JPH0870067A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0870067A
JPH0870067A JP6225686A JP22568694A JPH0870067A JP H0870067 A JPH0870067 A JP H0870067A JP 6225686 A JP6225686 A JP 6225686A JP 22568694 A JP22568694 A JP 22568694A JP H0870067 A JPH0870067 A JP H0870067A
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JP
Japan
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film
passivation film
semiconductor device
passivation
etching
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JP6225686A
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Hiroshi Hizaki
浩 檜崎
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Nippon Steel Corp
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Nippon Steel Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体チップと封止樹脂との密着性を向上さ
せた半導体装置を提供する。 【構成】 半導体基板６上に形成されたパッシベーショ
ン膜２の表面に凹凸部９が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、熱応力による耐湿性の低下を防止する構造の半導体
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置のパッケージング後の
構造を図２に示す。図２において、半導体基板１６上に
は配線１３やボンディングパット１４が形成され、ボン
ディングパット１４以外の部分は半導体装置を保護する
ためのパッシベーション膜１２によって覆われている。
このパッシベーション膜１２として、通常、シリコン窒
化膜やポリイミド膜などが使用され、シリコン窒化膜の
場合はプラズマＣＶＤ法により形成され、ポリイミド膜
の場合は回転塗布法により形成される。
【０００３】その後、ダイシング工程に送り、ウェーハ
状の半導体装置をチップ状に分割した後、ダイボンディ
ング工程に送って、リードフレーム１８のダイパット上
にＡｇペースト１７により固着される。そして、ワイヤ
ボンディング工程で、ボンディングパット１４とリード
フレーム１８のリードとをＡｕワイヤ１５で接続した
後、モールド工程に送って、半導体装置全体をエポキシ
樹脂などの封止樹脂１１で封止する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置で
は、最上層の配線１３の形成を行った後、ＣＶＤ法や回
転塗布法などでパッシベーション膜１２が形成されるた
め、パッシベーション膜１２の表面は平坦或いは最上層
の配線に沿った形状となる。
【０００５】そのため、モールド封止した半導体チップ
をプリント配線基板上に実装する場合、はんだリフロー
工程時に半導体チップ全体が高温にさらされ、封止樹脂
１１とパッシベーション膜１２との熱膨張係数の違いな
どに起因する熱応力により封止樹脂１１とチップとが剥
離し、パッケージクラックが発生してＡｕワイヤ１５が
断線したり、外部からの水分の侵入により配線１３やボ
ンディングパット１４が腐食したりして、半導体装置の
信頼性が低下するという問題があった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、半導体チップと
封止樹脂との密着性を向上させた半導体装置を提供する
ことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明の半導体装置では、半導体装置に形成さ
れたパッシベーション膜に凹凸が付されている。
【０００８】
【作用】半導体装置に形成されたパッシベーション膜に
凹凸が付されているので、半導体チップと封止樹脂との
密着性が向上し、半導体チップと封止樹脂とが剥離する
のを防止できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
【００１０】図１は、本発明の一実施例による半導体装
置のパッケージング後の構造を示す概略断面図である。
【００１１】図１において、半導体基板６上にはＡｌ−
Ｓｉ−Ｃｕなどの配線３やボンディングパット４が形成
され、ボンディングパット４以外の部分は表面に凹凸部
９を有するパッシベーション膜２によって覆われてい
る。このパッシベーション膜２の凹凸部９は、シリコン
窒化膜やポリイミド膜などのパッシベーション材料に応
じたエッチング、例えばウエットエッチングやドライエ
ッチングなどにより形成される。なお、このパッシベー
ション膜２として、シリコン窒化膜やポリイミド膜など
の他、ＰＳＧ膜、Ｐ−ＳｉＯＮ膜、Ｐ−ＳｉＯ膜などを
使用してもよい。
【００１２】また、パッシベーション膜２上に凹凸部９
を形成する方法として、例えば、パッシベーション膜２
を通常より厚く形成した後、無数の斑点を有するマスク
を用いたフォトリソグラフィー工程によって、パッシベ
ーション膜２上にまだら状のパターンを有するフォトレ
ジストを形成し、そのフォトレジストをマスクとしてパ
ッシベーション膜２の途中まで異方性エッチングを行う
方法によってもよい。
【００１３】その後、ダイシング工程に送り、ウェーハ
状の半導体装置をチップ状に分割した後、ダイボンディ
ング工程に送って、リードフレーム８のダイパット上に
Ａｇペースト７により固着される。そして、ワイヤボン
ディング工程で、ボンディングパット４とリードフレー
ム８のリードとをＡｕワイヤ１５で接続した後、モール
ド工程に送って、半導体装置全体をエポキシ樹脂やシリ
コン樹脂などの封止樹脂１で封止する。
【００１４】この樹脂封止された半導体チップは、その
後のプリント配線基板への実装工程において、はんだリ
フロー時に高温にさらされても、半導体チップと封止樹
脂１との密着性が向上しているので、高温時の熱応力に
より半導体チップと封止樹脂１とが剥離するのを防止で
き、配線３やボンディングパット４が腐食したり、パケ
ージクラックが発生したりすることを抑制できる。な
お、パッシベーション膜２の凹凸部９は半導体チップの
周辺部に形成すると効果的である。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップと封止樹
脂との密着性が向上し、半導体チップと封止樹脂とが剥
離するのを防止できるので、外部から水分が侵入するこ
とを防止でき、半導体装置の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による半導体装置のパッケー
ジング後の構造を示す概略断面図である。
【図２】従来の半導体装置のパッケージング後の構造を
示す概略断面図である。
【符号の説明】
１ 封止樹脂 ２ 保護膜 ３ 配線 ４ ボンディングパット ５ Ａｕワイヤ ６ 半導体基板 ７ Ａｇペースト ８ リードフレーム ９ 凹凸部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体装置に形成されたパッシベーショ
    ン膜に凹凸が付されていることを特徴とする半導体装
    置。
JP6225686A 1994-08-26 1994-08-26 半導体装置 Withdrawn JPH0870067A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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