JPH0864652A - エピタキシャルウェハの検査方法 - Google Patents
エピタキシャルウェハの検査方法Info
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- JPH0864652A JPH0864652A JP6202296A JP20229694A JPH0864652A JP H0864652 A JPH0864652 A JP H0864652A JP 6202296 A JP6202296 A JP 6202296A JP 20229694 A JP20229694 A JP 20229694A JP H0864652 A JPH0864652 A JP H0864652A
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】発光出力や応答速度をエピタキシャルウェハの
状態のままで正確に評価する。 【構成】エピタキシャルウェハの表面にレーザ光のパル
スを照射する。レーザ光の波長は、エピタキシャルウェ
ハ表面で吸収されず、活性層で吸収される様な波長を選
択する。パルス光励起によりエピタキシャルウェハから
フォトルミネッセンス光が放射される。放射されたフォ
トルミネッセンス光を電気信号に変換する。この変換信
号の波形の時間変化からフォトルミネッセンスライフタ
イムを求める。発光ダイオードの発光出力のばらつきは
内部量子効率のばらつきとなる。内部量子効率ηi とラ
イフタイムτphとの間には、発光ライフタイムをτr と
すると、ηi ＝Ａ×（１／τr ）×τph（但し、Ａは比
例定数）の関係にある。これよりライフタイムから発光
ダイオードの発光光度を求めることができる。
状態のままで正確に評価する。 【構成】エピタキシャルウェハの表面にレーザ光のパル
スを照射する。レーザ光の波長は、エピタキシャルウェ
ハ表面で吸収されず、活性層で吸収される様な波長を選
択する。パルス光励起によりエピタキシャルウェハから
フォトルミネッセンス光が放射される。放射されたフォ
トルミネッセンス光を電気信号に変換する。この変換信
号の波形の時間変化からフォトルミネッセンスライフタ
イムを求める。発光ダイオードの発光出力のばらつきは
内部量子効率のばらつきとなる。内部量子効率ηi とラ
イフタイムτphとの間には、発光ライフタイムをτr と
すると、ηi ＝Ａ×（１／τr ）×τph（但し、Ａは比
例定数）の関係にある。これよりライフタイムから発光
ダイオードの発光光度を求めることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エピタキシャルウェハ
の検査方法に係り、特にエピタキシャルウェハ段階で発
光ダイオード等の製品の光特性を検査する方法に関する
ものである。
の検査方法に係り、特にエピタキシャルウェハ段階で発
光ダイオード等の製品の光特性を検査する方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードを製作するためには、結
晶基板上に発光層となるエピタキシャル層を成長させ、
そのエピタキシャルウェハの表面及び裏面に電極を形成
し、その後ダイシングにより分離してベアチップを製作
し、そのベアチップをステム上にタイボンディングによ
り固定し、ワイヤボンディングにより配線し、樹脂モー
ルドしている。
晶基板上に発光層となるエピタキシャル層を成長させ、
そのエピタキシャルウェハの表面及び裏面に電極を形成
し、その後ダイシングにより分離してベアチップを製作
し、そのベアチップをステム上にタイボンディングによ
り固定し、ワイヤボンディングにより配線し、樹脂モー
ルドしている。
【０００３】樹脂モールドされた最後の製品状態で、発
光出力や発光波長の発光特性、及び順方向や逆方向特性
などの電気特性が検査された後、出荷されている。
光出力や発光波長の発光特性、及び順方向や逆方向特性
などの電気特性が検査された後、出荷されている。
【０００４】ここで、この発光ダイオードの歩留りは、
エピタキシャルウェハの特性に大きく依存している。こ
のため特性の良くないエピタキシャルウェハを樹脂モー
ルドしてから検査したのでは、歩留りを下げる大きな原
因となる。したがって、エピタキシャル層を成長させた
エピタキシャルウェハの段階で発光出力や発光波長、応
答速度を評価することが発光ダイオードを生産するため
に非常に重要となる。
エピタキシャルウェハの特性に大きく依存している。こ
のため特性の良くないエピタキシャルウェハを樹脂モー
ルドしてから検査したのでは、歩留りを下げる大きな原
因となる。したがって、エピタキシャル層を成長させた
エピタキシャルウェハの段階で発光出力や発光波長、応
答速度を評価することが発光ダイオードを生産するため
に非常に重要となる。
【０００５】エピタキシャルウェハの状態で発光出力や
発光波長などの発光特性を評価する方法としては、グル
ービング法と呼ばれる方法がある。この方法は、エピタ
キシャルウェハの表面に、超音波加工または研磨加工に
より溝を掘って外寸約５００μｍから１０００μｍの発
光特性評価部分を形成し、その部分に通電用針を立てて
電流を流して発光させ、その光の強度と発光スペクトル
分布を測定することにより評価している。
発光波長などの発光特性を評価する方法としては、グル
ービング法と呼ばれる方法がある。この方法は、エピタ
キシャルウェハの表面に、超音波加工または研磨加工に
より溝を掘って外寸約５００μｍから１０００μｍの発
光特性評価部分を形成し、その部分に通電用針を立てて
電流を流して発光させ、その光の強度と発光スペクトル
分布を測定することにより評価している。
【０００６】しかし、上述した従来の方法には、２つの
大きな問題がある。一つは、この測定による光の強度
と、このエピタキシャルウェハより製作した発光ダイオ
ードの発光出力とが必ずしもきれいに比例しない。これ
は、評価部分の形成が超音波加工によるため、加工断面
に歪が多くリーク電流が流れやすい。さらに、表面に電
極が形成されていないため、接触抵抗が大きく特性にば
らつきを生じやすい等の原因による。二つめは、評価部
分を超音波加工などの機械加工により形成するために、
その手数が必要となりコスト高の原因となる。またその
工程中に、ウェハ割れ等を生じ、歩留りの低下の原因と
なりやすい。
大きな問題がある。一つは、この測定による光の強度
と、このエピタキシャルウェハより製作した発光ダイオ
ードの発光出力とが必ずしもきれいに比例しない。これ
は、評価部分の形成が超音波加工によるため、加工断面
に歪が多くリーク電流が流れやすい。さらに、表面に電
極が形成されていないため、接触抵抗が大きく特性にば
らつきを生じやすい等の原因による。二つめは、評価部
分を超音波加工などの機械加工により形成するために、
その手数が必要となりコスト高の原因となる。またその
工程中に、ウェハ割れ等を生じ、歩留りの低下の原因と
なりやすい。
【０００７】そこで、そのような問題のない非接触で評
価する方法として、発光ダイオードとした場合の発光出
力を、フォトルミネッセンス光強度から求める方法が提
案されている（特開昭６３−２５０８３５号公報）。こ
れは、エピタキシャルウェハにレーザ光を照射し、エピ
タキシャルウェハより放射されたフォトルミネッセンス
光から発光ダイオードの発光出力を直接求めるものであ
る。
価する方法として、発光ダイオードとした場合の発光出
力を、フォトルミネッセンス光強度から求める方法が提
案されている（特開昭６３−２５０８３５号公報）。こ
れは、エピタキシャルウェハにレーザ光を照射し、エピ
タキシャルウェハより放射されたフォトルミネッセンス
光から発光ダイオードの発光出力を直接求めるものであ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の非接触評価方法では、フォトルミネッセンス光強度
と、発光ダイオード強度（発光ダイオードに通電し、外
部に取り出した光の強度）とは相関関係にないので、正
確な発光出力の値を推定することが難しく、不十分であ
る。
の非接触評価方法では、フォトルミネッセンス光強度
と、発光ダイオード強度（発光ダイオードに通電し、外
部に取り出した光の強度）とは相関関係にないので、正
確な発光出力の値を推定することが難しく、不十分であ
る。
【０００９】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
点を解消して、発光出力や応答速度をエピタキシャルウ
ェハの状態のままで正確に評価することが可能なエピタ
キシャルウェハの検査方法を提供することにある。
点を解消して、発光出力や応答速度をエピタキシャルウ
ェハの状態のままで正確に評価することが可能なエピタ
キシャルウェハの検査方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のエピタキシャル
ウェハの検査方法は、エピタキシャルウェハにレーザ光
のパルスを照射し、そのエピタキシャルウェハより放射
されたフォトルミネッセンス光の強度の時間変化からフ
ォトルミネッセンスライフタイムを求め、そのライフタ
イムがそのエピタキシャルウェハより製作された製品の
発光出力に比例することから、ライフタイムより製品の
発光出力を求めるようにしたものである。
ウェハの検査方法は、エピタキシャルウェハにレーザ光
のパルスを照射し、そのエピタキシャルウェハより放射
されたフォトルミネッセンス光の強度の時間変化からフ
ォトルミネッセンスライフタイムを求め、そのライフタ
イムがそのエピタキシャルウェハより製作された製品の
発光出力に比例することから、ライフタイムより製品の
発光出力を求めるようにしたものである。
【００１１】また、同様にしてライフタイムが製品の応
答速度に逆比例することから、フォトルミネッセンスラ
イフタイムより製品の応答速度を求めるようにしたもの
である。
答速度に逆比例することから、フォトルミネッセンスラ
イフタイムより製品の応答速度を求めるようにしたもの
である。
【００１２】
【作用】エピタキシャルウェハの表面にレーザ光のパル
スを照射する。レーザ光の波長は、エピタキシャルウェ
ハ表面で吸収されず、活性層で吸収される様な波長を選
択する。パルス光励起によりエピタキシャルウェハから
フォトルミネッセンス光が放射される。放射されたフォ
トルミネッセンス光を電気信号に変換する。この変換信
号の波形の時間変化からフォトルミネッセンスライフタ
イムを求める。
スを照射する。レーザ光の波長は、エピタキシャルウェ
ハ表面で吸収されず、活性層で吸収される様な波長を選
択する。パルス光励起によりエピタキシャルウェハから
フォトルミネッセンス光が放射される。放射されたフォ
トルミネッセンス光を電気信号に変換する。この変換信
号の波形の時間変化からフォトルミネッセンスライフタ
イムを求める。
【００１３】発光出力のばらつきは内部量子効率のばら
つきとなる。内部量子効率ηi とライフタイムτphとの
間には、発光ライフタイムをτr とすると、 ηi ＝Ａ×（１／τr ）×τph 但し、Ａは比例定数 の関係にある。すなわち、内部量子効率はフォトルミネ
ッセンス光のライフタイムに比例するので、ライフタイ
ムから製品の発光出力を求めることができる。
つきとなる。内部量子効率ηi とライフタイムτphとの
間には、発光ライフタイムをτr とすると、 ηi ＝Ａ×（１／τr ）×τph 但し、Ａは比例定数 の関係にある。すなわち、内部量子効率はフォトルミネ
ッセンス光のライフタイムに比例するので、ライフタイ
ムから製品の発光出力を求めることができる。
【００１４】一方、遮断周波数ｆc は、 ｆc ＝１／（２πτph） の関係にある。応答速度を示す遮断周波数はライフタイ
ムの逆数に比例するので、ライフタイムから製品の応答
速度を求めることができる。
ムの逆数に比例するので、ライフタイムから製品の応答
速度を求めることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明のエピタキシャルウェハの検査
方法の実施例を説明する。ここでは、発光波長が６６０
nmのダブルヘテロ構造赤色発光ダイオードについて、エ
ピタキシャルウェハのフォトルミネッセンスライフタイ
ムと、そのエピタキシャルウェハより製作した発光ダイ
オードの発光出力の関係について相関を調べた結果につ
いて述べる。
方法の実施例を説明する。ここでは、発光波長が６６０
nmのダブルヘテロ構造赤色発光ダイオードについて、エ
ピタキシャルウェハのフォトルミネッセンスライフタイ
ムと、そのエピタキシャルウェハより製作した発光ダイ
オードの発光出力の関係について相関を調べた結果につ
いて述べる。
【００１６】評価したエピタキシャルウェハの構造を図
２に示す。ＧａＡｓ基板４上に、ＡｌＧａＡｓクラッド
層３、ＡｌＧａＡｓ活性層２、ＡｌＧａＡｓウィンドウ
層１を順次積層して構成したものである。
２に示す。ＧａＡｓ基板４上に、ＡｌＧａＡｓクラッド
層３、ＡｌＧａＡｓ活性層２、ＡｌＧａＡｓウィンドウ
層１を順次積層して構成したものである。
【００１７】また、フォトルミネッセンス光のライフタ
イム測定装置の構成例を図３に示す。励起光１６の光源
であるレーザ５としては、エピタキシャルウェハ表面で
吸収されず、活性層で吸収される波長が６５０nmの半導
体レーザを用いた。この励起光１６をレンズ６、６で集
光し、試料ホルダ７に保持されたエピタキシャルウェハ
８に斜めから照射する。ウェハ表面は汚れのないようし
ておく。このエピタキシャルウェハ８から放射されたフ
ォトルミネッセンス光１７をレンズ６、６により集光
し、光電子増倍管１０に入射させる。この光の強度によ
り、レンズ６、６間にＮＤフィルタ９を挿入して調整す
る。
イム測定装置の構成例を図３に示す。励起光１６の光源
であるレーザ５としては、エピタキシャルウェハ表面で
吸収されず、活性層で吸収される波長が６５０nmの半導
体レーザを用いた。この励起光１６をレンズ６、６で集
光し、試料ホルダ７に保持されたエピタキシャルウェハ
８に斜めから照射する。ウェハ表面は汚れのないようし
ておく。このエピタキシャルウェハ８から放射されたフ
ォトルミネッセンス光１７をレンズ６、６により集光
し、光電子増倍管１０に入射させる。この光の強度によ
り、レンズ６、６間にＮＤフィルタ９を挿入して調整す
る。
【００１８】光電子増倍管１０で光は電気信号に変換さ
れ、その電気信号を増幅器１１を通しデジタルオッシロ
スコープ１２に入れる。デジタルオッシロスコープ１２
は、半導体レーザ５を制御しているレーザコントローラ
１４からのトリガー信号により同期させている。なお、
１５はディレイジェネレータである。ディジタルオッシ
ロスコープ１２からのデータをパソコン１３で読み込
み、横軸を時間軸に、縦軸を強度の対数にする。このグ
ラフで最小自乗法により傾きを求めることにより、ライ
フタイムを計算する。図４に示すようにライフタイムτ
はフォトルミネッセンス光強度が１／ｅとなるまでの時
間である。
れ、その電気信号を増幅器１１を通しデジタルオッシロ
スコープ１２に入れる。デジタルオッシロスコープ１２
は、半導体レーザ５を制御しているレーザコントローラ
１４からのトリガー信号により同期させている。なお、
１５はディレイジェネレータである。ディジタルオッシ
ロスコープ１２からのデータをパソコン１３で読み込
み、横軸を時間軸に、縦軸を強度の対数にする。このグ
ラフで最小自乗法により傾きを求めることにより、ライ
フタイムを計算する。図４に示すようにライフタイムτ
はフォトルミネッセンス光強度が１／ｅとなるまでの時
間である。
【００１９】多数の発光光度（発光出力）の異なるエピ
タキシャルウェハについて、この検査方法によりライフ
タイムを測定した。そしてこれらのエピタキシャルウェ
ハから発光ダイオードを製作し、発光光度を測定した。
この結果を図１に示す。ライフタイムと発光光度はきれ
いな比例関係にあり、ライフタイム測定により発光光度
を精度高く評価できることが分かった。
タキシャルウェハについて、この検査方法によりライフ
タイムを測定した。そしてこれらのエピタキシャルウェ
ハから発光ダイオードを製作し、発光光度を測定した。
この結果を図１に示す。ライフタイムと発光光度はきれ
いな比例関係にあり、ライフタイム測定により発光光度
を精度高く評価できることが分かった。
【００２０】この様に、ライフタイムの測定により発光
光度が測定できる理由として、次のように考えられる。
発光ダイオードの発光光度は、発光効率に比例する。発
光ダイオードの発光効率は、電流注入効率、内部量子効
率及び光取出し効率の積で求められる。ここで電流注入
効率はほぼ１００％である。また光取出し効率は、発光
ダイオードの構造によりほぼ決定されるため、同じ構造
の発光ダイオードについて比較する場合には一定と考え
てよい。このため発光ダイオードを生産していったとき
の発光光度のばらつきは、内部量子効率のばらつきを示
していることになる。
光度が測定できる理由として、次のように考えられる。
発光ダイオードの発光光度は、発光効率に比例する。発
光ダイオードの発光効率は、電流注入効率、内部量子効
率及び光取出し効率の積で求められる。ここで電流注入
効率はほぼ１００％である。また光取出し効率は、発光
ダイオードの構造によりほぼ決定されるため、同じ構造
の発光ダイオードについて比較する場合には一定と考え
てよい。このため発光ダイオードを生産していったとき
の発光光度のばらつきは、内部量子効率のばらつきを示
していることになる。
【００２１】ここで、内部量子効率ηi は、発光ライフ
タイムτr と非発光ライフタイムτ nrで式（１）で表さ
れる。Ａは比例定数である。
タイムτr と非発光ライフタイムτ nrで式（１）で表さ
れる。Ａは比例定数である。
【００２２】 ηi ＝Ａ×（１／τr ）／｛（１／τr ）＋（１／τnr）｝ （１） また、フォトルミネッセンス光のライフタイムτphは、
式（２）で表される。
式（２）で表される。
【００２３】 ηph＝１／｛（τr ）＋（τnr）｝ （２） この式（１）と式（２）から、内部量子効率ηi とフォ
トルミネッセンス光のライフタイムτphの間には式
（３）が成立することになる。
トルミネッセンス光のライフタイムτphの間には式
（３）が成立することになる。
【００２４】 ηi ＝Ａ×（１／τr ）×τph （３） このため、内部量子効率はフォトルミネッセンス光のラ
イフタイムに比例することが分かる。したがって、パソ
コン１３でさらにηi を計算するようにすれば、非接触
で正確に発光光度を検査できる。
イフタイムに比例することが分かる。したがって、パソ
コン１３でさらにηi を計算するようにすれば、非接触
で正確に発光光度を検査できる。
【００２５】なお、上記実施例では、赤色発光ダイオー
ドについて述べたが、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の赤外
発光ダイオード、及びＧａＰ系の緑色発光ダイオード、
ＩｎＰ系の赤外発光ダイオード用のエピタキシャルウェ
ハについても検査できる。さらに、発光ダイオードの他
に、レーザダイオード、フォトダイオード用などのエピ
タキシャルウェハについても適用できる。
ドについて述べたが、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の赤外
発光ダイオード、及びＧａＰ系の緑色発光ダイオード、
ＩｎＰ系の赤外発光ダイオード用のエピタキシャルウェ
ハについても検査できる。さらに、発光ダイオードの他
に、レーザダイオード、フォトダイオード用などのエピ
タキシャルウェハについても適用できる。
【００２６】また、フォトルミネッセンス光のライフタ
イムから、発光ダイオードのもう一つの大きな特性であ
る応答速度を求めることができる。
イムから、発光ダイオードのもう一つの大きな特性であ
る応答速度を求めることができる。
【００２７】電流の周波数を高くすると、被変調光強度
の振幅が徐々に低下するが、この振幅が低周波変調時に
比べて１．５ｄＢ低下するときの周波数が遮断周波数ｆ
c と呼ばれ、 ｆc ＝１／（２πτph） （４） の関係がある。
の振幅が徐々に低下するが、この振幅が低周波変調時に
比べて１．５ｄＢ低下するときの周波数が遮断周波数ｆ
c と呼ばれ、 ｆc ＝１／（２πτph） （４） の関係がある。
【００２８】このため、遮断周波数はフォトルミネッセ
ンス光のライフタイムに逆比例することが分かる。遮断
周波数と応答速度とは同義であるから、ライフタイムか
ら応答速度を求めることができる。
ンス光のライフタイムに逆比例することが分かる。遮断
周波数と応答速度とは同義であるから、ライフタイムか
ら応答速度を求めることができる。
【００２９】以上述べたように本実施例によれば、フォ
トルミネッセンス光からではなく、そのライフタイムか
ら求めるようにしたので、エピタキシャルウェハの状態
で発光ダイオードを製作した場合の発光光度を正確に測
定できる。これにより、エピタキシャルウェハ段階で不
良品を落とせるので、発光ダイオードの製品歩留りを大
幅に向上することができる。
トルミネッセンス光からではなく、そのライフタイムか
ら求めるようにしたので、エピタキシャルウェハの状態
で発光ダイオードを製作した場合の発光光度を正確に測
定できる。これにより、エピタキシャルウェハ段階で不
良品を落とせるので、発光ダイオードの製品歩留りを大
幅に向上することができる。
【００３０】また、本検査方法は、エピタキシャルウェ
ハの発光光度及び応答速度を非接触で評価できるため、
従来用いられたエピタキシャルウェハ表面を加工して発
光光度を評価する方法に比べると、加工時のウェハ割れ
を無くし、加工の手間を省き、加工時のウェハを汚染し
ないで済み、さらに発光ダイオードを製作できなくなる
ような加工部分が生じない等、多くのメリットがある。
ハの発光光度及び応答速度を非接触で評価できるため、
従来用いられたエピタキシャルウェハ表面を加工して発
光光度を評価する方法に比べると、加工時のウェハ割れ
を無くし、加工の手間を省き、加工時のウェハを汚染し
ないで済み、さらに発光ダイオードを製作できなくなる
ような加工部分が生じない等、多くのメリットがある。
【００３１】また、この検査方法を実施する装置は、比
較的安価に構成されており、従来のグルービング法に比
べて、装置価格はそれほど高くならない。
較的安価に構成されており、従来のグルービング法に比
べて、装置価格はそれほど高くならない。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、ライフタイムから発光
出力または応答速度を求めるようにしたので、発光出力
または応答速度を、製品作製前のエピタキシャルウェハ
の状態で正確に検査することができる。また、製品作製
後に発光出力を検査する方法に比して、発光ダイオード
の歩留りを大幅に向上することができる。
出力または応答速度を求めるようにしたので、発光出力
または応答速度を、製品作製前のエピタキシャルウェハ
の状態で正確に検査することができる。また、製品作製
後に発光出力を検査する方法に比して、発光ダイオード
の歩留りを大幅に向上することができる。
【図１】本発明のエピタキシャルウェハの検査方法の実
施例に係るエピタキシャルウェハのライフタイムと発光
光度の関係を示す図。
施例に係るエピタキシャルウェハのライフタイムと発光
光度の関係を示す図。
【図２】本実施例に係るダブルヘテロ構造赤色ＬＥＤ用
エピタキシャルウェハの構造を示す断面図。
エピタキシャルウェハの構造を示す断面図。
【図３】本実施例に係るフォトルミネッセンス光のライ
フタイム測定装置の構成図。
フタイム測定装置の構成図。
【図４】本実施例に係るフォトルミネッセンス光の波形
とライフタイムを示す図。
とライフタイムを示す図。
１ ＡｌＧａＡｓウィンドウ層 ２ ＡｌＧａＡｓ活性層 ３ ＡｌＧａＡｓクラッド層 ４ ＧａＡｓ基板 ５ 半導体レーザ ６ レンズ ７ 試料ホルダ ８ エピタキシャルウェハ ９ ＮＤフィルタ １０ 光電子増倍管 １１ 増幅器 １２ デジタルオッシロスコープ １３ パソコン １４ レーザコントローラ １５ ディレイジェネレータ １６ 励起光 １７ フォトルミネッセンス光
Claims (2)
- 【請求項１】エピタキシャルウェハにレーザ光のパルス
を照射し、そのエピタキシャルウェハより放射されたフ
ォトルミネッセンス光の強度の時間変化からフォトルミ
ネッセンスライフタイムを求め、そのライフタイムから
発光出力を求めるエピタキシャルウェハの検査方法。 - 【請求項２】エピタキシャルウェハにレーザ光のパルス
を照射し、そのエピタキシャルウェハより放射されたフ
ォトルミネッセンス光の強度の時間変化からフォトルミ
ネッセンスライフタイムを求め、そのライフタイムから
応答速度を求めるエピタキシャルウェハの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6202296A JPH0864652A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | エピタキシャルウェハの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6202296A JPH0864652A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | エピタキシャルウェハの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864652A true JPH0864652A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16455201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6202296A Pending JPH0864652A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | エピタキシャルウェハの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864652A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6373069B1 (en) | 1998-09-17 | 2002-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for evaluating an epitaxial wafer for a light emitting device, recording medium readable by a computer and epitaxial wafer for a light emitting device |
| JP2007088389A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Yamaguchi Univ | 半導体発光素子の内部量子効率を測定する装置及びその方法 |
| CN103954629A (zh) * | 2014-05-12 | 2014-07-30 | 重庆大学 | 封装led焊点质量检测装置和方法 |
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| WO2025003073A1 (fr) * | 2023-06-30 | 2025-01-02 | Aledia | Procédé et système de caractérisation d'un dispositif optoélectronique |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP6202296A patent/JPH0864652A/ja active Pending
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