JPH0859554A - ケトイソホロン誘導体類の不斉水素化 - Google Patents
ケトイソホロン誘導体類の不斉水素化Info
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- JPH0859554A JPH0859554A JP7166717A JP16671795A JPH0859554A JP H0859554 A JPH0859554 A JP H0859554A JP 7166717 A JP7166717 A JP 7166717A JP 16671795 A JP16671795 A JP 16671795A JP H0859554 A JPH0859554 A JP H0859554A
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ケトイソホロンのアシル誘導体のエナンチオ
選択性の高い水素化方法を見いだすこと。 【構成】 一般式（Ｉ）〔式中、Ｒは、低級アルキル、
低級アルコキシ、フェニル、ベンジル又は−ＮＲ1 2；Ｒ
1 は、低級アルキル、フェニル、ベンジル又は水素；そ
して＊は、光学活性中心を表す〕の光学活性化合物を製
造する方法であって、光学活性ジホスフィン配位子のロ
ジウム錯体の存在において、一般式（II）〔式中、Ｒ
は、上記と同義である〕のケトイソホロンのエノール誘
導体を不斉水素化する方法。 【化１４】
選択性の高い水素化方法を見いだすこと。 【構成】 一般式（Ｉ）〔式中、Ｒは、低級アルキル、
低級アルコキシ、フェニル、ベンジル又は−ＮＲ1 2；Ｒ
1 は、低級アルキル、フェニル、ベンジル又は水素；そ
して＊は、光学活性中心を表す〕の光学活性化合物を製
造する方法であって、光学活性ジホスフィン配位子のロ
ジウム錯体の存在において、一般式（II）〔式中、Ｒ
は、上記と同義である〕のケトイソホロンのエノール誘
導体を不斉水素化する方法。 【化１４】
Description
【０００１】本発明は、ケトイソホロン誘導体のエナン
チオ選択的水素化、すなわち、式（Ｉ）：
チオ選択的水素化、すなわち、式（Ｉ）：
【０００２】
【化５】
【０００３】（式中、Ｒは、低級アルキル、低級アルコ
キシ、フェニル、ベンジル又は−ＮＲ1 2を表し、Ｒ1
は、低級アルキル、フェニル、ベンジル又は水素を表
し、そして＊は、光学活性中心を表す）の光学活性化合
物の製造のための新規な方法に関する。
キシ、フェニル、ベンジル又は−ＮＲ1 2を表し、Ｒ1
は、低級アルキル、フェニル、ベンジル又は水素を表
し、そして＊は、光学活性中心を表す）の光学活性化合
物の製造のための新規な方法に関する。
【０００４】加水分解によってホレノール（１）に転換
し、さらなる反応段階において光学活性アクチノール
（２）に転換することができる式（Ｉ）の化合物は、３
−ヒドロキシ−カロテノイド類、特にゼアキサンチンの
製造に用いるための重要な中間体である（Helv. Chim.
Acta 63 (1980), 1451）。これまで、アクチノール
（２）の合成に用いるためのエダクト（educt ）として
使用されるケトイソホロン（３）をエナンチオ選択的に
直接水素化するさまざまな試みがなされてきた。このよ
うな試みにおいて、ルテニウム触媒だけでなくロジウム
触媒も使用すると、主生成物としてジケトン（６）が得
られたが、光学収率は低いものでしかなかった。また、
ケトイソホロン（３）を誘導体化することにより、水素
化にとってより適切な基質を製造する試みがなされた。
このように、例えば、環式アセタール（５）の不斉水素
化及びそれに続く加水分解が、わずか１０％のエナンチ
オマー過剰率（ｅｅ）でジケトン（６）を与え、一方、
メチルエノールエーテル（４）の不斉水素化において
は、５０％ｅｅでジケトン（６）が得られた（Brunner
et al. J. Ornanomet. Chem. 456 (1993), 71 及びその
引用文献）。
し、さらなる反応段階において光学活性アクチノール
（２）に転換することができる式（Ｉ）の化合物は、３
−ヒドロキシ−カロテノイド類、特にゼアキサンチンの
製造に用いるための重要な中間体である（Helv. Chim.
Acta 63 (1980), 1451）。これまで、アクチノール
（２）の合成に用いるためのエダクト（educt ）として
使用されるケトイソホロン（３）をエナンチオ選択的に
直接水素化するさまざまな試みがなされてきた。このよ
うな試みにおいて、ルテニウム触媒だけでなくロジウム
触媒も使用すると、主生成物としてジケトン（６）が得
られたが、光学収率は低いものでしかなかった。また、
ケトイソホロン（３）を誘導体化することにより、水素
化にとってより適切な基質を製造する試みがなされた。
このように、例えば、環式アセタール（５）の不斉水素
化及びそれに続く加水分解が、わずか１０％のエナンチ
オマー過剰率（ｅｅ）でジケトン（６）を与え、一方、
メチルエノールエーテル（４）の不斉水素化において
は、５０％ｅｅでジケトン（６）が得られた（Brunner
et al. J. Ornanomet. Chem. 456 (1993), 71 及びその
引用文献）。
【０００５】
【化６】
【０００６】そこで、本発明は、不斉水素化による、ア
クチノール（２）への工業的に興味深いアクセスを提供
する。適当な溶媒中での、キラルなジホスフィン配位子
とのカチオン性ロジウム錯体の存在においての、ケトイ
ソホロンのアシル誘導体のエナンチオ選択的水素化が、
高い光学収率で、ホレノールの相当するアシル誘導体を
与えることが見いだされた。
クチノール（２）への工業的に興味深いアクセスを提供
する。適当な溶媒中での、キラルなジホスフィン配位子
とのカチオン性ロジウム錯体の存在においての、ケトイ
ソホロンのアシル誘導体のエナンチオ選択的水素化が、
高い光学収率で、ホレノールの相当するアシル誘導体を
与えることが見いだされた。
【０００７】したがって、本発明は、一般式（Ｉ）：
【０００８】
【化７】
【０００９】（式中、Ｒは、低級アルキル、低級アルコ
キシ、フェニル、ベンジル又は−ＮＲ1 2を表し、Ｒ1
は、低級アルキル、フェニル、ベンジル又は水素を表
し、そして＊は、光学活性中心を表す）の化合物を製造
する方法であって、光学活性ジホスフィン配位子とのロ
ジウム錯体の存在下に、一般式（II）：
キシ、フェニル、ベンジル又は−ＮＲ1 2を表し、Ｒ1
は、低級アルキル、フェニル、ベンジル又は水素を表
し、そして＊は、光学活性中心を表す）の化合物を製造
する方法であって、光学活性ジホスフィン配位子とのロ
ジウム錯体の存在下に、一般式（II）：
【００１０】
【化８】
【００１１】（式中、Ｒは、上記に定めた意味である）
のケトイソホロンのエノール誘導体を不斉水素化するこ
とを含む方法に関する。
のケトイソホロンのエノール誘導体を不斉水素化するこ
とを含む方法に関する。
【００１２】以下の式（III ）のカチオン性ロジウム錯
体を、本発明にしたがって触媒として使用する。
体を、本発明にしたがって触媒として使用する。
【００１３】
【化９】
【００１４】上記式中、Ｌは、中性配位子を表し、ｎ
は、０、１又は２を表し、Ａ- は、アニオン、例えばＢ
Ｆ4 -、ＣＦ3 ＳＯ3 -、ＰＦ6 -、ＣｌＯ4 -又はＢ（Ｃ6 Ｈ
5 ）４ −を表し、そしてＹは、キラルなジホスフィンを
表す。
は、０、１又は２を表し、Ａ- は、アニオン、例えばＢ
Ｆ4 -、ＣＦ3 ＳＯ3 -、ＰＦ6 -、ＣｌＯ4 -又はＢ（Ｃ6 Ｈ
5 ）４ −を表し、そしてＹは、キラルなジホスフィンを
表す。
【００１５】特に適当なものは、キラルなジホスフィン
（Ｙ）が以下の各式で示される化合物のいずれかを表す
式（ＩＩＩ ）のカチオン性錯体である。
（Ｙ）が以下の各式で示される化合物のいずれかを表す
式（ＩＩＩ ）のカチオン性錯体である。
【００１６】
【化１０】
【００１７】上記の各式中、Ｘは、−ＣＯＲ6 、ＣＯＯ
Ｒ6 、ＣＯＮＲ3 2、ＳＯ2 Ｒ6 又はＰＯＲ5 2を表し、Ｒ
2 は、シクロアルキル又はアルキルを表し、Ｒ3 は、水
素、シクロアルキル又はアルキルを表し、Ｒ4 は、低級
アルキル又は低級アルコキシを表し、Ｒ5 及びＲ5 ′
は、それぞれ独立して、アリール又はヘテロアリールを
表し、そしてＲ6 は、アリール、ヘテロアリール、シク
ロアルキル又はアルキルを表す。
Ｒ6 、ＣＯＮＲ3 2、ＳＯ2 Ｒ6 又はＰＯＲ5 2を表し、Ｒ
2 は、シクロアルキル又はアルキルを表し、Ｒ3 は、水
素、シクロアルキル又はアルキルを表し、Ｒ4 は、低級
アルキル又は低級アルコキシを表し、Ｒ5 及びＲ5 ′
は、それぞれ独立して、アリール又はヘテロアリールを
表し、そしてＲ6 は、アリール、ヘテロアリール、シク
ロアルキル又はアルキルを表す。
【００１８】本発明の範囲において、「低級アルキル」
とは、炭素原子１〜４個の直鎖状又は分枝状のアルキル
基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ｎ−ブチル、イソブチル及びtert−ブチルをいう。「低
級アルコキシ」とは、アルキル残基が前述の意味を有す
る基をいう。
とは、炭素原子１〜４個の直鎖状又は分枝状のアルキル
基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ｎ−ブチル、イソブチル及びtert−ブチルをいう。「低
級アルコキシ」とは、アルキル残基が前述の意味を有す
る基をいう。
【００１９】本発明の範囲において、「中性配位子」と
は、容易に交換しうる配位子、例えばオレフィン、例え
ばエチレン、プロピレン、シクロオクテン、１，５−ヘ
キサジエン、ノルボルナジエン、１，５−シクロオクタ
ジエンなど、又はニトリル、例えばアセトニトリル又は
ベンゾニトリルをいう。配位子は、また、水素化の間に
交換することもできる。このような配位子が２個以上存
在する場合、それらは互いに異なるものでもよい。
は、容易に交換しうる配位子、例えばオレフィン、例え
ばエチレン、プロピレン、シクロオクテン、１，５−ヘ
キサジエン、ノルボルナジエン、１，５−シクロオクタ
ジエンなど、又はニトリル、例えばアセトニトリル又は
ベンゾニトリルをいう。配位子は、また、水素化の間に
交換することもできる。このような配位子が２個以上存
在する場合、それらは互いに異なるものでもよい。
【００２０】本発明の範囲において、式（Ｉ）及び（I
I）の化合物に関して述べるフェニル及びベンジルの両
基は、低級アルキル基又は低級アルコキシ基により、そ
のオルト、メタ又はパラの位置が置換されていてもよ
い。
I）の化合物に関して述べるフェニル及びベンジルの両
基は、低級アルキル基又は低級アルコキシ基により、そ
のオルト、メタ又はパラの位置が置換されていてもよ
い。
【００２１】式（IV）〜（IX）に関連して使用する「ア
ルキル」とは、炭素原子１〜７個の直鎖状又は分枝状の
アルキル基をいう。これに関連して、「シクロアルキ
ル」とは、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペン
チル、シクロヘキシル又はシクロヘプチルをいう。
ルキル」とは、炭素原子１〜７個の直鎖状又は分枝状の
アルキル基をいう。これに関連して、「シクロアルキ
ル」とは、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペン
チル、シクロヘキシル又はシクロヘプチルをいう。
【００２２】本発明の範囲において、式（VI）、（VII
）、（VIII）及び（IX）の化合物に関連して使用する
「アリール」とは、オルト、メタ又はパラの位置が低級
アルキルもしくは低級アルコキシ、好ましくはメチルも
しくはメトキシ又はジ−低級アルキルアミノ、好ましく
はジメチルアミノによって置換されていてもよいフェニ
ルをいう。
）、（VIII）及び（IX）の化合物に関連して使用する
「アリール」とは、オルト、メタ又はパラの位置が低級
アルキルもしくは低級アルコキシ、好ましくはメチルも
しくはメトキシ又はジ−低級アルキルアミノ、好ましく
はジメチルアミノによって置換されていてもよいフェニ
ルをいう。
【００２３】本発明の範囲において、「ヘテロアリー
ル」とは、以下の各式の残基のいずれかを表す。
ル」とは、以下の各式の残基のいずれかを表す。
【００２４】
【化１１】
【００２５】式（ａ）〜（ｄ）の残基において、Ａは、
酸素、硫黄又は−ＮＲ8 を表す。ここでは、置換基Ｒ7
は、水素、低級アルキル、特にメチル又は低級アルコキ
シ、特にメトキシを表し、置換基Ｒ8 は、低級アルキ
ル、好ましくはメチルを表す。
酸素、硫黄又は−ＮＲ8 を表す。ここでは、置換基Ｒ7
は、水素、低級アルキル、特にメチル又は低級アルコキ
シ、特にメトキシを表し、置換基Ｒ8 は、低級アルキ
ル、好ましくはメチルを表す。
【００２６】式（IV）〜（IX）のキラルなジホスフィン
配位子、特に式（IV）、（VI）及び（VII ）のジホスフ
ィン配位子と式（III ）のカチオン性ロジウム錯体が、
本発明による方法に適している。式（IV）及び（VII ）
のキラルなジホスフィン配位子と式（III ）のカチオン
性ロジウム錯体を使用すると、本発明による方法におい
て非常に高い選択性が達成される。特に、Ｒ2 がメチル
又はエチルを表す式（IV）のキラルなジホスフィン配位
子とのロジウム錯体を使用すると、特に高い選択性を基
質（II）のほぼ定量的な転換率及び高い光学収率ととも
に達成することができる。
配位子、特に式（IV）、（VI）及び（VII ）のジホスフ
ィン配位子と式（III ）のカチオン性ロジウム錯体が、
本発明による方法に適している。式（IV）及び（VII ）
のキラルなジホスフィン配位子と式（III ）のカチオン
性ロジウム錯体を使用すると、本発明による方法におい
て非常に高い選択性が達成される。特に、Ｒ2 がメチル
又はエチルを表す式（IV）のキラルなジホスフィン配位
子とのロジウム錯体を使用すると、特に高い選択性を基
質（II）のほぼ定量的な転換率及び高い光学収率ととも
に達成することができる。
【００２７】式（IV）及び（Ｖ）の配位子は公知の化合
物であり、例えば米国特許第5.171.892 号記載のように
して調製することができる。式（VI）のキラルな配位子
もまた公知の化合物であり、例えば欧州特許第031,877
号記載の方法にしたがって調製することができる。式
（VII ）の配位子は欧州特許第564,406 号と同様にして
得ることができ、式（VIII）の配位子を調製する実施可
能な方法が欧州特許第251,164 号に記載されている。式
（IX）の配位子の調製方法は、Tetrahedron: Asymmetry
1993, Vol. 4, 2279 に記載されている。
物であり、例えば米国特許第5.171.892 号記載のように
して調製することができる。式（VI）のキラルな配位子
もまた公知の化合物であり、例えば欧州特許第031,877
号記載の方法にしたがって調製することができる。式
（VII ）の配位子は欧州特許第564,406 号と同様にして
得ることができ、式（VIII）の配位子を調製する実施可
能な方法が欧州特許第251,164 号に記載されている。式
（IX）の配位子の調製方法は、Tetrahedron: Asymmetry
1993, Vol. 4, 2279 に記載されている。
【００２８】式（II）の化合物のエナンチオ選択的水素
化は、この化合物に対して不活性である非プロトン性媒
体、例えばエステル、エーテル又は炭化水素中で実施す
ることができる。エステル、例えば酢酸エチル、環式エ
ーテル、例えばテトラヒドロフラン若しくはジオキサ
ン、芳香族炭化水素、例えばベンゼン若しくはトルエン
又はそれらの混合物が、特に適当な使用しうる溶媒であ
る。
化は、この化合物に対して不活性である非プロトン性媒
体、例えばエステル、エーテル又は炭化水素中で実施す
ることができる。エステル、例えば酢酸エチル、環式エ
ーテル、例えばテトラヒドロフラン若しくはジオキサ
ン、芳香族炭化水素、例えばベンゼン若しくはトルエン
又はそれらの混合物が、特に適当な使用しうる溶媒であ
る。
【００２９】ロジウムと配位子Ｙとの比率は、配位子１
mol あたりロジウム約０．０５〜５mol 、好ましくは
０．５〜２mol の範囲にあることが好都合である。式
（III ）の錯体中のロジウムの、水素化される式（II）
の化合物に対するモル比は、約０．００１〜約５mol
％、好ましくは約０．００２〜約０．２mol ％の範囲に
あることが好都合である。すなわち、基質／触媒の比
（Ｓ／Ｃ）は、１００，０００〜約２０、特に約５０，
０００〜約５００である。式（III ）の錯体を使用する
式（II）の化合物のエナンチオ選択的水素化は、約０℃
〜約１２０℃、好ましくは約１０℃〜約６０℃で実施す
ることができる。この水素化は、圧力下、好都合には約
１〜１５０バール、好ましくは５〜６０バールの圧力下
で実施する。
mol あたりロジウム約０．０５〜５mol 、好ましくは
０．５〜２mol の範囲にあることが好都合である。式
（III ）の錯体中のロジウムの、水素化される式（II）
の化合物に対するモル比は、約０．００１〜約５mol
％、好ましくは約０．００２〜約０．２mol ％の範囲に
あることが好都合である。すなわち、基質／触媒の比
（Ｓ／Ｃ）は、１００，０００〜約２０、特に約５０，
０００〜約５００である。式（III ）の錯体を使用する
式（II）の化合物のエナンチオ選択的水素化は、約０℃
〜約１２０℃、好ましくは約１０℃〜約６０℃で実施す
ることができる。この水素化は、圧力下、好都合には約
１〜１５０バール、好ましくは５〜６０バールの圧力下
で実施する。
【００３０】本発明による方法の好ましい実施態様は、
式（Ｉ−ａ）：
式（Ｉ−ａ）：
【００３１】
【化１２】
【００３２】（式中、Ｒa は、低級アルキル、特にメチ
ルを表す）の化合物の（Ｒ）−又は（Ｓ）−エナンチオ
マーの製造であって、式（II−ａ）：
ルを表す）の化合物の（Ｒ）−又は（Ｓ）−エナンチオ
マーの製造であって、式（II−ａ）：
【００３３】
【化１３】
【００３４】（式中、Ｒa は、上記に定めた意味であ
る）の相当する化合物の不斉水素化による製造に関す
る。
る）の相当する化合物の不斉水素化による製造に関す
る。
【００３５】一般式（III ）のロジウム錯体は、それ自
体公知の方法、例えば欧州特許第0,574,783 号記載の方
法にしたがって、式（IV）〜（IX）の化合物を、適当な
不活性溶媒中、ロジウム産出性化合物と反応させること
によって調製することができる。
体公知の方法、例えば欧州特許第0,574,783 号記載の方
法にしたがって、式（IV）〜（IX）の化合物を、適当な
不活性溶媒中、ロジウム産出性化合物と反応させること
によって調製することができる。
【００３６】
【実施例】以下の実施例が本発明を説明するが、決して
それを限定するものではない。
それを限定するものではない。
【００３７】略語の定義は、以下のとおりである。 ＧＣ＝毛管ガスクロマトグラフィー ｏ．ｐ．＝光学純度 ｅｅ＝エナンチオマー過剰率 （Ｒ，Ｒ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ＝１，２−ビス〔（２
Ｒ，５Ｒ）−２，５−ジエチルホスホラノ〕−ベンゼン （Ｓ，Ｓ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ＝１，２−ビス〔（２
Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジエチルホスホラノ〕−ベンゼン （Ｒ，Ｒ）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ＝１，２−ビス〔（２
Ｒ，５Ｒ）−２，５−ジメチルホスホラノ〕−ベンゼン （Ｓ，Ｓ）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ＝１，２−ビス〔（２
Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジメチルホスホラノ〕−ベンゼン （Ｒ）−ＰＲＯＰＨＯＳ＝（Ｒ）−１，２−ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）プロパン （Ｓ，Ｓ）−ＢＣＰＭ＝（２Ｓ，４Ｓ）−１−tert−ブ
トキシカルボニル−４−ジシクロヘキシルホスフィノ−
２−ジフェニルホスフィノ−メチルピロリジン （Ｒ，Ｓ）−ＰＰＦ−ＰＣｙ2 ＝｛（Ｒ）−１−
〔（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニ
ル〕｝エチル−ジシクロヘキシルホスフィン （Ｒ，Ｓ）−ＰＰＦ−Ｐ（ｏ−Ａｎ）2 ＝｛（Ｒ）−１
−〔（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）−フェロセ
ニル〕｝エチル−ジ−（ｏ−メトキシフェニル）−ホス
フィン （Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ＭｅＰＨＯＳ−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ＝
（２Ｓ，５Ｓ）−１−｛（Ｓ）−２′−〔（２Ｓ，５
Ｓ）−２，５−ジメチル−ホスホラン−１−イル〕−
６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２−イル｝−２，
５−ジメチル−ホスホラン （Ｓ）−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰＨＯＳ＝１−｛（Ｓ）−
２′−（ホスホラン−１−イル）−６，６′−ジメトキ
シビフェニル−２−イル｝−ホスホラン （Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ＭｅＰＨＯＳ−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ＝
（２Ｓ，５Ｓ）−１−｛（Ｓ）−２′−〔（２Ｓ，５
Ｓ）−２，５−ジメチル−ホスホラン−１−イル〕−
６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２−イル｝−２，
５−ジメチル−ホスホラン （Ｓ，Ｓ，Ｒ）−ＭｅＰＨＯＳ−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ＝
（２Ｓ，５Ｓ）−１−｛（Ｒ）−２′−〔（２Ｓ，５
Ｓ）−２，５−ジメチル−ホスホラン−１−イル〕−
６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２−イル｝−２，
５−ジメチル−ホスホラン Ｃｙ4 −５−ＯｘｏＰｒｏＮＯＰ＝（Ｒ）−１−ジシク
ロヘキシルホスファニル−５−（ジシクロヘキシル−ホ
スファノイルオキシメチル）−ピロリジン−２−オン
Ｒ，５Ｒ）−２，５−ジエチルホスホラノ〕−ベンゼン （Ｓ，Ｓ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ＝１，２−ビス〔（２
Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジエチルホスホラノ〕−ベンゼン （Ｒ，Ｒ）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ＝１，２−ビス〔（２
Ｒ，５Ｒ）−２，５−ジメチルホスホラノ〕−ベンゼン （Ｓ，Ｓ）−Ｍｅ−ＤｕＰＨＯＳ＝１，２−ビス〔（２
Ｓ，５Ｓ）−２，５−ジメチルホスホラノ〕−ベンゼン （Ｒ）−ＰＲＯＰＨＯＳ＝（Ｒ）−１，２−ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）プロパン （Ｓ，Ｓ）−ＢＣＰＭ＝（２Ｓ，４Ｓ）−１−tert−ブ
トキシカルボニル−４−ジシクロヘキシルホスフィノ−
２−ジフェニルホスフィノ−メチルピロリジン （Ｒ，Ｓ）−ＰＰＦ−ＰＣｙ2 ＝｛（Ｒ）−１−
〔（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニ
ル〕｝エチル−ジシクロヘキシルホスフィン （Ｒ，Ｓ）−ＰＰＦ−Ｐ（ｏ−Ａｎ）2 ＝｛（Ｒ）−１
−〔（Ｓ）−２−（ジフェニルホスフィノ）−フェロセ
ニル〕｝エチル−ジ−（ｏ−メトキシフェニル）−ホス
フィン （Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ＭｅＰＨＯＳ−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ＝
（２Ｓ，５Ｓ）−１−｛（Ｓ）−２′−〔（２Ｓ，５
Ｓ）−２，５−ジメチル−ホスホラン−１−イル〕−
６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２−イル｝−２，
５−ジメチル−ホスホラン （Ｓ）−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰＨＯＳ＝１−｛（Ｓ）−
２′−（ホスホラン−１−イル）−６，６′−ジメトキ
シビフェニル−２−イル｝−ホスホラン （Ｓ，Ｓ，Ｓ）−ＭｅＰＨＯＳ−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ＝
（２Ｓ，５Ｓ）−１−｛（Ｓ）−２′−〔（２Ｓ，５
Ｓ）−２，５−ジメチル−ホスホラン−１−イル〕−
６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２−イル｝−２，
５−ジメチル−ホスホラン （Ｓ，Ｓ，Ｒ）−ＭｅＰＨＯＳ−ＭｅＯＢＩＰＨＥＰ＝
（２Ｓ，５Ｓ）−１−｛（Ｒ）−２′−〔（２Ｓ，５
Ｓ）−２，５−ジメチル−ホスホラン−１−イル〕−
６，６′−ジメトキシ−ビフェニル−２−イル｝−２，
５−ジメチル−ホスホラン Ｃｙ4 −５−ＯｘｏＰｒｏＮＯＰ＝（Ｒ）−１−ジシク
ロヘキシルホスファニル−５−（ジシクロヘキシル−ホ
スファノイルオキシメチル）−ピロリジン−２−オン
【００３８】実施例１ グローブボックスの中（Ｏ2 含量＜１ppm ）で、ビス−
（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム−（Ｉ）テト
ラフルオロボレート１０．５mg（０．０２６mmol）及び
（Ｒ，Ｒ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ９．４mg（０．０２６
mmol）を２０mlの計量フラスコに入れ、約２０mlの線に
達するまで酢酸エチルを加えた。得られた橙色の触媒溶
液を２２℃で１０分間攪拌した。
（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム−（Ｉ）テト
ラフルオロボレート１０．５mg（０．０２６mmol）及び
（Ｒ，Ｒ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ９．４mg（０．０２６
mmol）を２０mlの計量フラスコに入れ、約２０mlの線に
達するまで酢酸エチルを加えた。得られた橙色の触媒溶
液を２２℃で１０分間攪拌した。
【００３９】次に、グローブボックスの中で、４−アセ
トキシ−２，６，６−トリメチル−シクロヘキサ−２，
４−ジエン−１−オン（Helv. Chim. Acta 1989, 72, 3
65にしたがって調製し、さらにｎ−ヘキサンから結晶化
したもの、ｍ．ｐ．４４〜４５℃）２５．０ｇ（１２
８．７mmol）及び酢酸エチル２０mlを、１８５mlの鋼製
オートクレーブに入れた。上記で調製した触媒溶液１０
ml（Ｓ／Ｃ１０，０００）をこの懸濁液に加え、オート
クレーブを封止した。激しく攪拌しながら、２０℃及び
１０バールの一定圧で水素化を実施した。
トキシ−２，６，６−トリメチル−シクロヘキサ−２，
４−ジエン−１−オン（Helv. Chim. Acta 1989, 72, 3
65にしたがって調製し、さらにｎ−ヘキサンから結晶化
したもの、ｍ．ｐ．４４〜４５℃）２５．０ｇ（１２
８．７mmol）及び酢酸エチル２０mlを、１８５mlの鋼製
オートクレーブに入れた。上記で調製した触媒溶液１０
ml（Ｓ／Ｃ１０，０００）をこの懸濁液に加え、オート
クレーブを封止した。激しく攪拌しながら、２０℃及び
１０バールの一定圧で水素化を実施した。
【００４０】２１時間後、転換率は１００％であった。
水素化溶液は、４−アセトキシ−２，６，６−トリメチ
ル−２−シクロヘキセン−１−オン９２．８ＧＣ面積％
と、４−アセトキシ−２，６，６−トリメチル−４−シ
クロヘキセン−１−オン７．２ＧＣ面積％との混合物か
らなるものであった。
水素化溶液は、４−アセトキシ−２，６，６−トリメチ
ル−２−シクロヘキセン−１−オン９２．８ＧＣ面積％
と、４−アセトキシ−２，６，６−トリメチル−４−シ
クロヘキセン−１−オン７．２ＧＣ面積％との混合物か
らなるものであった。
【００４１】ｅｅ測定にあたっては、生成物約２０mgを
含有する水素化溶液の試料を５０℃／１７ミリバールで
蒸発させ、残渣をメタノール１mlに溶解し、ナトリウム
メチラート２０mgとともに５０℃で３０分間加熱するこ
とにより、（４Ｓ）−４−ヒドロキシ−２，６，６−ト
リメチル−２−シクロヘキセン−１−オン９２％（９
８．５％ｅｅ）と、２，２，６−トリメチル−シクロヘ
キサン−１，４−ジオン８％との混合物に転換した。ｅ
ｅ測定は、酢酸約６０mlで酸性化したのち、キラル相
（ＯＶ−６１と混合された過メチル化β−シクロデキス
トリン）でのガスクロマトグラフィーによって実施し
た。
含有する水素化溶液の試料を５０℃／１７ミリバールで
蒸発させ、残渣をメタノール１mlに溶解し、ナトリウム
メチラート２０mgとともに５０℃で３０分間加熱するこ
とにより、（４Ｓ）−４−ヒドロキシ−２，６，６−ト
リメチル−２−シクロヘキセン−１−オン９２％（９
８．５％ｅｅ）と、２，２，６−トリメチル−シクロヘ
キサン−１，４−ジオン８％との混合物に転換した。ｅ
ｅ測定は、酢酸約６０mlで酸性化したのち、キラル相
（ＯＶ−６１と混合された過メチル化β−シクロデキス
トリン）でのガスクロマトグラフィーによって実施し
た。
【００４２】作業にあたっては、オートクレーブからフ
ラッシュした水素化溶液を４５℃／２０ミリバールで蒸
発させた。暗黄色の油状物２５．２ｇの残渣をメタノー
ル１２５ml及び水２５mlに溶解し、２０℃で、５N 水酸
化ナトリウム水溶液２５．５mlに滴下した。２０℃で１
時間攪拌したのち、メタノールを５０℃／２３ミリバー
ルで蒸発させた。水相をジエチルエーテルで抽出した。
有機相を乾燥し、蒸発させたのち、橙色の油状物１８．
９ｇを得た。これを、シリカゲル５００ｇ上で、ｎ−ヘ
キサン／エーテル３／１を用いたクロマトグラフィーに
付した。（４Ｓ）−４−ヒドロキシ−２，６，６−トリ
メチル−２−シクロヘキセン−１−オン１７．８ｇ（９
０％）を淡黄色の油状物として得た。 化学純度９９．２ＧＣ面積％；ｅｅ９８．５％；〔α〕
D ＝−４８．８°（ｃ＝１，ＥｔＯＨ）
ラッシュした水素化溶液を４５℃／２０ミリバールで蒸
発させた。暗黄色の油状物２５．２ｇの残渣をメタノー
ル１２５ml及び水２５mlに溶解し、２０℃で、５N 水酸
化ナトリウム水溶液２５．５mlに滴下した。２０℃で１
時間攪拌したのち、メタノールを５０℃／２３ミリバー
ルで蒸発させた。水相をジエチルエーテルで抽出した。
有機相を乾燥し、蒸発させたのち、橙色の油状物１８．
９ｇを得た。これを、シリカゲル５００ｇ上で、ｎ−ヘ
キサン／エーテル３／１を用いたクロマトグラフィーに
付した。（４Ｓ）−４−ヒドロキシ−２，６，６−トリ
メチル−２−シクロヘキセン−１−オン１７．８ｇ（９
０％）を淡黄色の油状物として得た。 化学純度９９．２ＧＣ面積％；ｅｅ９８．５％；〔α〕
D ＝−４８．８°（ｃ＝１，ＥｔＯＨ）
【００４３】実施例２ ａ）４−tert−ブチルオキシカルボニルオキシ−２，
６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４−ジエノンの
合成 ジ−tert−ブチルジカーボネート２３．２ｇ（１０６．
３mmol）をテトラヒドロフラン２５mlに加えた溶液を、
Ｋ2 ＣＯ3 ２０．０ｇ（１４４．７mmol）、テトラヒド
ロフラン２０ml、１８−クラウン−６１．１ｇ（４．２
mmol）及びケトイソホロン１５．２ｇ（１００mmol）を
２４℃で攪拌した懸濁液に滴下した。懸濁液を６０℃で
５時間攪拌し、次いで褐色の反応混合物をろ過し、最後
に溶媒を蒸発させた。褐色の残渣２６．６ｇをジクロロ
メタン２００mlに溶解し、溶液をＮａＨＣＯ3 飽和溶液
及び水で抽出した。有機相をＮａ2 ＳＯ4 上で乾燥し、
ろ過し、濃縮した。褐色の残渣２２．６ｇをシリカゲル
１５０ｇのクロマトグラフィーに付した（ｎ−ヘキサン
／エーテル２／１）。４−tert−ブチルオキシカルボニ
ルオキシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，
４−ジエノン２０．４ｇ（８１％）を黄色の油状物とし
て得た。 Ｃ14Ｈ20Ｏ4 （２５２．３１）の分析値 計算値Ｃ６６．６５、Ｈ７．９９ 実測値Ｃ６６．４６、Ｈ８．０８1 Ｈ−ＮＭＲ（250MHz,CDCl3):1.25(s,2 CH3-C(6));1.54
(s,(CH3)3C-O);1.91(s,CH3-2(C);5.88-5.89(d,H-C(5));
6.71-6.74(m,H-C(5))
６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４−ジエノンの
合成 ジ−tert−ブチルジカーボネート２３．２ｇ（１０６．
３mmol）をテトラヒドロフラン２５mlに加えた溶液を、
Ｋ2 ＣＯ3 ２０．０ｇ（１４４．７mmol）、テトラヒド
ロフラン２０ml、１８−クラウン−６１．１ｇ（４．２
mmol）及びケトイソホロン１５．２ｇ（１００mmol）を
２４℃で攪拌した懸濁液に滴下した。懸濁液を６０℃で
５時間攪拌し、次いで褐色の反応混合物をろ過し、最後
に溶媒を蒸発させた。褐色の残渣２６．６ｇをジクロロ
メタン２００mlに溶解し、溶液をＮａＨＣＯ3 飽和溶液
及び水で抽出した。有機相をＮａ2 ＳＯ4 上で乾燥し、
ろ過し、濃縮した。褐色の残渣２２．６ｇをシリカゲル
１５０ｇのクロマトグラフィーに付した（ｎ−ヘキサン
／エーテル２／１）。４−tert−ブチルオキシカルボニ
ルオキシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，
４−ジエノン２０．４ｇ（８１％）を黄色の油状物とし
て得た。 Ｃ14Ｈ20Ｏ4 （２５２．３１）の分析値 計算値Ｃ６６．６５、Ｈ７．９９ 実測値Ｃ６６．４６、Ｈ８．０８1 Ｈ−ＮＭＲ（250MHz,CDCl3):1.25(s,2 CH3-C(6));1.54
(s,(CH3)3C-O);1.91(s,CH3-2(C);5.88-5.89(d,H-C(5));
6.71-6.74(m,H-C(5))
【００４４】ｂ）４−tert−ブチルオキシカルボニルオ
キシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４−
ジエノンの水素化 グローブボックスの中（Ｏ2 含量＜１ppm ）で、ビス−
（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラ
フルオロボレート４０．３mg（０．０９９mmol）及び
（Ｒ，Ｒ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ３５．９mg（０．０９
９mmol）を２０mlの計量フラスコに入れ、約２０mlの線
に達するまで酢酸エチルを加えた。得られた橙色の触媒
溶液を２２℃で１０分間攪拌した。
キシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４−
ジエノンの水素化 グローブボックスの中（Ｏ2 含量＜１ppm ）で、ビス−
（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラ
フルオロボレート４０．３mg（０．０９９mmol）及び
（Ｒ，Ｒ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ３５．９mg（０．０９
９mmol）を２０mlの計量フラスコに入れ、約２０mlの線
に達するまで酢酸エチルを加えた。得られた橙色の触媒
溶液を２２℃で１０分間攪拌した。
【００４５】グローブボックスの中で、４−tert−ブチ
ルオキシカルボニルオキシ−２，６，６−トリメチルシ
クロヘキサ−２，４−ジエノン２．５ｇ（９．９mmol）
及び酢酸エチル４７mlを、１８５mlの鋼製オートクレー
ブに入れ、上記で調製した触媒溶液（Ｓ／Ｃ１００）２
０mlを加え、オートクレーブを封止した。激しく攪拌し
ながら、２０℃及び１０バールの一定圧で水素化を実施
した。
ルオキシカルボニルオキシ−２，６，６−トリメチルシ
クロヘキサ−２，４−ジエノン２．５ｇ（９．９mmol）
及び酢酸エチル４７mlを、１８５mlの鋼製オートクレー
ブに入れ、上記で調製した触媒溶液（Ｓ／Ｃ１００）２
０mlを加え、オートクレーブを封止した。激しく攪拌し
ながら、２０℃及び１０バールの一定圧で水素化を実施
した。
【００４６】５時間後、転換率は１００％であった。水
素化溶液は、４−tert−ブチルオキシカルボニルオキシ
−２，６，６−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−
オン９８ＧＣ面積％と、４−tert−ブチルオキシカルボ
ニルオキシ−２，６，６−トリメチル−４−シクロヘキ
セン−１−オン２ＧＣ面積％との混合物からなるもので
あった。
素化溶液は、４−tert−ブチルオキシカルボニルオキシ
−２，６，６−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−
オン９８ＧＣ面積％と、４−tert−ブチルオキシカルボ
ニルオキシ−２，６，６−トリメチル−４−シクロヘキ
セン−１−オン２ＧＣ面積％との混合物からなるもので
あった。
【００４７】ｅｅ測定にあたっては、生成物約２０mgを
含有する水素化溶液の試料を５０℃／１７ミリバールで
蒸発させ、残渣をメタノール１mlに溶解し、ナトリウム
メチラート２０mgとともに５０℃で３０分間加熱するこ
とにより、（４Ｓ）−４−ヒドロキシ−２，６，６−ト
リメチル−２−シクロヘキセン−１−オン９８％（８
７．３％ｅｅ）と、２，２，６−トリメチル−シクロヘ
キサン−１，４−ジオン２％との混合物に転換した。ｅ
ｅ測定は、酢酸約６０mlで酸性化したのち、キラル相
（ＯＶ−６１と混合された過メチル化β−シクロデキス
トリン）でのガスクロマトグラフィーによって実施し
た。
含有する水素化溶液の試料を５０℃／１７ミリバールで
蒸発させ、残渣をメタノール１mlに溶解し、ナトリウム
メチラート２０mgとともに５０℃で３０分間加熱するこ
とにより、（４Ｓ）−４−ヒドロキシ−２，６，６−ト
リメチル−２−シクロヘキセン−１−オン９８％（８
７．３％ｅｅ）と、２，２，６−トリメチル−シクロヘ
キサン−１，４−ジオン２％との混合物に転換した。ｅ
ｅ測定は、酢酸約６０mlで酸性化したのち、キラル相
（ＯＶ−６１と混合された過メチル化β−シクロデキス
トリン）でのガスクロマトグラフィーによって実施し
た。
【００４８】実施例３ ａ）４−ベンジルオキシ−２，６，６−トリメチルシク
ロヘキサ−２，４−ジエン−１−オンの合成 ケトイソホロン９１．３ｇ（０．６mol ）、安息香酸無
水物６００ｇ（２．６５mol ）、トリエチルアミン２５
１ml（１．８mol ）及び４−（ジメチルアミノ）ピリジ
ン３．６６ｇ（０．０３mol ）との混合物を、アルゴン
下に６５℃で１８時間攪拌し、エーテル１リットルで希
釈した。冷却しながら、エチレンジアミン２６０mlを０
〜１０℃で滴下した。沈殿物をろ別し、エーテル１．５
リットルで洗浄した。合わせたろ液をＮａＨＣＯ3 飽和
溶液１リットルで抽出し、さらに塩化ナトリウム飽和溶
液で抽出し、Ｎａ2 ＳＯ4 上で乾燥し、濃縮した。褐色
の結晶質残渣の粗生成物１３７．８ｇをシリカゲルクロ
マトグラフィーに付した（ｎ−ヘキサン／エーテル５／
１）。４−ベンゾイルオキシ−２，６，６−トリメチル
シクロヘキサ−２，４−ジエン−１−オン１１７．４ｇ
（７６．３％）を黄色の結晶物として得た。tert−ブチ
ルメチルエーテル／ｎ−ヘキサン（１／１）から再結晶
して、純粋なベンゾエートを得た。 ｍ．ｐ．６４〜６６℃
ロヘキサ−２，４−ジエン−１−オンの合成 ケトイソホロン９１．３ｇ（０．６mol ）、安息香酸無
水物６００ｇ（２．６５mol ）、トリエチルアミン２５
１ml（１．８mol ）及び４−（ジメチルアミノ）ピリジ
ン３．６６ｇ（０．０３mol ）との混合物を、アルゴン
下に６５℃で１８時間攪拌し、エーテル１リットルで希
釈した。冷却しながら、エチレンジアミン２６０mlを０
〜１０℃で滴下した。沈殿物をろ別し、エーテル１．５
リットルで洗浄した。合わせたろ液をＮａＨＣＯ3 飽和
溶液１リットルで抽出し、さらに塩化ナトリウム飽和溶
液で抽出し、Ｎａ2 ＳＯ4 上で乾燥し、濃縮した。褐色
の結晶質残渣の粗生成物１３７．８ｇをシリカゲルクロ
マトグラフィーに付した（ｎ−ヘキサン／エーテル５／
１）。４−ベンゾイルオキシ−２，６，６−トリメチル
シクロヘキサ−２，４−ジエン−１−オン１１７．４ｇ
（７６．３％）を黄色の結晶物として得た。tert−ブチ
ルメチルエーテル／ｎ−ヘキサン（１／１）から再結晶
して、純粋なベンゾエートを得た。 ｍ．ｐ．６４〜６６℃
【００４９】ｂ）４−ベンゾイルオキシ−２，６，６−
トリメチルシクロヘキサ−２，４−ジエン−１−オンの
水素化 グローブボックスの中（Ｏ2 含量＜１ppm ）で、ビス−
（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）−テト
ラフルオロボレート１９．８mg（０．０４９mmol）及び
（Ｓ，Ｓ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ１７．７mg（０．０４
９mmol）を２０mlの計量フラスコに入れ、約２０mlの線
に達するまで酢酸エチルを加えた。得られた橙色の触媒
溶液を２２℃で１０分間攪拌した。
トリメチルシクロヘキサ−２，４−ジエン−１−オンの
水素化 グローブボックスの中（Ｏ2 含量＜１ppm ）で、ビス−
（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）−テト
ラフルオロボレート１９．８mg（０．０４９mmol）及び
（Ｓ，Ｓ）−Ｅｔ−ＤｕＰＨＯＳ１７．７mg（０．０４
９mmol）を２０mlの計量フラスコに入れ、約２０mlの線
に達するまで酢酸エチルを加えた。得られた橙色の触媒
溶液を２２℃で１０分間攪拌した。
【００５０】グローブボックスの中で、４−ベンゾイル
オキシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４
−ジエン−１−オン２．５ｇ（９．７５mmol）及び酢酸
エチル６２．６mlを１８５mlの鋼製オートクレーブに入
れ、上記で調製した触媒溶液（Ｓ／Ｃ１０００）４mlを
加え、オートクレーブを封止した。激しく攪拌しなが
ら、２０℃及び１０バールの一定圧で水素化を実施し
た。
オキシ−２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−２，４
−ジエン−１−オン２．５ｇ（９．７５mmol）及び酢酸
エチル６２．６mlを１８５mlの鋼製オートクレーブに入
れ、上記で調製した触媒溶液（Ｓ／Ｃ１０００）４mlを
加え、オートクレーブを封止した。激しく攪拌しなが
ら、２０℃及び１０バールの一定圧で水素化を実施し
た。
【００５１】４３時間後、転換率は１００％であった。
水素化溶液は、４−ベンゾイルオキシ−２，６，６−ト
リメチル−２−シクロヘキセン−１−オン９６ＧＣ面積
％と、４−ベンゾイルオキシ−２，６，６−トリメチル
−４−シクロヘキセン−１−オン４ＧＣ面積％との混合
物からなるものであった。ｅｅ測定にあたっては、生成
物約２０mgを含有する水素化溶液の試料を５０℃／１７
ミリバールで蒸発させ、残渣をメタノール１mlに溶解
し、ナトリウムメチラート２０mgとともに５０℃で３０
分間加熱することにより、（４Ｒ）−４−ヒドロキシ−
２，６，６−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オ
ン９６％（９１．２％ｅｅ）と、２，２，６−トリメチ
ル−シクロヘキサン−１，４−ジオン４％との混合物に
転換した。ｅｅ測定は、酢酸約６０mlで酸性化したの
ち、キラル相（ＯＶ−６１と混合された過メチル化β−
シクロデキストリン）でのガスクロマトグラフィーによ
って実施した。
水素化溶液は、４−ベンゾイルオキシ−２，６，６−ト
リメチル−２−シクロヘキセン−１−オン９６ＧＣ面積
％と、４−ベンゾイルオキシ−２，６，６−トリメチル
−４−シクロヘキセン−１−オン４ＧＣ面積％との混合
物からなるものであった。ｅｅ測定にあたっては、生成
物約２０mgを含有する水素化溶液の試料を５０℃／１７
ミリバールで蒸発させ、残渣をメタノール１mlに溶解
し、ナトリウムメチラート２０mgとともに５０℃で３０
分間加熱することにより、（４Ｒ）−４−ヒドロキシ−
２，６，６−トリメチル−２−シクロヘキセン−１−オ
ン９６％（９１．２％ｅｅ）と、２，２，６−トリメチ
ル−シクロヘキサン−１，４−ジオン４％との混合物に
転換した。ｅｅ測定は、酢酸約６０mlで酸性化したの
ち、キラル相（ＯＶ−６１と混合された過メチル化β−
シクロデキストリン）でのガスクロマトグラフィーによ
って実施した。
【００５２】実施例４〜２１の結果を第１表にまとめ
た。
た。
【００５３】
【表１】
【００５４】１）副生物：４−アセトキシ−２，６，６
−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン ２）副生物：６４ＧＣ面積％４−アセトキシ−２，６，
６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン ３）副生物：７７ＧＣ面積％４−アセトキシ−２，６，
６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン ４）副生物：６５ＧＣ面積％４−アセトキシ−２，６，
６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン ５）〔Ｒｈ（ＣＯＤ）2 〕Ｘ＋ＰＰから出発して実施例
１と同様にしてその場で調製した触媒 ６）６時間後の転換率
−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン ２）副生物：６４ＧＣ面積％４−アセトキシ−２，６，
６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン ３）副生物：７７ＧＣ面積％４−アセトキシ−２，６，
６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン ４）副生物：６５ＧＣ面積％４−アセトキシ−２，６，
６−トリメチル−４−シクロヘキセン−１−オン ５）〔Ｒｈ（ＣＯＤ）2 〕Ｘ＋ＰＰから出発して実施例
１と同様にしてその場で調製した触媒 ６）６時間後の転換率
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 69/145 69/24 69/76 Ｚ 9546−4Ｈ 69/96 Ｚ 9546−4Ｈ 271/34 9451−4Ｈ 271/38 9451−4Ｈ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 イボ・クラメリ スイス国、ツェーハー−4104 オーベルヴ ィル、ホーエシュトラーセ 103 (72)発明者 ルドルフ・シュミット スイス国、ツェーハー−4144 アルレスハ イム、オーベレ・ガッセ 18 (72)発明者 テオドル・ジークフリート スイス国、ツェーハー−4125 リーヘン、 アム・ハング 22
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ）： 【化１】 （式中、Ｒは、低級アルキル、低級アルコキシ、フェニ
ル、ベンジル又は−ＮＲ1 2を表し、Ｒ1 は、低級アルキ
ル、フェニル、ベンジル又は水素を表し、そして＊は、
光学活性中心を表す）の光学活性化合物を製造する方法
であって、 光学活性ジホスフィン配位子のロジウム錯体の存在下
に、一般式（II）： 【化２】 （式中、Ｒは、上記に定めた意味である）のケトイソホ
ロンのエノール誘導体を不斉水素化することを特徴とす
る方法。 - 【請求項２】 式（III ）： 【化３】 （式中、Ｌは、中性配位子を表し、ｎは、０、１又は２
を表し、Ａ- は、ＢＦ4 -、ＣＦ3 ＳＯ3 -、ＰＦ6 -、Ｃｌ
Ｏ4 -又はＢ（Ｃ6 Ｈ5 ）4 -のアニオンを表し、そしてＹ
は、キラルなジホスフィンを表す）のカチオン性ロジウ
ム錯体の存在下に、不斉水素化する請求項１記載の方
法。 - 【請求項３】 キラルなジホスフィンが、式（IV）〜
（IX）： 【化４】 （上記各式中、Ｘは、−ＣＯＲ6 、ＣＯＯＲ6 、ＣＯＮ
Ｒ3 2、ＳＯ2 Ｒ6 又はＰＯＲ5 2を表し、Ｒ2 は、シクロ
アルキル又はアルキルを表し、Ｒ3 は、水素、シクロア
ルキル又はアルキルを表し、Ｒ4 は、低級アルキル又は
低級アルコキシを表し、Ｒ5 及びＲ5 ′は、それぞれ独
立して、アリール又はヘテロアリールを表し、そしてＲ
6 は、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル又は
アルキルを表す）のいずれかの化合物である請求項２記
載の方法。 - 【請求項４】 キラルなジホスフィンが、式（IV）又は
（VII ）の化合物である請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 キラルなジホスフィンが、Ｒ2 がメチル
又はエチルを表す式（IV）の化合物である請求項３記載
の方法。
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