JPH0862445A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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- JPH0862445A JPH0862445A JP19977194A JP19977194A JPH0862445A JP H0862445 A JPH0862445 A JP H0862445A JP 19977194 A JP19977194 A JP 19977194A JP 19977194 A JP19977194 A JP 19977194A JP H0862445 A JPH0862445 A JP H0862445A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フォトリソグラフィ工程を用いない簡易な方法
で、単時間に低コストで製造する。 【構成】まず、石英ガラス基板上にＣＯ2 レーザービー
ムを照射し、石英ガラス基板をＣＯ2 レーザビームに対
して相対移動させることによって、石英ガラス基板上面
にコアパターン溝を加工する。次に、コアパターン溝内
に石英ガラス基板よりも高屈折率のコア膜を埋め込む。
そして、高屈折率のコア膜を埋め込んだ石英ガラス基板
の上面全体をコア膜よりも低屈折率のクラッド膜で覆
う。これにより、従来必要であった、メタル膜形成工
程、フォトリソグラフィ工程、メタル膜パターニング工
程、コア層ドライエッチング工程、メタル膜剥離工程の
全てを省略することができる。
で、単時間に低コストで製造する。 【構成】まず、石英ガラス基板上にＣＯ2 レーザービー
ムを照射し、石英ガラス基板をＣＯ2 レーザビームに対
して相対移動させることによって、石英ガラス基板上面
にコアパターン溝を加工する。次に、コアパターン溝内
に石英ガラス基板よりも高屈折率のコア膜を埋め込む。
そして、高屈折率のコア膜を埋め込んだ石英ガラス基板
の上面全体をコア膜よりも低屈折率のクラッド膜で覆
う。これにより、従来必要であった、メタル膜形成工
程、フォトリソグラフィ工程、メタル膜パターニング工
程、コア層ドライエッチング工程、メタル膜剥離工程の
全てを省略することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、石英ガラス基板上に直
接コアパターンを形成して工程の簡略化を図った光導波
路の製造方法に関するものである。
接コアパターンを形成して工程の簡略化を図った光導波
路の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信の高度化、多機能化、低
コスト化をめざして、光分波合波回路、光スターカプ
ラ、光フィルタなどの光信号処理回路を光導波路構造で
実現することが活発に行われるようになってきた。
コスト化をめざして、光分波合波回路、光スターカプ
ラ、光フィルタなどの光信号処理回路を光導波路構造で
実現することが活発に行われるようになってきた。
【０００３】従来、上記光導波路は図６に示す方法によ
って作られていた。すなわち、Ｓｉまたはガラス基板上
に低屈折率のバッファ層を形成する工程３１、その上に
高屈折率のコア層を形成する工程３２、コア層上にマス
ク用のメタル膜を形成する工程３３、メタル膜上にフォ
トレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィによりフォ
トレジスト膜をパターニングする工程３４、フォトレジ
スト膜のパターンをマスクにしてメタル膜をドライエッ
チングによりパターニングする工程３５、上記メタル膜
のパターンをマスクにしてコア層をドライエッチングに
よりエッチングする工程３６、メタル膜を剥離する工程
３７、上記パターン化したコア層全面を低屈折率のクラ
ッド層で覆う工程３８からなる。
って作られていた。すなわち、Ｓｉまたはガラス基板上
に低屈折率のバッファ層を形成する工程３１、その上に
高屈折率のコア層を形成する工程３２、コア層上にマス
ク用のメタル膜を形成する工程３３、メタル膜上にフォ
トレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィによりフォ
トレジスト膜をパターニングする工程３４、フォトレジ
スト膜のパターンをマスクにしてメタル膜をドライエッ
チングによりパターニングする工程３５、上記メタル膜
のパターンをマスクにしてコア層をドライエッチングに
よりエッチングする工程３６、メタル膜を剥離する工程
３７、上記パターン化したコア層全面を低屈折率のクラ
ッド層で覆う工程３８からなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光導波路の製造方法は工程数が多く、低コスト化が難し
い。特にフォトリソグラフィ工程で非常に高価なフォト
マスクを使わなければならず、この工程があるだけで費
用の低減は困難である。また作成し終えるまでに多くの
工程を経るために多大の時間を要する。
光導波路の製造方法は工程数が多く、低コスト化が難し
い。特にフォトリソグラフィ工程で非常に高価なフォト
マスクを使わなければならず、この工程があるだけで費
用の低減は困難である。また作成し終えるまでに多くの
工程を経るために多大の時間を要する。
【０００５】そこで、本発明の目的は、前記した従来技
術の欠点を解消し、簡易な方法で、単時間に低コストで
光導波路を製造する方法を提供することにある。
術の欠点を解消し、簡易な方法で、単時間に低コストで
光導波路を製造する方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、従来の
製造方法の中で、メタル膜の形成工程、フォトリソグラ
フィ工程、メタル膜のパターニング工程、コア層のドラ
イエッチング工程、メタル膜の剥離工程のない光導波路
を製造する方法である。
製造方法の中で、メタル膜の形成工程、フォトリソグラ
フィ工程、メタル膜のパターニング工程、コア層のドラ
イエッチング工程、メタル膜の剥離工程のない光導波路
を製造する方法である。
【０００７】すなわち、石英ガラス基板上にＣＯ2 レー
ザービームを照射し、上記石英ガラス基板をＣＯ2 レー
ザビームに対して相対移動させることによって、上記石
英ガラス基板上面にコアパターン溝を加工する工程と、
該コアパターン溝内に上記石英ガラス基板よりも高屈折
率のコア膜を埋め込む工程と、該高屈折率のコア膜を埋
め込んだ石英ガラス基板の上面全体を上記コア膜よりも
低屈折率のクラッド膜で覆う工程とを備えた光導波路の
製造方法である。
ザービームを照射し、上記石英ガラス基板をＣＯ2 レー
ザビームに対して相対移動させることによって、上記石
英ガラス基板上面にコアパターン溝を加工する工程と、
該コアパターン溝内に上記石英ガラス基板よりも高屈折
率のコア膜を埋め込む工程と、該高屈折率のコア膜を埋
め込んだ石英ガラス基板の上面全体を上記コア膜よりも
低屈折率のクラッド膜で覆う工程とを備えた光導波路の
製造方法である。
【０００８】
【作用】コアのパターニング工程をＣＯ2 レーザビーム
光で行うことにより、従来のメタル膜を形成する工程、
フォトリソグラフィ工程、メタル膜及びコア層のドライ
エッチング工程、メタル膜の剥離工程が不用となる。
光で行うことにより、従来のメタル膜を形成する工程、
フォトリソグラフィ工程、メタル膜及びコア層のドライ
エッチング工程、メタル膜の剥離工程が不用となる。
【０００９】本発明の光導波路を実現するのに、基板材
料として、石英系ガラス基板を用いたのは、ＣＯ2 レー
ザビームで溝が容易に加工でき、かつ、加工中及び加工
後に基板にクラックが入ったり、割れたりせず、非常に
安定な材料であるためである。
料として、石英系ガラス基板を用いたのは、ＣＯ2 レー
ザビームで溝が容易に加工でき、かつ、加工中及び加工
後に基板にクラックが入ったり、割れたりせず、非常に
安定な材料であるためである。
【００１０】ＣＯ2 レーザビームによるコアパターン溝
の加工は非常に短時間で、かつクリーンな雰囲気で行う
ことができる。また、加工した溝の内壁面は非常に滑ら
かな面であるので、光散乱損失の極めて低い光導波路を
実現することができる。
の加工は非常に短時間で、かつクリーンな雰囲気で行う
ことができる。また、加工した溝の内壁面は非常に滑ら
かな面であるので、光散乱損失の極めて低い光導波路を
実現することができる。
【００１１】ＣＯ2 レーザによる溝の加工時間は、たと
えば、ＣＯ2 レーザパワーが７０Ｗのものを用いれば、
１〜２mm/secの速度で加工できるので、非常に短時間
（従来の１／１０以下）である。またコアパターン溝の
加工寸法精度は、パルスモータ駆動の数値制御機構を用
いたＸＹ駆動装置を使用することによりμｍオーダのパ
ターン加工精度を得ることができる。
えば、ＣＯ2 レーザパワーが７０Ｗのものを用いれば、
１〜２mm/secの速度で加工できるので、非常に短時間
（従来の１／１０以下）である。またコアパターン溝の
加工寸法精度は、パルスモータ駆動の数値制御機構を用
いたＸＹ駆動装置を使用することによりμｍオーダのパ
ターン加工精度を得ることができる。
【００１２】ＣＯ2 レーザビームのスポット径は、通常
５０μｍ程度であるので、マルチモード伝送用光導波路
の製造方法には極めて好適である。
５０μｍ程度であるので、マルチモード伝送用光導波路
の製造方法には極めて好適である。
【００１３】
【実施例】図１に本発明の光導波路の製造方法の実施例
を示す。まず（ａ）に示すように石英ガラス基板１を用
意する。次いで（ｂ）に示すように、石英ガラス基板１
の上面にＣＯ2 レーザビームを照射してコアパターン溝
２を形成する。ここで、コアパターン溝２の幅Ｗは数十
μｍから百数十μｍの範囲、深さＴは数μｍから百数十
μｍの範囲が好ましい。
を示す。まず（ａ）に示すように石英ガラス基板１を用
意する。次いで（ｂ）に示すように、石英ガラス基板１
の上面にＣＯ2 レーザビームを照射してコアパターン溝
２を形成する。ここで、コアパターン溝２の幅Ｗは数十
μｍから百数十μｍの範囲、深さＴは数μｍから百数十
μｍの範囲が好ましい。
【００１４】幅ＷはＣＯ2 レーザビームのビームスポッ
ト径によって決まる。深さＴはＣＯ2 レーザビームを石
英ガラス基板１の上面に照射する際の石英ガラス基板１
の移動速度Ｖ、ＣＯ2 レーザビームのパワーＰに依存す
る。すなわち、速度Ｖが大きければ深さＴは小さく、パ
ワーＰが大きければ深さＴは大きくなる。これらの逆は
反対の傾向を示す。
ト径によって決まる。深さＴはＣＯ2 レーザビームを石
英ガラス基板１の上面に照射する際の石英ガラス基板１
の移動速度Ｖ、ＣＯ2 レーザビームのパワーＰに依存す
る。すなわち、速度Ｖが大きければ深さＴは小さく、パ
ワーＰが大きければ深さＴは大きくなる。これらの逆は
反対の傾向を示す。
【００１５】次に、（ｃ）に示すように、溝２を形成し
た面に高屈折率のコア膜３を成膜する。このコア膜３は
石英ガラス基板１の屈折率よりも高い値の屈折率を有す
るコア膜、たとえば、ＳｉＯ2 にＴｉ，Ｇｅ，Ｐ，Ａ
ｌ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎａ，Ｋなどの屈折率制御用添
加物を少なくとも１種含んだ酸化膜か、ポリメタクリル
酸メチル、ポリフッ化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ
イミド、ポリカーボネートなどの高分子膜を用いる。特
に、高分子膜の場合には、液状のものが容易に得られる
ので、上記溝２を形成した面上に均一に、かつ溝内に一
様に埋め込むことができる点で有利である。
た面に高屈折率のコア膜３を成膜する。このコア膜３は
石英ガラス基板１の屈折率よりも高い値の屈折率を有す
るコア膜、たとえば、ＳｉＯ2 にＴｉ，Ｇｅ，Ｐ，Ａ
ｌ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎａ，Ｋなどの屈折率制御用添
加物を少なくとも１種含んだ酸化膜か、ポリメタクリル
酸メチル、ポリフッ化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ
イミド、ポリカーボネートなどの高分子膜を用いる。特
に、高分子膜の場合には、液状のものが容易に得られる
ので、上記溝２を形成した面上に均一に、かつ溝内に一
様に埋め込むことができる点で有利である。
【００１６】液状膜の場合は、塗布後、加熱して硬化さ
せることによってコア膜３を形成することができる。酸
化膜の場合には、プラズマＣＶＤ法、電子ビーム蒸着
法、減圧ＣＶＤ法、火炎堆積法などの方法によって形成
することができる。
せることによってコア膜３を形成することができる。酸
化膜の場合には、プラズマＣＶＤ法、電子ビーム蒸着
法、減圧ＣＶＤ法、火炎堆積法などの方法によって形成
することができる。
【００１７】次に（ｄ）に示すように、石英ガラス基板
１の上面の溝２以外に成膜された高屈折率のコア膜３を
研磨、エッチングなどの方法によって取り除く。最後
に、（ｅ）に示すように、低屈折率のクラッド膜４を形
成して完了する。ここで、この低屈折率のクラッド膜４
としては、ＳｉＯ2 、またはＳｉＯ2 にＢ，Ｆなどの屈
折率制御物を少なくとも１種含んだもの、あるいは上述
した高分子膜などを用いることができる。そして、この
低屈折率のクラッド膜４の屈折率は高屈折率のコア膜３
のそれよりも低い値のものを用いる。
１の上面の溝２以外に成膜された高屈折率のコア膜３を
研磨、エッチングなどの方法によって取り除く。最後
に、（ｅ）に示すように、低屈折率のクラッド膜４を形
成して完了する。ここで、この低屈折率のクラッド膜４
としては、ＳｉＯ2 、またはＳｉＯ2 にＢ，Ｆなどの屈
折率制御物を少なくとも１種含んだもの、あるいは上述
した高分子膜などを用いることができる。そして、この
低屈折率のクラッド膜４の屈折率は高屈折率のコア膜３
のそれよりも低い値のものを用いる。
【００１８】図２に本実施例の溝加工装置の概略図を示
す。これは図１の（ｂ）のプロセスを実現するための装
置である。石英ガラス基板１は基板固定台１１の上に固
定される。基板固定台１１はＸＹ駆動装置９によってＸ
方向１２及びＹ方向１３へコンピュータ数値制御によっ
て移動できるようになっている。ＸＹ駆動装置９は、パ
ルスモータ駆動の数値制御機構が組み込まれ、μｍオー
ダのパターン加工精度が得られる。基板固定台１１には
ＣＯ2 レーザ光が石英ガラス基板１を貫通できるように
溝１４を掘ってある。ＣＯ2 レーザ光源５からのレーザ
ビーム８はハーフミラー６、集光レンズ７を介して石英
ガラス基板１の上面に焦点を結ぶように照射される。
す。これは図１の（ｂ）のプロセスを実現するための装
置である。石英ガラス基板１は基板固定台１１の上に固
定される。基板固定台１１はＸＹ駆動装置９によってＸ
方向１２及びＹ方向１３へコンピュータ数値制御によっ
て移動できるようになっている。ＸＹ駆動装置９は、パ
ルスモータ駆動の数値制御機構が組み込まれ、μｍオー
ダのパターン加工精度が得られる。基板固定台１１には
ＣＯ2 レーザ光が石英ガラス基板１を貫通できるように
溝１４を掘ってある。ＣＯ2 レーザ光源５からのレーザ
ビーム８はハーフミラー６、集光レンズ７を介して石英
ガラス基板１の上面に焦点を結ぶように照射される。
【００１９】石英ガラス基板１上にＣＯ2 レーザービー
ム８を照射し、ＸＹ駆動装置９を動かし、石英ガラス基
板１をＣＯ2 レーザビーム８に対して移動させることに
よって、石英ガラス基板１上面に任意の形状のコアパタ
ーン溝を加工することができる。
ム８を照射し、ＸＹ駆動装置９を動かし、石英ガラス基
板１をＣＯ2 レーザビーム８に対して移動させることに
よって、石英ガラス基板１上面に任意の形状のコアパタ
ーン溝を加工することができる。
【００２０】図３は本実施例の光導波路の製造方法によ
って製造された直線導波路の例を示したものである。Ｓ
ｉＯ2 基板１の表面にＣＯ2 レーザ加工でコアパターン
溝２を形成し、溝内に高屈折率コア膜３を埋め込み、そ
の上に低屈折率クラッド膜４を形成したものである。コ
アパターン溝２の形状は直線である。
って製造された直線導波路の例を示したものである。Ｓ
ｉＯ2 基板１の表面にＣＯ2 レーザ加工でコアパターン
溝２を形成し、溝内に高屈折率コア膜３を埋め込み、そ
の上に低屈折率クラッド膜４を形成したものである。コ
アパターン溝２の形状は直線である。
【００２１】図４は本実施例で製造した光導波路型Ｙ分
岐回路の例を示したものである。この例では、基板には
ＳｉＯ2 にＢとＮａが微少量含まれた高珪酸ガラス（商
品名バイコールガラス、米国コーニングガラス社製）基
板１５を用いている。コアパターン溝２の形状はＹ型で
ある。このＹ分岐回路１６は入力部へ入射した矢印２０
で示す光信号を２つの出力部へ等分配して矢印２１及び
２２のごとく光信号を出力させる光回路である。上記回
路１６を縦続接続していけば１入力ｎ出力（ｎ≧４）の
光スターカプラを実現することが可能である。
岐回路の例を示したものである。この例では、基板には
ＳｉＯ2 にＢとＮａが微少量含まれた高珪酸ガラス（商
品名バイコールガラス、米国コーニングガラス社製）基
板１５を用いている。コアパターン溝２の形状はＹ型で
ある。このＹ分岐回路１６は入力部へ入射した矢印２０
で示す光信号を２つの出力部へ等分配して矢印２１及び
２２のごとく光信号を出力させる光回路である。上記回
路１６を縦続接続していけば１入力ｎ出力（ｎ≧４）の
光スターカプラを実現することが可能である。
【００２２】図５は本実施例で製造した光導波路型方向
性結合回路の例を示したものである。この例では、基板
にＳｉ基板１７を用い、そのＳｉ基板１７の上にＳｉＯ
2 膜１８が形成され、このＳｉＯ2 膜１８にコアパター
ン溝２が加工されている。コアパターン溝２の形状は、
直線と曲線の組み合わせた形状である。方向性結合回路
１９は光信号を分配、合流したり、波長選択機能をもた
せたりすることができる。
性結合回路の例を示したものである。この例では、基板
にＳｉ基板１７を用い、そのＳｉ基板１７の上にＳｉＯ
2 膜１８が形成され、このＳｉＯ2 膜１８にコアパター
ン溝２が加工されている。コアパターン溝２の形状は、
直線と曲線の組み合わせた形状である。方向性結合回路
１９は光信号を分配、合流したり、波長選択機能をもた
せたりすることができる。
【００２３】なお、その他の光導波路として、直線、曲
線の溝状パターンを組合せたリング共振回路、交差回路
などを構成することができる。また、導波路の特性を向
上するために、石英ガラス基板の代わりに、上記Ｂ，Ｎ
ａの他に、Ｔｉ，Ｇｅ，Ｆ，Ｐ，Ａｌなどの屈折率制御
用添加物を少なくとも１種含んだ石英ガラス基板を用い
てもよい。
線の溝状パターンを組合せたリング共振回路、交差回路
などを構成することができる。また、導波路の特性を向
上するために、石英ガラス基板の代わりに、上記Ｂ，Ｎ
ａの他に、Ｔｉ，Ｇｅ，Ｆ，Ｐ，Ａｌなどの屈折率制御
用添加物を少なくとも１種含んだ石英ガラス基板を用い
てもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、石英ガラス基板上にＣ
Ｏ2 レーザ光を照射することによってコアパターン溝を
形成し、その溝内に高屈折率のコア膜を埋め込み、最後
に基板上面全体を低屈折率の膜で覆って光導波路を製造
するようにしたので、フォトリソグラフィ及びエッチン
グ技術を用いていた従来のものに比して、非常に簡単
に、短時間に、低コストで作ることができる。またＣＯ
2 レーザビームによる溝加工はクリーンな雰囲気で、非
常に滑らかな面を形成することができるので、光散乱損
失の極めて低い光導波路を実現することができる。
Ｏ2 レーザ光を照射することによってコアパターン溝を
形成し、その溝内に高屈折率のコア膜を埋め込み、最後
に基板上面全体を低屈折率の膜で覆って光導波路を製造
するようにしたので、フォトリソグラフィ及びエッチン
グ技術を用いていた従来のものに比して、非常に簡単
に、短時間に、低コストで作ることができる。またＣＯ
2 レーザビームによる溝加工はクリーンな雰囲気で、非
常に滑らかな面を形成することができるので、光散乱損
失の極めて低い光導波路を実現することができる。
【図１】本発明の光導波路の製造方法の実施例を示す工
程図。
程図。
【図２】本発明の石英系ガラス基板上への溝加工装置の
実施例を示す構成図。
実施例を示す構成図。
【図３】本発明により製造される光導波路の実施例を示
す側面図及び平面図。
す側面図及び平面図。
【図４】本発明により製造される光導波路型Ｙ分岐回路
の実施例を示す側面図及び平面図。
の実施例を示す側面図及び平面図。
【図５】本発明により製造される光導波路型方向性結合
回路の実施例を示す側面図及び平面図。
回路の実施例を示す側面図及び平面図。
【図６】従来の光導波路の製造方法の工程図。
１ 石英ガラス基板 ２ コアパターン溝 ３ 高屈折率のコア膜 ４ 低屈折率のクラッド膜
Claims (4)
- 【請求項１】石英ガラス基板上にＣＯ2 レーザービーム
を照射し、上記石英ガラス基板をＣＯ2 レーザビームに
対して相対移動させることによって、上記石英ガラス基
板上面にコアパターン溝を加工する工程と、該コアパタ
ーン溝内に上記石英ガラス基板よりも高屈折率のコア膜
を埋め込む工程と、該高屈折率のコア膜を埋め込んだ石
英ガラス基板の上面全体を上記コア膜よりも低屈折率の
クラッド膜で覆う工程とを備えた光導波路の製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の光導波路の製造方法にお
いて、上記コアパターン溝を加工する工程は、該コアパ
ターン溝が直線、曲線、あるいはそれらの組合せからな
り、方向性結合回路、Ｙ分岐回路、リング共振回路、交
差回路などのパターンを少なくとも一つ加工する工程で
ある光導波路の製造方法。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の光導波路の製造
方法において、上記高屈折率のコア膜及び低屈折率のク
ラッド膜として、酸化膜、高分子膜のいずれかを用いた
光導波路の製造方法。 - 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の光導
波路の製造方法において、上記石英ガラス基板の代わり
に、Ｂ，Ｔｉ，Ｇｅ，Ｆ，Ｐ，Ｎａ，Ａｌなどの屈折率
制御用添加物を少なくも１種含んだ石英ガラス基板を用
いた光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19977194A JPH0862445A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19977194A JPH0862445A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862445A true JPH0862445A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16413346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19977194A Pending JPH0862445A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0862445A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7007512B2 (en) * | 2000-11-17 | 2006-03-07 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method for machining glass substrate |
| US7494923B2 (en) | 2004-06-14 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of wiring substrate and semiconductor device |
| US7585783B2 (en) * | 2003-04-25 | 2009-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Drop discharge apparatus, method for forming pattern and method for manufacturing semiconductor device |
| US7812355B2 (en) | 2004-03-03 | 2010-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television |
| US7939888B2 (en) | 2004-01-26 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and television device using the same |
| US8222636B2 (en) | 2004-03-24 | 2012-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP19977194A patent/JPH0862445A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7939888B2 (en) | 2004-01-26 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and television device using the same |
| US8518760B2 (en) | 2004-01-26 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing thereof, and television device |
| US7812355B2 (en) | 2004-03-03 | 2010-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television |
| US8222636B2 (en) | 2004-03-24 | 2012-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus |
| US7494923B2 (en) | 2004-06-14 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of wiring substrate and semiconductor device |
| US8102005B2 (en) | 2004-06-14 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring substrate, semiconductor device and manufacturing method thereof |
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