JPH0864556A - ガラス基板の分離方法 - Google Patents

ガラス基板の分離方法

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JPH0864556A
JPH0864556A JP6195325A JP19532594A JPH0864556A JP H0864556 A JPH0864556 A JP H0864556A JP 6195325 A JP6195325 A JP 6195325A JP 19532594 A JP19532594 A JP 19532594A JP H0864556 A JPH0864556 A JP H0864556A
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JP
Japan
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glass substrate
substrate
glass
cutting
cut
Prior art date
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JP6195325A
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English (en)
Inventor
Soichi Saito
総一 齋藤
Kenichi Hayashi
健一 林
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ガラス基板の表面に多数個の素子を形成したガ
ラス基板を分離する工程において、スループットの向
上、コスト低減等を実現する。 【構成】素子を形成したガラス基板10の表面側からダ
イシングによりハーフカットを行う。続いて、ガラス基
板の裏面側からハーフカットの位置にスクライブ線23
を形成する。そして、スクライブ線23に沿ってブレイ
クし、基板を分離する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は回路を形成したガラス基
板の分離方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、事務機器、ファクシミリ、コンピ
ュータの入力端末用としての各種の密着型イメージセン
サの開発が進められている。密着型イメージセンサは、
等倍率で読み取るために原稿と同一サイズの長尺ライン
センサを必要とする。特に、コストダウン及び一層の小
型化を目的として、ロッドレンズアレイ、収束性ファイ
バー等を使用せず、光センサ上に薄い透明保護膜を被膜
し、この上を密着状態で原稿を移動させつつ読取りを行
う方式の画像読取装置の開発が盛んである。
【0003】図14はこの主の画像読取装置の一例を示
す。ここで光電変換素子部12は透明基板11上に設け
た不透光性層18の上に形成されており、基板11の裏
面側に配設した光源34より窓部(不透光性層18の非
形成部分)19を介して入射し、原稿P面で反射された
光Lを光電変換素子部12において受容する。
【0004】上層電極17の上に、主として半導体層表
面の保護安定化を目的とするパシベーションA層14が
形成され、原稿と直接接触する最上部には耐摩耗層と呼
ばれる原稿による傷遠から装置全体を守る高硬度の透光
性絶縁層22が設けられ、さらにパシベーションA層と
耐摩耗層の間に、双方の密着性向上と耐湿性向上を目的
としたパシベーションB層15が、さらにパシベーショ
ンB層と耐摩耗層の間に、静電気対策層21が形成され
ている。
【0005】ここで、14はポリイミド系樹脂塗布、1
5はエポキシ系樹脂塗布によって形成され、22は50
μm程度のマイクロシートガラス、静電気対策層21は
22裏面に蒸着等で形成されたITO等の透光性導電層
である。この透光性導電層は透明基板11上のグランド
電極との間に導電材を配置することにより一定電位に保
持されている。
【0006】透明基板11はもとは300mm四方程度
の大判のガラス基板であり、素子を形成したガラス基板
10に透光性導電層21を形成したマイクロシートガラ
ス22を接着した後、3mmあるいはそれ以下の短冊サ
イズに切断される。切断前の素子の形成されたガラス基
板の平面図を図8(A)に示す。素子は容量を有し、静
電気によってチャージされ、静電破壊することがあるた
め、光電変換素子部12の入出力端子及び電源端子はシ
ャント配線13により同電位に保持されるようになって
いる。シャント配線13はガラス基板切断時に切り離さ
れる。
【0007】ガラス基板切断方法としては、従来からあ
る半導体ウェハから個々のチップに分離する方法が流用
できる。すなわち、ダイヤモンド粉末を主材料とする刀
(ブレード)によりウエハを切削して溝を形成するダイ
シング法と、ウェハのへき開に沿ってウェハ表面をダイ
ヤモンド針により傷つけ、へき開を利用するスクライブ
法がある。もちろんガラス基板の場合はへき開しない
が、同様の効果が得られる。具体的には以下のような方
法が提案されている。 (1)素子を形成したガラス基板10に透光性導電層2
1を形成したマイクロシートガラス22を接着した後、
3mmあるいはそれ以下の短冊サイズに切断する方法と
して、従来当社が採用していた基板切断方法のフロチャ
ートを図7に示す。切断する基板の断面構成を図7
(A)に示す。この断面構成は図8(A)のガラス基板
の平面図に対応する。図7(A)及び図8(A)のシャ
ント配線に沿って図7(B)に示すようにダイシングに
よるハーフカットを行う。このとき、位置合わせは30
0mm四方のガラス基板に設けられた目合わせマークに
より行う。ハーフカットによりシャント配線の部分は削
られ、なくなる。削られる部分の幅はダイシングブレー
ドにより異なるが、約100〜200μmになる。
(B)によりシャント配線が分離されたので(C)にお
いて、ハーフカット時に発生するガラスかすのガラス基
板表面への付着をスピン洗浄、シャワー洗浄などの自動
化洗浄装置による洗浄後、電気検査を行う。次に(D)
において、ガラス基板裏面に粘着シート16を貼り、ガ
ラス基板表面からダイシングによりフルカットする。粘
着シート16を貼る理由はフルカットされた短冊サイズ
の基板がばらばらにならないためと、基板を完全にフル
カットするため、及びダイシングソーのステージに傷を
つけないよう保護するためである。ダイシングブレード
はダイシングにより摩耗するため、フルカットする場合
にはダイシング必要な深さは変化する。そのために完全
にフルカットするには傷をつけていいシートが必要にな
る。最後に(E)において粘着シート16を基板からは
がすと、図8(B)のような断面の短冊サイズの基板に
分離される。分離後短冊サイズのガラス基板をマニュア
ル洗浄する。なお粘着シート16にはUV光照射により
粘着性のなくなるUVシートを用い、粘着シート16を
基板からはがすのを容易にしている。 (2)特開平2−33948号公報に示されているよう
に、厚さ250μmのウェハ120の裏面側からダイシ
ングにより約100μmの溝209を形成した後、ウェ
ハの表面側210にスクライブにより傷をつけ、へき開
によりチップに分離する方法。(図9参照) (3)特開平1−290237公報に示されているよう
に、ガラス基板102の表面側に接着剤を有する樹脂性
のシート111を貼りつけ、ガラス基板102の裏面を
ハーフカットする。(図10(A)参照)次に、ガラス
基板102の裏面に粘着シート16を貼りつけてからガ
ラス基板102の表面をダイシングし、フルカットする
方法。(図10(B),(C)参照) (4)特開平1−186646公報に示されているよう
に、半導体基板のウェハ120の表面側をハーフカット
し(図11(A)参照)、表面を固定材121で固定
し、半導体基板のウェハ120の裏面側より、研磨もし
くはエッチングを行ない、ハーフカットで未切断部分を
取り除く方法。(図11(B)参照) (5)特開昭61−67243公報に示されているよう
に、回路を形成した半導体のウェハ120の裏面側に粘
着シート16を貼りつけ、ウェハをダイシングソーのス
テージにセットし、図12(A)に示すようにウェハ表
面側よりフルカットあるいはハーフカットを行う。その
後図12(B)に示す選択エッチングする部分114を
エッチングする方法。粘着シート16はウェハ120を
完全にフルカットするためのものであり、かつ、ダイシ
ングソーのステージに傷をつけないように保護するため
のものである。表面からの切断する工程でフルカットし
ない場合は、粘着シート16は必ずしも必要でない。 (6)特開昭60−157236公報に示されているよ
うに、回路を形成した半導体のウェハ120の裏側に粘
着シート16を貼りつけ、ウェハをダイシングソーのス
テージにセットし、図13(A)に示すようにウェハ表
面よりフルカットあるいはハーフカットを行う。その後
粘着シート16を表面に貼り、フルカットあるいはハー
フカットされたチップを固定し、基板を裏返してダイシ
ングソーのステージにセットする。次に図13(B)に
示すように第1工程で用いたブレードより幅の広いブレ
ード115で裏面より切断を行う方法。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記方法で図
8(A),(B)に示すような薄膜イメージセンサなど
の大判基板を切断する場合には、以下のような課題があ
る。 (1)の方法では、粘着シート16はフルカットした
基板がばらばらにならないために粘着性が必要であり、
かつフルカット後基板からはがしやすい必要があるた
め、UV光により粘着性のなくなる粘着シート(以降U
Vシートと称す)のような高価な資材が必要になる。か
つ、UVシートをガラス基板からはがすためにUV照射
の工程が新たに必要になる。ガラス基板のダイシング
時に発生するガラスかすがガラス基板に付着するため、
ハーフカット後及びフルカット後にはガラス基板の洗浄
が必要になるが、大判基板の場合はスピン洗浄、シャワ
ー洗浄などの自動洗浄装置が使用できるが、短冊サイズ
に分離されたガラス基板には自動洗浄装置が使用できな
いため、マニュアル洗浄をする必要があり、工数がかか
る。UVシートを貼ったガラス基板をフルカットする
と、ダイシングブレードはUVシートのかすが付着して
目づまりを生じたり、ダイシングブレードの摩耗がUV
シートによって加速されたりし、その結果ガラス基板の
チッピングが大きくなる。フルカットするには分離す
るガラス基板の厚さ約1mmをダイシングする必要があ
り、ダイシング時間がかかる。 (2)の方法では、ウェハ裏面側からダイシングする
ため、マイクロシートガラス304及びシャント配線1
10を切断できない。シャント配線110があるため、
ダイシング後の大判基板状態で検査することはできな
い。マイクロシートガラス304は切断されていない
ので、表面側からのスクライブにより傷をつけ、基板を
分離することはできない。 (3)の方法では、ガラス基板裏面側からダイシング
するため、マイクロシートガラス304及びシャント配
線110を切断できない。シャント配線110があるた
め、ハーフカット後の大判基板状態で検査することがで
きない。フルカット時に使用する粘着シート16はフ
ルカットした基板がばらばらにならないために粘着性が
必要であり、かつフルカット後基板からはがしやすい必
要があるため、UVシートのような高価な資材が必要に
なる。かつ、UVシートをガラス基板からはがすために
UV照射の工程が新たに必要になる。フルカット後の
ガラス基板の洗浄は、短冊サイズに分離されたガラス基
板のため、自動洗浄装置が使用できず、マニュアル洗浄
をする必要があり、工数がかかる。UVシートを貼っ
たガラス基板をフルカットすると、ダイシングブレード
はUVシートのかすが付着して目づまりを生じたり、ダ
イシングブレードの摩耗がUVシートによって加速され
たりし、その結果ガラス基板のチッピングが大きくな
る。フルカットするには分離するガラス基板の厚さ約
1mmをダイシングする必要があり、ダイシング時間が
かかる。 (4)の方法では、固定剤121で固定するため、新
たな工程及び固定剤121の資材費がかかる。固定剤
121を取り除くための工程も必要となる。研磨もし
くはエッチングという新たな工程が必要になる。 (5)の方法では、エッチングという新たな工程がはい
るため、工数の増大、保留悪化等が生じる。 (6)の方法では、少なくとも第2工程では粘着シート
16が必要なため、UVシートのような高価な資材が
必要になる。かつ、UVシートをガラス基板からはがす
ためにUV照射の工程が新たに必要になる。フルカッ
ト後のガラス基板の洗浄は、短冊サイズに分離されたガ
ラス基板のため、自動洗浄装置が使用できず、マニュア
ル洗浄をする必要があり、工数がかかる。UVシート
を貼ったガラス基板をフルカットすると、ダイシングブ
レードはUVシートのかすが付着して目づまりを生じた
り、ダイシングブレードの摩耗がUVシートによって加
速されたりし、その結果ガラス基板のチッピングが大き
くなる。フルカットするには分離するガラス基板の厚
さ約1mmをダイシングする必要があり、ダイシング時
間がかかる。
【0009】本発明は、以上に述べた従来技術の問題点
に鑑み、薄膜イメージセンサなどの大判基板の高品質か
つ量産性に富むダイシング方法を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明によるガラス基板
の分離方法は、ガラス基板の表面に多数個の素子を形成
したガラス基板の表面側からダシングによるハーフカッ
トを行う第1工程と、前記ガラス基板の裏面側から前記
ハーフカットの位置にスライブ線を形成する第2工程
と、ブレイクにより前記ガラス基板を分離する第3工程
とから成り立っている。又、本発明によるガラス基板の
分離方法は、ガラス基板の表面に静電保護用シャント配
線が形成されたガラス基板の表面側からダイシングによ
るハーフカットを行う第1工程において、前記シャント
配線に沿ってハーフカットを行い前記シャント配線を分
離し、前記第1工程の後、大判基板の状態で電気検査を
行うことを特徴としている。又、本発明によるガラス基
板の分離方法は、ガラス基板の裏面側からスクライブ線
を形成する第2工程において、弱粘着性の粘着シートを
前記ガラス基板の表面側に貼り付けて、ブレイクによる
前記ガラス基板を分離することを特徴としている。又、
本発明によるガラス基板の分離方法においては、ガラス
基板の表面に多数個の素子を形成したガラス基板の表面
に第2のガラス基板が接着されたガラス基板を用いるこ
とを特徴としている。
【0011】
【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。
【0012】図1は本発明のガラス基板の分離方法のフ
ローチャートである。切断する基板の断面構成を図1
(A)に示す。これは図7(A)と同一である。この断
面構成は図8(A)のガラス基板の平面図に対応する。
図1(A)及び図8(A)のシャント配線に沿って図1
(B)に示すようにガラス基板の表面側からダイシング
によるハーフカットを行う。このとき、位置合わせは3
00mm四方のガラス基板に設けられた目合わせマーカ
ーにより行う。ハーフカットによりシャント配線の部分
は削られ、なくなる。削られる部分の幅はダイシングブ
レードにより異なるが、約100〜200μmになる。
(B)によりシャント配線が分離されたので、(C)に
おいて、ハーフカット時に発生するガラスかすのガラス
基板表面への付着をスピン洗浄、シャワー洗浄などの自
動化洗浄装置による洗浄後、電気検査を行う。次に
(D)に示すように、ガラス基板裏面からハーフカット
した裏側の位置にスクライブ線23を、図4(A)に示
すようなガラス切断に用いられる超鋼ロールのロール部
35は周囲に鋭部を有する円盤状になっており、このロ
ール部35が回転することによって示すように、スクラ
イブ線23に沿ってブレイクする。
【0013】このブレイク方法を図4(B)、(C)で
説明する。まずガラス基板表面に弱粘着性の粘着シート
24を貼る。フルカットの場合はガラス基板が動くと位
置制度がでなくなるため、粘着性の高い粘着シートが必
要だが、ブレイクの場合はスクライブ線に沿って割るた
め、位置精度は必要ない。そのため、弱粘着性の粘着シ
ート24が使える。図4(B)に示すように、弱粘着性
の粘着シートを貼ったガラス基板の裏面のスクライブ線
23の上にゴムブレード25を配置し、このゴムブケー
ド25を押圧して荷重を与え、ガラス基板をクスライブ
線23に沿って割る。ブレイク方法の第2の実施例は図
4(C)に示すようにゴムの搬送ローラを用いる。図に
示すように、ガラス基板搬送用のゴムローラ26により
弱粘着性の粘着シート24を貼ったガラス基板を矢印の
方向に搬送し、搬送しながらガラス基板に曲げの押圧を
与え、ガラス基板をスクライブ線23に沿って割る。い
ずれの方法の場合もガラス基板ブレイク後、弱粘着性の
粘着シート24をはがし、短冊状のガラス基板に分離す
る。図7の場合と異なり、粘着シート24は弱粘着性の
ため、はがすのが容易である。図2は短冊状に分離され
たガラス基板の断面図である。
【0014】図3は本発明の第1の実施例におけるガラ
ス基板分離方法にて分離した基板を使用して組み立てた
画像読取装置の構成図である。図2に示した分離された
ガラス基板はA1等からなるベースプレート33に固定
されている。ベースプレート33には一部には光源34
からの照明光Lを通過させるための照明窓36が設けら
れている。光源34は、LEDチップからなる発光源を
複数個直線上に配列されたLEDアレイからなる。31
は、原稿Pをマイクロシートガラス22に直接接触させ
て搬送する搬送ローラである。
【0015】光源34から発せられた照明光Lはベース
プレート33の照明窓36及び素子を形成した透明基板
10を透過して、原稿Pを照明し、原稿Pから反射した
光を素子を形成した透明基板10の光電変換素子部12
(図8(A)参照)に入射して、光電変換素子より画信
号が出力される。
【0016】ガラス基板の原稿給紙側及び原稿俳紙側に
は、原稿搬送用のガイド手段として遮光性のガイド手段
32を設けている。遮光性のガイド手段32はインジェ
クションやポッティングにより樹脂を形成して造ること
により、素子を形成したガラス基板10及び透光性導電
層21を形成したマイクロシートガラス22の端面に固
着さすことができる。また、原稿が搬送される遮光性の
ガイド手段の表面とマイクロシートガラス22の表面の
段差はゼロないし、原稿給紙側ガイド、クイクロシート
ガラス、原稿俳紙側ガイドの順に原稿搬送面の高さが低
くなるように構成する必要がある。このように構成する
ことにより、原稿搬送面の段差や間隙による原稿のジャ
ムを防止することができる。また、原稿の給紙側及び俳
紙側から入射して素子を形成したガラス基板10及び透
光性導電層21を形成したマイクロシートガラス22の
端面から光電変換素子部12を照射する不要な外光Lx
を低減し、より効果的にS/Nを確保することができ
る。さらに、このような照明光Lの一部が素子を形成し
た透明基板10の端面で反射し、光電変換素子部を照射
する迷光Ly をも低減し、S/Nの低下を抑える効果も
有している。一方、図3に示すように、本切断方法では
素子を形成した透明基板10には段差27が生じるた
め、遮光性のガイド手段32をインジェクションやポッ
ティングにより樹脂を成形して作った場合に、素子を形
成した透明基板10は段差27とベースプレート33に
よって固定されるため、搬送ローラ31の押圧にも充分
耐えられる強度を確保できる。
【0017】図5は本発明の第2の実施例におけるカラ
ー密着イメージセンサの基板切断方法及び切断後の断面
図である。図5(A)は切断前の素子を形成したガラス
基板の平面図であり、図8(A)と同様に光電変換部1
2とシャント配線13から構成されている。図5(A)
と異なるのはカラー用のため光電変換部12が3列構成
になっており、左からR、G、Bに対応する。図5
(B)はカラーフィルターを形成した透明基板40であ
り、赤(R)のカラーフィルター部41、緑(G)のカ
ラーフィルター42、青(B)のカラーフィルター4
3、遮光部44から構成される。切断前の素子を形成し
たガラス基板10にカラーフィルターを形成した透明基
板40を接着する。接着の際の位置合わせは、各々の透
明基板の設けられた目合わせマーカーにより行う。接着
されたガラス基板の分離方法は図1のフロチャートと同
様に行う。結果として切断後の基板の断面は図5(C)
のようになる。
【0018】本実施例では、図5(A)に示すように光
電変換素子は、代表として例示的に示されているS1な
いしS3、S4ないしS6、S7ないしS9のように縦
方向に3行に並べられて配置される。言い換えるなら
ば、各行は縦方向に延長され、3つの行が縦方向に並べ
られる。第1行目の光電変換素子S1ないしS3の上面
には、図5(B)で縦に延びる赤のカラーフィルター4
1が設けられる。第2行目の光電変換素子S4ないしS
6の上面には、同様に図5(B)で縦に延びる緑のカラ
ーフィルター42が設けられる。第3行目の光電変換素
子S7ないしS9の上面には、同様に図5(B)で縦に
延びる青のカラーフィルター43が設けられる。遮光部
44はカラーフィルターを形成した透明基板40と素子
を形成した透明基板10の重ね合わせが多少ずれても、
隣接するカラーフィルターからの光が光電変換素子に入
射したり、迷光になったりするのを防止するためであ
る。
【0019】図6は図5(C)に示す切断後の基板を使
用して組み立てた画像読取装置の構成図である。素子を
形成した透明基板10はサポートガラス54に固定され
ている。原稿は原稿台ガラス51の上に置かれ、搬送ロ
ーラ31により矢印の方向に搬送される。この画像読取
装置には、原稿に光を照射する白色光源52(本実施例
では白色のキセノン冷陰極管を採用)が原稿搬送方向と
直行する方向に、かつ原稿を約45度の角度で照射する
ように基台56ら配置されている。原稿台ガラス51と
素子を形成した透明基板10の間には、原稿からの反射
光を結像させるための1対1の光学系であるロッドレン
ズ(本実施例では日本板硝子製のSLA12を採用)が
配置されている。さらに、素子を形成した透明基板10
を固定するサポートガラスの下には、光電変換素子を駆
動し、かつ光電変化素子からの電気信号を入力して外部
に出力する駆動回路基板55が、同様に基台56に沿っ
て配置されている。図6には示されていないが、素子を
形成した透明基板10と駆動回路基板55の電気的接続
はフレキシブルケーブルによって行われる。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるガラ
ス基板の分離方法では、ガラス基板の表面側からダイシ
ングによりハーフカットを行い、シャント配線を分離す
るため、大判基板状態で検査をおこなすことができる。
また、ガラス基板の裏面側からスクライブ法によって基
板を分離するため、ダイシングによるフルカットの必要
がなくなり、スループットの向上が可能になる。また、
UVシートが不要になるため、コストが低減できると共
に、ダイシンクブレードの目づまりや摩耗が減少するた
め、ダイシングブレードの長寿命化と、ガラス基板のチ
ッピング抑制が実現できる。UV照射工程及びマニュア
ル洗浄工程が不要となるため、工数が削減できる。さら
に、分離したガラス基板の切断面には段差が生じるた
め、分離したガラス基板をベースプレートに固定し、遮
光性のガイド手段をインジェクションやポッティングに
より樹脂を成形して作った画像読取装置において、ガラ
ス基板は段差とベースプレートによって固定されるた
め、機械的強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例における基板切断方法の
フロチャート。
【図2】本発明の第1の実施例における基板切断方法に
て切断後の基板の断面図。
【図3】本発明の第1の実施例における基板切断方法に
て切断した基板を使用して組み立てた画像読取装置の構
成図。
【図4】本発明の実施例においてスクライブ溝を形成す
るための超鋼ロールの説明図。
【図5】本発明の第2の実施例における基板切断方法及
び切断後の基板の断面図。
【図6】本発明の第2の実施例における基板切断方法に
て切断した基板を使用して組み立てた画像読取装置の構
成図。
【図7】第1の従来例における基板切断方法のフロチャ
ート。
【図8】第1の従来例における基板切断方法の説明図及
び切断後の基板の断面図。
【図9】第2の従来例における基板切断方法の説明図。
【図10】第3の従来例における基板切断方法のフロチ
ャート。
【図11】第4の従来例における基板切断方法のフロチ
ャート。
【図12】第5の従来例における基板切断方法の説明
図。
【図13】第6の従来例における基板切断方法の説明
図。
【図14】従来の画像読取装置の構成図。
【符号の説明】
10 素子を形成した透明基板 11 透明基板 12 光電変換素子部 13 シャント配線 14 パシペーションA層 15 パシペーションB層 16 粘着シート 17 上層粘着 18 不透光性層 19 窓部 21 透光性導電層 22 マイクロシートガラス 23 スクライブ線 24 弱粘着性の粘着シート 25 ゴムブレード 26 ガラス基板搬送ローラ 27 段差 31 搬送ローラ 32 透光性のガイド手段 33 ベースプレート 34 光源 35 ロール部 36 照明窓 40 カラーフィルターを形成した透明基板 41 赤(R)のカラーフィルター部 42 緑(G)のカラーフィルター部 43 青(B)のカラーフィルター部 44 遮光部 51 原稿台ガラス 52 白色光源 53 ロッドレンズ 54 サポートガラス 55 駆動回路基板 56 基台

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス基板の表面に多数個の素子を形成
    したガラス基板の分離方法において、前記ガラス基板の
    表面側からダイシングによるハーフカットを行う第1工
    程と、前記ガラス基板の裏面側から前記ハーフカットの
    位置にスクライブ線を形成する第2工程と、ブレイクに
    より前記ガラス基板を分離する第3工程とからなること
    を特徴とするガラス基板の分離方法。
  2. 【請求項2】 前記ガラス基板の表面には静電保護用シ
    ャント配線が形成されており、前記第1工程において、
    前記シャント配線に沿ってハーフカットを行い、前記シ
    ャント配線を分離することを特徴とする請求項1記載の
    ガラス基板の分離方法。
  3. 【請求項3】 前記ガラス基板の表面には第2のガラス
    基板が接着されていることを特徴とする請求項1または
    2記載のガラス基板の分離方法。
  4. 【請求項4】 前記第1工程の後、大判基板の状態で電
    気検査を行うことを特徴とする請求項1記載のガラス基
    板の分離方法。
  5. 【請求項5】 前記第2工程において、弱粘着性の粘着
    シートを前記ガラス基板の表面側に貼り付けて、前記第
    3工程において前記ガラス基板を分離することを特徴と
    する請求項1または4記載のガラス基板の分離方法。
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