JPH085745B2 - 化合物半導体引き上げ装置 - Google Patents
化合物半導体引き上げ装置Info
- Publication number
- JPH085745B2 JPH085745B2 JP4253275A JP25327592A JPH085745B2 JP H085745 B2 JPH085745 B2 JP H085745B2 JP 4253275 A JP4253275 A JP 4253275A JP 25327592 A JP25327592 A JP 25327592A JP H085745 B2 JPH085745 B2 JP H085745B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- sealing material
- compound semiconductor
- gap
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＡｓ等の化合物半
導体単結晶を製造するための引き上げ装置に係わり、特
に、気密容器の分割面に介装されるシール材からの不純
物侵入を防ぐ改良に関する。
導体単結晶を製造するための引き上げ装置に係わり、特
に、気密容器の分割面に介装されるシール材からの不純
物侵入を防ぐ改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】揮発成分を含み分解しやすいＧａＡｓ等
の化合物半導体単結晶をＣＺ法で製造する場合には、ル
ツボを高圧の不活性ガスで満たした気密容器内に配置す
るとともに、ルツボ内の溶湯上に溶融ガラス（Ｂ2Ｏ3）
を浮かべ、溶湯からの揮発成分の蒸散を防ぎながら単結
晶を引き上げる、いわゆるＬＥＣ法が従来から多用され
ている。
の化合物半導体単結晶をＣＺ法で製造する場合には、ル
ツボを高圧の不活性ガスで満たした気密容器内に配置す
るとともに、ルツボ内の溶湯上に溶融ガラス（Ｂ2Ｏ3）
を浮かべ、溶湯からの揮発成分の蒸散を防ぎながら単結
晶を引き上げる、いわゆるＬＥＣ法が従来から多用され
ている。
【０００３】ところが、このＬＥＣ法は、単結晶の固化
界面における緩やかな温度勾配の実現が難しいうえ、作
業開始後は溶湯組成の制御が不可能で、熱歪や非ストイ
キオメトリに由来する転位密度が高いという問題があっ
た。
界面における緩やかな温度勾配の実現が難しいうえ、作
業開始後は溶湯組成の制御が不可能で、熱歪や非ストイ
キオメトリに由来する転位密度が高いという問題があっ
た。
【０００４】そこで、最近では、溶融Ｂ2Ｏ3で溶湯を覆
う代わりに、気密容器内に前記揮発元素（この場合Ａ
ｓ）の蒸気を満たし、この蒸気圧を制御することにより
前記問題の解決を図った方法が提案された。
う代わりに、気密容器内に前記揮発元素（この場合Ａ
ｓ）の蒸気を満たし、この蒸気圧を制御することにより
前記問題の解決を図った方法が提案された。
【０００５】そのための装置の一例を図８に示す。この
装置は特開昭６０−２５５６９２号公報に記載されたも
ので、図中符号１および２は気密容器３を構成する容器
上部および容器下部であり、これらの内部には下軸４に
固定されたルツボ５が配置され、外部に配置されたヒー
タ６で容器３ごと６５０〜１３００℃程度に加熱され
る。また容器上部１には蒸気圧制御炉７が設けられ、こ
の制御炉７の内壁温度を制御することによりこの部分に
凝縮した揮発成分の蒸気圧を調節しつつ、溶湯Ｙから単
結晶を引き上げるようになっている。なお８は光学窓、
９は回転シールである。
装置は特開昭６０−２５５６９２号公報に記載されたも
ので、図中符号１および２は気密容器３を構成する容器
上部および容器下部であり、これらの内部には下軸４に
固定されたルツボ５が配置され、外部に配置されたヒー
タ６で容器３ごと６５０〜１３００℃程度に加熱され
る。また容器上部１には蒸気圧制御炉７が設けられ、こ
の制御炉７の内壁温度を制御することによりこの部分に
凝縮した揮発成分の蒸気圧を調節しつつ、溶湯Ｙから単
結晶を引き上げるようになっている。なお８は光学窓、
９は回転シールである。
【０００６】前記容器上部１の下端には、図９に示すよ
うに全周に亙る凸部１Ａが形成されるとともに、容器下
部２の上端には前記凸部１Ａがはまりこむ凹溝２Ａが周
方向に形成され、ここに溶融Ｂ2Ｏ3等のシール材１０が
入れられている。さらに容器下部はバネ等の付勢手段１
１により上方に付勢され、前記凸部１Ａと凹部２Ａが圧
接されている。
うに全周に亙る凸部１Ａが形成されるとともに、容器下
部２の上端には前記凸部１Ａがはまりこむ凹溝２Ａが周
方向に形成され、ここに溶融Ｂ2Ｏ3等のシール材１０が
入れられている。さらに容器下部はバネ等の付勢手段１
１により上方に付勢され、前記凸部１Ａと凹部２Ａが圧
接されている。
【０００７】なお前記公報には、固体シール材を用いた
例として、第１０図のようにグラファイトシート等の固
体シール材１２を容器上部１と容器下部２との間にはさ
みこんで圧迫する構成も記載されている。
例として、第１０図のようにグラファイトシート等の固
体シール材１２を容器上部１と容器下部２との間にはさ
みこんで圧迫する構成も記載されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図９のように
シール材としてＢ2Ｏ3を使用した場合には、このシール
材１０が引き上げ後に固化して容器上部１と容器下部２
とを接着し、常温では容器３をあけることができないと
いう欠点があった。また、第１０図のようにグラファイ
トシート等の固体シール材１２を使用した場合は、容器
３の開閉性には優れているものの、製造された単結晶に
は不純物による汚染が生じ、使用に堪える単結晶が得ら
れないという問題が生じた。
シール材としてＢ2Ｏ3を使用した場合には、このシール
材１０が引き上げ後に固化して容器上部１と容器下部２
とを接着し、常温では容器３をあけることができないと
いう欠点があった。また、第１０図のようにグラファイ
トシート等の固体シール材１２を使用した場合は、容器
３の開閉性には優れているものの、製造された単結晶に
は不純物による汚染が生じ、使用に堪える単結晶が得ら
れないという問題が生じた。
【０００９】そこで本発明者らは、特にシール材として
特性の優れたグラファイトシートについて、不純物発生
の有無を精密測定により詳細な検討を行ない、前記不純
物汚染は、グラファイトシートから発生する微量の不純
物（Ｓ等）の侵入が原因であることを突き止めた。
特性の優れたグラファイトシートについて、不純物発生
の有無を精密測定により詳細な検討を行ない、前記不純
物汚染は、グラファイトシートから発生する微量の不純
物（Ｓ等）の侵入が原因であることを突き止めた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされたもので、気密容器を構成する容器部
材同士の接合部に全周に亙ってグラファイトシート等の
固体シール材を圧迫状態で介装するとともに、この固体
シール材の内方側に、複数の前記容器部材の端部同士を
近接してこれら端部間を空隙とした不純物拡散防止部を
形成し、前記空隙の間隔を０．５ｍｍ以下とし、かつこ
の空隙の容器内方側から前記固体シール材側に至る最短
長を０．５ｍｍ以上としたことを特徴とする。
するためになされたもので、気密容器を構成する容器部
材同士の接合部に全周に亙ってグラファイトシート等の
固体シール材を圧迫状態で介装するとともに、この固体
シール材の内方側に、複数の前記容器部材の端部同士を
近接してこれら端部間を空隙とした不純物拡散防止部を
形成し、前記空隙の間隔を０．５ｍｍ以下とし、かつこ
の空隙の容器内方側から前記固体シール材側に至る最短
長を０．５ｍｍ以上としたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記構成により、固体シール材から発生する不
純物の拡散速度を極端に低下させ、不純物侵入に起因す
る単結晶の汚染を防ぐ。
純物の拡散速度を極端に低下させ、不純物侵入に起因す
る単結晶の汚染を防ぐ。
【００１２】
【実施例】図１および図２は、本発明に係わる化合物半
導体引き上げ装置の一実施例を示し、前述の図８および
図９と同一部分には同符号を付して説明を省略する。
導体引き上げ装置の一実施例を示し、前述の図８および
図９と同一部分には同符号を付して説明を省略する。
【００１３】この装置では、容器下部２１の水平な上端
面の外周側に、リング状で薄肉の固体シール材２２が載
置されるとともに、他方内周側には、鉛直上方に突出し
た断面長方形の段部２１Ａが全周に亙って形成されてい
る。また、容器上部２０の下端面には、前記シール材２
２の中央部に対応する位置に断面円弧状またはエッジ状
の微小なシール用凸部２０Ｂが全周に亙って形成される
とともに、前記容器下部２１の段部２１Ａが略隙間なく
はまりこむ凹溝２０Ａが形成されており、前記段部２１
Ａと凹溝２０Ａとにより不純物拡散防止部が構成されて
いる。
面の外周側に、リング状で薄肉の固体シール材２２が載
置されるとともに、他方内周側には、鉛直上方に突出し
た断面長方形の段部２１Ａが全周に亙って形成されてい
る。また、容器上部２０の下端面には、前記シール材２
２の中央部に対応する位置に断面円弧状またはエッジ状
の微小なシール用凸部２０Ｂが全周に亙って形成される
とともに、前記容器下部２１の段部２１Ａが略隙間なく
はまりこむ凹溝２０Ａが形成されており、前記段部２１
Ａと凹溝２０Ａとにより不純物拡散防止部が構成されて
いる。
【００１４】なお、容器上部２０および下部２１の材質
としては、炭化ケイ素,窒化ケイ素,サイアロン,窒化ホ
ウ素,窒化アルミニウム,アルミナ,ジルコニア,炭化チタ
ン,窒化チタン等のセラミックスや、モリブデン,モリブ
デン合金,タングステン,タングステン合金等，ニオブ，
ニオブ合金等の耐熱金属材料、耐熱金属材料あるいは炭
素材料に前記セラミックスをコーティングしたものなど
が好適である。
としては、炭化ケイ素,窒化ケイ素,サイアロン,窒化ホ
ウ素,窒化アルミニウム,アルミナ,ジルコニア,炭化チタ
ン,窒化チタン等のセラミックスや、モリブデン,モリブ
デン合金,タングステン,タングステン合金等，ニオブ，
ニオブ合金等の耐熱金属材料、耐熱金属材料あるいは炭
素材料に前記セラミックスをコーティングしたものなど
が好適である。
【００１５】前記固体シール材２２としては、厚さ０．
２〜１．０ｍｍ程度のグラファイトシートが好適であ
る。前記厚さが０．２ｍｍ未満であると十分なシール性
が得られず、他方１．０ｍｍより厚いとシール材２２の
厚さ変化による各部空隙厚の正確な設定が困難となって
シール性が低下する。グラファイトシートは、黒鉛に発
泡処理を施してプレス焼結した市販のもので、不純物の
含有量が５００ｐｐｍ以下であることが望ましい。
２〜１．０ｍｍ程度のグラファイトシートが好適であ
る。前記厚さが０．２ｍｍ未満であると十分なシール性
が得られず、他方１．０ｍｍより厚いとシール材２２の
厚さ変化による各部空隙厚の正確な設定が困難となって
シール性が低下する。グラファイトシートは、黒鉛に発
泡処理を施してプレス焼結した市販のもので、不純物の
含有量が５００ｐｐｍ以下であることが望ましい。
【００１６】そして、前記の容器上部２０および下部２
１は、容器下部２１を付勢手段９により一定の圧力で上
昇させて互いに圧接し、さらに引上温度（１３００℃）
に昇温した状態で、前記シール用凸部２０Ｂがシール材
２２を圧迫して完全な気密性が得られ、しかも段部２１
Ａと凹溝２０Ａとの空隙Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の間隔の少な
くともいずれか１つ以上が０．５ｍｍ以下で、かつその
空隙の容器内方側からシール材２２側へ至る最短長（Ｌ
１，Ｌ２，Ｌ３）が０．５ｍｍ以上となるように設定さ
れている。
１は、容器下部２１を付勢手段９により一定の圧力で上
昇させて互いに圧接し、さらに引上温度（１３００℃）
に昇温した状態で、前記シール用凸部２０Ｂがシール材
２２を圧迫して完全な気密性が得られ、しかも段部２１
Ａと凹溝２０Ａとの空隙Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の間隔の少な
くともいずれか１つ以上が０．５ｍｍ以下で、かつその
空隙の容器内方側からシール材２２側へ至る最短長（Ｌ
１，Ｌ２，Ｌ３）が０．５ｍｍ以上となるように設定さ
れている。
【００１７】すべての空隙Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の間隔が
０．５ｍｍ以上、または前記空隙の最短長Ｌ１，Ｌ２，
Ｌ３がいずれも０．５ｍｍ未満の場合には、前記条件を
満たしている場合に比して、シール材２２からの不純物
侵入が急増する。なお、空隙の間隔は狭い程良く、加工
精度が要求されるが、段部２１Ａと凹溝２０Ａの内面は
接触していることが望ましい。シール材２２に適性な圧
力を加えつつ、空隙Ｃ２の間隔を接合部の全周に亙って
０（すなわち、圧接された状態）とするためには、凸部
２０Ｂの高さを適度に小さくし、シール材の厚さ以下と
すると良い。加工精度が充分でなく、空隙Ｃ１，Ｃ２，
Ｃ３の間隔が、接合部の周方向に一定値とならない場合
には、空隙の最大間隔および最短長が前記条件を満たす
ように設定すべきである。
０．５ｍｍ以上、または前記空隙の最短長Ｌ１，Ｌ２，
Ｌ３がいずれも０．５ｍｍ未満の場合には、前記条件を
満たしている場合に比して、シール材２２からの不純物
侵入が急増する。なお、空隙の間隔は狭い程良く、加工
精度が要求されるが、段部２１Ａと凹溝２０Ａの内面は
接触していることが望ましい。シール材２２に適性な圧
力を加えつつ、空隙Ｃ２の間隔を接合部の全周に亙って
０（すなわち、圧接された状態）とするためには、凸部
２０Ｂの高さを適度に小さくし、シール材の厚さ以下と
すると良い。加工精度が充分でなく、空隙Ｃ１，Ｃ２，
Ｃ３の間隔が、接合部の周方向に一定値とならない場合
には、空隙の最大間隔および最短長が前記条件を満たす
ように設定すべきである。
【００１８】以上の構成からなる化合物半導体引き上げ
装置によれば、シール材２２により容器の完全な気密性
を保つとともに、このシール材２２の内方に設けられた
段部２１Ａおよび凹溝２０Ａとの空隙が狭いことによ
り、この不純物原子の拡散速度を著しく低下させ、容器
内への不純物の侵入を防いで高純度で均質な単結晶を製
造することができる。
装置によれば、シール材２２により容器の完全な気密性
を保つとともに、このシール材２２の内方に設けられた
段部２１Ａおよび凹溝２０Ａとの空隙が狭いことによ
り、この不純物原子の拡散速度を著しく低下させ、容器
内への不純物の侵入を防いで高純度で均質な単結晶を製
造することができる。
【００１９】また、シール材２２としてグラファイトシ
ートを用いているので、冷却状態においても容器上部２
０と下部２１とが接着されず、容器の開閉性が良好であ
る。なお、本発明は上記実施例のみに限られず、図３な
いし図７のような変形例も可能である。
ートを用いているので、冷却状態においても容器上部２
０と下部２１とが接着されず、容器の開閉性が良好であ
る。なお、本発明は上記実施例のみに限られず、図３な
いし図７のような変形例も可能である。
【００２０】図３のものは、容器上部３０の下端面内周
側に形成された凸段部３０Ａと、容器下部３１の上端面
とにより不純物拡散防止部を構成している。３１Ｃはシ
ール材２２を位置決めする段部である。この例は容器肉
厚が比較的厚い場合に適し、前記実施例よりも断面形状
が単純で製造が楽な利点を有する。
側に形成された凸段部３０Ａと、容器下部３１の上端面
とにより不純物拡散防止部を構成している。３１Ｃはシ
ール材２２を位置決めする段部である。この例は容器肉
厚が比較的厚い場合に適し、前記実施例よりも断面形状
が単純で製造が楽な利点を有する。
【００２１】シール用凸部３０Ｂはエッジ状断面を持
ち、エッジ高さは凸段部３０Ａの高さより低くしてある
ので、空隙Ｃ４の間隔は装置の加工精度が良い場合に
は、容器上部３０，容器下部３１の押しつけにより極め
て小さくすることができる。
ち、エッジ高さは凸段部３０Ａの高さより低くしてある
ので、空隙Ｃ４の間隔は装置の加工精度が良い場合に
は、容器上部３０，容器下部３１の押しつけにより極め
て小さくすることができる。
【００２２】次に図４のものは、図３のものにおいて、
容器上部４０および下部４１の内方側に互いに相補的な
傾斜面４０Ａ，４１Ａを形成し、これら傾斜面４０Ａ，
４１Ａの間の空隙を前記範囲に設定したものである。こ
の例では、傾斜面４０Ａ，４１Ａによる不純物拡散防止
効果と、容器上部４０と容器下部４１の位置合わせを同
時に行なえる利点を有する。
容器上部４０および下部４１の内方側に互いに相補的な
傾斜面４０Ａ，４１Ａを形成し、これら傾斜面４０Ａ，
４１Ａの間の空隙を前記範囲に設定したものである。こ
の例では、傾斜面４０Ａ，４１Ａによる不純物拡散防止
効果と、容器上部４０と容器下部４１の位置合わせを同
時に行なえる利点を有する。
【００２３】次に図５のものは、容器上部５０および下
部５１に、互いに相補形状をなす凹溝５０Ａおよび凸部
５１Ａをそれぞれ一対づつ形成し、不純物拡散防止効果
を一層高めたものである。さらに図６に示すように容器
上部６０に凸部６０Ａ，凹溝６１Ａを形成してもよい
し、図７のようにシール材２２の両側に狭い空隙部７２
を設けてもよい。
部５１に、互いに相補形状をなす凹溝５０Ａおよび凸部
５１Ａをそれぞれ一対づつ形成し、不純物拡散防止効果
を一層高めたものである。さらに図６に示すように容器
上部６０に凸部６０Ａ，凹溝６１Ａを形成してもよい
し、図７のようにシール材２２の両側に狭い空隙部７２
を設けてもよい。
【００２４】
【実験例】次に、実験例を挙げて本発明の効果を実証す
る。 （実験例） 図１および図２に示した装置に、不純物含有量が２００
ｐｐｍのグラファイトシートをシール材としてセットし
た。この状態で不純物拡散防止部の空隙の間隔は約０．
２ｍｍ、その最短長は約５ｍｍであった。次いで、ルツ
ボ内でＧａ：９６４ｇ（純度６Ｎ）およびＡｓ：１０８
４ｇ（純度６Ｎ）を溶融した後、気密容器内のＡｓ蒸気
圧を制御しつつ、直径：５５ｍｍ、重量：８００ｇのＧ
ａＡｓ単結晶を引き上げた。この単結晶は、キャリア濃
度：４×１０7ｃｍ-3、抵抗率：２×１０7Ωｃｍかつ硫
黄不純物濃度５×１０14ｃｍ-3未満となった。
る。 （実験例） 図１および図２に示した装置に、不純物含有量が２００
ｐｐｍのグラファイトシートをシール材としてセットし
た。この状態で不純物拡散防止部の空隙の間隔は約０．
２ｍｍ、その最短長は約５ｍｍであった。次いで、ルツ
ボ内でＧａ：９６４ｇ（純度６Ｎ）およびＡｓ：１０８
４ｇ（純度６Ｎ）を溶融した後、気密容器内のＡｓ蒸気
圧を制御しつつ、直径：５５ｍｍ、重量：８００ｇのＧ
ａＡｓ単結晶を引き上げた。この単結晶は、キャリア濃
度：４×１０7ｃｍ-3、抵抗率：２×１０7Ωｃｍかつ硫
黄不純物濃度５×１０14ｃｍ-3未満となった。
【００２５】（比較例）気密容器の接合部が図８及び図
１０に示す構造とされた従来の装置に、前記と同じグラ
ファイトシートをセットし、他は実験例と全く同一の条
件下で同サイズのＧａＡｓ単結晶を製造した。この単結
晶は、キャリア濃度：２×１０15ｃｍ-3、抵抗率：５．
５×１０-1Ωｃｍかつ硫黄不純物濃度２×１０15ｃｍ-3
となった。以上のように、グラファイトシートの内方側
に不純物拡散防止部を設けた実験例では、半導体素子製
造に利用しうる高純度でしかも半絶縁性の単結晶が得ら
れた。
１０に示す構造とされた従来の装置に、前記と同じグラ
ファイトシートをセットし、他は実験例と全く同一の条
件下で同サイズのＧａＡｓ単結晶を製造した。この単結
晶は、キャリア濃度：２×１０15ｃｍ-3、抵抗率：５．
５×１０-1Ωｃｍかつ硫黄不純物濃度２×１０15ｃｍ-3
となった。以上のように、グラファイトシートの内方側
に不純物拡散防止部を設けた実験例では、半導体素子製
造に利用しうる高純度でしかも半絶縁性の単結晶が得ら
れた。
【００２６】
【発明の効果】本発明の化合物半導体引き上げ装置は、
容器部材同士の接合部に全周に亙ってグラファイトシー
ト等の固体シール材を圧迫状態で介装し、この固体シー
ル材の内方側に、複数の前記容器部材の端部同士を近接
してこれら端部間を空隙とした不純物拡散防止部を形成
し、前記空隙の間隔を０．５ｍｍ以下とし、かつこの空
隙の容器内方側から前記固体シール材側に至る最短長を
０．５ｍｍ以上としたので、この不純物拡散防止部によ
り固体シール材から発生する不純物の原子の拡散速度を
極端に低下させ、容器内への不純物の侵入を防いで高純
度で均質な単結晶を製造することができる。
容器部材同士の接合部に全周に亙ってグラファイトシー
ト等の固体シール材を圧迫状態で介装し、この固体シー
ル材の内方側に、複数の前記容器部材の端部同士を近接
してこれら端部間を空隙とした不純物拡散防止部を形成
し、前記空隙の間隔を０．５ｍｍ以下とし、かつこの空
隙の容器内方側から前記固体シール材側に至る最短長を
０．５ｍｍ以上としたので、この不純物拡散防止部によ
り固体シール材から発生する不純物の原子の拡散速度を
極端に低下させ、容器内への不純物の侵入を防いで高純
度で均質な単結晶を製造することができる。
【図１】本発明に係わる化合物半導体引き上げ装置の一
実施例を示す縦断面図である。
実施例を示す縦断面図である。
【図２】同装置の容器接合部を示す縦断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す容器接合部の縦断面
図である。
図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す容器接合部の縦断面
図である。
図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す容器接合部の縦断面
図である。
図である。
【図６】本発明の他の実施例を示す容器接合部の縦断面
図である。
図である。
【図７】本発明の他の実施例を示す容器接合部の縦断面
図である。
図である。
【図８】従来の化合物半導体引き上げ装置を示す縦断面
図である。
図である。
【図９】同装置の容器接合部の縦断面図である。
【図１０】同装置の容器接合部の縦断面図である。
【符号の説明】 ２０,３０,４０,５０,６０,７０ 容器上部(容器部材) ２１,３１,４１,５１,６１,７１ 容器下部(容器部材) ２２ グラファイトシート(固体シール材) ２０Ａ・２１Ａ,３０Ａ・３１Ａ,４０Ａ・４１Ａ,５０Ａ・
５１Ａ,６０Ａ,６１Ａ,７２ 不純物拡散防止部 ２０Ｂ,３０Ｂ,４０Ｂ,５０Ｂ,６０Ｂ,７０Ｂ シール
用凸部
５１Ａ,６０Ａ,６１Ａ,７２ 不純物拡散防止部 ２０Ｂ,３０Ｂ,４０Ｂ,５０Ｂ,６０Ｂ,７０Ｂ シール
用凸部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々 紘一 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社 化合物半導体センタ ー内 (56)参考文献 特開 昭60−255692（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】複数の容器部材から構成される気密容器の
内部に化合物半導体の溶湯を保持するルツボを配置し、
このルツボ内の溶湯から単結晶を引き上げる化合物半導
体引き上げ装置において、 前記容器部材の接合部に、全周に亙って固体シール材を
圧迫状態で介装するとともに、この固体シール材の内方
側に、複数の前記容器部材の端部同士を近接してこれら
端部間を空隙とした不純物拡散防止部を形成し、前記空
隙の間隔を０．５ｍｍ以下とし、かつこの空隙の容器内
方側から前記固体シール材側に至る最短長を０．５ｍｍ
以上としたことを特徴とする化合物半導体引き上げ装
置。 - 【請求項２】前記シール材は、グラファイトシートであ
ることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体引き上
げ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4253275A JPH085745B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 化合物半導体引き上げ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4253275A JPH085745B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 化合物半導体引き上げ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05238884A JPH05238884A (ja) | 1993-09-17 |
| JPH085745B2 true JPH085745B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=17249021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4253275A Expired - Lifetime JPH085745B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 化合物半導体引き上げ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085745B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60255692A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-17 | Res Dev Corp Of Japan | 高解離圧化合物半導体単結晶引き上げ装置 |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP4253275A patent/JPH085745B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05238884A (ja) | 1993-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6866714B2 (en) | Large size semiconductor crystal with low dislocation density | |
| US4356152A (en) | Silicon melting crucible | |
| US4256530A (en) | Crystal growing | |
| EP0927777B1 (en) | Method and apparatus of production of semiconductor crystal | |
| US4704257A (en) | Apparatus for growing single crystals of dissociative compounds | |
| EP0401387B1 (en) | Process for producing single crystal | |
| EP0244987B1 (en) | A process for growing a multi-component crystal | |
| JP4416040B2 (ja) | 化合物半導体結晶 | |
| US4944925A (en) | Apparatus for producing single crystals | |
| JPH085745B2 (ja) | 化合物半導体引き上げ装置 | |
| EP0222404A1 (en) | Gallium arsenide crystals and process for growing same | |
| EP0210439B1 (en) | Method for growing single crystals of dissociative compound semiconductor | |
| JPH0255399B2 (ja) | ||
| JPS6251238B2 (ja) | ||
| JP2710429B2 (ja) | 高解離圧化合物半導体処理装置 | |
| JP2611336B2 (ja) | 高解離圧化合物半導体処理装置 | |
| JPH01230493A (ja) | ＩｎＰ化合物半導体多結晶合成方法 | |
| JPH04265297A (ja) | 高解離圧化合物半導体結晶処理装置におけるシール方法、およびシール構造 | |
| JPS6350285B2 (ja) | ||
| JPH0248490A (ja) | 高解離圧化合物半導体処理装置 | |
| JPH01126289A (ja) | 化合物半導体単結晶体の製造方法 | |
| JPH0364477B2 (ja) | ||
| WO2025259973A2 (en) | Matrix of lid assemblies for electronic packages | |
| JPH02233578A (ja) | 高解離圧化合物半導体処理装置および処理方法 | |
| JPS61132598A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960723 |