JPH0870009A - 半導体シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
半導体シリコンウェーハの製造方法Info
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 14
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 8
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的弱い局部的な残留歪みである潜傷を簡
単に消去することのできる半導体シリコンウェーハの製
造方法を提供する。 【構成】 鏡面研磨加工しついで洗浄した後の半導体シ
リコンウェーハを４００〜１２００℃で１〜３０分間熱
処理する。
単に消去することのできる半導体シリコンウェーハの製
造方法を提供する。 【構成】 鏡面研磨加工しついで洗浄した後の半導体シ
リコンウェーハを４００〜１２００℃で１〜３０分間熱
処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、局部的な残留歪みのな
い半導体シリコンウェーハ（以下、単にウェーハという
ことがある）を製造することができる方法に関する。
い半導体シリコンウェーハ（以下、単にウェーハという
ことがある）を製造することができる方法に関する。
【０００２】
【関連技術】通常、ウェーハは鏡面研磨加工後、洗浄し
て出荷される。しかしながら、鏡面研磨加工後のウェー
ハでは、選択エッチングすると顕在化する傷状のもの、
すなわち潜傷とよばれるものがしばしば現れる。鏡面研
磨されたウェーハのダメージとしてはスクラッチが知ら
れているが、スクラッチと潜傷との違いは、前者が目視
で判別できるのに対し、後者は目視では判別不能である
点である。ウェーハの面上に潜傷が存在すると、そこに
形成される半導体素子の性能、歩留りに悪影響を及ぼし
問題となることがある。
て出荷される。しかしながら、鏡面研磨加工後のウェー
ハでは、選択エッチングすると顕在化する傷状のもの、
すなわち潜傷とよばれるものがしばしば現れる。鏡面研
磨されたウェーハのダメージとしてはスクラッチが知ら
れているが、スクラッチと潜傷との違いは、前者が目視
で判別できるのに対し、後者は目視では判別不能である
点である。ウェーハの面上に潜傷が存在すると、そこに
形成される半導体素子の性能、歩留りに悪影響を及ぼし
問題となることがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、この潜傷
が、研磨剤や研磨パッドに混在する非常にミクロな異物
によってウェーハ表面が押圧または擦過される際に発生
する比較的弱い局部的な残留歪みであることを解明し
た。そこで、本発明者は、この潜傷を消去する手段につ
いて更に研究を重ねた結果、ウェーハの低温、短時間の
熱処理によってこの潜傷が消去できることを見出し本発
明に到達した。
が、研磨剤や研磨パッドに混在する非常にミクロな異物
によってウェーハ表面が押圧または擦過される際に発生
する比較的弱い局部的な残留歪みであることを解明し
た。そこで、本発明者は、この潜傷を消去する手段につ
いて更に研究を重ねた結果、ウェーハの低温、短時間の
熱処理によってこの潜傷が消去できることを見出し本発
明に到達した。
【０００４】本発明は、比較的弱い局部的な残留歪みで
ある潜傷を簡単に消去することのできる半導体シリコン
ウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
ある潜傷を簡単に消去することのできる半導体シリコン
ウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明方法においては、鏡面研磨加工しついで洗浄
した後の半導体シリコンウェーハを４００〜１２００℃
で１〜３０分間熱処理するようにした。
に、本発明方法においては、鏡面研磨加工しついで洗浄
した後の半導体シリコンウェーハを４００〜１２００℃
で１〜３０分間熱処理するようにした。
【０００６】上記熱処理は、５００〜８００℃が好まし
く、６００〜７００℃がさらに好ましい。上記熱処理時
間の上限は、２０分以下が好ましく、１０分以下がさら
に好ましく、５分以下が最も好ましい。
く、６００〜７００℃がさらに好ましい。上記熱処理時
間の上限は、２０分以下が好ましく、１０分以下がさら
に好ましく、５分以下が最も好ましい。
【０００７】熱処理雰囲気については、特別の制限はな
いが、Ｎ2 、Ａｒ等の不活性ガスの他Ｏ2 を用いること
ができる。
いが、Ｎ2 、Ａｒ等の不活性ガスの他Ｏ2 を用いること
ができる。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例をあげて説明する。
【０００９】実施例１ 試料ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、＜１００＞、１５０ｍｍ
φ、半導体シリコンウェーハ（鏡面研磨後洗浄） 炉への挿入温度：４００℃ 熱処理：４００℃、２分、窒素雰囲気 炉からの取り出し温度：４００℃ 上記熱処理条件を図９に示す。
φ、半導体シリコンウェーハ（鏡面研磨後洗浄） 炉への挿入温度：４００℃ 熱処理：４００℃、２分、窒素雰囲気 炉からの取り出し温度：４００℃ 上記熱処理条件を図９に示す。
【００１０】上記条件にて、試料ウェーハを熱処理し、
ついで選択エッチング〔選択エッチング液、５０％Ｈ
Ｆ：６１％ＨＮＯ3 ：ＣＨ3 ＣＯＯＨ：Ｈ2 Ｏ＝１：１
５：３：３（体積比）、エッチング時間：２分〕を行な
った。そのウェーハ表面の顕微鏡写真をとり、図１とし
て示した。
ついで選択エッチング〔選択エッチング液、５０％Ｈ
Ｆ：６１％ＨＮＯ3 ：ＣＨ3 ＣＯＯＨ：Ｈ2 Ｏ＝１：１
５：３：３（体積比）、エッチング時間：２分〕を行な
った。そのウェーハ表面の顕微鏡写真をとり、図１とし
て示した。
【００１１】実施例２ 試料ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、＜１１１＞、１５０ｍｍ
φ、半導体シリコンウェーハ（鏡面研磨後洗浄）
φ、半導体シリコンウェーハ（鏡面研磨後洗浄）
【００１２】実施例１の試料ウェーハのかわりに、上記
試料ウェーハを用いた以外は、実施例１と同様にして熱
処理、選択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕
微鏡写真をとって、図２として示した。
試料ウェーハを用いた以外は、実施例１と同様にして熱
処理、選択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕
微鏡写真をとって、図２として示した。
【００１３】実施例３ 炉への挿入温度：４００℃ 昇温：６℃／分 熱処理：６５０℃、２分、窒素雰囲気 炉からの取り出し温度：４００℃ 降温：１０℃／分 上記熱処理条件を図１０に示す。
【００１４】実施例１の熱処理条件のかわりに、上記熱
処理条件を用いた以外は、実施例１と同様にして熱処
理、選択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕微
鏡写真をとって図３として示した。
処理条件を用いた以外は、実施例１と同様にして熱処
理、選択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕微
鏡写真をとって図３として示した。
【００１５】実施例４ 試料ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、＜１１１＞、１５０ｍｍ
φ、半導体シリコンウェーハ（鏡面研磨後洗浄）
φ、半導体シリコンウェーハ（鏡面研磨後洗浄）
【００１６】実施例３の試料ウェーハのかわりに、上記
試料ウェーハを用いた以外は、実施例３と同様にして熱
処理、選択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕
微鏡写真をとって図４として示した。
試料ウェーハを用いた以外は、実施例３と同様にして熱
処理、選択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕
微鏡写真をとって図４として示した。
【００１７】実施例５ 炉への挿入温度：４００℃ 昇温：６℃／分 熱処理：８００℃、２分、窒素雰囲気 炉からの取り出し温度：４００℃ 降温：１０℃／分 上記熱処理条件を図１１に示す。
【００１８】実施例１の熱処理条件のかわりに、上記熱
処理条件を用いた以外は、実施例１と同様にして熱処
理、選択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕微
鏡写真をとって図５として示した。
処理条件を用いた以外は、実施例１と同様にして熱処
理、選択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕微
鏡写真をとって図５として示した。
【００１９】実施例６ 試料ウェーハ：ＣＺ、ｐ型、＜１１１＞、１５０ｍｍ
φ、半導体シリコンウェーハ（鏡面研磨後洗浄）
φ、半導体シリコンウェーハ（鏡面研磨後洗浄）
【００２０】実施例５の試料ウェーハのかわりに、上記
試料ウェーハを用いた以外は、実施例５と同様にして熱
処理、選択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕
微鏡写真をとって図６として示した。
試料ウェーハを用いた以外は、実施例５と同様にして熱
処理、選択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕
微鏡写真をとって図６として示した。
【００２１】比較例１ 熱処理を行なわない以外は、実施例１と同様にして、選
択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕微鏡写真
をとって、図７として示した。
択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕微鏡写真
をとって、図７として示した。
【００２２】比較例２ 熱処理を行なわない以外は、実施例２と同様にして、選
択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕微鏡写真
をとって、図８として示した。上記した各実施例の結果
から、本発明条件の熱処理を行なうことによってウェー
ハ表面の潜傷が消去又は大幅に低減することが確認され
た。比較例の結果から、熱処理を行なわない場合には多
数の潜傷が存在することが確認できた。また、実施例に
おいてはｐ型のウェーハを示したが、ｎ型のウェーハに
ついても全く同様の効果があることは確認している。
択エッチングを行ない、そのウェーハ表面の顕微鏡写真
をとって、図８として示した。上記した各実施例の結果
から、本発明条件の熱処理を行なうことによってウェー
ハ表面の潜傷が消去又は大幅に低減することが確認され
た。比較例の結果から、熱処理を行なわない場合には多
数の潜傷が存在することが確認できた。また、実施例に
おいてはｐ型のウェーハを示したが、ｎ型のウェーハに
ついても全く同様の効果があることは確認している。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、簡
単な工程の追加により、鏡面加工後のウェーハの局部的
な残留歪である潜傷を消去又は大幅に低減することがで
きるという大きな効果を奏する。
単な工程の追加により、鏡面加工後のウェーハの局部的
な残留歪である潜傷を消去又は大幅に低減することがで
きるという大きな効果を奏する。
【図１】実施例１において得られたウェーハ表面の顕微
鏡写真である。
鏡写真である。
【図２】実施例２において得られたウェーハ表面の顕微
鏡写真である。
鏡写真である。
【図３】実施例３において得られたウェーハ表面の顕微
鏡写真である。
鏡写真である。
【図４】実施例４において得られたウェーハ表面の顕微
鏡写真である。
鏡写真である。
【図５】実施例５において得られたウェーハ表面の顕微
鏡写真である。
鏡写真である。
【図６】実施例６において得られたウェーハ表面の顕微
鏡写真である。
鏡写真である。
【図７】比較例１において得られたウェーハ表面の顕微
鏡写真である。
鏡写真である。
【図８】比較例２において得られたウェーハ表面の顕微
鏡写真である。
鏡写真である。
【図９】実施例１及び２における熱処理条件を示す説明
図である。
図である。
【図１０】実施例３及び４における熱処理条件を示す説
明図である。
明図である。
【図１１】実施例５及び６における熱処理条件を示す説
明図である。
明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 清 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社半導体白河研究 所内
Claims (3)
- 【請求項１】 鏡面研磨加工しついで洗浄した後の半導
体シリコンウェーハを４００〜１２００℃で１〜３０分
間熱処理することを特徴とする半導体シリコンウェーハ
の製造方法。 - 【請求項２】 上記熱処理を５００〜８００℃で１〜１
０分間行なうことを特徴とする請求項１記載の半導体シ
リコンウェーハの製造方法。 - 【請求項３】 上記熱処理を６００〜７００℃で１〜５
分間行なうことを特徴とする請求項１記載の半導体シリ
コンウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22859694A JP3177937B2 (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 半導体シリコンウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22859694A JP3177937B2 (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 半導体シリコンウェーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0870009A true JPH0870009A (ja) | 1996-03-12 |
| JP3177937B2 JP3177937B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=16878840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22859694A Expired - Fee Related JP3177937B2 (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 半導体シリコンウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3177937B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0887848A1 (en) * | 1997-06-27 | 1998-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Process of removing CMP scratches in a dielectric layer by a reflow step, and integrated circuit chip formed thereby |
| US5943549A (en) * | 1996-12-27 | 1999-08-24 | Komatsu Electronics Metals Co., Ltd. | Method of evaluating silicon wafers |
| US5990022A (en) * | 1996-12-27 | 1999-11-23 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method of evaluating a silicon wafer |
| JP2003332344A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-11-21 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコン単結晶層の製造方法及びシリコン単結晶層 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0464238A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04354136A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Metarex Kenkyusho:Kk | 残留応力除去方法 |
| JPH0555233A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-05 | Nec Corp | 半導体基板の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP22859694A patent/JP3177937B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2003332344A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-11-21 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコン単結晶層の製造方法及びシリコン単結晶層 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3177937B2 (ja) | 2001-06-18 |
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