JPH0869636A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH0869636A JPH0869636A JP6227272A JP22727294A JPH0869636A JP H0869636 A JPH0869636 A JP H0869636A JP 6227272 A JP6227272 A JP 6227272A JP 22727294 A JP22727294 A JP 22727294A JP H0869636 A JPH0869636 A JP H0869636A
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｃ／Ｎや消去比が高く、多数回の記録−消去
の繰り返しが可能な相変化形光情報記録媒体を提供す
る。 【構成】 プラスチック基板１上に少なくとも第一保護
層２、相変化形記録層３、第二保護層４及び反射放熱層
５を設けた光情報記録媒体において、該第一保護層２又
は第二保護層４のともに１層あるいは２層で構成され、
それぞれが特定の薄膜で形成されている。
の繰り返しが可能な相変化形光情報記録媒体を提供す
る。 【構成】 プラスチック基板１上に少なくとも第一保護
層２、相変化形記録層３、第二保護層４及び反射放熱層
５を設けた光情報記録媒体において、該第一保護層２又
は第二保護層４のともに１層あるいは２層で構成され、
それぞれが特定の薄膜で形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光情報記録媒体に関し、
特に光ビームを照射することにより記録層材料に相変化
を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ書換えが可
能であって光メモリー関連機器に応用される相変化形光
情報記録媒体に関する。
特に光ビームを照射することにより記録層材料に相変化
を生じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ書換えが可
能であって光メモリー関連機器に応用される相変化形光
情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形光情報記録媒体
がよく知られている。この相変化形光情報記録媒体は、
特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオーバ
ーライトが可能であり、ドライブ側の光学系よりも単純
であることなどから、最近その研究開発が活発に行なわ
れるようになっている。
る情報の記録、再生および消去可能な光メモリー媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形光情報記録媒体
がよく知られている。この相変化形光情報記録媒体は、
特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオーバ
ーライトが可能であり、ドライブ側の光学系よりも単純
であることなどから、最近その研究開発が活発に行なわ
れるようになっている。
【０００３】その代表的な例として、ＵＳＰ３５３０４
４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ
−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、
Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料があげ
られる。また安定性、高速結晶化などの向上を目的に、
Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２号公
報）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０号公
報）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号公報）などを添
加した材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を
目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組
成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号公報）
の提案などもなされている。
４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ
−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、
Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料があげ
られる。また安定性、高速結晶化などの向上を目的に、
Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２号公
報）、ＳｎおよびＡｕ（特開昭６１−２７０１９０号公
報）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９０号公報）などを添
加した材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を
目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組
成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号公報）
の提案などもなされている。
【０００４】しかしながら、いずれも相変化形書換可能
光メモリー媒体として要求される諸特性のすべてを満足
しうるものではなかった。特にオーバーライト時の消し
残りによる消去比低下の防止、ならびに繰り返し記録回
数の向上が解決すべき最重要課題となっている。
光メモリー媒体として要求される諸特性のすべてを満足
しうるものではなかった。特にオーバーライト時の消し
残りによる消去比低下の防止、ならびに繰り返し記録回
数の向上が解決すべき最重要課題となっている。
【０００５】そうしたことから、特開昭６３−２５１２
９０号公報では結晶状態が実質的に三元以上の多元化合
物単相からなる記録層を具備した光情報記録媒体が提案
されている。ここで実質的に三元以上の多元化合物単層
とは三元以上の化学量論組成を持った化合物（たとえば
Ｉｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層中に９０ａｔｏｍ％以上含む
ものとされている。このような記録層を用いることによ
り記録、消去特性の向上が図れるとしている。
９０号公報では結晶状態が実質的に三元以上の多元化合
物単相からなる記録層を具備した光情報記録媒体が提案
されている。ここで実質的に三元以上の多元化合物単層
とは三元以上の化学量論組成を持った化合物（たとえば
Ｉｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層中に９０ａｔｏｍ％以上含む
ものとされている。このような記録層を用いることによ
り記録、消去特性の向上が図れるとしている。
【０００６】だが、これらの光情報記録媒体にあっては
消去比が低いなどの欠点を有している。これらの事情か
ら消去比が高く、なおかつ、繰り返し特性の優れた光情
報記録媒体の開発が望まれていた。このための方策とし
て、記録層材料に適した保護層材料の開発が進められ、
ＺｎＳ・ＳｉＯ2（特開平４−７１７８５号公報な
ど）、ＳｉＮ、ＡｌＮなどの材料が用いられている。し
かし、これらの材料の組み合わせによっても光情報記録
媒体として要求される諸特性のすべてを満足するものは
得られていないのが実情である。
消去比が低いなどの欠点を有している。これらの事情か
ら消去比が高く、なおかつ、繰り返し特性の優れた光情
報記録媒体の開発が望まれていた。このための方策とし
て、記録層材料に適した保護層材料の開発が進められ、
ＺｎＳ・ＳｉＯ2（特開平４−７１７８５号公報な
ど）、ＳｉＮ、ＡｌＮなどの材料が用いられている。し
かし、これらの材料の組み合わせによっても光情報記録
媒体として要求される諸特性のすべてを満足するものは
得られていないのが実情である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は以上の
ような事情に鑑みてなされたものであり、Ｃ／Ｎや消去
比が高く、多数回の記録−消去の繰り返しが可能な相変
化形光情報記録媒体を提供することにある。
ような事情に鑑みてなされたものであり、Ｃ／Ｎや消去
比が高く、多数回の記録−消去の繰り返しが可能な相変
化形光情報記録媒体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
達成するために、いろいろな角度から光情報記録媒体に
ついて研究検討を行なってきたが、記録層材料と保護層
材料との組み合わせによっては高Ｃ／Ｎ、高消去比かつ
繰り返し特性にすぐれ良好な結果が得られることを見い
だした。本発明はそれに基づいてなされたものである。
達成するために、いろいろな角度から光情報記録媒体に
ついて研究検討を行なってきたが、記録層材料と保護層
材料との組み合わせによっては高Ｃ／Ｎ、高消去比かつ
繰り返し特性にすぐれ良好な結果が得られることを見い
だした。本発明はそれに基づいてなされたものである。
【０００９】すなわち本発明の第１は、プラスチック基
板上に少なくとも第一保護層、相変化形記録層（以降
「記録層」と称することがある）、第二保護層及び反射
放熱層を順次設けた光情報記録媒体において、該記録層
の主な構成元素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅであり、か
つ、該第一保護層が２層で構成されそのうちの基板側の
層が３０ａｔｏｍ％以上のＯを含有する酸化物薄膜であ
ることを特徴とするものである。ここで、具体的な酸化
物薄膜としては、 （ＺｒxＣｅ1-x）yＯ1-y（０≦ｘ≦１、０．２５≦ｙ≦
０．４）又はＴａxＯ1-x（０．２２≦ｘ≦０．３５） で表わされる材料が適している。一方、２層からなる第
一保護層のうち記録層側の層には、 （ＺnＳ）x（ＳｉＯ2）1-x（０．７≦ｘ≦０．８５） で表わされる材料が適している。
板上に少なくとも第一保護層、相変化形記録層（以降
「記録層」と称することがある）、第二保護層及び反射
放熱層を順次設けた光情報記録媒体において、該記録層
の主な構成元素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅであり、か
つ、該第一保護層が２層で構成されそのうちの基板側の
層が３０ａｔｏｍ％以上のＯを含有する酸化物薄膜であ
ることを特徴とするものである。ここで、具体的な酸化
物薄膜としては、 （ＺｒxＣｅ1-x）yＯ1-y（０≦ｘ≦１、０．２５≦ｙ≦
０．４）又はＴａxＯ1-x（０．２２≦ｘ≦０．３５） で表わされる材料が適している。一方、２層からなる第
一保護層のうち記録層側の層には、 （ＺnＳ）x（ＳｉＯ2）1-x（０．７≦ｘ≦０．８５） で表わされる材料が適している。
【００１０】本発明の第２は、プラスチック基板上に少
なくとも第一保護層、記録層、第二保護層及び反射放熱
層を順次設けた光情報記録媒体において、前記記録層の
主な構成元素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅであり、か
つ、該第二保護層がＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうちの少なくと
もＳｉとＮとを含む化合物でＮが３０ａｔｏｍ％以上含
有していることを特徴とするものである。
なくとも第一保護層、記録層、第二保護層及び反射放熱
層を順次設けた光情報記録媒体において、前記記録層の
主な構成元素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅであり、か
つ、該第二保護層がＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうちの少なくと
もＳｉとＮとを含む化合物でＮが３０ａｔｏｍ％以上含
有していることを特徴とするものである。
【００１１】本発明の第３は、プラスチック基板上に少
なくとも第一保護層、該記録層、第二保護層及び反射放
熱層を順次設けた光情報記録媒体において、該記録層の
主な構成元素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅであり、か
つ、該第二保護層が２層で構成され、そのうちの反射放
熱層側の層が３０ａｔｏｍ％以上のＮを含有する窒化物
薄膜であることを特徴とするものである。ここで、具体
的な窒化物薄膜としては、Ｓｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうち少な
くともＳｉ及びＮを含む化合物でＮが３０ａｔｏｍ％以
上含有しているもの、もしくはＢxＮ1-x（０．４≦ｘ≦
０．６）が適している。また、２層から成る第二保護層
のうち記録層側の層には（ＺｎＳ）x（ＳｉＯ2）
1-x（０．７≦ｘ≦０．８５）が適している。
なくとも第一保護層、該記録層、第二保護層及び反射放
熱層を順次設けた光情報記録媒体において、該記録層の
主な構成元素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅであり、か
つ、該第二保護層が２層で構成され、そのうちの反射放
熱層側の層が３０ａｔｏｍ％以上のＮを含有する窒化物
薄膜であることを特徴とするものである。ここで、具体
的な窒化物薄膜としては、Ｓｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうち少な
くともＳｉ及びＮを含む化合物でＮが３０ａｔｏｍ％以
上含有しているもの、もしくはＢxＮ1-x（０．４≦ｘ≦
０．６）が適している。また、２層から成る第二保護層
のうち記録層側の層には（ＺｎＳ）x（ＳｉＯ2）
1-x（０．７≦ｘ≦０．８５）が適している。
【００１２】以下に、本発明を添付の図面に従いながら
さらに詳細に説明する。図１（ａ）（ｂ）は本発明の光
情報記録媒体の代表的な二例の概略断面図である。これ
ら図面において、１はプラスチック基板、２は第一保護
層（２１は基板１側の層、２２は記録層３側の層）、３
は記録層、４は第二保護層（４１は記録層３側の層、４
２は反射放熱層５側の層）、５は反射放熱層を表わして
いる。
さらに詳細に説明する。図１（ａ）（ｂ）は本発明の光
情報記録媒体の代表的な二例の概略断面図である。これ
ら図面において、１はプラスチック基板、２は第一保護
層（２１は基板１側の層、２２は記録層３側の層）、３
は記録層、４は第二保護層（４１は記録層３側の層、４
２は反射放熱層５側の層）、５は反射放熱層を表わして
いる。
【００１３】本発明の光情報記録媒体における基板１と
しては、ガラスが破損し易くかつ高価であることや、プ
リグルーブの形成が容易でないため、射出成形によって
得られるプラスチック基板を用いる。具体的なプラスチ
ック基板の材料としてはポリカーボネート（ＰＣ）、ポ
リメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスオ
レフィン（ＡＰＯ）等が挙げられるが、その中でも耐熱
性が有り、射出成形時の転写性が良いポリカーボネート
（ＰＣ）が最も実用的である。これらの基板はディスク
形状をしており、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度が適当
である。
しては、ガラスが破損し易くかつ高価であることや、プ
リグルーブの形成が容易でないため、射出成形によって
得られるプラスチック基板を用いる。具体的なプラスチ
ック基板の材料としてはポリカーボネート（ＰＣ）、ポ
リメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスオ
レフィン（ＡＰＯ）等が挙げられるが、その中でも耐熱
性が有り、射出成形時の転写性が良いポリカーボネート
（ＰＣ）が最も実用的である。これらの基板はディスク
形状をしており、厚みは０．６〜１．２ｍｍ程度が適当
である。
【００１４】本発明の光情報記録媒体における記録層３
は、構成元素として少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴ
ｅを含むものである。またディスク特性をさらに一層向
上させることを目的として他の元素を加えてもよい。例
えばIVａ、Ｖａなどの遷移金属元素（Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏなど）を添加すると、結晶化速度の制
御が容易となり、構造安定性の改善、繰返し特性の向上
が図れるようになる。記録層は製膜時にアモルファスで
あることが多いが、媒体形成後熱処理して初期化する。
は、構成元素として少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴ
ｅを含むものである。またディスク特性をさらに一層向
上させることを目的として他の元素を加えてもよい。例
えばIVａ、Ｖａなどの遷移金属元素（Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏなど）を添加すると、結晶化速度の制
御が容易となり、構造安定性の改善、繰返し特性の向上
が図れるようになる。記録層は製膜時にアモルファスで
あることが多いが、媒体形成後熱処理して初期化する。
【００１５】これら記録層の安定状態（未記録部）は、
電子顕微鏡観察、電子線回折、Ｘ線回折を行った結果か
ら、結晶相の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂ
Ｔｅ2と少なくともＩｎとＳｂからなるアモルファス相
が混相状態で存在していることがわかっている。その混
相状態は化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2結晶相中に少なくともＩｎとＳｂからなるアモルファ
ス相が分散した状態、あるいは少なくともＩｎとＳｂか
らなるアモルファス相中にＡｇＳｂＴｅ2結晶相が分散
した状態あるいはこれらが混在した状態をとることがで
きる。
電子顕微鏡観察、電子線回折、Ｘ線回折を行った結果か
ら、結晶相の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂ
Ｔｅ2と少なくともＩｎとＳｂからなるアモルファス相
が混相状態で存在していることがわかっている。その混
相状態は化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2結晶相中に少なくともＩｎとＳｂからなるアモルファ
ス相が分散した状態、あるいは少なくともＩｎとＳｂか
らなるアモルファス相中にＡｇＳｂＴｅ2結晶相が分散
した状態あるいはこれらが混在した状態をとることがで
きる。
【００１６】アモルファス相は一般に等方性の高い構造
を持つと言われている。一方、ＡｇＳｂＴｅ2も等方的
な結晶構造である立方晶構造をもつため、たとえばレー
ザー光により高温から急冷されアモルファス相となる際
（記録→準安定状態への転移）には高速で均一な相変化
がおこり、物理的、化学的にばらつきの少ないアモルフ
ァス相となる。このアモルファス相の微細な構造は解析
が困難であり、詳細は不明であるが、たとえばアモルフ
ァス相の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2と少なくともＩｎ、Ｓｂからなるアモルファス相の組
み合わせ、またはまったく別の単一アモルファス相等に
なっていると考えられる。また、逆にこのような均一性
の高いアモルファス相から等方的な結晶構造への転移に
おいて（消去→安定状態への転移）は結晶化も均一に起
こり、したがって消去比は非常に高いものとなる。また
混在状態ではサイズ効果による融点降下がおこるため、
比較的低い温度で相転移を起こすことができる。即ち、
記録媒体としては記録感度が向上する。
を持つと言われている。一方、ＡｇＳｂＴｅ2も等方的
な結晶構造である立方晶構造をもつため、たとえばレー
ザー光により高温から急冷されアモルファス相となる際
（記録→準安定状態への転移）には高速で均一な相変化
がおこり、物理的、化学的にばらつきの少ないアモルフ
ァス相となる。このアモルファス相の微細な構造は解析
が困難であり、詳細は不明であるが、たとえばアモルフ
ァス相の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
2と少なくともＩｎ、Ｓｂからなるアモルファス相の組
み合わせ、またはまったく別の単一アモルファス相等に
なっていると考えられる。また、逆にこのような均一性
の高いアモルファス相から等方的な結晶構造への転移に
おいて（消去→安定状態への転移）は結晶化も均一に起
こり、したがって消去比は非常に高いものとなる。また
混在状態ではサイズ効果による融点降下がおこるため、
比較的低い温度で相転移を起こすことができる。即ち、
記録媒体としては記録感度が向上する。
【００１７】このような混相状態はＡｇＩｎＴｅ2とＳ
ｂとを原材料で用いることにより作成することができ
る。製膜時の記録膜は、原材料の化学構造を反映しＡｇ
ＩｎＴｅ2とＳｂのアモルファス相になっていると考え
られる。これは結晶化転移点（１９０〜２２０℃）付近
の温度で熱処理を施すことによりＡｇＩｎＴｅ2とＳｂ
の結晶相が得られることで確認できる。このような記録
膜を適当なパワーのレーザー光、または熱等により初期
化することにより、はじめて微細な化学量論組成あるい
はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2と少なくともＩｎ、Ｓｂか
らなるアモルファスの均一な混相を作成することができ
る。すなわちＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを少なくとも含む
系において、製膜時の記録膜に対して初期化プロセスと
して置換反応をおこさせ、構造変化させことにより適切
な構造を得ることができる。このプロセスは製膜時の記
録膜を加熱し、融解あるいはそれに近い活性な状態に
し、その後適切な冷却速度で冷却することからなるもの
である。冷却速度が速すぎれば記録層はアモルファス構
造となり、逆に遅すぎると好ましい微細な混相構造とは
ならず、Ｉｎ、Ｓｂからなる相も結晶化する。
ｂとを原材料で用いることにより作成することができ
る。製膜時の記録膜は、原材料の化学構造を反映しＡｇ
ＩｎＴｅ2とＳｂのアモルファス相になっていると考え
られる。これは結晶化転移点（１９０〜２２０℃）付近
の温度で熱処理を施すことによりＡｇＩｎＴｅ2とＳｂ
の結晶相が得られることで確認できる。このような記録
膜を適当なパワーのレーザー光、または熱等により初期
化することにより、はじめて微細な化学量論組成あるい
はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2と少なくともＩｎ、Ｓｂか
らなるアモルファスの均一な混相を作成することができ
る。すなわちＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを少なくとも含む
系において、製膜時の記録膜に対して初期化プロセスと
して置換反応をおこさせ、構造変化させことにより適切
な構造を得ることができる。このプロセスは製膜時の記
録膜を加熱し、融解あるいはそれに近い活性な状態に
し、その後適切な冷却速度で冷却することからなるもの
である。冷却速度が速すぎれば記録層はアモルファス構
造となり、逆に遅すぎると好ましい微細な混相構造とは
ならず、Ｉｎ、Ｓｂからなる相も結晶化する。
【００１８】記録層の組成は、 （ＡｇαＳｂαＴｅ1-2α）x（Ｉｎ1-yＳｂy）1-x としたときに、 ０．１＜α＜０．３ ０．３≦ｘ≦０．５ ０．７≦ｙ≦０．９ の範囲のものが好ましい。本発明における記録層は各種
気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プ
ラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング
法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。気相成
長法以外にゾルゲル法のような湿式プロセスも定期用可
能である。記録層の膜厚としては１０〜１０００ｎｍ、
好適には２０〜３００ｎｍとするのがよい。１０ｎｍよ
り薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割
をはたさなくなる。また、１０００ｎｍより厚いと高速
で均一な相変化がおこりにくくなる。
気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プ
ラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング
法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。気相成
長法以外にゾルゲル法のような湿式プロセスも定期用可
能である。記録層の膜厚としては１０〜１０００ｎｍ、
好適には２０〜３００ｎｍとするのがよい。１０ｎｍよ
り薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割
をはたさなくなる。また、１０００ｎｍより厚いと高速
で均一な相変化がおこりにくくなる。
【００１９】本発明ではプラスチック基板上にまず２層
から成る第一保護層２を設ける。記録層３であるＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ系材料は、温度や湿度によって酸化等による
腐食が生じ易いため、誘電体膜のような保護層で両面か
ら被覆する必要がある。従って、この第一保護層２は基
板１からの水や酸素の浸入を防ぎ、それ自体の耐食性が
高く、かつ記録層３との反応性が小さい材料でなければ
ならない。この第一保護層２の具体的な材料としては、
ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ・ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ
2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの金属酸化物、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの金属窒化
物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの金属硫化物、Ｓ
ｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭
化物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれらの混合物
が一般に知られている。
から成る第一保護層２を設ける。記録層３であるＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ系材料は、温度や湿度によって酸化等による
腐食が生じ易いため、誘電体膜のような保護層で両面か
ら被覆する必要がある。従って、この第一保護層２は基
板１からの水や酸素の浸入を防ぎ、それ自体の耐食性が
高く、かつ記録層３との反応性が小さい材料でなければ
ならない。この第一保護層２の具体的な材料としては、
ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ・ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ
2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの金属酸化物、Ｓｉ
3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの金属窒化
物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの金属硫化物、Ｓ
ｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭
化物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれらの混合物
が一般に知られている。
【００２０】しかしまた一方で、繰返しオーバーライト
が行われる際、記録層３は、結晶化とアモルファス化が
短時間で繰返し行われるため熱的ダメージが蓄積され、
第一保護層２と基板１との界面で部分的な剥離が生じ易
くなる。従って、第一保護層２は繰返しオーバーライト
特性を良好にするためにプラスチック基板１との密着力
が大きい材料を選ぶことが重要である。しかし前述した
ような全ての条件を満足するような材料は今のところ存
在しない。
が行われる際、記録層３は、結晶化とアモルファス化が
短時間で繰返し行われるため熱的ダメージが蓄積され、
第一保護層２と基板１との界面で部分的な剥離が生じ易
くなる。従って、第一保護層２は繰返しオーバーライト
特性を良好にするためにプラスチック基板１との密着力
が大きい材料を選ぶことが重要である。しかし前述した
ような全ての条件を満足するような材料は今のところ存
在しない。
【００２１】本発明の第１保護層２は２層で構成され、
基板側の層２１にプラスチック基板１との密着力の大き
な材料を用いる。プラスチック基板、特にポリカーボネ
ート基板に対しては酸化物薄膜が一般に密着力が大き
い。この傾向は特にＯが３０ａｔｏｍ％以上含有してい
る酸化物薄膜が基板側の層２１に適している。具体的な
材料としては下記の式（１）、式（２）に示す通りであ
る。 （ＺｒxＣｅ1-x）yＯ1-y（０≦ｘ≦１、０．２５≦ｙ≦０．４）……式（１） ＴａxＯ1-x（０．２２≦ｘ≦０．３５） ……式（２)
基板側の層２１にプラスチック基板１との密着力の大き
な材料を用いる。プラスチック基板、特にポリカーボネ
ート基板に対しては酸化物薄膜が一般に密着力が大き
い。この傾向は特にＯが３０ａｔｏｍ％以上含有してい
る酸化物薄膜が基板側の層２１に適している。具体的な
材料としては下記の式（１）、式（２）に示す通りであ
る。 （ＺｒxＣｅ1-x）yＯ1-y（０≦ｘ≦１、０．２５≦ｙ≦０．４）……式（１） ＴａxＯ1-x（０．２２≦ｘ≦０．３５） ……式（２)
【００２２】一方、第一保護層のうち、記録層側の層２
２としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ・ＳｎＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの金属
酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなど
の金属窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの金属
硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、Ｚｒ
Ｃなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれ
らの混合物が挙げられるが、中でも（ＺｎＳ）x（Ｓｉ
Ｏ2）1-x（０．７≦ｘ≦０．８５）が良い。
２としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｎＯ・ＳｎＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2などの金属
酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなど
の金属窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、ＴａＳ4などの金属
硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、Ｚｒ
Ｃなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれ
らの混合物が挙げられるが、中でも（ＺｎＳ）x（Ｓｉ
Ｏ2）1-x（０．７≦ｘ≦０．８５）が良い。
【００２３】第一保護層２の膜厚は、基板側の層２１が
１０〜１００ｎｍ好ましくは１０〜３０ｎｍであり、記
録層側の層２２が５０〜２００ｎｍ好ましくは１００〜
１５０ｎｍである。
１０〜１００ｎｍ好ましくは１０〜３０ｎｍであり、記
録層側の層２２が５０〜２００ｎｍ好ましくは１００〜
１５０ｎｍである。
【００２４】本発明では記録層３の上に第二保護層４を
設ける。第二保護層４も第一保護層２と同様に記録層３
を保護する機能を必要とするため、水や酸素の侵入を防
ぎ、それ自身の耐食性が高く、かつ記録層３との反応性
が小さい材料でなければならない。レーザー光によって
温度上昇した記録層３の熱をすばやく反射放熱層に逃す
（急冷）するために熱伝導率が大きい材料であることが
好ましい。
設ける。第二保護層４も第一保護層２と同様に記録層３
を保護する機能を必要とするため、水や酸素の侵入を防
ぎ、それ自身の耐食性が高く、かつ記録層３との反応性
が小さい材料でなければならない。レーザー光によって
温度上昇した記録層３の熱をすばやく反射放熱層に逃す
（急冷）するために熱伝導率が大きい材料であることが
好ましい。
【００２５】具体的な材料としては第一保護層２であげ
たものが一般的に用いられる。しかし、オーバーライト
が短時間で繰返し行われると熱的ダメージによって第二
記録層４とその上に形成されている反射放熱層５との界
面において部分的な剥離が生じる。従って、繰返しオー
バーライト特性を良好にするために、反射放熱層５であ
るＡｌ合金等の金属膜と密着力が大きい材料を選ぶこと
が重要である。反射放熱層５であるＡｌ合金に対しては
窒化物薄膜が密着力が強く、前述した条件を満足する第
２保護層の材料としてＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうち少なくと
もＳｉとＮを含む窒化物薄膜でＮが３０ａｔｏｍ％以上
含有しているものを用いる。
たものが一般的に用いられる。しかし、オーバーライト
が短時間で繰返し行われると熱的ダメージによって第二
記録層４とその上に形成されている反射放熱層５との界
面において部分的な剥離が生じる。従って、繰返しオー
バーライト特性を良好にするために、反射放熱層５であ
るＡｌ合金等の金属膜と密着力が大きい材料を選ぶこと
が重要である。反射放熱層５であるＡｌ合金に対しては
窒化物薄膜が密着力が強く、前述した条件を満足する第
２保護層の材料としてＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうち少なくと
もＳｉとＮを含む窒化物薄膜でＮが３０ａｔｏｍ％以上
含有しているものを用いる。
【００２６】第二保護層４が条件を満足する別の方法と
しては、第二保護層４を二層構成にしその内の反射放熱
層側の層４２を３０ａｔｏｍ％以上のＮを含有する窒化
物薄膜としても良い。その場合の具体的な材料として
は、前述したＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうちの少なくともＳｉ
とＮを含む窒化物薄膜でＮが３０ａｔｏｍ％以上含有し
ているものが挙げられる。またＢxＮ1-x（０．４≦ｘ≦
０．６）でも良い。一方、第二保護層４を２層構成にし
た場合の記録層側の層４１としてはＳｉＯ、ＳｉＯ2、
ＺｎＯ・ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、ＺｒＯ2などの金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｔ
ｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの金属窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2
Ｓ3、ＴａＳ4などの金属硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4
Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド
状カーボンあるいはそれらの混合物が挙げられるが、そ
の中でも（ＺｎＳ）x（ＳｉＯ2）1-X（０．７≦ｘ≦
０．８５）が良い。膜厚は、反射放熱層側の層４２が５
〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍ、記録層側の層
４１は１０〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍが
適している。
しては、第二保護層４を二層構成にしその内の反射放熱
層側の層４２を３０ａｔｏｍ％以上のＮを含有する窒化
物薄膜としても良い。その場合の具体的な材料として
は、前述したＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうちの少なくともＳｉ
とＮを含む窒化物薄膜でＮが３０ａｔｏｍ％以上含有し
ているものが挙げられる。またＢxＮ1-x（０．４≦ｘ≦
０．６）でも良い。一方、第二保護層４を２層構成にし
た場合の記録層側の層４１としてはＳｉＯ、ＳｉＯ2、
ＺｎＯ・ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、ＺｒＯ2などの金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｔ
ｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの金属窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2
Ｓ3、ＴａＳ4などの金属硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4
Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド
状カーボンあるいはそれらの混合物が挙げられるが、そ
の中でも（ＺｎＳ）x（ＳｉＯ2）1-X（０．７≦ｘ≦
０．８５）が良い。膜厚は、反射放熱層側の層４２が５
〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍ、記録層側の層
４１は１０〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍが
適している。
【００２７】本発明では第二保護層４の上に反射放熱層
５を設ける。この反射放熱層５は反射層と放熱層の２つ
の役割を兼ね備えていなければならないため反射率が高
く、かつ、熱伝導率がある程度高い材料で形成される。
具体的にはＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属材料またはその合
金を用いることができ、その中でもＴｉ、Ｃｒ等が１〜
３重量％含有したＡｌ合金が適している。反射放熱層５
の膜厚としては、１０〜３００ｎｍ、好ましくは５０〜
２００ｎｍである。１０ｎｍよりも薄くなると反射放熱
層５の機能を果たさなくなり、逆に３００ｎｍよりも厚
くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を生じやす
くなる。
５を設ける。この反射放熱層５は反射層と放熱層の２つ
の役割を兼ね備えていなければならないため反射率が高
く、かつ、熱伝導率がある程度高い材料で形成される。
具体的にはＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属材料またはその合
金を用いることができ、その中でもＴｉ、Ｃｒ等が１〜
３重量％含有したＡｌ合金が適している。反射放熱層５
の膜厚としては、１０〜３００ｎｍ、好ましくは５０〜
２００ｎｍである。１０ｎｍよりも薄くなると反射放熱
層５の機能を果たさなくなり、逆に３００ｎｍよりも厚
くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を生じやす
くなる。
【００２８】実際に、本発明の光情報記録媒体をつくる
際、保護層及び反射放熱層についてはスパッタリング、
イオンプレーティング等の物理蒸着法、プラズマＣＶＤ
のような化学蒸着法等の方法によって形成することがで
きる。但し、本発明の光磁気記録媒体は、前記で説明し
たような各種の層を有するものに限定されるものではな
く、例えば反射層等の上に有機保護膜（カバー層）とし
て合成樹脂フィルムを設けてもよく、またそれらを接着
剤によって貼り合わせてもよい。
際、保護層及び反射放熱層についてはスパッタリング、
イオンプレーティング等の物理蒸着法、プラズマＣＶＤ
のような化学蒸着法等の方法によって形成することがで
きる。但し、本発明の光磁気記録媒体は、前記で説明し
たような各種の層を有するものに限定されるものではな
く、例えば反射層等の上に有機保護膜（カバー層）とし
て合成樹脂フィルムを設けてもよく、またそれらを接着
剤によって貼り合わせてもよい。
【００２９】
【実施例】次に実施例をあげて本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００３０】実施例１ 直径８６ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグループ付ＰＣ成
形基板を予め大気中９０℃、２時間でプリペークした
後、スパッタ装置の真空槽内にセットし、真空圧が５×
１０-7Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した。その後Ａ
ｒとＯ2の混合ガスを導入し、圧力を３×１０-2Ｔｏｒ
ｒに調節し、金属ＺｒをターゲットとしてＲＦマグネト
ロンスパッタリングによってＺｒＯ2膜を約１０ｎｍ厚
に形成した。続いて、同様な方法によって（ＺｎＳ）0.
7（ＳｉＯ2）0.3の膜を約１９０ｎｍ厚に形成すること
によって２層から成る第１保護層とした。さらに記録層
としてＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする膜を約２
０ｎｍ厚に形成した後、第２保護層である（ＺｎＳ）0.
8（ＳｉＯ2）0.2膜を約２０ｎｍ厚に形成した。最後に
反射放熱層としてＡｌ合金膜を約５０ｎｍ厚に形成した
後、真空槽から大気中へ搬出し、本発明の光情報記録媒
体を得た。
形基板を予め大気中９０℃、２時間でプリペークした
後、スパッタ装置の真空槽内にセットし、真空圧が５×
１０-7Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した。その後Ａ
ｒとＯ2の混合ガスを導入し、圧力を３×１０-2Ｔｏｒ
ｒに調節し、金属ＺｒをターゲットとしてＲＦマグネト
ロンスパッタリングによってＺｒＯ2膜を約１０ｎｍ厚
に形成した。続いて、同様な方法によって（ＺｎＳ）0.
7（ＳｉＯ2）0.3の膜を約１９０ｎｍ厚に形成すること
によって２層から成る第１保護層とした。さらに記録層
としてＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする膜を約２
０ｎｍ厚に形成した後、第２保護層である（ＺｎＳ）0.
8（ＳｉＯ2）0.2膜を約２０ｎｍ厚に形成した。最後に
反射放熱層としてＡｌ合金膜を約５０ｎｍ厚に形成した
後、真空槽から大気中へ搬出し、本発明の光情報記録媒
体を得た。
【００３１】実施例２〜１８及び比較例１ 第一保護層と第二保護層の材料組成及び膜厚を表１に示
す通りとし、その他は実施例１と同様にして、実施例２
〜１８の光情報記録媒体を得た。一方、第一保護層と第
二保護層を表１に示した材料及び膜厚とし、また記録層
としてＧｅＳｂＴｅ膜（約２０ｎｍ厚）とした以外は、
実施例１と同様にして比較例１の光情報記録媒体を得
た。なお、これら実施例２〜１８及び比較例１の光情報
記録媒体は、いずれも反射放熱層上にさらにアクリル系
紫外線硬化樹脂からなる有機保護層をスピナーによって
５〜１０μｍ塗布し、ＵＶ硬化させた。
す通りとし、その他は実施例１と同様にして、実施例２
〜１８の光情報記録媒体を得た。一方、第一保護層と第
二保護層を表１に示した材料及び膜厚とし、また記録層
としてＧｅＳｂＴｅ膜（約２０ｎｍ厚）とした以外は、
実施例１と同様にして比較例１の光情報記録媒体を得
た。なお、これら実施例２〜１８及び比較例１の光情報
記録媒体は、いずれも反射放熱層上にさらにアクリル系
紫外線硬化樹脂からなる有機保護層をスピナーによって
５〜１０μｍ塗布し、ＵＶ硬化させた。
【００３２】
【表１】
【００３３】上記で作製した１９種の光情報記録媒体の
評価を、波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを
用いて行った。光ディスクの線速は１．２ｍ／ｓとし
た。記録周波数７２０ｋＨｚ、２００ｋＨｚの信号を交
互にオーバーライト記録し、７２０ｋＨｚの信号のＣ／
Ｎ、消去比を特性値とした。オーバーライト繰返しによ
る７２０ｋＨｚの信号のＣ／Ｎの変化の様子を図２（実
施例１）及び図３（比較例１）に示す。なお、実施例２
〜１８の結果はいずれも実施例１の結果と同様であっ
た。図２から推察されるように、第１保護層、第２保護
層及び記録層を本発明のようにすることによって、繰返
し回数が改善される。
評価を、波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５のピックアップを
用いて行った。光ディスクの線速は１．２ｍ／ｓとし
た。記録周波数７２０ｋＨｚ、２００ｋＨｚの信号を交
互にオーバーライト記録し、７２０ｋＨｚの信号のＣ／
Ｎ、消去比を特性値とした。オーバーライト繰返しによ
る７２０ｋＨｚの信号のＣ／Ｎの変化の様子を図２（実
施例１）及び図３（比較例１）に示す。なお、実施例２
〜１８の結果はいずれも実施例１の結果と同様であっ
た。図２から推察されるように、第１保護層、第２保護
層及び記録層を本発明のようにすることによって、繰返
し回数が改善される。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、従来技術に比較してＣ
／Ｎ、消去比の飛躍的向上が達成でき、なおかつ繰り返
し記録／消去特性の優れた光情報記録媒体の提供が可能
となる。
／Ｎ、消去比の飛躍的向上が達成でき、なおかつ繰り返
し記録／消去特性の優れた光情報記録媒体の提供が可能
となる。
【図１】本発明の光情報記録媒体の二例を表わした図。
【図２】実施例１で得られた光情報記録媒体の特性を表
わした図。
わした図。
【図３】比較例１で得られた光情報記録媒体の特性を表
わした図。
わした図。
１ プラスチック基板 ２ 第一保護層（２１ 基板側の層、２２ 記録側の
層） ３ 相変化形記録層 ４ 第二保護層（４１ 記録層側の層、４２ 反射放熱
層側の層） ５ 反射放熱層
層） ３ 相変化形記録層 ４ 第二保護層（４１ 記録層側の層、４２ 反射放熱
層側の層） ５ 反射放熱層
Claims (7)
- 【請求項１】 プラスチック基板上に少なくとも第一保
護層、相変化形記録層、第二保護層及び反射放熱層を順
次設けた光情報記録媒体において、該相変化形記録層の
主な構成元素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅであり、か
つ、該第一保護層が２層で構成されそのうちの基板側の
層が３０ａｔｏｍ％以上のＯを含有する酸化物薄膜であ
ることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記２層からなる第一保護層の基板側の
層が（ＺｒxＣｅ1-x）yＯ1-y（０≦ｘ≦１、０．２５≦
ｙ≦０．４）又はＴａxＯ1-x（０．２２≦ｘ≦０．３
５）である請求項１記載の光情報記録媒体。 - 【請求項３】 前記２層からなる第一保護層の相変化形
記録層側の層が（ＺｎＳ）x（ＳｉＯ2）1-x（０．７≦
ｘ≦０．８５）である請求項１記載の光情報記録媒体。 - 【請求項４】 プラスチック基板上に少なくとも第一保
護層、相変化形記録層、第二保護層及び反射放熱層を順
次設けた光情報記録媒体において、前記相変化形記録層
の主な構成元素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅであり、か
つ、該第二保護層がＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうちの少なくと
もＳｉとＮとを含む化合物でＮが３０ａｔｏｍ％以上含
有していることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項５】 プラスチック基板上に少なくとも第一保
護層、相変化形記録層、第二保護層及び反射放熱層を順
次設けた光情報記録媒体において、該相変化形記録層の
主な構成元素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅであり、か
つ、該第二保護層が２層で構成されそのうちの反射放熱
層側の層が３０ａｔｏｍ％以上のＮを含有する窒化物薄
膜であることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項６】 前記２層からなる第二保護層の反射放熱
側の層の少なくともＳｉとＮとを含む化合物でＮが３０
ａｔｏｍ％以上含有しているか、又はＢxＮ1-x（０．４
≦ｘ≦０．６）である請求項５記載の光情報記録媒体。 - 【請求項７】 前記２層からなる第二保護層の相変化形
記録層側の層が（ＺｎＳ）x（ＳｉＯ2）1-x（０．７≦
ｘ≦０．８５）である請求項５記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6227272A JPH0869636A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6227272A JPH0869636A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0869636A true JPH0869636A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16858228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6227272A Pending JPH0869636A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0869636A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117511A (en) * | 1997-06-03 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Optical recording media |
| WO2004055800A1 (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学的情報記録媒体およびその製造方法 |
| US7245580B2 (en) | 2002-03-07 | 2007-07-17 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium having protective and/or adhesive layers, and method of manufacture |
-
1994
- 1994-08-29 JP JP6227272A patent/JPH0869636A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6117511A (en) * | 1997-06-03 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Optical recording media |
| US7245580B2 (en) | 2002-03-07 | 2007-07-17 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium having protective and/or adhesive layers, and method of manufacture |
| WO2004055800A1 (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学的情報記録媒体およびその製造方法 |
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