JPH0863109A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH0863109A JPH0863109A JP20069494A JP20069494A JPH0863109A JP H0863109 A JPH0863109 A JP H0863109A JP 20069494 A JP20069494 A JP 20069494A JP 20069494 A JP20069494 A JP 20069494A JP H0863109 A JPH0863109 A JP H0863109A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 85
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置毎の輝度ばらつきの少ない表示装置を提
供する。 【構成】 基板と、基板上に載置された発光ダイオード
と、発光ダイオードを囲み上方が開放された反射部を有
し基板上に設けられた反射枠と、発光ダイオードを囲む
様に所定の形状に切削加工され下方が開放された凹部を
有し、反射部と基板に囲れた領域に設けられた第1透光
性樹脂と、発光ダイオードを覆う様に凹部内に充填され
た第2透光性樹脂とを設ける。
供する。 【構成】 基板と、基板上に載置された発光ダイオード
と、発光ダイオードを囲み上方が開放された反射部を有
し基板上に設けられた反射枠と、発光ダイオードを囲む
様に所定の形状に切削加工され下方が開放された凹部を
有し、反射部と基板に囲れた領域に設けられた第1透光
性樹脂と、発光ダイオードを覆う様に凹部内に充填され
た第2透光性樹脂とを設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は輝度ばらつきの少ない表
示装置に関する。
示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、発光ダイオードを用いた表示装置
が特公昭62−13668号公報に開示され、本発明者
がその装置の熱的問題を解決した表示装置を図10に従
い説明する。図10(a)はその装置の側面断面図、図
10(b)はそれの正面図である。これらの図に於て、
基板51上にリードフレーム52〜57が設けられ、発
光ダイオード58、59がリードフレーム56上に載置
され配線されている。そして、発光ダイオード58、5
9を囲む反射部60、61を有する反射枠62がリード
フレーム52〜57上に設けられている。発光ダイオー
ド58、59を覆う様に、硬度の小さい透光性樹脂6
3、64が塗布され硬化した後に、硬度の高い透光性樹
脂65、66が設けられている。そして大基板67の裏
面に、表示装置のリードフレーム52〜55が半田付け
され、複数の端子68(図では1個だけ表示している)
と各々のリードフレームが電気的接続されている。
が特公昭62−13668号公報に開示され、本発明者
がその装置の熱的問題を解決した表示装置を図10に従
い説明する。図10(a)はその装置の側面断面図、図
10(b)はそれの正面図である。これらの図に於て、
基板51上にリードフレーム52〜57が設けられ、発
光ダイオード58、59がリードフレーム56上に載置
され配線されている。そして、発光ダイオード58、5
9を囲む反射部60、61を有する反射枠62がリード
フレーム52〜57上に設けられている。発光ダイオー
ド58、59を覆う様に、硬度の小さい透光性樹脂6
3、64が塗布され硬化した後に、硬度の高い透光性樹
脂65、66が設けられている。そして大基板67の裏
面に、表示装置のリードフレーム52〜55が半田付け
され、複数の端子68(図では1個だけ表示している)
と各々のリードフレームが電気的接続されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この様な表示装置で
は、装置毎の輝度ばらつきが大きい欠点がある。本発明
者がその原因を究明したところ、第1に、透光性樹脂6
3、64の形状が装置毎にばらつくからである。すなわ
ち透光性樹脂63、64は例えば注射器等により一定量
の樹脂を滴下され硬化したものであるが、その周囲に規
制するものがないため、曲率半径の種々のものが形成さ
れるからである。この透光性樹脂63、64の形状が一
定でないので、発光ダイオード58、59から発っせら
れ、透光性樹脂63、64を通る光の量がばらつくため
である事が判った。
は、装置毎の輝度ばらつきが大きい欠点がある。本発明
者がその原因を究明したところ、第1に、透光性樹脂6
3、64の形状が装置毎にばらつくからである。すなわ
ち透光性樹脂63、64は例えば注射器等により一定量
の樹脂を滴下され硬化したものであるが、その周囲に規
制するものがないため、曲率半径の種々のものが形成さ
れるからである。この透光性樹脂63、64の形状が一
定でないので、発光ダイオード58、59から発っせら
れ、透光性樹脂63、64を通る光の量がばらつくため
である事が判った。
【0004】第2の原因は、反射枠62の下面と基板5
1との間に隙間69〜73が生じ、その隙間から透光性
樹脂65、66が漏れ、しかもその漏れ量が各隙間およ
び各装置に於てばらつくからである。故に、本発明はこ
の様な従来の欠点を考慮して装置毎の輝度ばらつきの少
ない表示装置を提供するものである。
1との間に隙間69〜73が生じ、その隙間から透光性
樹脂65、66が漏れ、しかもその漏れ量が各隙間およ
び各装置に於てばらつくからである。故に、本発明はこ
の様な従来の欠点を考慮して装置毎の輝度ばらつきの少
ない表示装置を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに第1の本発明は、基板と、基板上に載置された発光
ダイオードと、発光ダイオードを囲み上方が開放された
反射部を有し基板上に設けられた反射枠と、発光ダイオ
ードを囲む様に所定の形状に切削加工され下方が開放さ
れた凹部を有し、反射部と基板に囲れた領域に設けられ
た第1透光性樹脂と、発光ダイオードを覆う様に凹部内
に充填された第2透光性樹脂とを設けるものである。
めに第1の本発明は、基板と、基板上に載置された発光
ダイオードと、発光ダイオードを囲み上方が開放された
反射部を有し基板上に設けられた反射枠と、発光ダイオ
ードを囲む様に所定の形状に切削加工され下方が開放さ
れた凹部を有し、反射部と基板に囲れた領域に設けられ
た第1透光性樹脂と、発光ダイオードを覆う様に凹部内
に充填された第2透光性樹脂とを設けるものである。
【0006】そして第2の本発明は、基板と、基板上に
載置され発光ダイオードと、発光ダイオードを囲み上方
が開放された反射部およびその周囲に位置する突出部を
有し基板の上方に設けられた反射枠と、発光ダイオード
を覆う様に反射部と基板に囲れた領域に設けられた透光
性樹脂と、突出部と基板との間に形成された封止具とを
設けるものである。
載置され発光ダイオードと、発光ダイオードを囲み上方
が開放された反射部およびその周囲に位置する突出部を
有し基板の上方に設けられた反射枠と、発光ダイオード
を覆う様に反射部と基板に囲れた領域に設けられた透光
性樹脂と、突出部と基板との間に形成された封止具とを
設けるものである。
【0007】
【作用】上述の様に第1の本発明では、発光ダイオード
は第1透光性樹脂に於て所定形状に切削加工された凹部
内に設けられた第2透光性樹脂に覆われている。故に第
2透光性樹脂の形状はばらつきなく形成出来るので、発
光ダイオードから発っせられた第2透光性樹脂で中心寄
りに集められ、第1透光性樹脂を通り外部に出る光の量
は略一定になり、装置毎の輝度ばらつきが少なくなる。
は第1透光性樹脂に於て所定形状に切削加工された凹部
内に設けられた第2透光性樹脂に覆われている。故に第
2透光性樹脂の形状はばらつきなく形成出来るので、発
光ダイオードから発っせられた第2透光性樹脂で中心寄
りに集められ、第1透光性樹脂を通り外部に出る光の量
は略一定になり、装置毎の輝度ばらつきが少なくなる。
【0008】そして第2の本発明では、反射枠の突出部
と基板との間に封止具を設ける事により、反射枠と基板
との隙間から透光性樹脂が濡れる事を防止出来る。故に
発光ダイオードを覆う透光性樹脂の量は略一定になり、
発光ダイオードから発っせられ装置外に出る光の量が略
一定となり、装置毎の輝度ばらつきが少なくなる。
と基板との間に封止具を設ける事により、反射枠と基板
との隙間から透光性樹脂が濡れる事を防止出来る。故に
発光ダイオードを覆う透光性樹脂の量は略一定になり、
発光ダイオードから発っせられ装置外に出る光の量が略
一定となり、装置毎の輝度ばらつきが少なくなる。
【0009】
【実施例】以下に本発明の第1実施例を図1に従い説明
する。図1(a)は本実施例に係る表示装置の平面図、
図1(b)はそれの正面図、図1(c)は図1(b)の
A部の詳細断面図である。これらの図に於て、基板1は
厚さ0.5〜2mmでありガラスエポキシ樹脂等からな
る。導電層2、3は基板1の表面に所定の形状に形成さ
れたものであり、銅箔等からなる。
する。図1(a)は本実施例に係る表示装置の平面図、
図1(b)はそれの正面図、図1(c)は図1(b)の
A部の詳細断面図である。これらの図に於て、基板1は
厚さ0.5〜2mmでありガラスエポキシ樹脂等からな
る。導電層2、3は基板1の表面に所定の形状に形成さ
れたものであり、銅箔等からなる。
【0010】発光ダイオード4は導電層2上に導電性接
着材(図示せず)を介して載置固着されている。発光ダ
イオード4は例えば燐化ガリウムからなり、1辺が0.
2〜0.4mmの略立方体であり、赤色を発光するもの
である。この様に例えば1グループにつき7個の発光ダ
イオード4が「日」の字状に配置されている。発光ダイ
オード4は金属細線により導電層3に配線されている。
着材(図示せず)を介して載置固着されている。発光ダ
イオード4は例えば燐化ガリウムからなり、1辺が0.
2〜0.4mmの略立方体であり、赤色を発光するもの
である。この様に例えば1グループにつき7個の発光ダ
イオード4が「日」の字状に配置されている。発光ダイ
オード4は金属細線により導電層3に配線されている。
【0011】反射枠5は基板1の導電層2、3の上に配
置され、複数の反射部6が形成され例えばABS樹脂、
ポリビニルテレフタレート、エポキシ樹脂等からなり、
その表面は黒色又は灰色の塗装が施こされている。反射
枠6を平面から見れば、1グループにつき7個用いら
れ、「日」の字状に配置され、この様なグループが4個
形成されている。また反射部6は発光ダイオード4を囲
む位置にあり、上方に行く程開口面積が広がる様に形成
されている。反射枠5の下方には突起7が形成され、こ
の突起7が基板1に挿入され、その先端部が熱溶着され
る事により、基板1に固定されている。
置され、複数の反射部6が形成され例えばABS樹脂、
ポリビニルテレフタレート、エポキシ樹脂等からなり、
その表面は黒色又は灰色の塗装が施こされている。反射
枠6を平面から見れば、1グループにつき7個用いら
れ、「日」の字状に配置され、この様なグループが4個
形成されている。また反射部6は発光ダイオード4を囲
む位置にあり、上方に行く程開口面積が広がる様に形成
されている。反射枠5の下方には突起7が形成され、こ
の突起7が基板1に挿入され、その先端部が熱溶着され
る事により、基板1に固定されている。
【0012】第1透光性樹脂8は下方が開放された凹部
9を有し、反射枠5に形成された反射部6と基板1に囲
れた領域に充填され硬化されたものである。凹部9は所
定の形状に、例えば略ドーム状に切削加工により削りと
られたものであり、発光ダイオード4および金属細線を
囲む位置に形成されている。第1透光性樹脂8は例えば
エポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂等から
なり、必要に応じて光散乱剤や着色剤が混入してある。
この様に第1透光性樹脂8は比較的硬度の高い樹脂から
なり、発光ダイオード4および金属細線を外部からの振
動、応力から保護する役目を果す。
9を有し、反射枠5に形成された反射部6と基板1に囲
れた領域に充填され硬化されたものである。凹部9は所
定の形状に、例えば略ドーム状に切削加工により削りと
られたものであり、発光ダイオード4および金属細線を
囲む位置に形成されている。第1透光性樹脂8は例えば
エポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂等から
なり、必要に応じて光散乱剤や着色剤が混入してある。
この様に第1透光性樹脂8は比較的硬度の高い樹脂から
なり、発光ダイオード4および金属細線を外部からの振
動、応力から保護する役目を果す。
【0013】第2透光性樹脂10は発光ダイオード4お
よび金属細線を覆う様に凹部9内に充填され硬化された
ものであり、例えばシリコン樹脂の様に比較的硬度の低
い樹脂からなる。この様に、発光ダイオード4および金
属細線の周辺に柔い第2透光性樹脂10を設ける事によ
り、発光ダイオード4および金属細線は外部からの応力
に対し影響を受けにくい。
よび金属細線を覆う様に凹部9内に充填され硬化された
ものであり、例えばシリコン樹脂の様に比較的硬度の低
い樹脂からなる。この様に、発光ダイオード4および金
属細線の周辺に柔い第2透光性樹脂10を設ける事によ
り、発光ダイオード4および金属細線は外部からの応力
に対し影響を受けにくい。
【0014】望しくは、基板1の表面に於て反射枠5が
設けられていない部分に、端子11が設けられている。
各々の端子11は導電層2、3と電気的接続されかつ導
電層2、3と離れて基板1の表面に設けられ、各発光ダ
イオード4への外部からの電源と接続されるものであ
る。これらの部材により、本実施例の表示装置12が構
成されている。
設けられていない部分に、端子11が設けられている。
各々の端子11は導電層2、3と電気的接続されかつ導
電層2、3と離れて基板1の表面に設けられ、各発光ダ
イオード4への外部からの電源と接続されるものであ
る。これらの部材により、本実施例の表示装置12が構
成されている。
【0015】次に、この表示装置12の製造について、
図2の製造工程図に従い説明する。最初に図2(a)に
示す様に、突起7が上方に向く様に反射枠5を配置し、
その下面にシート13を貼る。そして、反射枠5の反射
部6に第1透光性樹脂14を充填し硬化させる。
図2の製造工程図に従い説明する。最初に図2(a)に
示す様に、突起7が上方に向く様に反射枠5を配置し、
その下面にシート13を貼る。そして、反射枠5の反射
部6に第1透光性樹脂14を充填し硬化させる。
【0016】そして図2(b)に示す様に、第1透光性
樹脂14の露出面に例えばドリル等により所定形状の凹
部9を設ける。ドリルの形状を所定の形に加工する事に
より所望の形状の凹部9が得られる。また、凹部9はそ
の他にエンドミル等による切削加工を施こしても良い。
樹脂14の露出面に例えばドリル等により所定形状の凹
部9を設ける。ドリルの形状を所定の形に加工する事に
より所望の形状の凹部9が得られる。また、凹部9はそ
の他にエンドミル等による切削加工を施こしても良い。
【0017】次に図2(c)に示す様に、第1透光性樹
脂8の凹部9内に第2透光性樹脂10を所定量充填す
る。この様に凹部9は切削加工されているので、全数共
に所定の形状に形成され、第2透光性樹脂10はこの凹
部9内に設けられるので、全数共に所定形状例えば所定
の曲率半径を持つドーム状に形成される。そして、基板
1に導電層2、3が形成され、発光ダイオード4が載置
され配線された基板セット15が、発光ダイオード4が
下向きになる様に準備される。
脂8の凹部9内に第2透光性樹脂10を所定量充填す
る。この様に凹部9は切削加工されているので、全数共
に所定の形状に形成され、第2透光性樹脂10はこの凹
部9内に設けられるので、全数共に所定形状例えば所定
の曲率半径を持つドーム状に形成される。そして、基板
1に導電層2、3が形成され、発光ダイオード4が載置
され配線された基板セット15が、発光ダイオード4が
下向きになる様に準備される。
【0018】そして基板1の透孔に反射枠5の突起7が
押入され、図2(d)に示す様に突起7の先端が熱溶着
され、基板セット15が反射枠5に固定される。この様
に発光ダイオード4と金属細線が凹部9内に収納され、
第2透光性樹脂10が硬化される。その後にシート13
を外せば、表示装置12が得られる。
押入され、図2(d)に示す様に突起7の先端が熱溶着
され、基板セット15が反射枠5に固定される。この様
に発光ダイオード4と金属細線が凹部9内に収納され、
第2透光性樹脂10が硬化される。その後にシート13
を外せば、表示装置12が得られる。
【0019】この表示装置12は文字や図形を表示する
ものであるが、液晶表示装置等に用いられる平面光源に
も利用出来、それを本発明の第2実施例として、図3の
断面図に従い説明する。この図に於て、基板1a上に導
電層2a〜3cが形成され、各導電層上に各発光ダイオ
ード4が載置され配線されている。第1透光性樹脂8a
に凹部9a〜9cが切削加工され、各発光ダイオード4
および金属細線を囲む位置に形成されている。第2透光
性樹脂10a〜10cが凹部9a〜9c内に設けられて
いる。この様に切削加工された凹部9a〜9cは略同一
形状に形成出来るので、第2透光性樹脂10a〜10c
も略同一形状となる。故に、装置毎の輝度ばらつきが少
なくなり、また同一装置での各光源での輝度が略同一と
なり均一輝度が得られる。
ものであるが、液晶表示装置等に用いられる平面光源に
も利用出来、それを本発明の第2実施例として、図3の
断面図に従い説明する。この図に於て、基板1a上に導
電層2a〜3cが形成され、各導電層上に各発光ダイオ
ード4が載置され配線されている。第1透光性樹脂8a
に凹部9a〜9cが切削加工され、各発光ダイオード4
および金属細線を囲む位置に形成されている。第2透光
性樹脂10a〜10cが凹部9a〜9c内に設けられて
いる。この様に切削加工された凹部9a〜9cは略同一
形状に形成出来るので、第2透光性樹脂10a〜10c
も略同一形状となる。故に、装置毎の輝度ばらつきが少
なくなり、また同一装置での各光源での輝度が略同一と
なり均一輝度が得られる。
【0020】次に本発明を集合ランプに用いたものを、
本発明の第3実施例として図4の断面図に従い説明す
る。この図に於て、各導電層2d、2e、2f上に各発
光ダイオード4が載置、配線されている。第1透光性樹
脂8bに凹部9d〜9fが切削加工されている。第2透
光性樹脂10d〜10fが凹部9d〜9f内に設けられ
ている。各発光ダイオード4は平面から見れば、導電部
2d〜2f上に同心円状に配置され、各発光ダイオード
4の上方に位置する様に、第1透光性樹脂8bの表面に
同心円状に凸部16が形成されている。そして、第1透
光性樹脂8bの底面部分には、下方に開放された凹部1
7が形成され、凹部9d〜9fから溢れ出た第2透光性
樹脂10d、10e、10fの溜りとなっている。この
様な溜りを設ける事により、余分な第2透光性樹脂が基
盤16と第1透光性樹脂8bの底面との隙間に入り込
み、両者が斜交し、各発光ダイオード4からの光が凸部
16の中心からずれ、輝度不足になる事を防止してい
る。
本発明の第3実施例として図4の断面図に従い説明す
る。この図に於て、各導電層2d、2e、2f上に各発
光ダイオード4が載置、配線されている。第1透光性樹
脂8bに凹部9d〜9fが切削加工されている。第2透
光性樹脂10d〜10fが凹部9d〜9f内に設けられ
ている。各発光ダイオード4は平面から見れば、導電部
2d〜2f上に同心円状に配置され、各発光ダイオード
4の上方に位置する様に、第1透光性樹脂8bの表面に
同心円状に凸部16が形成されている。そして、第1透
光性樹脂8bの底面部分には、下方に開放された凹部1
7が形成され、凹部9d〜9fから溢れ出た第2透光性
樹脂10d、10e、10fの溜りとなっている。この
様な溜りを設ける事により、余分な第2透光性樹脂が基
盤16と第1透光性樹脂8bの底面との隙間に入り込
み、両者が斜交し、各発光ダイオード4からの光が凸部
16の中心からずれ、輝度不足になる事を防止してい
る。
【0021】次に、上述の第1乃至第3実施例よりも構
造の簡単な第4実施例を図5に従い説明する。図5
(a)は本実施例に係る表示装置の平面図、図5(b)
は図5(a)のBB断面図である。これらの図に於て、
ガラスエポキシ樹脂等からなる基板18上に、導電層1
9、20が所定形状に形成されている。
造の簡単な第4実施例を図5に従い説明する。図5
(a)は本実施例に係る表示装置の平面図、図5(b)
は図5(a)のBB断面図である。これらの図に於て、
ガラスエポキシ樹脂等からなる基板18上に、導電層1
9、20が所定形状に形成されている。
【0022】燐化ガリウム等からなる発光ダイオード2
1は導電層19上に載置され、配線されている。反射枠
22は発光ダイオード21を囲み上方が開放された反射
部23と、その周囲に位置する突出部24が形成されて
いる。反射部23は上方に行く程開口面積が広がる様に
形成されている。突出部24は反射部23と略平行に下
方に突出する様に形成されている。
1は導電層19上に載置され、配線されている。反射枠
22は発光ダイオード21を囲み上方が開放された反射
部23と、その周囲に位置する突出部24が形成されて
いる。反射部23は上方に行く程開口面積が広がる様に
形成されている。突出部24は反射部23と略平行に下
方に突出する様に形成されている。
【0023】透光性樹脂25は発光ダイオード21を覆
う様に反射部23と基板18に囲れた領域に設けられて
おり、例えばエポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリ
ル樹脂等からなる。封止具26は突出部24の底面と基
板18の表面との間に設けられ、例えば白色系シリコン
樹脂等からなる。反射枠22の下方に突起27が形成さ
れ、この突起27が基板18に挿入され、その先端部が
熱溶着されている。これらの部材により、本実施例の表
示装置28が構成されている。
う様に反射部23と基板18に囲れた領域に設けられて
おり、例えばエポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリ
ル樹脂等からなる。封止具26は突出部24の底面と基
板18の表面との間に設けられ、例えば白色系シリコン
樹脂等からなる。反射枠22の下方に突起27が形成さ
れ、この突起27が基板18に挿入され、その先端部が
熱溶着されている。これらの部材により、本実施例の表
示装置28が構成されている。
【0024】次に、この表示装置28の製造について、
図6の製造工程図に従い説明する。最初に図6(a)に
示す様に、突起27が上方に向く様に反射枠22を配置
し、ハケ29等により突出部24の面に白色系シリコン
樹脂30を塗布する。そして図6(b)に示す様に、基
板18に導電層19、20が形成され、発光ダイオード
21が載置され配線された基板セット31が、発光ダイ
オード21が下向きになる様に準備される。
図6の製造工程図に従い説明する。最初に図6(a)に
示す様に、突起27が上方に向く様に反射枠22を配置
し、ハケ29等により突出部24の面に白色系シリコン
樹脂30を塗布する。そして図6(b)に示す様に、基
板18に導電層19、20が形成され、発光ダイオード
21が載置され配線された基板セット31が、発光ダイ
オード21が下向きになる様に準備される。
【0025】そして、基板18の透孔に反射枠22の突
起27が挿入され、図6(c)に示す様に突起27の先
端が熱溶着される。そして封止具26により、基板18
と反射枠22の隙間はシールされる。次に、図6(d)
に示す様に、ディスペンサー32等により、反射部23
内に透光性樹脂25を滴下し、硬化させ、工程を終了す
る。
起27が挿入され、図6(c)に示す様に突起27の先
端が熱溶着される。そして封止具26により、基板18
と反射枠22の隙間はシールされる。次に、図6(d)
に示す様に、ディスペンサー32等により、反射部23
内に透光性樹脂25を滴下し、硬化させ、工程を終了す
る。
【0026】この様に封止具26を設ける事により、透
光性樹脂25が硬化する前に濡れないので、発光ダイオ
ード21を覆う透光性樹脂25の量が略一定となり、発
光ダイオード21から発っせられ装置外に出る光量が略
一定となり、装置毎の輝度ばらつきが少なくなる。
光性樹脂25が硬化する前に濡れないので、発光ダイオ
ード21を覆う透光性樹脂25の量が略一定となり、発
光ダイオード21から発っせられ装置外に出る光量が略
一定となり、装置毎の輝度ばらつきが少なくなる。
【0027】そして、封止具26は白色系シコン樹脂等
を用いるので、基板18と反射枠22との間で放出光の
光量ロスが少ない。そして図2の第1実施例の装置では
製造工程に於て、シート13を貼るので、第1透光性樹
脂8の表面に虫くいの様なスポットが出来る。これに対
して本実施例の表示装置28では、シート13を用いな
いので、透光性樹脂25の表面は平坦に形成出来る。
を用いるので、基板18と反射枠22との間で放出光の
光量ロスが少ない。そして図2の第1実施例の装置では
製造工程に於て、シート13を貼るので、第1透光性樹
脂8の表面に虫くいの様なスポットが出来る。これに対
して本実施例の表示装置28では、シート13を用いな
いので、透光性樹脂25の表面は平坦に形成出来る。
【0028】また、第1実施例の表示装置12では製造
工程に於て、シート13を貼り、その上方から第1透光
性樹脂を充填するので、第1透光性樹脂8の表面と反射
枠5の表面は同一高さにならざるを得ない。そのため非
点灯時も外光の影響を受けて点灯している様に見える欠
点がある。
工程に於て、シート13を貼り、その上方から第1透光
性樹脂を充填するので、第1透光性樹脂8の表面と反射
枠5の表面は同一高さにならざるを得ない。そのため非
点灯時も外光の影響を受けて点灯している様に見える欠
点がある。
【0029】これに対して本実施例の表示装置28では
製造工程に於て、反射枠22の表面側から透光性樹脂を
充填するので、透光性樹脂25の表面の高さを反射枠2
2の表面の高さより低く形成する事が出来る。そのため
非点灯時に外光の影響を受けにくく点灯している様に見
えないので、非点灯時と点灯時のコントラストが良くな
り、視認性が向上する。
製造工程に於て、反射枠22の表面側から透光性樹脂を
充填するので、透光性樹脂25の表面の高さを反射枠2
2の表面の高さより低く形成する事が出来る。そのため
非点灯時に外光の影響を受けにくく点灯している様に見
えないので、非点灯時と点灯時のコントラストが良くな
り、視認性が向上する。
【0030】次に、本実施例の表示装置よりも長寿命が
得られる第5実施例を図7の断面図に従い説明する。こ
の図に於て、例えばシリコン樹脂等の様に比較的硬度の
低い樹脂からなる第1透光性樹脂33が発光ダイオード
21および金属細線を覆う様に形成されている。そして
エポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂等から
なる比較的硬度の高い樹脂からなる第2透光性樹脂34
が第1透光性樹脂33の上に形成されている。この様
に、発光ダイオード21および金属細線の周辺に柔い第
2透光性樹脂33を設ける事により、発光ダイオード2
1および金属細線は外部からの応力に対し影響を受けに
くい。その結果、発光ダイオード21の寿命が長くな
り、金属細線の断線がなくなる。
得られる第5実施例を図7の断面図に従い説明する。こ
の図に於て、例えばシリコン樹脂等の様に比較的硬度の
低い樹脂からなる第1透光性樹脂33が発光ダイオード
21および金属細線を覆う様に形成されている。そして
エポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂等から
なる比較的硬度の高い樹脂からなる第2透光性樹脂34
が第1透光性樹脂33の上に形成されている。この様
に、発光ダイオード21および金属細線の周辺に柔い第
2透光性樹脂33を設ける事により、発光ダイオード2
1および金属細線は外部からの応力に対し影響を受けに
くい。その結果、発光ダイオード21の寿命が長くな
り、金属細線の断線がなくなる。
【0031】そして液晶表示装置等に用いられる平面光
源を本発明の第6実施例として、図8の断面図に従い説
明する。この図に於て、基板18a上に導電層19b〜
20dが形成され、各導電層上に各発光ダイオード21
が載置され配線されている。例えば白色系シリコン樹脂
等からなる封止具26aが反射枠22aに形成された突
出部24aの底面と基板18aとの間に設けられてい
る。透光性樹脂25aが発光ダイオード21および金属
細線を覆う様に、反射枠22aの反射部23aと基板1
8aに囲れた領域内に形成されている。これらの部材に
より本実施例の表示装置が構成されている。
源を本発明の第6実施例として、図8の断面図に従い説
明する。この図に於て、基板18a上に導電層19b〜
20dが形成され、各導電層上に各発光ダイオード21
が載置され配線されている。例えば白色系シリコン樹脂
等からなる封止具26aが反射枠22aに形成された突
出部24aの底面と基板18aとの間に設けられてい
る。透光性樹脂25aが発光ダイオード21および金属
細線を覆う様に、反射枠22aの反射部23aと基板1
8aに囲れた領域内に形成されている。これらの部材に
より本実施例の表示装置が構成されている。
【0032】次に上述の平面光源と異なる他の平面光源
を本発明の第7実施例として、図9に従い説明する。図
9(a)はその表示装置(平面光源)の平面図、図9
(b)はそれの断面図である。これらの図に於て、反射
枠35は例えばABS樹脂、ポリビニルテレフタレート
樹脂からなり、外形が略直方体であり、略中央に反射部
36が形成されている。
を本発明の第7実施例として、図9に従い説明する。図
9(a)はその表示装置(平面光源)の平面図、図9
(b)はそれの断面図である。これらの図に於て、反射
枠35は例えばABS樹脂、ポリビニルテレフタレート
樹脂からなり、外形が略直方体であり、略中央に反射部
36が形成されている。
【0033】基板37は例えばガラスエポキシ樹脂等か
らなり、その表面に導電層38、39が形成され、発光
ダイオード40が導電層38上に載置され配線されてい
る。白色系シリコン樹脂等からなる封止具41が反射枠
35の底面と基板との間に設けられ、封止具42が反射
枠35の側面と基板37の側面との間に設けられてい
る。例えばエポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル
樹脂等からなる透光性樹脂43が、発光ダイオード40
と金属細線を覆う様に、反射部36と基板37とに囲れ
た領域に設けられている。これらの部材により本実施例
の表示装置が構成されている。
らなり、その表面に導電層38、39が形成され、発光
ダイオード40が導電層38上に載置され配線されてい
る。白色系シリコン樹脂等からなる封止具41が反射枠
35の底面と基板との間に設けられ、封止具42が反射
枠35の側面と基板37の側面との間に設けられてい
る。例えばエポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル
樹脂等からなる透光性樹脂43が、発光ダイオード40
と金属細線を覆う様に、反射部36と基板37とに囲れ
た領域に設けられている。これらの部材により本実施例
の表示装置が構成されている。
【0034】
【発明の効果】上述の様に第1の本発明では、発光ダイ
オードは第1透光性樹脂に於て所定形状に切削加工され
た凹部内に設けられた第2透光性樹脂に覆われている。
故に第2透光性樹脂の形状はばらつきなく形成出来るの
で、発光ダイオードから発っせられた第2透光性樹脂で
中心寄りに集められ、第1透光性樹脂を通り外部に出る
光の量は略一定になり、装置毎の輝度ばらつきが少なく
なる。
オードは第1透光性樹脂に於て所定形状に切削加工され
た凹部内に設けられた第2透光性樹脂に覆われている。
故に第2透光性樹脂の形状はばらつきなく形成出来るの
で、発光ダイオードから発っせられた第2透光性樹脂で
中心寄りに集められ、第1透光性樹脂を通り外部に出る
光の量は略一定になり、装置毎の輝度ばらつきが少なく
なる。
【0035】そして第2の本発明では、反射枠の突出部
と基板の間に封止具を設ける事により、反射枠と基板と
の隙間から透光性樹脂が漏れる事を防止出来る。故に発
光ダイオードを覆う透光性樹脂の量は略一定になり、発
光ダイオードから発っせられた装置外に出る光の量が略
一定となり、装置毎の輝度ばらつきが少なくなる。
と基板の間に封止具を設ける事により、反射枠と基板と
の隙間から透光性樹脂が漏れる事を防止出来る。故に発
光ダイオードを覆う透光性樹脂の量は略一定になり、発
光ダイオードから発っせられた装置外に出る光の量が略
一定となり、装置毎の輝度ばらつきが少なくなる。
【図1】図1(a)は本発明の第1実施例に係る表示装
置の平面図、図1(b)はそれの正面図、図1(c)は
図1(b)のA部詳細図である。
置の平面図、図1(b)はそれの正面図、図1(c)は
図1(b)のA部詳細図である。
【図2】本発明の第1実施例に係る表示装置の製造工程
を示す図面である。
を示す図面である。
【図3】本発明の第2実施例に係る表示装置の断面図で
ある。
ある。
【図4】本発明の第3実施例に係る表示装置の断面図で
ある。
ある。
【図5】図5(a)は本発明の第4実施例に係る表示装
置の平面図、図5(b)は図5(a)のBB断面図であ
る。
置の平面図、図5(b)は図5(a)のBB断面図であ
る。
【図6】本発明の第4実施例に係る表示装置の製造工程
を示す図面である。
を示す図面である。
【図7】本発明の第5実施例に係る表示装置の断面図で
ある。
ある。
【図8】本発明の第6実施例に係る表示装置の断面図で
ある。
ある。
【図9】図9(a)は本発明の第7実施例に係る表示装
置の平面図、図9(b)はそれの断面図である。
置の平面図、図9(b)はそれの断面図である。
【図10】図10(a)は従来の表示装置の断面図であ
り、図10(b)はそれの正面図である。
り、図10(b)はそれの正面図である。
1 基板 4 発光ダイオード 5 反射枠 8 第1透光性樹脂 9 凹部 10 第2透光性樹脂
Claims (2)
- 【請求項1】 基板と、その基板上に載置された発光ダ
イオードと、その発光ダイオードを囲み上方が開放され
た反射部を有し前記基板上に設けられた反射枠と、前記
発光ダイオードを囲む様に所定の形状に切削加工され下
方が開放された凹部を有し、前記反射部と前記基板に囲
れた領域に設けられた第1透光性樹脂と、前記発光ダイ
オードを覆う様に前記凹部内に充填された第2透光性樹
脂とを具備した事を特徴とする表示装置。 - 【請求項2】 基板と、その基板上に載置された発光ダ
イオードと、その発光ダイオードを囲み上方が開放され
た反射部およびその周囲に位置する突出部を有し、前記
基板の上方に設けられた反射枠と、前記発光ダイオード
を覆う様に前記反射部と前記基板に囲れた領域に設けら
れた透光性樹脂と、前記突出部と前記基板との間に設け
られた封止具とを具備した事を特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20069494A JPH0863109A (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20069494A JPH0863109A (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0863109A true JPH0863109A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16428696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20069494A Pending JPH0863109A (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0863109A (ja) |
-
1994
- 1994-08-25 JP JP20069494A patent/JPH0863109A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040210 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |