JPH0864530A - 選択成長方法 - Google Patents
選択成長方法Info
- Publication number
- JPH0864530A JPH0864530A JP19833794A JP19833794A JPH0864530A JP H0864530 A JPH0864530 A JP H0864530A JP 19833794 A JP19833794 A JP 19833794A JP 19833794 A JP19833794 A JP 19833794A JP H0864530 A JPH0864530 A JP H0864530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gaas
- selective growth
- film
- growth method
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical group C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 abstract description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000001706 oxygenating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007539 photo-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＧａＡｓ成長膜中のカーボン濃度を低下させ
ることができる選択成長方法を提供する。 【構成】 ＧａＡｓ基板１１を成長室内に置き、ＴＥＧ
とＡｓとを同時照射し、ＧａＡｓのバッファ層の成長を
行った後、バッファ層を酸化して酸化膜１２を形成す
る。次ぎに、Ｇａ層１４を酸化膜１２の表面に選択的に
つけ、熱処理するとＧａ層１４の形成された部分の酸化
膜１２が選択的に除去されて、酸化膜１２中に開口部１
５ができる。開口部１５を有する酸化膜１２をマスクと
して、ＴＭＧとＴＤＭＡＡｓとを用い、ＧａＡｓ膜１６
を成長させる。 【効果】 ＧａＡｓ膜１６中に含まれるカーボン濃度
は、質量分析の検出感度以下まで低減できる。
ることができる選択成長方法を提供する。 【構成】 ＧａＡｓ基板１１を成長室内に置き、ＴＥＧ
とＡｓとを同時照射し、ＧａＡｓのバッファ層の成長を
行った後、バッファ層を酸化して酸化膜１２を形成す
る。次ぎに、Ｇａ層１４を酸化膜１２の表面に選択的に
つけ、熱処理するとＧａ層１４の形成された部分の酸化
膜１２が選択的に除去されて、酸化膜１２中に開口部１
５ができる。開口部１５を有する酸化膜１２をマスクと
して、ＴＭＧとＴＤＭＡＡｓとを用い、ＧａＡｓ膜１６
を成長させる。 【効果】 ＧａＡｓ膜１６中に含まれるカーボン濃度
は、質量分析の検出感度以下まで低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は選択成長方法に関し、特
に、マスクを用いてＧａＡｓ系の選択成長を行う選択成
長方法に関する。
に、マスクを用いてＧａＡｓ系の選択成長を行う選択成
長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機金属ガスを用いる分子線エピタキシ
ー（ＭＯＭＢＥ）法によって、ＧａＡｓ等を選択成長す
る方法として、以下のような方法が採用されている。ま
ず、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ酸化膜あるいはＧａＮの
マスクを超高真空装置を用いて形成しておき、このマス
クを電子ビームと塩素ガスとによりエッチングし、マス
クをパターニングし、このパターンニングにより、マス
ク内に開口部が形成されると、基板温度を４５０℃とし
て、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）とＡｓ4 とを照射し
ている。このトリメチルガリウム（ＴＭＧ）とＡｓ4 の
照射の結果、ＧａＡｓをそのマスクの開口部に選択成長
させることができる。
ー（ＭＯＭＢＥ）法によって、ＧａＡｓ等を選択成長す
る方法として、以下のような方法が採用されている。ま
ず、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ酸化膜あるいはＧａＮの
マスクを超高真空装置を用いて形成しておき、このマス
クを電子ビームと塩素ガスとによりエッチングし、マス
クをパターニングし、このパターンニングにより、マス
ク内に開口部が形成されると、基板温度を４５０℃とし
て、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）とＡｓ4 とを照射し
ている。このトリメチルガリウム（ＴＭＧ）とＡｓ4 の
照射の結果、ＧａＡｓをそのマスクの開口部に選択成長
させることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術において、Ｔ
ＭＧとＡｓ4 を原料として用いた場合、成長したＧａＡ
ｓ膜中には、５×１０19ｃｍ-3以上のカーボンが混入し
ていることが質量分析の結果から分かった。このように
多量のカーボンが膜中に混入していると、ｎ型の不純物
のドーピングがしにくく、デバイスを作成する場合大き
な問題となる。すなわち、ＴＭＧとＡｓ4 の組み合わせ
によりＧａＡｓ膜の成長は、カーボン濃度を低減できな
いという問題があることが判明した。
ＭＧとＡｓ4 を原料として用いた場合、成長したＧａＡ
ｓ膜中には、５×１０19ｃｍ-3以上のカーボンが混入し
ていることが質量分析の結果から分かった。このように
多量のカーボンが膜中に混入していると、ｎ型の不純物
のドーピングがしにくく、デバイスを作成する場合大き
な問題となる。すなわち、ＴＭＧとＡｓ4 の組み合わせ
によりＧａＡｓ膜の成長は、カーボン濃度を低減できな
いという問題があることが判明した。
【０００４】したがって、本発明の目的は、ＧａＡｓ成
長膜中のカーボン濃度を低下させることができる選択成
長方法を提供することである。
長膜中のカーボン濃度を低下させることができる選択成
長方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、マスク
を用いて、アミノ基を有するＡｓ化合物と有機金属ガリ
ウムとを組み合わせてＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、また
は、ＩｎＧａＡｓの選択成長を行うことを特徴とする選
択成長方法が得られる。この場合、アミノ基を有するＡ
ｓ化合物として、トリスジメチルアミノアルシンを用い
ることができるし、他方、有機金属ガリウムとして、ト
リメチルガリウムまたはトリエチルガリウムを用いるこ
とができる。更に、上記した選択成長の際に使用される
マスクとしては、ＧａＡｓ酸化膜またはＧａＮ膜を用い
ることができる。
を用いて、アミノ基を有するＡｓ化合物と有機金属ガリ
ウムとを組み合わせてＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、また
は、ＩｎＧａＡｓの選択成長を行うことを特徴とする選
択成長方法が得られる。この場合、アミノ基を有するＡ
ｓ化合物として、トリスジメチルアミノアルシンを用い
ることができるし、他方、有機金属ガリウムとして、ト
リメチルガリウムまたはトリエチルガリウムを用いるこ
とができる。更に、上記した選択成長の際に使用される
マスクとしては、ＧａＡｓ酸化膜またはＧａＮ膜を用い
ることができる。
【０００６】また、本発明においては、マスクを電子ビ
ームもしくは電子ビームと塩素エッチングとを組み合わ
せたパターニングで形成することができる。
ームもしくは電子ビームと塩素エッチングとを組み合わ
せたパターニングで形成することができる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００８】図１は本発明の一実施例によるＧａＡｓの
選択成長方法における各プロセスを示し、図２は図１に
示した選択成長方法に用いる選択成長装置を示す。
選択成長方法における各プロセスを示し、図２は図１に
示した選択成長方法に用いる選択成長装置を示す。
【０００９】図２を参照すると、本実施例に用いる選択
成長装置は、バッファ層を成長させるのに使用される成
長室２１と、表面処理を行わせる表面処理室２２と、パ
ターニングを行うパターニング室２３とを有している。
成長室２１には、Ａｓセルのほか、各種のガス源に接続
された可変リークバルブが設けられると共に、ＲＨＥＥ
Ｄ（反射高速電子回折）によって、表面状態を観測する
ために、ＲＨＥＥＤガン及び蛍光スクリーンが設置され
ている。
成長装置は、バッファ層を成長させるのに使用される成
長室２１と、表面処理を行わせる表面処理室２２と、パ
ターニングを行うパターニング室２３とを有している。
成長室２１には、Ａｓセルのほか、各種のガス源に接続
された可変リークバルブが設けられると共に、ＲＨＥＥ
Ｄ（反射高速電子回折）によって、表面状態を観測する
ために、ＲＨＥＥＤガン及び蛍光スクリーンが設置され
ている。
【００１０】図１及び図２を参照すると、本実施例にお
いては、まず、図１（Ａ）に示すＧａＡｓ（１００）基
板１１を成長室２１内に置き、６１０℃〜６３０℃の温
度で、基板表面の汚染物質を除去する。次に、５８０℃
までＧａＡｓ基板１１の温度をさげて、トリエチルガリ
ウム（ＴＥＧ）とＡｓとを同時照射し、ＧａＡｓのバッ
ファ層の成長を行う。バッファ層の成長を行った後、成
長室１１の温度を室温まで下げる。
いては、まず、図１（Ａ）に示すＧａＡｓ（１００）基
板１１を成長室２１内に置き、６１０℃〜６３０℃の温
度で、基板表面の汚染物質を除去する。次に、５８０℃
までＧａＡｓ基板１１の温度をさげて、トリエチルガリ
ウム（ＴＥＧ）とＡｓとを同時照射し、ＧａＡｓのバッ
ファ層の成長を行う。バッファ層の成長を行った後、成
長室１１の温度を室温まで下げる。
【００１１】その後、ＧａＡｓ基板１１を図示しない移
送装置を用いて、成長室２１から表面処理室２２に移送
する。表面処理室２２内では、１０トル（Ｔｏｒｒ）の
酸素を導入して、ハロゲンランプの光を照射しながら、
１５分間、光を使用した光酸化を行う。これにより、図
１（Ｂ）に示すような酸化膜１２が基板１１表面に形成
される。
送装置を用いて、成長室２１から表面処理室２２に移送
する。表面処理室２２内では、１０トル（Ｔｏｒｒ）の
酸素を導入して、ハロゲンランプの光を照射しながら、
１５分間、光を使用した光酸化を行う。これにより、図
１（Ｂ）に示すような酸化膜１２が基板１１表面に形成
される。
【００１２】酸化膜１２が形成されたＧａＡｓ基板１１
をパターニング室２３に移し、図１（Ｃ）に示すよう
に、メタルマスク１３を基板表面に近付けてＧａをデポ
ジットする。このＧａのデポジットにより、１５モノレ
イヤー（monolayer ）のＧａ層１４がＧａＡｓ酸化膜１
２の表面に選択的につけられる（図１（Ｄ））。
をパターニング室２３に移し、図１（Ｃ）に示すよう
に、メタルマスク１３を基板表面に近付けてＧａをデポ
ジットする。このＧａのデポジットにより、１５モノレ
イヤー（monolayer ）のＧａ層１４がＧａＡｓ酸化膜１
２の表面に選択的につけられる（図１（Ｄ））。
【００１３】１５モノレイヤーのＧａ層１４をＧａＡｓ
酸化膜１２上に選択的につけられた基板１１（図１
（Ｄ））を、成長室２１に戻し、６０℃／分の昇温レー
トで５４０℃の温度まで昇温する。これによって、図１
（Ｅ）に示すように、Ｇａ層１４をつけたＧａＡｓ酸化
膜のみが脱離される。このようにして、酸化膜１２の中
に開口部１５ができる。
酸化膜１２上に選択的につけられた基板１１（図１
（Ｄ））を、成長室２１に戻し、６０℃／分の昇温レー
トで５４０℃の温度まで昇温する。これによって、図１
（Ｅ）に示すように、Ｇａ層１４をつけたＧａＡｓ酸化
膜のみが脱離される。このようにして、酸化膜１２の中
に開口部１５ができる。
【００１４】上記したように、１５モノレイヤー程度の
厚さを有するＧａ層１４を酸化膜につけた場合、Ｇａ層
の下のＧａＡｓ酸化膜が５４０℃以下の温度ですべて昇
温脱離してしまうことは、四重極質量分析計を用いた測
定から確認されている。
厚さを有するＧａ層１４を酸化膜につけた場合、Ｇａ層
の下のＧａＡｓ酸化膜が５４０℃以下の温度ですべて昇
温脱離してしまうことは、四重極質量分析計を用いた測
定から確認されている。
【００１５】その後、開口部１５を有する酸化膜１２を
マスクとして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）とトリス
ジメチルアミノアルシン（Ａｓ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］3 ：
ＴＤＭＡＡｓ）とを用い、ＧａＡｓ膜１６を開口部１５
上にのみ選択的に成長させる（図１（Ｆ））。この選択
成長の際におけるＴＭＧの圧力は１．０×１０-7トル、
ＴＤＭＡＡｓの圧力は１．５×１０-7トルとした。
マスクとして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）とトリス
ジメチルアミノアルシン（Ａｓ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］3 ：
ＴＤＭＡＡｓ）とを用い、ＧａＡｓ膜１６を開口部１５
上にのみ選択的に成長させる（図１（Ｆ））。この選択
成長の際におけるＴＭＧの圧力は１．０×１０-7トル、
ＴＤＭＡＡｓの圧力は１．５×１０-7トルとした。
【００１６】基板温度を４５０℃とした場合、ＧａＡｓ
はマスクの開口部に選択的に成長したが、マスクの後退
が生じたが、基板温度を４２０℃以下にするとマスクの
開口部１５に後退を生じさせることなく、ＧａＡｓ膜を
開口部１５上に選択成長させることができた。
はマスクの開口部に選択的に成長したが、マスクの後退
が生じたが、基板温度を４２０℃以下にするとマスクの
開口部１５に後退を生じさせることなく、ＧａＡｓ膜を
開口部１５上に選択成長させることができた。
【００１７】ここで、ＴＭＧとＴＤＭＡＡｓとを用いた
場合、４５０℃〜３６０℃の温度範囲、好ましくは、４
２０℃〜３６０℃でＧａＡｓ膜１６の選択成長ができる
事が分かった。換言すれば、有機金属ガリウムとアミノ
基を含むＡｓ化合物を使用することにより、ＧａＡｓ膜
１６を選択成長させることができた。
場合、４５０℃〜３６０℃の温度範囲、好ましくは、４
２０℃〜３６０℃でＧａＡｓ膜１６の選択成長ができる
事が分かった。換言すれば、有機金属ガリウムとアミノ
基を含むＡｓ化合物を使用することにより、ＧａＡｓ膜
１６を選択成長させることができた。
【００１８】上に説明した実施例では、有機金属ガリウ
ムとして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を使用した
が、ＴＭＧの代わりに、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）
を用いることもできる。
ムとして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を使用した
が、ＴＭＧの代わりに、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）
を用いることもできる。
【００１９】上記したように、有機金属ガリウムとアミ
ノ基を含むＡｓ化合物を使用することにより成長したＧ
ａＡｓ膜中に含まれるカーボン濃度を調べた所、カーボ
ン濃度は質量分析（ＳＩＭＳ分析）の検出感度以下（〜
２×１０17cm-3）まで低減していることが確認できた。
すなわち、ＴＭＧとＴＤＭＡＡｓとを用いた４５０℃以
下でのＧａＡｓの選択成長は、成長膜中のカーボン濃度
の低減に著しい効果があることが分かった。
ノ基を含むＡｓ化合物を使用することにより成長したＧ
ａＡｓ膜中に含まれるカーボン濃度を調べた所、カーボ
ン濃度は質量分析（ＳＩＭＳ分析）の検出感度以下（〜
２×１０17cm-3）まで低減していることが確認できた。
すなわち、ＴＭＧとＴＤＭＡＡｓとを用いた４５０℃以
下でのＧａＡｓの選択成長は、成長膜中のカーボン濃度
の低減に著しい効果があることが分かった。
【００２０】上に述べた実施例においては、ＧａＡｓ酸
化膜１２をマスクとして用いたが、ＧａＮマスクを用い
ることもできる。
化膜１２をマスクとして用いたが、ＧａＮマスクを用い
ることもできる。
【００２１】さらに、ＭＯＭＢＥ法を用いるＧａＡｓ膜
の選択成長の他に、ＭＯＣＶＤ法を用いるＧａＡｓ膜の
選択成長にもこの方法は適用可能である。
の選択成長の他に、ＭＯＣＶＤ法を用いるＧａＡｓ膜の
選択成長にもこの方法は適用可能である。
【００２２】更に、本発明は、ＧａＡｓ膜のカーボン濃
度の低減の他に、ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓ等のＧａ
Ａｓ系のカーボン濃度の低減にも有効である。この場
合、アミノ基を有するＡｓ化合物に、有機金属ガリウ
ム、有機金属アルミニウム、有機金属インジウムを組み
合わせれば良い。
度の低減の他に、ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓ等のＧａ
Ａｓ系のカーボン濃度の低減にも有効である。この場
合、アミノ基を有するＡｓ化合物に、有機金属ガリウ
ム、有機金属アルミニウム、有機金属インジウムを組み
合わせれば良い。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＧａＡｓ系の選択成長において、成長膜中のカーボン濃
度を著しく低減することができる。
ＧａＡｓ系の選択成長において、成長膜中のカーボン濃
度を著しく低減することができる。
【図１】本発明の一実施例による選択成長方法の各プロ
セスを示す図である。
セスを示す図である。
【図２】本発明の一実施例に使用される選択成長装置を
示す図である。
示す図である。
１１ ＧａＡｓ基板 １２ 酸化膜 １３ メタルマスク １４ Ｇａ層 １５ 開口部 １６ ＧａＡｓ膜 ２１ 成長室 ２２ 表面処理室 ２３ パターニング室
Claims (9)
- 【請求項１】 マスクを用いて、ＧａＡｓ系の選択成長
を行う選択成長方法において、アミノ基を有するＡｓ化
合物と有機金属ガリウムとを組み合わせて前記ＧａＡｓ
系の選択成長を行うことを特徴とする選択成長方法。 - 【請求項２】 予め定められた量のＧａを予め決められ
た箇所に堆積させ、前記Ｇａが堆積された部分を熱的に
脱離させて開口部を形成し、前記開口部に、アミノ基を
有するＡｓ化合物と有機金属ガリウムとを組み合わせて
前記ＧａＡｓ系の選択成長を行うことを特徴とする選択
成長方法。 - 【請求項３】 前記アミノ基を有するＡｓ化合物が、ト
リスジメチルアミノアルシンである請求項１または２記
載の選択成長方法。 - 【請求項４】 前記有機ガリウムが、トリメチルガリウ
ムまたはトリエチルガリウムである請求項１または２記
載の選択成長方法。 - 【請求項５】 前記マスクがＧａＡｓ酸化膜またはＧａ
Ｎ膜である請求項１〜４のいずれかに記載された選択成
長方法。 - 【請求項６】 前記ＧａＡｓ系がＧａＡｓである請求項
１〜５のいずれかに記載された選択成長方法。 - 【請求項７】 前記ＧａＡｓ系がＡｌＧａＡｓである請
求項１〜５のいずれかに記載された選択成長方法。 - 【請求項８】 前記ＧａＡｓ系がＩｎＧａＡｓである請
求項１〜５のいずれかに記載された選択成長方法。 - 【請求項９】 前記マスクを電子ビームもしくは電子ビ
ームと塩素エッチングとを組み合わせたパターニングで
形成する請求項１〜８のいずれかに記載された選択成長
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19833794A JPH0864530A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 選択成長方法 |
| US08/514,229 US5741360A (en) | 1994-08-12 | 1995-08-11 | Method of growing a crystal of a compound semiconductor at a low temperature |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19833794A JPH0864530A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 選択成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864530A true JPH0864530A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16389443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19833794A Pending JPH0864530A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-23 | 選択成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864530A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006078470A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-03-23 | Fujitsu Ltd | ３次元微細領域元素分析方法及び３次元微細領域元素分析装置 |
| US7094685B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP19833794A patent/JPH0864530A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7094685B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US7473638B2 (en) | 2002-01-26 | 2009-01-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| JP2006078470A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-03-23 | Fujitsu Ltd | ３次元微細領域元素分析方法及び３次元微細領域元素分析装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01245512A (ja) | ３−ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 | |
| JPH02203517A (ja) | ３―ｖ族化合物半導体の選択気相エピタキシャル成長方法 | |
| JPH07169688A (ja) | ゲルマニウム上にヒ化ガリウムの半導体ヘテロ構造を製造するための改良された方法 | |
| JP2704931B2 (ja) | 選択成長用マスクの形成方法及びその除去方法 | |
| JPH0864530A (ja) | 選択成長方法 | |
| US5741360A (en) | Method of growing a crystal of a compound semiconductor at a low temperature | |
| Abernathy et al. | Effect of electron cyclotron resonance generated hydrogen plasmas on carbon incorporation and interfacial quality of GaAs and AlGaAs grown by metalorganic molecular‐beam epitaxy | |
| JP2671089B2 (ja) | 量子構造作製方法 | |
| JP2686699B2 (ja) | 選択成長用ＧａＮマスク形成方法 | |
| JPH01215014A (ja) | 半導体結晶の成長方法 | |
| JPH0794409A (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜の形成方法 | |
| JPH06124892A (ja) | ＧａＡｓ酸化膜のパターニング方法 | |
| JPH0243720A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JP2897107B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP2729866B2 (ja) | 化合物半導体エピタキシャル成長方法 | |
| JPS6134987A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH10139588A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法、気相成長装置、及び化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPS63248796A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長方法及び成長装置 | |
| JP2793939B2 (ja) | 化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JP2572670B2 (ja) | 化合物半導体の選択成長方法 | |
| JPH06112124A (ja) | 有機金属分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JPH0779084B2 (ja) | 半導体結晶成長方法及びそれを実施する装置 | |
| JP2753832B2 (ja) | 第▲ｉｉｉ▼・ｖ族化合物半導体の気相成長法 | |
| JPS62296415A (ja) | ３−ｖ族化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPS6134926A (ja) | 半導体単結晶成長装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980909 |