JPH0864875A - 熱電変換装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱電変換装置の組立工程の大幅な簡素化を行
うとともに、半導体素子を整列させる際の素子の破損を
防止する。 【構成】 複数のＮ型及びＰ型半導体素子を交互に電気
的に直列接続するための上下の電極として、周辺部に半
田レジスト層及び位置決め突起を有する複数の電極部１
２と、切断用溝を有し、隣り合う電極部１２間を結合す
る継手部１３とを備え、全ての半導体素子に対して共通
となる一体型電極板１１を用いる。そして、上下２枚の
一体型電極板１１と各半導体素子との接続後、上下の一
体型電極板を片方毎別々に、前記継手部１３をレーザー
切断機を用いて切断、分離する。また、半導体ウエハー
を粘着シート上に接着したものからダイシングソーによ
り素子形状に切断した半導体素子を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、冷却装置、加熱装置あ
るいは冷却、加熱の両装置を兼ね備えた温度調節装置
や、冷却、過熱の両装置の温度差を利用した発電装置等
に応用可能な熱電変換装置の製造方法、特に、その組立
工程の効率化を図った熱電変換装置の製造方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】まず、熱電変換装置の基本構成について
図１５を参照しながら説明する。図１５は熱電変換装置
を用いて冷却等を行う機器の要部を示しており、該機器
は熱電変換装置１、冷却板２、放熱板３及び直流電源４
により構成されている。

【０００３】熱電変換装置１は、熱電変換用の複数のＮ
型半導体素子５ａ及びＰ型半導体素子５ｂを交互に一定
の間隔で配設する一方、Ｎ型及びＰ型半導体素子５ａ、
５ｂの一方側で隣り合う逆極性の半導体素子５ｂまたは
５ａの上面間、及び他方側で隣り合う逆極性の半導体素
子５ｂまたは５ａの下面間に亙って電極板６を設けると
ともに、上下の電極板６と各半導体素子５ａ、５ｂとを
それぞれ半田７等により接続し、Ｎ型半導体素子５ａと
Ｐ型半導体素子５ｂとを交互に電気的に直列接続する。
さらに、このようにして接続された半導体素子列を電気
絶縁性を有する基板８等により上下から挟み込んで支
持、固定している。

【０００４】このようにして直列接続された両端、すな
わち下側電極板６の両端に直流電源４により電圧を印加
すると、ペルチェ効果により熱電変換装置１の上面側で
吸熱作用が生じ、その熱は熱電変換装置１を通って放熱
板３側へと運ばれる。この吸熱分と電気入力に相当する
熱量が熱電変換装置１の下面側で放熱されるように動作
する。よって、放熱板３の熱を効率よく放熱させると、
熱は冷却板２から放熱板３へ連続的に移動することにな
る。

【０００５】したがって、冷却板２及び放熱板３はいず
れも熱抵抗を抑制する必要があり、この必要性から両者
２、３は熱伝導性グリス９を介して熱電変換装置１と接
触している。また、冷却板２、放熱板３の材料として
は、フィン付アルミニウム押出材等の金属材料が主とし
て使用されている。

【０００６】従来、上記のような構成を有する熱電変換
装置を製造する方法としては、特開昭５８−１９９５７
８号公報等に開示されたものが挙げられる。図１６及び
図１７に、前記公報に記載されたものに代表される従来
の電極板の配置例を示し、図１６は上側電極板６の配列
を、図１７は下側電極板６の配列を示している。この従
来例においては、上下の電極板６はいずれも銅板をプレ
ス加工法により切断して成形した後、各銅片の表面全体
をバレルメッキ等の手法によりニッケルメッキしたもの
を使用している。

【０００７】このような個別に形成された複数の電極板
６を用いた従来の熱電変換装置の組立工程では、電極板
６を１枚ずつ位置決め用の電極配列治具（図示せず）に
入れ、１枚ずつバキューム吸着することにより図１６及
び図１７に示すように、マトリクス状に固定し、その電
極板表面にペースト半田を印刷したうえで、その上に半
導体素子５ａ、５ｂを載置していくようにしている。

【０００８】これらの半導体素子５ａ、５ｂの電極板６
上へのセットは、Ｎ型半導体素子５ａとＰ型半導体素子
５ｂの位置ずれを防止するために、位置決め用の半導体
素子配列用治具（図示せず）を用い、その治具に各半導
体素子を１個ずつ入れていく。このようにして、半田ペ
ーストを塗布した電極板６上にＮ型半導体素子５ａとＰ
型半導体素子５ｂを置き、上方から加圧しながらリフロ
ー半田付けを行う。

【０００９】ところで、Ｎ型半導体素子５ａとＰ型半導
体素子５ｂの切断については、特開平１−２２３７８１
号公報等に開示されたものが挙げられる。すなわち、こ
の従来例に見られるように、通常、半導体素子５ａ、５
ｂはウエハー材料をワックス等の接着剤により接着して
から切断し、その後、溶剤で接着剤を溶かし、脱脂す
る。半導体素子５ａ、５ｂを配列するためにはパーツフ
ィーダ等により整列させる必要がある。また、パーツフ
ィーダ等を用いず人手により行う場合は、ピンセット等
を用いて各半導体素子５ａ、５ｂの向きを整えて、前記
配列用治具に入れることになる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た先行技術例に見られるような組立プロセスを用いた場
合、次のような種々の問題点が生じる。まず、第１に、
従来では、上下の電極板６はいずれも銅板をプレス加工
法により切断した後、バレルメッキ等の手法によりニッ
ケルメッキすることにより製造されていたため、各電極
板６を所定の配置パターンに従って一定寸法に配置する
ための配列用治具が必要になる。

【００１１】この点に関して、この種の熱電変換装置１
では一般に、電極板６を数十枚〜２５０枚程度並べる必
要があるため、大量生産する場合は、量産効率の観点か
ら電極板６の配列自動化装置等を導入するメリットがあ
ると言えるが、少量生産においてはそのメリットもない
ため、自動化が難しく、したがって組立に要する時間が
製造コストに占める割合が大きくなる。

【００１２】なお、上記従来例のように、半導体素子５
ａ、５ｂと電極板６のみで直接接続するようにしたスケ
ルトン構造ではなく、絶縁基板８に予め電極板６を形成
させたダイレクトボンディングカッパー基板を用いたも
のも従来より実用化されているが、このダイレクトボン
ディングカッパー基板はその製造工程において電極板６
も同時に形成するものであるから電極配列のための工程
が不要となるメリットはあるが、当然のことながらスケ
ルトン構造にはできないため製造効率の低下は免れな
い。また、基板自体のコストも高くつく。

【００１３】第２に、上記従来例において、上下の電極
板６を構成する銅板を切断したうえで、１枚ずつメッキ
しているのは、銅板に半田７が接触しないようにするた
めである。この場合、電極板６を連続させたものとし、
これを接続部で切断するものとすると、半田付け時に半
田７が電極板６の周囲、特に、切断面である銅板側面に
付着または接触する虞れがある。

【００１４】第３に、従来例では、Ｎ型半導体素子５ａ
とＰ型半導体素子５ｂを一定寸法に配置し、半田付けす
る場合に、位置決め用の半導体素子配列用治具を必要と
するが、生産工程においては、生産数量に見合うだけの
個数の配列用治具が必要となり、その分製造コスト高を
招くという問題点がある。また、仮にこの配列用治具を
用いない場合は、図２０に示すように、半田ペーストを
塗布した電極板６上にＮ型半導体素子５ａとＰ型半導体
素子５ｂを載置し、上方から加圧しながらリフロー半田
付けを行うときに、Ｎ型半導体素子５ａとＰ型半導体素
子５ｂが所定位置から横方向に位置ずれしてしまうこと
になる。

【００１５】第４に、従来例では、半導体素子５ａ、５
ｂの電極板６への半田付け後に、電極板６を切断するこ
とは構造的に困難なため、先に単体の電極板６を配列す
る必要があった。また、半導体素子５ａ、５ｂを半田付
けした状態の電極板６を切断する方法として、レーザー
光等の熱切断を挙げることができるが、この方法を用い
た場合、半田７の溶融や電極板６の焼け等が生じる危険
性があるため、瞬時に行わなければならないという技術
的課題が生じる。

【００１６】第５に、従来例では、Ｎ型半導体素子５ａ
とＰ型半導体素子５ｂの自動配列化のためにボウルフィ
ーダやリニアフィーダ等の振動式パーツフィーダ等の設
備が別に必要となる。また、パーツフィーダは半導体素
子５ａ、５ｂに振動を与えて送りながら整列させるよう
に動作するものであるため、本願の対象に含まれる熱電
材料のように脆くて破損しやすい材料の整列に用いる場
合、その材料が破損しないように細心の注意を払う必要
がある。

【００１７】本発明は、上記のような種々の問題点を解
決するためになされたもので、熱電変換装置の組立工程
の大幅な簡素化を行うことを第１の目的とし、また、半
導体素子を整列させる際の素子の破損を確実に防止する
ことを第２の目的とするものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の熱電変換装置の製造方法では、熱電変換用の
複数のＮ型及びＰ型半導体素子を電極板を用いて交互に
電気的に直列接続する熱電変換装置の製造方法におい
て、前記電極板として、互いに接続されるべく配置され
た各半導体素子に対応して設けられた複数の電極部がそ
れぞれ継手部を介して結合された一体型電極板を用いる
とともに、該一体型電極板と各半導体素子との接続後、
前記継手部を切断、分離するようにしている。

【００１９】より具体的には、前記Ｎ型及びＰ型半導体
素子を交互に間隔をおいて配置し、それぞれの半導体素
子の一方側で隣り合う逆極性の半導体素子の上面間、及
び他方側で隣り合う逆極性の半導体素子の下面間に亙っ
て、銅板表面にメッキ処理を施してなる電極板を半田付
けすることにより前記複数のＮ型及びＰ型半導体素子を
交互に電気的に直列接続する。

【００２０】そして、前記電極板には、互いに接続され
るべく配置された各半導体素子に対応して設けられ且つ
周辺部に半田レジスト層及び位置決め突起を有する複数
の電極部と、隣り合う電極部間にこれら電極部と一体に
形成され且つ切断用溝を有する継手部とを有し、全半導
体素子に対して共通となる一体型電極板を用いる。ま
た、上下２枚の一体型電極板と各半導体素子との接続後
において、前記上下の一体型電極板を互いに対して独立
して、前記継手部を切断、分離するようにしている。

【００２１】また、各半導体素子には、半導体ウエハー
を粘着シート上に接着したものからダイシングソーによ
り素子形状に切断されたものを用いることが望ましい。

【００２２】

【作用】上記熱電変換装置の製造方法によると、まず、
一体型電極板を用いたことにより、継手部で電極板中の
各電極部が寸法規定されているため、従来のような配列
作業は不要となる。また、この継手部の存在により電極
板はプレス抜きの手法を用いるようにすれば、一度に全
部の電極部を同時成形することができる。

【００２３】この場合に、一体型電極板は継手部を切断
した後、電極板を構成する銅板がその切断面に露出する
ため、半田と再接触する虞れがあるが、半田レジスト層
を設けたことにより、継手部側面の電極切断面まで半田
が濡れて広がるのを阻止でき、これにより電極板断面と
接触することが確実に防止することができる。

【００２４】また、位置決め突起を設けたことにより、
Ｎ型及びＰ型半導体素子を半田付けする際、これらの素
子を上方から押さえたときに電極板上の所定位置から位
置ずれすることを規制することができる。また、従来必
要とした配列用治具が不要となる。

【００２５】そして最終的に、上下２枚の一体型電極板
と各半導体素子との接続後において、前記上下の一体型
電極板を互いに対して独立して、前記継手部を切断、分
離するのであるが、この場合、レーザー光を利用して熱
切断することができ、そのときレーザーのレンズ焦点を
浅くして一方の電極板の切断すべき面にのみパワーを集
中させ、他方の電極板にはパワーが分散するようにして
切断することにより、半導体素子と半田との接合部に生
じる切断ストレスを可及的に小さくすることができる。

【００２６】このように上記製造方法によると、Ｎ型と
Ｐ型の半導体素子間を接続する電極として一体型電極板
を用いることにより、特に、絶縁基板を用いない半導体
素子と電極のみによる効率のよいスケルトン構造の熱電
変換装置の組立工程の大幅な簡素化が可能となる。

【００２７】また、シート接着による切断により、Ｎ型
半導体素子とＰ型半導体素子をマウントするための再整
列が不要となり、整列のために加えられた振動による半
導体素子の破損の危険性も解消される。

【００２８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。なお、本実施例方法が対象とする熱電変換装
置は、既述した図１５に示す熱電変換装置１、すなわち
熱電変換用の複数のＮ型及びＰ型半導体素子５ａ、５ｂ
を交互に間隔をおいて配置し、それぞれの半導体素子５
ａ、５ｂの一方側で隣り合う逆極性の半導体素子５ａま
たは５ｂの上面間、及び他方側で隣り合う逆極性の半導
体素子５ｂまたは５ａの下面間に亙って、銅板表面にメ
ッキ処理を施してなる上下の電極を半田付けすることに
より複数のＮ型及びＰ型半導体素子５ａ、５ｂを交互に
電気的に直列接続する装置である。また、本実施例にお
いて、前記従来例と共通する構成には共通の符号を付す
こととする。

【００２９】図１は本発明に係る熱電変換装置の実施例
における上側の一体型電極板の構造を、図２は同じく下
側の一体型電極板を示している。これらの一体型電極板
１１は互いに接続されるべく配置されたＮ型及びＰ型半
導体素子５ａ、５ｂに対応して設けられた複数の電極部
１２を、それぞれ位置固定用の継手部１３(幅0.3〜0.4m
m程度)を介してマトリクス状に結合してなり、厚み0.3
〜0.5mmの銅板をプレス金型で抜いて成形加工したもの
である。また、抜いた銅板は無電解ニッケルメッキを2
μm程度施し、更にその上に酸化防止膜としての金・パ
ラジウムコート、あるいは半田プリコート等を施してい
る。

【００３０】本実施例では、このような一体型電極板１
１を用いたことにより、継手部１３で一体型電極板１１
中の各電極部１２が寸法規定されているため、従来、必
要とした個別に形成された電極板６を配列する作業は不
要であり、また、細い継手部１３により一体型電極板１
１はプレス抜きの手法を用いるようにすれば、一度に全
部の電極部１２を同時成形することができる。

【００３１】図３及び図４に示すように、一体型電極板
１１の上面周縁部には半田レジスト塗料を印刷してなる
半田レジスト層１４を形成する。具体的には、一体型電
極板１１の各電極部１２とＮ型及びＰ型半導体素子５
ａ、５ｂとの接触面より若干大きい寸法の四角形部分を
半田接合面１２ａとして残し、その部分以外の斜線部分
について半田レジスト塗料をスクリーン印刷することに
より半田レジスト層１４を形成する。

【００３２】図５及び図６に、半田レジスト層１４を設
けた一体型電極板１１にＮ型及びＰ型半導体素子５ａ、
５ｂを半田付けした状態を示す。これらの図から明らか
なように、半田レジスト層１４を施した場合、図中、右
上がり斜線部分で示す半田７はレジスト層１４にを越え
て濡れ広がることはないので、電極切断面１３ａに達す
る虞れはなくなる。したがって、半田を構成する錫と一
体型電極板１１を構成する銅の金属拡散が防止される。

【００３３】これに対し、図１８及び図１９に示すよう
に、電極板６の表面に半田レジストを行うための手段が
施されていない従来例を適用した場合、想像線で示す継
手部で切断した場合、Ｎ型半導体素子５ａとＰ型半導体
素子５ｂの端面から右上がり斜線部分で示すように半田
７が濡れて広がり、電極切断面６ａに達する虞れが大き
い。

【００３４】図７〜図９に示すように、一体型電極板１
１とＮ型及びＰ型半導体素子５ａ、５ｂとが接触する部
分の周囲各４カ所にプレスによる位置決め突起１５を設
ける。この場合、前述の図２０に示す従来例のように、
電極板６に突起１５が存在しないものでは、半田ペース
ト１０を塗布した電極板６上にＮ型半導体素子５ａとＰ
型半導体素子５ｂを載置し、上方から加圧しながらリフ
ロー半田付けを行うときに、Ｎ型半導体素子５ａとＰ型
半導体素子５ｂが所定位置から横方向に位置ずれする虞
れが生じる。

【００３５】これに対し、本実施例のように位置決め突
起１５を設けるようにすれば、図９に示すように、Ｎ型
及びＰ型半導体素子５ａ、５ｂのずれを防止しながら矢
印で示す上方から加圧しつつ半田付けすることが可能と
なり、素子の配列用治具を準備することなく、半田付け
時の半導体素子５ａ、５ｂの位置ずれを防止することが
できる。

【００３６】このようにして上下２枚の一体型電極板１
１とＮ型及びＰ型半導体素子５ａ、５ｂとを接続した
後、上下の一体型電極板１１を片方毎に別々に、それぞ
れ継手部１３を切断、分離するのであるが、本実施例で
は図１０に示すように、一体型電極板１１をレーザー切
断機１６により切断加工するようにしている。

【００３７】この場合、２種類の一体型電極板１１のう
ち、上側の一体型電極板を１１Ａとし、下側の一体型電
極板を１１Ｂとすると、Ｎ型及びＰ型半導体素子５ａ、
５ｂはこの両者１１Ａ、１１Ｂ間に挟み込まれた形とな
る。そして、Ｎ型及びＰ型半導体素子５ａ、５ｂを半田
付けされた組品の上側の一体型電極板１１Ａに対し、レ
ーザー切断機１６のレーザー光を集光するレンズ１７の
焦点深度を浅くして上側の一体型電極板１１Ａの電極
面、つまり継手部１３上面にパワーを集中させて瞬間切
断する。

【００３８】このとき、下側の一体型電極板１１Ｂの電
極面に対してはレーザー光が分散しパワーが低下するた
め、切断の影響が及ばない。なお、下側の一体型電極板
１１Ｂについても、レーザー切断機１６と組品との相対
位置を調整した後、上側の一体型電極板１１Ａと同様に
して瞬間切断する。

【００３９】ところで、この場合、図１１及び図１２に
示すように、継手部１３の切断を容易にするために切断
用Ｖ型溝１８を設けるようにすることが望ましい。この
Ｖ型溝１８は一体型電極板６の各継手部１３のそれぞれ
にプレス装置により形成する。このＶ型溝１８を設けた
ものでは、レーザー切断機１６等によって継手部１３を
切断するとき、Ｖ型溝１８を狙って切断すれば、その部
分の厚みが薄いので短時間で切断することができる。

【００４０】次に、一体型電極板１１への半田付けに先
立って行う半導体素子５ａ、５ｂのウエハーからの切断
について説明する。図１３はそのプロセスを説明するた
めの模式図であって、同図(Ａ)は平面を、(Ｂ)は側面
を、(Ｃ)はダイシングソーを、(Ｄ)は切断後の状態の平
面を、(Ｅ)はその側面をそれぞれ示している。

【００４１】この図に示す方法は接着シートを用いた半
導体素子５ａ、５ｂの切断方法の一例であって、図１３
(Ａ)(Ｂ)に示すように、固定リング１９に貼り付けた紫
外線硬化性粘着シート２０上に板状の半導体ウエハー２
１を接着し、ダイシングソー２２にセットして高速回転
ブレード(円盤状カッター)２３によってＸ方向・Ｙ方向
に粘着シート２０の一部まで切り込んで切断する。

【００４２】但し、このままでは粘着シート２０の接着
力が強いため、切断された半導体素子５ａ、５ｂは簡単
に剥がれない。したがって、粘着シート２０に紫外線光
を照射し、粘着シート２０の接着力を弱らせる。これに
よりバキュームピンセット等により粘着シート２０より
素子を簡単に取り上げることが可能となる。切断された
半導体素子５ａ、５ｂは粘着シート２０上で整列してい
るため、振動式のボウルフィーダやリニアフィーダ等を
利用して再整列させる必要がなく、一体型電極板１１へ
自動配置することが可能となる。

【００４３】なお、粘着シート２０は紫外線硬化性粘着
シートに限定されるものではなく、例えば図１４(Ａ)に
示すように、接着力の弱い一般粘着シート２０を用いて
板状の半導体ウエハー２１を図１３（Ｅ）のもののよう
にフルカットするのではなく、厚み方向に数十μm程度
残して切断し、その切断後に図１４(Ｂ)に示すように、
粘着シート２０を外方向にエキスパンドする、つまり引
っ張ることにより、数十μm切断残の部分を分離し、半
導体素子５ａ、５ｂを取り上げることも可能となる。以
上のような切断方法を採用することにより、半導体製造
装置であるシリコンチップ用マウンターを応用した一体
型電極板１１上への高速実装も可能となる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
よるときは、一体型電極板を用いたことにより、継手部
で電極板中の各電極部が寸法規定されているため、従来
のような電極板の配列作業は不要となる。また、この継
手部の存在により電極板はプレス抜きの手法を用いるよ
うにすれば、一度に全部の電極部を同時成形することが
できる。したがって、効率のよいスケルトン構造の熱電
変換装置の組立工程の大幅な簡素化を実現することがで
きる。

【００４５】請求項２によるときは、一体型電極板は継
手部を切断した後、電極板を構成する銅板がその切断面
に露出するため、半田と再接触する虞れがあるが、半田
レジスト層を設けたことにより、継手部側面の電極切断
面まで半田が濡れて広がるのを阻止できる。したがっ
て、半田接合部分のニッケルメッキを後処理することな
く錫(半田)と銅の金属拡散を防止することができ、コス
トをかけることなく、信頼性を確保できる。

【００４６】また、位置決め突起を設けたことにより、
Ｎ型及びＰ型半導体素子を半田付けする際、これらの素
子を上方から押さえたときに電極板上の所定位置から位
置ずれすることを規制することができる。したがって、
素子の配列用治具を用意することなく、半田付け時の素
子の位置ずれを防止することができ、組立工程の簡素化
と設備治具コストの削減が可能となる。

【００４７】そして最終的に、上下２枚の一体型電極板
と各半導体素子との接続後において、前記上下の一体型
電極板を互いに対して独立して、前記継手部を切断、分
離するのであるが、この場合、レーザー光を利用して熱
切断することができ、そのときレーザーのレンズ焦点を
浅くして一方の電極板の切断すべき面にのみパワーを集
中させ、他方の電極板にはパワーが分散するようにして
切断することにより、半導体素子と半田との接合部に生
じる切断ストレスを可及的に小さくすることができる。

【００４８】このように上記製造方法によると、Ｎ型と
Ｐ型の半導体素子間を接続する電極として一体型電極板
を用いることにより、特に、絶縁基板を用いない半導体
素子と電極のみによる効率のよいスケルトン構造の熱電
変換装置の組立工程の大幅な簡素化が可能となる。

【００４９】請求項３によるときは、素子をマウントす
るための再整列が不要となり、整列のために加えられた
振動による素子の破損の心配も不要となり、設備コスト
の削減と、組立信頼性の向上、さらに大型高速マウンタ
ーとのドッキング等も容易になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る熱電変換装置の実施例における
上側の一体型電極板を示す平面図。

【図２】 同じく下側の一体型電極板を示す平面図。

【図３】 半田レジスト層を印刷形成した状態の一体型
電極板を示す要部平面図。

【図４】 その要部側面図。

【図５】 半田レジスト層を設けた一体型電極板に半導
体素子を半田付けした状態を示す平面図。

【図６】 その側面図。

【図７】 一体型電極板に位置決め突起を設けた状態を
示す要部平面図。

【図８】 その要部側面図。

【図９】 その上に半導体素子をセットした状態を示す
要部側面図。

【図１０】 レーザー切断装置による電極板切断加工時
の状態を示す要部概略側面図。

【図１１】 継手部の切断を容易にするためのＶ型溝を
設けた態様を示す要部平面図。

【図１２】 その要部側面図。

【図１３】 接着シートを用いた半導体素子の一つの切
断プロセスを説明するための模式図。

【図１４】 接着シートを用いた半導体素子の他の切断
プロセスを説明するための模式図。

【図１５】 電極にＮ型半導体素子及びＰ型半導体素子
を半田付けした熱電変換装置の基本構造を示す概略断面
図。

【図１６】 従来の上側電極板の配置例を示す平面図。

【図１７】 従来の下側電極板の配置例を示す平面図。

【図１８】 半田レジストを施していない場合の電極に
素子を半田付けした状態を示す平面図。

【図１９】 その側面図。

【図２０】 突起が設けられていない電極板に半導体素
子を半田付けした従来例を示す側面図。

【符号の説明】

１ 熱電変換装置 ５ａ Ｎ型半導体素子 ５ｂ Ｐ型半導体素子 ７ 半田 １１ 一体型電極板 １２ 電極部 １３ 継手部 １４ 半田レジスト層 １５ 位置決め突起 １８ 切断用Ｖ型溝 ２０ 粘着シート ２１ 半導体ウエハー ２２ ダイシングソー

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 熱電変換用の複数のＮ型及びＰ型半導体
   素子を電極を用いて交互に電気的に直列接続する熱電変
   換装置の製造方法において、前記電極として、互いに接
   続されるべく配置された各半導体素子に対応して設けら
   れた複数の電極部がそれぞれ継手部を介して結合された
   一体型電極を用いるとともに、該一体型電極と各半導体
   素子との接続後、前記継手部を切断、分離することを特
   徴とする熱電変換装置の製造方法。
2. 【請求項２】 熱電変換用の複数のＮ型及びＰ型半導体
   素子を交互に間隔をおいて配置し、それぞれの半導体素
   子の一方側で隣り合う逆極性の半導体素子の上面間、及
   び他方側で隣り合う逆極性の半導体素子の下面間に亙っ
   て、銅板表面にメッキ処理を施してなる上下の電極を半
   田付けすることにより前記複数のＮ型及びＰ型半導体素
   子を交互に電気的に直列接続する熱電変換装置の製造方
   法において、前記上下の電極として、互いに接続される
   べく配置された各半導体素子に対応して設けられ且つ周
   辺部に半田レジスト層及び位置決め突起を有する複数の
   電極部と、隣り合う電極部間にこれら電極部と一体に形
   成され且つ切断用溝を有する継手部とを有し、全半導体
   素子に対して共通となる一体型電極を用いるとともに、
   上下２枚の一体型電極と各半導体素子との接続後、前記
   上下の一体型電極を片方毎別々に、前記継手部を切断、
   分離することを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
3. 【請求項３】 熱電変換用の複数のＮ型及びＰ型半導体
   素子を電極を用いて交互に電気的に直列接続する熱電変
   換装置の製造方法において、前記各半導体素子として、
   半導体ウエハーを粘着シート上に接着したものからダイ
   シングソーにより素子形状に切断されたものが用いられ
   ることを特徴とする熱電変換装置の製造方法。