティクル測定が正確に
は行えない。ここで、片方のレーザー光をたとえば１０
度程度の低角度でウェハ上に照射することで、ポリシリ
コンの表面上の乱反射の影響を低く抑えることができ
る。よって、ポリシリコン上のパーティクルの測定が行
える。このようにウェハ上に少なくとも１層以上の反射
膜が形成された場合のパーティクル測定が可能となる。
て、ウェハ上に少なくとも１層以上の反射膜が形成され
た構成を有するものである。たとえば、ウェハ表面にポ
リシリコン膜が５００ｎｍ成膜されている場合には、９
０度程度の高角度でレーザーを照射した場合にはポリシ
リコン膜の表面で乱反射し、パーティクル測定が正確に
は行えない。ここで、片方のレーザー光をたとえば１０
度程度の低角度でウェハ上に照射することで、ポリシリ
コンの表面上の乱反射の影響を低く抑えることができ
る。よって、ポリシリコン上のパーティクルの測定が行
える。このようにウェハ上に少なくとも１層以上の反射
膜が形成された場合のパーティクル測定が可能となる。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、ウェハに垂直入射するように
置かれたＰ偏光するＨｅ−Ｎｅレーザー光を発振する光
源とＳ偏光するＨｅ−Ｎｅレーザー光を発振する光源と
からなる構成を有するため、ウェハ上のパーティクルを
高感度で測定を行うことのできる優れた検査方法を実現
できるものである。
置かれたＰ偏光するＨｅ−Ｎｅレーザー光を発振する光
源とＳ偏光するＨｅ−Ｎｅレーザー光を発振する光源と
からなる構成を有するため、ウェハ上のパーティクルを
高感度で測定を行うことのできる優れた検査方法を実現
できるものである。
【図１】本発明の一実施例におけるパーティクル検査装
置の光学系を示す構成図
置の光学系を示す構成図
【図２】本発明の一実施例におけるパーティクル検査装
置の走査系を示す構成図
置の走査系を示す構成図
【図３】Ｓ偏光レーザー（波長６３３ｎｍ）、Ｐ偏光レ
ーザー（波長５９４ｎｍ）の、パーティクル粒子の粒径
に対する散乱光強度を示す図
ーザー（波長５９４ｎｍ）の、パーティクル粒子の粒径
に対する散乱光強度を示す図
【図４】本発明の第２の実施例の装置の光学系の構成の
概略を示す図
概略を示す図
【図５】レーザー光の照射方向とウェハ上のパーティク
ル・ウェハ表面の結晶起因パーティクルによる光散乱状
態との関係を示す図
ル・ウェハ表面の結晶起因パーティクルによる光散乱状
態との関係を示す図
【図６】従来のパーティクル検査装置の構成図
１１，１２ レーザー光源 １３ ウェハ １４ 偏光ビームスプリッタ １５，１６ 受光部 １７ コンピュータ １８ パーティクル １９ ステージ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板と、前記半導体基板に垂直入
射するように置かれたＰ偏光したレーザー光を発振する
光源と、前記半導体基板に垂直入射するように置かれた
Ｓ偏光したレーザー光を発振する光源と、前記半導体基
板で反射した光をＰ偏向成分とＳ偏向成分とに分離する
ビームスプリッターと、分離した前記Ｐ偏向成分を受光
する第１の受光部と、分離した前記Ｓ偏向成分を受光す
る第２の受光部と、前記第１、第２の受光部からの信号
を処理するコンピュータとを備えたパーティクル測定装
置。 - 【請求項２】 半導体基板と、前記半導体基板に垂直入
射するように置かれたＰ偏光したレーザー光を発振する
光源と、前記半導体基板に低角度で入射するＳ偏光した
レーザー光を発振する光源と、前記半導体基板で反射し
た光をＰ偏向成分とＳ偏向成分とに分離するビームスプ
リッターと、分離した前記Ｐ偏向成分を受光する第１の
受光部と、分離した前記Ｓ偏向成分を受光する第２の受
光部と、前記第１、第２の受光部からの信号を処理する
コンピュータとを備えたパーティクル測定装置。 - 【請求項３】 Ｐ偏光したレーザー光とＳ偏光したレー
ザー光を半導体基板上の同一領域に垂直に照射し、前記
半導体基板上に照射したレーザー光の反射光をＰ偏向成
分とＳ偏向成分とに分離し、分離した前記Ｐ偏向成分と
前記Ｓ偏向成分を受光し、前記受光した光強度を電気信
号に変換し、前記電気信号を計算処理することを特徴と
するパーティクル検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13297094A JPH085569A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | パーティクル測定装置およびパーティクル検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13297094A JPH085569A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | パーティクル測定装置およびパーティクル検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH085569A true JPH085569A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15093761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13297094A Pending JPH085569A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | パーティクル測定装置およびパーティクル検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085569A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990071140A (ko) * | 1998-02-27 | 1999-09-15 | 윤종용 | 반도체 검사설비의 레이저 스캐터링장치 |
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| CN112229857A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-01-15 | 紫创(南京)科技有限公司 | 半导体检测装置及检测方法 |
-
1994
- 1994-06-15 JP JP13297094A patent/JPH085569A/ja active Pending
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| JP2010223964A (ja) * | 2010-04-26 | 2010-10-07 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
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