JPH0857846A - ダイヤモンド・ポイントスクライブ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スクライブ時に発生する切削屑の結晶基板へ
の付着を防止する。 【構成】 化合物半導体からなる短冊体の主面の少なく
とも一部にダイヤモンドカッタによって傷を付けるダイ
ヤモンド・ポイントスクライブ装置であって、前記ダイ
ヤモンドカッタの傷付けによって発生した異物を除去す
る異物除去機構を有する。異物除去機構は、真空吸引排
気機構となり、この真空吸引排気機構は前記ダイヤモン
ドカッタの周囲の全周を取り囲む管体と、前記管体内を
真空排気化する排気機構とによって構成されている。ダ
イヤモンドカッタによる傷入れ時、傷入れ時に発生した
引掻屑（異物）は、全周真空吸引排気機構によって短冊
体の表面に付着することなく除去される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、単結晶板等板状物の分
断に先立つ分断の案内となる傷を、先端にダイヤモンド
を取り付けけたダイヤモンドカッタによって板状物の主
面側に少なくとも一部入れるダイヤモンド・ポイントス
クライブ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコンからなる半導体基板（ウエハ）
を分断して矩形体からなる半導体チップを製造する技術
として、ダイシング技術が知られている。ダイシングに
ついては、たとえば、日経ＢＰ社発行「ＶＬＳＩパッケ
ージング技術（下）」1993年５月15日発行、Ｐ14〜Ｐ16
や工業調査会発行「電子材料」1989年３月号、同年３月
１日発行、Ｐ31およびＰ32に記載されている。

【０００３】前者の文献には、ダイシングは、ウエハか
ら１個１個のＬＳＩチップを切り出すことであり、ダイ
シング法には、ダイヤモンドブレード・ダイシング法，
レーザ・スクライブ法，ダイヤモンド・ポイントスクラ
イブ法があることが記載されている。この文献には、
「ダイヤモンドブレード・ダイシングは、純水を研削液
として使う。研削液の比抵抗が高いと，研削したシリコ
ン屑が静電気を帯びてウエーハに付着しやすい。シリコ
ン屑が十分に洗浄されずに，後工程へ流れると，思わぬ
トラブルの原因になる。」旨記載されている。

【０００４】また、前記ＶＬＳＩパッケージング技術
（下）の文献によるダイヤモンド・ポイントスクライブ
法については、ダイヤモンド・ポイント・カッタ（ダイ
ヤモンドカッタ）を使用して、ダイヤモンドの鋭い角で
個々のチップの境界に傷を付け、その後、ウエハに、た
とえばローラーで機械的な曲げ応力を与え、シリコンの
劈開性を利用して、個々のチップに分離（ブレイキン
グ）する旨記載されている。

【０００５】また、前記後者の文献によるダイヤモンド
・ポイントスクライブ装置においては、先端にダイヤモ
ンドを取り付けたダイヤモンドカッタには、バネによっ
て弾性力（バネ圧）が加えられ、このバネ圧によってウ
エハの主面（表面）に劈開用の引掻傷（以下単に傷と称
する）が入れられることが記載されている。

【０００６】一方、半導体レーザは、化合物半導体から
なる基板（半導体基板）の両端の結晶面（劈開面）をレ
ーザ光を発光する出射面（ミラー面）としている。前記
劈開面は、化合物半導体インゴットをスライスして得ら
れた半導体基板（ウエハ）に半導体レーザ素子を形成し
た後、前記ウエハの一縁に傷を付け、その後、ダイヤモ
ンドカッタ等によって前記傷部分に外力を加えて前記傷
部分で劈開を行わせることによって形成される。前記ウ
エハの劈開によって、たとえば０．２５〜０．４ｍｍ程
度の幅の細長い短冊体（半導体基板）が得られる。短冊
体は前記同様の劈開技術（すなわち、ダイヤモンド・ポ
イントスクライブによる傷入れとブレイキング）によっ
て、たとえば０．３ｍｍ程度の間隔で分断される。これ
によって矩形体からなる半導体レーザチップが製造され
る。なお、半導体レーザ製造用のウエハを劈開させる技
術としては、特開昭 62-133800号公報に記載された技術
が知られている。

【０００７】他方、化合物半導体ウエハをスクライブす
るスクライブ装置は、市販（ダイトロンテクノロジー株
式会社発行「INFORMATION 」の４頁に記載されている認
識装置付きポイントスクライブ装置）されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本出願人にあっては、
半導体レーザチップの製造において、ウエハを劈開させ
て短冊体を形成した後の短冊体の分断は、両側面の出射
面となる面を汚さないためにも、ダイヤモンド・ポイン
トスクライブ装置による傷付けと、その後のブレイキン
グとによって行っている。

【０００９】ダイヤモンド・ポイントスクライブ装置
は、前記市販の装置も同様であるが、ウエハを真空吸着
によってステージ上に固定した後、顕微鏡でウエハを見
ながらチップサイズに合わせてダイヤモンドダイヤモン
ドカッタの移動ピッチを設定する構造となっている。こ
れによって自動的に一方向のスクライビングが行える。
また、本出願人にあっては、ダイヤモンド・ポイントス
クライブ装置において、スクライブ箇所に空気を吹き付
け（エアーブロー）て、スクライブ時に発生する微小な
引掻屑（この明細書では異物とも称する）の除去を図っ
ている。

【００１０】しかし、ウエハの傷入れ時に発生する微小
な異物は、ウエハ表面に一度付着すると、エアーブロー
程度では除去できず、製品の品質低下を招くおそれがあ
る。特に、短冊体のスクライブでは、前述のように側面
（出射面となる面）の異物汚染は知命的な不良原因とな
る。

【００１１】そこで、本発明者等はダイヤモンド・ポイ
ントスクライブ装置によって短冊体の一部に傷入れを行
った後、短冊体を洗浄して短冊体に付着した異物を除去
する方法を検討したが、洗浄の場合には以下のような問
題点が発生することが判明した。

【００１２】（１）短冊体の洗浄後の乾燥で洗浄液が染
み込んで汚れるいわゆるシミを生じる危険度が高まる。
このシミは導電性ともなる前記引掻屑（異物）を含むた
め、電気的短絡の原因になり易い。

【００１３】（２）また、細い短冊体はテープに張り付
けられているため、洗浄液によってテープから簡単に剥
がれる可能性があり、後工程において支障を来すととも
に歩留り低下を引き起こす。

【００１４】（３）また、一度半導体基板に付着した異
物を完全に除去することは非常に困難である。

【００１５】本発明者等は、引掻屑（異物）が発生した
際、異物が半導体基板表面に付着する前に瞬時にその異
物を除去できる技術の開発を試み本発明をなした。

【００１６】本発明の目的は、ダイヤモンド・ポイント
スクライブによって発生する異物を瞬時に除去できるダ
イヤモンド・ポイントスクライブ装置を提供することに
ある。

【００１７】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明のダイヤモンド・
ポイントスクライブ装置は、細長い板状物である化合物
半導体基板からなる短冊体の主面の一部にダイヤモンド
カッタによって傷を付けるダイヤモンド・ポイントスク
ライブ装置であって、前記ダイヤモンドカッタの傷付け
によって発生した引掻屑（異物）を除去する異物除去機
構を有する構造となっている。前記異物除去機構は、前
記ダイヤモンドカッタの周囲の一部または全部を取り囲
む管体（カッタガイド）と、前記管体内を真空排気化す
る排気機構とによって構成される真空吸引排気機構によ
って構成されている。

【００１９】本発明の他の実施例による真空吸引排気機
構を有するダイヤモンド・ポイントスクライブ装置にお
いては、前記半導体基板に対面する前記管体（カッタガ
イド）の下面部分には、直接あるいは間接的にダイヤモ
ンドカッタの全周を囲むように可撓性の刷毛が設けられ
る構造となっている。

【００２０】本発明の他の実施例によるダイヤモンド・
ポイントスクライブ装置においては、前記半導体基板か
らなる短冊体の主面の一部にダイヤモンドカッタによっ
て傷を付けるダイヤモンド・ポイントスクライブ装置で
あって、前記異物除去機構は前記ダイヤモンドカッタの
周囲に配設された前記異物を電気的に吸引する陽極電極
および陰極電極とによる静電気吸引除去機構で構成され
ている構造となっている。

【００２１】

【作用】上記した手段によれば、本発明のダイヤモンド
・ポイントスクライブ装置は、真空吸引排気機構による
異物除去機構を有していることから、半導体基板（短冊
体）の主面にダイヤモンドカッタによって傷を付ける際
発生した異物が真空吸引されて排気されることから、異
物が半導体基板の表面、特に出射面となる側面に付着し
難くなる。

【００２２】本発明の他の実施例による真空吸引排気機
構付きのダイヤモンド・ポイントスクライブ装置におい
ては、前記短冊体に対面する前記管体の下面側には、全
周に亘って可撓性の刷毛が設けられている構造となって
いることから、ダイヤモンドカッタによる傷付け時に発
生した異物が刷毛の外側に逃げ難くなり、真空吸引排気
による異物除去が確実となる。

【００２３】本発明の他の実施例によるダイヤモンド・
ポイントスクライブ装置においては、ダイヤモンドカッ
タの傷付け時に発生した異物は帯電し、ダイヤモンドカ
ッタの近くに配置された陽極電極または陰極電極に吸引
されるため、ダイヤモンドカッタの傷付け時に発生した
異物が短冊体表面、特に出射面となる側面に付着し難く
なる。

【００２４】

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の第１実施例によるダイヤモ
ンド・ポイントスクライブ装置の要部を示す斜視図、図
２は同じくダイヤモンド・ポイントスクライブ装置の要
部を示す模式的正面図、図３は同じくテープに張り付け
られた短冊体を示す斜視図、図４は第１実施例のダイヤ
モンドカッタによる傷入れ状態を示す模式的断面図、図
５は同じく傷入れ状態の模式的な一部拡大断面図、図６
は同じく傷を入れられた短冊体を示す斜視図、図７は傷
入れ後ブレイキングされて形成された半導体レーザチッ
プを示す模式的斜視図である。

【００２５】本発明のダイヤモンド・ポイントスクライ
ブ装置は、図２および図１に示すように、被処理物であ
る細長い半導体基板からなる短冊体１を載置する試験台
（ステージ）２を有している。前記短冊体１は半導体レ
ーザ製造用のＧａＡｓ系あるいはＩｕＰ系の化合物半導
体であり、たとえば、幅が０．３ｍｍ程度、厚さが０．
１ｍｍ程度である。

【００２６】同図では、短冊体１は単にステージ２に載
置されているように記載されているが、実際には図３に
示すように、短冊体１はドーナツ状のフレーム３の一面
側に張り付けられたテープ４にテープの有する粘着力に
よって並んで複数張り付けられている。そして、図１に
示すように、前記テープ４部分が真空吸着によってステ
ージ２に固定されている。前記ステージ２は平面ＸＹ方
向に移動制御可能であるとともに、回転も可能となって
いる。

【００２７】前記ステージ２の側方にはフレーム１０が
配設されている。このフレーム１０の上面側には支持板
１１が固定されているとともに、この支持板１１には水
平方向に延在するホルダ１２が支軸１３を介して上下に
揺動可能に取り付けられている。また、前記ホルダ１２
の先端（図中左端）にはアーム１４が取り付けられてい
る。

【００２８】前記アーム１４の先端は、カッタヘッド１
５となるとともに、このカッタヘッド１５には、Ｙ方向
に延在する調整軸１６が回転可能に取り付けられてい
る。前記調整軸１６には、図４に示すように、ダイヤモ
ンドカッタ１７を案内する筒状のカッタガイド１８が貫
通状態で固定されている。したがって、前記調整軸１６
を左右に回転調整すれば、前記カッタガイド１８の下端
がＸ方向に前後動する。これにより、ダイヤモンドカッ
タ１７の角度を自由に設定できる。前記ダイヤモンドカ
ッタ１７の先端（下端）には図示はしないがダイヤモン
ドの刃が取り付けられている。

【００２９】前記ダイヤモンドカッタ１７は、カッタガ
イド１８と同心円的に配置され、前記カッタガイド１８
の内側に取り付けられる支持片１９で固定されている。
すなわち、ダイヤモンドカッタ１７の周囲の全周（全
部）がカッタガイド１８によって囲まれることになる。
また、前記カッタガイド１８の上端には、図示しない真
空ポンプ系に接続されるパイプ２０（図４参照）が接続
されている。

【００３０】そして、図示しない制御装置の操作盤のス
イッチの操作によって、カッタガイド１８の先端（下
端）から空気を吸い込むようになっている。すなわち、
前記パイプ２０は、工場内に敷設された真空系のパイプ
に接続されたり、あるいは真空ポンプに直接接続され、
前記スイッチの操作によってカッタガイド１８内の真空
化とそれに付随する排気が行われるようになっている。
真空吸引排気機構は、前記カッタガイド１８とパイプ２
０、および真空源等によって構成される。

【００３１】これにより、図４および図５に示すよう
に、短冊体１の一部に、ダイヤモンドカッタ１７で傷２
１を入れた場合、傷入れ時に発生した引掻屑（異物）２
２は、前記真空吸引排気機構によって発生と同時（瞬
時）に排気されるため、短冊体１の表面に付着しなくな
る。前記異物２２は、図４においては点で示し、図５で
は小さな丸で示してある。なお、傷入れ時、ダイヤモン
ドカッタ１７はステージ２に対して相対的に移動して傷
入れが行われる。

【００３２】一方、前記ホルダ１２の中間部分に対応す
るフレーム１０部分には支台２５が固定されている。こ
の支台２５の下部には、前記ホルダ１２を支える受部２
６が設けられ、先端を上下に揺動させるホルダ１２を支
えるようになっている。また、前記支台２５の上部には
カッタ荷重用バネ２７が内蔵されるバネ収容部２８が設
けられている。カッタ荷重用バネ２７の下端は前記ホル
ダ１２上に乗る構造となっている。また、前記バネ収容
部２８の天井部分には、荷重調整ネジ２９が設けられて
いて、この荷重調整ネジ２９の調整によってダイヤモン
ドカッタ１７の短冊体１に対する傷付け力（押し付け
力）が調整できるようになっている。

【００３３】また、前記フレーム１０の後端（図中右
端）は、機台３５の一部に支持ピン３６を介して揺動自
在に取り付けられている。前記フレーム１０の上下揺動
は、前記機台３５に取り付けられた、モータ３７の回転
軸３８に固定されたカム３９の回転によって制御され
る。

【００３４】したがって、前記カム３９の回転によっ
て、前記フレーム１０の先端（左端）が下降すると、ダ
イヤモンドカッタ１７の先端（下端）が短冊体１に接触
する。前記ダイヤモンドカッタ１７の先端には、ダイヤ
モンドの刃が取り付けられていて、加わる荷重によっ
て、短冊体１の表面には傷が入れられる。すなわち、ダ
イヤモンドカッタ１７の先端が短冊体１の表面に接触し
た後、フレーム１０がさらに下降すると、前記下降分だ
け前記カッタ荷重用バネ２７が撓み、カッタ荷重用バネ
２７の復元力に相当する荷重がステージ２上の短冊体１
の表面（上面）に加えられることになる。なお、前記ダ
イヤモンドカッタの刃の形状は、特に限定されないが、
先端は円錐であるが、先端部分は３面となる円錐３面の
形状となっている。

【００３５】このような第１実施例のダイヤモンド・ポ
イントスクライブ装置においては、図３に示すようなフ
レーム３のテープ４に短冊体１を並べて張り付けた後、
フレーム３をステージ２に真空吸着によって固定する。
その後、図示しない顕微鏡によって単一の短冊体１の端
縁を認識し位置決めした後、自動的にピッチ送りしなが
ら、図１および図６に示すように、短冊体１の上面に所
定長さの傷２１を順次入れる。

【００３６】前記傷２１は、図６に示されるように、隣
接する半導体レーザチップ領域の境界４０に沿うよう
に、かつ中央部分に入れられる。この傷２１の長さは、
たとえば０．１ｍｍ程度となる。また、短冊体１のダイ
ヤモンド・ポイントスクライブにおいては、短冊体１の
両側面はレーザ光発光に際して重要な面（出射面）とな
ることから、ダイヤモンド・ポイントスクライブによる
傷２１は、短冊体１の中央に部分的に設けられる。

【００３７】前記傷入れの際、前記真空吸引排気機構が
動作される。したがって、傷入れ（傷付け）時発生する
引掻屑（異物）２２は、発生と同時にカッタガイド１８
内を通って外部に真空吸引排気されるため、短冊体１の
表面、すなわち、上面およびレーザ光の出射面となる側
面には異物２２が付着しなくなる。

【００３８】傷入れが終了した短冊体１は、常用のブレ
イキングによって分断され、図７に示されるような半導
体レーザチップ４２が製造される。図７は、半導体レー
ザチップ１２の模式図であるが、図示しない上下の電極
に所定の電圧が印加されると、導波路４３の両端、すな
わち、出射面４４からレーザ光４５を出射する。前記出
射面４４は、結晶の劈開によって得られる劈開面であ
る。前記導波路４３は半導体のｐｎ接合部分によって形
成されていることから、導波路４３の端となる出射面４
４に導電性の異物２２が付着することは、電気的短絡を
生じさせることになる。したがって、ダイヤモンド・ポ
イントスクライブにおいて発生する異物２２の出射面４
４への付着は特に避けなければならない。

【００３９】第１実施例のダイヤモンド・ポイントスク
ライブ装置によれば、ダイヤモンド・ポイントスクライ
ブ時に発生する異物２２は発生と同時に短冊体１の表面
に付着する前に真空吸引排気機構によって排気されるの
で、出射面４４への異物２２の付着は防止できることに
なる。

【００４０】ここで、半導体レーザチップ４２の寸法の
一例について説明すると、導波路４３に沿う長さが０．
２５〜０．４ｍｍ、幅が０．３ｍｍ、高さが０．１ｍｍ
となる。したがって、このような半導体レーザチップ４
２を形成するための短冊体１は、微小であることと、短
冊体１がテープ４にテープ４が有する接着力によって接
着されていることからも、ダイヤモンドブレードによる
切断は無理となり、このようなダイヤモンド・ポイント
・スクライブとブレイキングによって半導体レーザチッ
プ化が図られる。

【００４１】図８は、ＧａＡｓ系やＩｎＰ系の板状物か
らなる化合物半導体基板（ウエハ５０）の一縁に、劈開
用の傷２１を入れる状態を示すものである。この例で
も、ダイヤモンド・ポイントスクライブ時に発生した図
示しない異物２２は、真空吸引排気機構によって、ウエ
ハ５０の表面に付着する以前に真空吸引排気される。前
記ウエハ５０は、傷２１がウエハ５０の一縁に入れられ
た後は、下方から突出するダイヤモンドカッタによって
分断され、図６に示されるような短冊体１にされる。

【００４２】第１実施例のダイヤモンド・ポイントスク
ライブ装置によれば、ダイヤモンド・ポイントスクライ
ブ時に発生する異物は、発生と同時に真空吸引排気機構
によって外部に除去されるので、ウエハや短冊体等の板
状物の表面に異物が付着することがない。

【００４３】また、第１実施例のダイヤモンド・ポイン
トスクライブ装置においては、ダイヤモンドカッタ１７
はカッタガイド１８と一体構造となっている。したがっ
て、ダイヤモンドカッタ１７に対するカッタガイド１８
の位置関係を調整する等の作業がなくなり便利である。
また、ダイヤモンドカッタ１７が使用できなくなった場
合、カッタガイド１８ごとに交換すれば良く、交換作業
も容易である。

【００４４】図９は本発明の第１実施例の変形例であ
る。この構造では、カッタガイド１８はダイヤモンドカ
ッタ１７の全周（全部）を取り囲む構造となっている
が、ダイヤモンドカッタ１７と一体型ではなく独立して
設けられている。このため、ダイヤモンドカッタ１７
は、前記カッタガイド１８の天井部分の穴５１によって
限度はあるが、その位置を移動調整することができる。

【００４５】図１０は本発明の第１実施例の他の変形例
である。この構造では、カッタガイド１８はダイヤモン
ドカッタ１７の周囲の一部の領域から空気を取込み、ダ
イヤモンドカッタ１７による傷入れ時に発生する異物２
２を真空吸引排気する構造となっている。この構造で
は、カッタガイド１８が一部分にしか設けられていない
ことから、ダイヤモンドカッタ１７の前後左右の調整が
自由自在となる。

【００４６】図１１は本発明の第２実施例の要部を示す
断面図である。この実施例では、前記第１実施例のカッ
タガイド１８に円形板５５を設け、この円形板５５の下
面にドーナツ状に柔らかい可撓性の刷毛（ブラシ）５６
を設けた構造となっている。この刷毛５６の先端は、傷
入れ時短冊体１の表面に弾力的に曲がりながら接触す
る。

【００４７】この第２実施例によれば、ダイヤモンドカ
ッタ１７の周囲は前記刷毛５６によって囲まれているこ
とから、傷入れ時に発生した異物２２が刷毛５６の外に
出なくなる。また、短冊体１の表面に仮に付着した異物
２２も、前記刷毛５６によって擦られることもあり、擦
り取られかつ真空吸引排気される。

【００４８】なお、第２実施例では、カッタガイド１８
の下部分に円形板５５を取り付けて刷毛５６を取り付け
た構造となっているが、ダイヤモンドカッタ１７の全周
を囲むカッタガイド１８の下端面全周に刷毛５６を設け
る構造でも前記第２実施例と同様に異物２２を刷毛５６
によって逃すことなく真空吸引排気できることになり、
確実な異物除去が可能となる。

【００４９】図１２は本発明の第３実施例の要部を示す
断面図である。前記第１・第２実施例の異物除去機構
は、ダイヤモンドカッタ１７によって短冊体１に傷入れ
を行った時に発生する異物２２を、真空によって異物を
吸引排気除去する真空吸引排気機構となっているが、第
３実施例の異物除去機構は、静電気による異物の吸着に
よって除去する静電気吸引除去機構となっている。

【００５０】すなわち、第３実施例では、前記ダイヤモ
ンドカッタ１７を取り囲むカッタガイド１８を、絶縁性
のもので形成するとともに肉厚の構造とする。そして、
前記カッタガイド１８の下面に複数の円錐窪み６０を設
け、この円錐窪み６０底に先端が突出する電極棒６１が
貫通配設されている。前記電極棒６１は、一方が陽極電
極６１ａであり、他方が陰極電極６１ｂである。前記陽
極電極６１ａおよび陰極電極６１ｂの上端には、図示し
ない制御部から延在する配線６２が接続されている。陰
陽一対の陰極電極６１ｂは複数対配置してもよい。な
お、前記カッタガイド１８は、支持アーム６３を介して
前記ホルダ１２に固定されている。

【００５１】この第３実施例のダイヤモンド・ポイント
スクライブ装置では、傷入れ時前記電極棒６１を陽極電
極６１ａまたは陰極電極６１ｂとしておく。半導体は、
ダイヤモンド・ポイントスクライブ時、帯電するため、
陽極電極６１ａか陰極電極６１ｂに引き付けられて吸引
される。この結果、全周短冊体１の表面に異物２２が付
着しなくなる。

【００５２】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前期実施例に
限定される物ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能である事はいうまでもない。たとえば、異物
除去機構としては、前記静電気吸引除去機構と真空吸引
排気機構を合わせ持つ構造としても前記実施例同様な効
果が得られる。

【００５３】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
レーザチップの製造におけるダイヤモンド・ポイントス
クライブ技術について説明したが、半導体集積回路装置
等半導体装置の製造におけるダイヤモンド・ポイントス
クライブ技術に適用できる。すなわち、一般のシリコン
基板による集積回路用等半導体チップ製造の場合は、ウ
エハの端から端までスクライブライン（傷）が入れられ
るとともに、前記スクライブラインはウエハの主面に格
子状に入れられる。この場合も、傷入れ時に発生した異
物は、真空吸引排気機構や陽極電極および陰極電極で構
成される異物除去機構によって発生と同時に除去され、
シリコンウエハの表面に付着しなくなる。

【００５４】本発明は少なくとも板状物のブレイキング
に先立つダイヤモンド・ポイントスクライブ技術には適
用できる。

【００５５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明のダイヤモンド・ポイントス
クライブ装置は、真空吸引排気機構を有していることか
ら、ダイヤモンドカッタによって傷入れを行った際、傷
入れと同時に発生する異物が半導体レーザチップを形成
するための短冊体の表面や側面の出射面となる部分に付
着する前に外部に排気されることから、短冊体への異物
付着が防止できる。これにより、半導体レーザ製品の歩
留り向上や製品の信頼性の向上が達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例によるダイヤモンド・ポイ
ントスクライブ装置の要部を示す斜視図である。

【図２】第１実施例によるダイヤモンド・ポイントスク
ライブ装置の要部を示す模式的正面図である。

【図３】第１実施例における短冊体の張り付け状態を示
す斜視図である。

【図４】第１実施例のダイヤモンドカッタによる傷入れ
状態を示す模式的断面図である。

【図５】第１実施例のダイヤモンドカッタによる傷入れ
状態を示す模式的な一部拡大断面図である。

【図６】第１実施例のダイヤモンド・ポイントスクライ
ブ装置によって傷を入れられた短冊体を示す斜視図であ
る。

【図７】第１実施例のダイヤモンド・ポイントスクライ
ブ装置による傷入れと、その後のブレイキングによって
形成された半導体レーザチップを示す模式的斜視図であ
る。

【図８】第１実施例のダイヤモンドカッタによってウエ
ハの周縁部分にスクライブによって傷を付ける状態を示
すダイヤモンド・ポイントスクライブ装置の要部を示す
模式的斜視図である。

【図９】本発明の第１実施例の変形例によるダイヤモン
ド・ポイントスクライブ装置の要部を示す断面図であ
る。

【図１０】本発明の第１実施例の他の変形例によるダイ
ヤモンド・ポイントスクライブ装置の要部を示す断面図
である。

【図１１】本発明のスクライブ装置の第２実施例による
ダイヤモンド・ポイントスクライブ装置の要部を示す断
面図である。

【図１２】本発明のスクライブ装置の第３実施例による
ダイヤモンド・ポイントスクライブ装置の要部を示す断
面図である。

【符号の説明】

１…短冊体、２…ステージ、３…フレーム、４…テー
プ、１０…フレーム、１１…支持板、１２…ホルダ、１
３…支軸、１４…アーム、１５…カッタヘッド、１６…
調整軸、１７…ダイヤモンドカッタ、１８…カッタガイ
ド、１９…支持片、２０…パイプ、２１…傷、２２…異
物、２５…支台、２６…受部、２７…カッタ荷重用バ
ネ、２８…バネ収容部、２９…荷重調整ネジ、３５…機
台、３６…支持ピン、３７…モータ、３８…回転軸、３
９…カム、４０…境界、４２…半導体レーザチップ、４
３…導波路、４４…出射面、４５…レーザ光、５０…ウ
エハ、５１…穴、５５…円形板、５６…刷毛、６０…円
錐窪み、６１…電極棒、６１ａ…陽極電極、６１ｂ…陰
極電極、６２…配線、６３…支持アーム。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 板状物の主面の少なくとも一部にダイヤ
   モンドカッタによって傷を付けるダイヤモンド・ポイン
   トスクライブ装置であって、前記ダイヤモンドカッタの
   傷付けによって発生した異物を除去する異物除去機構を
   有することを特徴とするダイヤモンド・ポイントスクラ
   イブ装置。
2. 【請求項２】 前記請求項１記載のダイヤモンド・ポイ
   ントスクライブ装置であって、前記ダイヤモンドカッタ
   の傷付けによって発生した異物を真空吸引して排気する
   真空吸引排気機構を有することを特徴とするダイヤモン
   ド・ポイントスクライブ装置。
3. 【請求項３】 前記請求項２記載のダイヤモンド・ポイ
   ントスクライブ装置であって、前記真空吸引排気機構は
   前記ダイヤモンドカッタの少なくとも先端の周囲の一部
   または全部を取り囲む管体と、前記管体内を真空排気化
   する排気機構とによって構成されていることを特徴とす
   るダイヤモンド・ポイントスクライブ装置。
4. 【請求項４】 前記請求項２記載のダイヤモンド・ポイ
   ントスクライブ装置であって、前記板状物に対面する管
   体の下面側には、全周ダイヤモンドカッタの全周を囲む
   ような可撓性の刷毛が設けられていることを特徴とする
   ダイヤモンド・ポイントスクライブ装置。
5. 【請求項５】 板状物の主面の少なくとも一部にダイヤ
   モンドカッタによって傷を付けるダイヤモンド・ポイン
   トスクライブ装置であって、前記異物除去機構は前記ダ
   イヤモンドカッタの周囲に配設された前記異物を電気的
   に吸引する陽極電極および陰極電極で構成されているこ
   とを特徴とするダイヤモンド・ポイントスクライブ装
   置。