JPH0871489A - 薄膜形成方法および薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成方法および薄膜形成装置Info
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- JPH0871489A JPH0871489A JP6215954A JP21595494A JPH0871489A JP H0871489 A JPH0871489 A JP H0871489A JP 6215954 A JP6215954 A JP 6215954A JP 21595494 A JP21595494 A JP 21595494A JP H0871489 A JPH0871489 A JP H0871489A
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- thin film
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- Electrostatic Spraying Apparatus (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜の形成方法および薄膜の形成装置に関す
るもので、ＭＯＤ溶液、ゾルゲル溶液、樹脂を含む溶
液、および金属粒子を含む溶液を媒体上に吐出すること
ができ、媒体上にそれらの材料の薄膜を形成することを
目的とする。 【構成】 薄膜形成材料と前記薄膜形成材料を良好に溶
解する溶媒とを含み比抵抗が１０5Ωｃｍ以上の溶液状
物質を吐出用ノズル内に案内する工程と、ノズルの軸線
方向に被形成部材を設置する工程と、前記ノズル内の溶
液状物質に対して前記ノズルの軸線方向に静電力を作用
させて前記ノズルから被形成部材に向かって前記溶液状
物質を曳糸状で吐出する工程とを有する薄膜形成方法、
およびこの薄膜形成方法の実施に最適な薄膜形成装置で
ある。
るもので、ＭＯＤ溶液、ゾルゲル溶液、樹脂を含む溶
液、および金属粒子を含む溶液を媒体上に吐出すること
ができ、媒体上にそれらの材料の薄膜を形成することを
目的とする。 【構成】 薄膜形成材料と前記薄膜形成材料を良好に溶
解する溶媒とを含み比抵抗が１０5Ωｃｍ以上の溶液状
物質を吐出用ノズル内に案内する工程と、ノズルの軸線
方向に被形成部材を設置する工程と、前記ノズル内の溶
液状物質に対して前記ノズルの軸線方向に静電力を作用
させて前記ノズルから被形成部材に向かって前記溶液状
物質を曳糸状で吐出する工程とを有する薄膜形成方法、
およびこの薄膜形成方法の実施に最適な薄膜形成装置で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成方法および薄
膜形成装置に関し、特に、微小ノズルより溶液状物質を
吐出させ、基板等に薄膜（広義には１００μｍ以下、一
般には１０μｍ以下の膜厚）を形成する方法に関するも
のであり、例えば、ハイブリッドＩＣ回路や半導体回路
あるいはマイクロマシン製作に好適な薄膜形成工程に用
いられ得るものである。
膜形成装置に関し、特に、微小ノズルより溶液状物質を
吐出させ、基板等に薄膜（広義には１００μｍ以下、一
般には１０μｍ以下の膜厚）を形成する方法に関するも
のであり、例えば、ハイブリッドＩＣ回路や半導体回路
あるいはマイクロマシン製作に好適な薄膜形成工程に用
いられ得るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、プリンティング用装置とし
て、微小ノズルを用いてインクを吐出させる液滴吐出装
置の開発が盛んであるが、近年、その液滴吐出装置の応
用として吐出させる溶液を、インク以外の、例えばレジ
ストを溶液として用い、ＩＣ回路等の作成に適用させる
液滴吐出装置あるいは回路形成方法の開発がなされるよ
うになってきている。
て、微小ノズルを用いてインクを吐出させる液滴吐出装
置の開発が盛んであるが、近年、その液滴吐出装置の応
用として吐出させる溶液を、インク以外の、例えばレジ
ストを溶液として用い、ＩＣ回路等の作成に適用させる
液滴吐出装置あるいは回路形成方法の開発がなされるよ
うになってきている。
【０００３】以下、従来技術として特開平５−１０４０
５２号公報の液状物質塗布装置を例にして説明する。
５２号公報の液状物質塗布装置を例にして説明する。
【０００４】図９は、特開平５−１０４０５２号の開示
する構成を示すものである。図９において、１０１は液
状物資供給部、１０２は液状物質供給部１０１に接続さ
れた吐出ヘッド、１０３は被塗布部材（以下基板と記
す。）、１０４は吐出ヘッド１０２と基板１０３とを対
向位置決めするＸＹステージを示している。
する構成を示すものである。図９において、１０１は液
状物資供給部、１０２は液状物質供給部１０１に接続さ
れた吐出ヘッド、１０３は被塗布部材（以下基板と記
す。）、１０４は吐出ヘッド１０２と基板１０３とを対
向位置決めするＸＹステージを示している。
【０００５】また、吐出ヘッド１０２は、液状物質供給
部１０１に連通し液状物質１０５が満たされる圧力室１
０６と、圧力室１０６の長手方向中途部に設けられ吐出
ヘッド１０２に下端面に開口するノズル１０７と、圧電
素子１０８によって変位が与えられその変位を増幅する
変位増幅室１０９と、圧力室１０６と変位増幅室１０９
との境界に設けられたダイヤフラム１１０とを有する。
部１０１に連通し液状物質１０５が満たされる圧力室１
０６と、圧力室１０６の長手方向中途部に設けられ吐出
ヘッド１０２に下端面に開口するノズル１０７と、圧電
素子１０８によって変位が与えられその変位を増幅する
変位増幅室１０９と、圧力室１０６と変位増幅室１０９
との境界に設けられたダイヤフラム１１０とを有する。
【０００６】そして、圧電素子１０８は、制御部１１１
により駆動され、それによって発生した変位が変位増幅
室１０９、ダイヤフラム１１０を経て、圧力室１０６内
の液状物質１０５に伝達され、圧力室１０６内の液状物
質１０５を加圧して、ノズル１０７から液状物質１０５
を液滴１０５ａにして下方に飛ばすことになる。
により駆動され、それによって発生した変位が変位増幅
室１０９、ダイヤフラム１１０を経て、圧力室１０６内
の液状物質１０５に伝達され、圧力室１０６内の液状物
質１０５を加圧して、ノズル１０７から液状物質１０５
を液滴１０５ａにして下方に飛ばすことになる。
【０００７】このような構成をとることにより、ノズル
１０７内の液状物資１０５を液滴１０５ａにして基板１
０３上に飛ばし、液状物質１０５を基板１０３上に任意
のパターンで塗布することを可能としている。
１０７内の液状物資１０５を液滴１０５ａにして基板１
０３上に飛ばし、液状物質１０５を基板１０３上に任意
のパターンで塗布することを可能としている。
【０００８】なお、ＸＹステージ１０４は、制御部１１
１により所望の位置に制御される。
１により所望の位置に制御される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の構成では、吐出の方法として主に圧電効果を利用して
いるため、以下に示すような克服すべき課題がある。
の構成では、吐出の方法として主に圧電効果を利用して
いるため、以下に示すような克服すべき課題がある。
【００１０】すなわち、圧電効果を用いた圧力印加式
（以下圧電式と記す。）による吐出方法では、吐出され
る溶液は、ノズル径の２倍から３倍の直径の吐出液滴と
なってしまうため、吐出液によって形成される回路パタ
ーンの微細化や精度に制限を受けてしまう。
（以下圧電式と記す。）による吐出方法では、吐出され
る溶液は、ノズル径の２倍から３倍の直径の吐出液滴と
なってしまうため、吐出液によって形成される回路パタ
ーンの微細化や精度に制限を受けてしまう。
【００１１】次に、回路パターンの微細化や精度を高め
るためには、ノズル径を小さくしなければならないが、
ノズル径を小さくしていくと、圧電式の吐出方法では、
ノズル部での粘着損失が大きいため、特に高粘度の溶液
においては、ノズル径を小さくすることに限界がある。
るためには、ノズル径を小さくしなければならないが、
ノズル径を小さくしていくと、圧電式の吐出方法では、
ノズル部での粘着損失が大きいため、特に高粘度の溶液
においては、ノズル径を小さくすることに限界がある。
【００１２】そして、圧電式の吐出方法では、溶存空気
量の多い有機溶剤などを吐出溶液として用いると、キャ
ビテーション現象が生じてしまい、吐出の安定性がなく
なるため、吐出できる溶液の種類が大幅に制限されてし
まう等である。
量の多い有機溶剤などを吐出溶液として用いると、キャ
ビテーション現象が生じてしまい、吐出の安定性がなく
なるため、吐出できる溶液の種類が大幅に制限されてし
まう等である。
【００１３】本発明は、上記従来技術の課題を解決する
もので、溶液吐出装置を用いて、溶液の種類の制約を受
けずに、薄膜を形成する薄膜形成方法および薄膜形成装
置を提供することを目的とするものである。
もので、溶液吐出装置を用いて、溶液の種類の制約を受
けずに、薄膜を形成する薄膜形成方法および薄膜形成装
置を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、薄膜形成材料と前記薄膜形成材料を溶解
する溶媒とを含み比抵抗が１０5Ωｃｍ以上の溶液状物
質を吐出用のノズル内に案内する工程と、前記ノズルの
軸線方向に被形成部材を設置する工程と、前記ノズル内
の溶液状物質に対して前記ノズルの軸線方向に静電力を
作用させて前記ノズルから被形成部材に向かって前記溶
液状物質を曳糸状で吐出する工程とを有する薄膜形成方
法である。
に、本発明は、薄膜形成材料と前記薄膜形成材料を溶解
する溶媒とを含み比抵抗が１０5Ωｃｍ以上の溶液状物
質を吐出用のノズル内に案内する工程と、前記ノズルの
軸線方向に被形成部材を設置する工程と、前記ノズル内
の溶液状物質に対して前記ノズルの軸線方向に静電力を
作用させて前記ノズルから被形成部材に向かって前記溶
液状物質を曳糸状で吐出する工程とを有する薄膜形成方
法である。
【００１５】このとき、溶液状物質が、さらに比抵抗が
調節可能な溶媒をも含んでもよい。または、高分子樹脂
を含む溶液状物質を吐出用のノズル内に案内する工程
と、前記ノズルの軸線方向に被形成部材を設置する工程
と、前記ノズル内の溶液状物質に対して前記ノズルの軸
線方向に静電力を作用させて前記ノズルから被形成部材
に向かって前記溶液状物質を曳糸状で吐出する工程とを
有する薄膜形成方法であってもよい。
調節可能な溶媒をも含んでもよい。または、高分子樹脂
を含む溶液状物質を吐出用のノズル内に案内する工程
と、前記ノズルの軸線方向に被形成部材を設置する工程
と、前記ノズル内の溶液状物質に対して前記ノズルの軸
線方向に静電力を作用させて前記ノズルから被形成部材
に向かって前記溶液状物質を曳糸状で吐出する工程とを
有する薄膜形成方法であってもよい。
【００１６】または、金属材料溶液と分散剤とを含み比
抵抗が１０5Ωｃｍ以上の溶液状物質を吐出用のノズル
内に案内する工程と、前記ノズルの軸線方向に被形成部
材を設置する工程と、前記ノズル内の溶液状物質に対し
て前記ノズルの軸線方向に静電力を作用させて前記ノズ
ルから被形成部材に向かって前記溶液状物質を曳糸状で
吐出する工程とを有する薄膜形成方法であってもよい。
抵抗が１０5Ωｃｍ以上の溶液状物質を吐出用のノズル
内に案内する工程と、前記ノズルの軸線方向に被形成部
材を設置する工程と、前記ノズル内の溶液状物質に対し
て前記ノズルの軸線方向に静電力を作用させて前記ノズ
ルから被形成部材に向かって前記溶液状物質を曳糸状で
吐出する工程とを有する薄膜形成方法であってもよい。
【００１７】このとき、溶液状物質が、さらに保護膠質
または乳化安定剤をも含んでもよい。 そして、以上の
構成において、溶液状物質を曳糸状で吐出する工程が、
さらに圧力波を作用させる工程をも含んでもよい。
または乳化安定剤をも含んでもよい。 そして、以上の
構成において、溶液状物質を曳糸状で吐出する工程が、
さらに圧力波を作用させる工程をも含んでもよい。
【００１８】さらに、以上の構成において、被形成部材
上に吐出された溶液状物質を加熱する工程を有していて
もよい。
上に吐出された溶液状物質を加熱する工程を有していて
もよい。
【００１９】さらに、被形成部材上に吐出された溶液状
物質の周囲に不活性ガスを供給する工程を有していても
よい。
物質の周囲に不活性ガスを供給する工程を有していても
よい。
【００２０】また、本発明は、以上の薄膜形成方法を実
施するに好適な構成を有する薄膜形成装置である。
施するに好適な構成を有する薄膜形成装置である。
【００２１】
【作用】以上の本発明の構成をとることにより、吐出で
きる溶液の種類に実質的に制約を受けることがない。
きる溶液の種類に実質的に制約を受けることがない。
【００２２】さらに、吐出溶液が、確実に曳糸状態（糸
を曳いて吐出する状態をいう。）となるため、微細な薄
膜形成をする。
を曳いて吐出する状態をいう。）となるため、微細な薄
膜形成をする。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら詳細に説明する。
しながら詳細に説明する。
【００２４】（実施例１）以下、本発明の第１の実施例
として、比抵抗が１０5Ωｃｍ以上の溶液を使用した薄
膜形成方法について説明する。
として、比抵抗が１０5Ωｃｍ以上の溶液を使用した薄
膜形成方法について説明する。
【００２５】図１は、静電力を用いて溶液を吐出させた
場合の、吐出状態を示す説明図である。
場合の、吐出状態を示す説明図である。
【００２６】図１において、１、４、６はノズル、２は
被塗布部材、３から７は溶液の吐出状態を示す。
被塗布部材、３から７は溶液の吐出状態を示す。
【００２７】静電力を用いて溶液を吐出させると、その
吐出状態は大別すると図１に示すような形態が考えられ
る。
吐出状態は大別すると図１に示すような形態が考えられ
る。
【００２８】すなわち、（ａ）ノズル１から独立した液
滴３となって吐出し被塗布部材２に付着する状態、
（ｂ）ノズル４から５に示す糸を曳くように曳糸現象を
生じて吐出し被塗布部材２に付着する状態、または
（ｃ）ノズル６から７に示すように噴霧状に吐出し被塗
布部材２に付着する状態、の３つの形態である。
滴３となって吐出し被塗布部材２に付着する状態、
（ｂ）ノズル４から５に示す糸を曳くように曳糸現象を
生じて吐出し被塗布部材２に付着する状態、または
（ｃ）ノズル６から７に示すように噴霧状に吐出し被塗
布部材２に付着する状態、の３つの形態である。
【００２９】微細な薄膜形成を行うためには、上記
（ｂ）の曳糸現象を生じる状態で溶液を吐出させる必要
があるが、発明者の実験により、吐出状態は、溶液の比
抵抗に依存することが判明した。
（ｂ）の曳糸現象を生じる状態で溶液を吐出させる必要
があるが、発明者の実験により、吐出状態は、溶液の比
抵抗に依存することが判明した。
【００３０】以下、その実験内容について説明する。図
２は、溶液が静電力により吐出され、塗布されるための
基本的構成を示す構成図である。
２は、溶液が静電力により吐出され、塗布されるための
基本的構成を示す構成図である。
【００３１】図２において、８は溶液供給口、９は溶液
吐出口、１０は溶液、１１は付着された溶液により薄膜
が形成される被塗布部材、１２は被塗布部材１１の背面
に設置された背面電極、１３はノズル、１４は高圧電源
を示す。
吐出口、１０は溶液、１１は付着された溶液により薄膜
が形成される被塗布部材、１２は被塗布部材１１の背面
に設置された背面電極、１３はノズル、１４は高圧電源
を示す。
【００３２】この構成において、溶液１０は、背面電極
１２とノズル１３の間に高圧電源１４により電圧印加を
行って発生した電界により、ノズル１３より被塗布部材
１１の方向に吐出される。
１２とノズル１３の間に高圧電源１４により電圧印加を
行って発生した電界により、ノズル１３より被塗布部材
１１の方向に吐出される。
【００３３】図３は、図２は示した構成で静電力を利用
して溶液を吐出した場合における溶液の吐出状態を、比
抵抗と印加電圧との関係で示したものである。
して溶液を吐出した場合における溶液の吐出状態を、比
抵抗と印加電圧との関係で示したものである。
【００３４】図３において、横軸が溶液の比抵抗を、縦
軸が静電力による電界の強さを示しており、ａ部は溶液
が吐出しない状態、ｂ部は独立した液滴となって吐出す
る状態（図１（ａ）の状態）、ｃ部は噴霧状に吐出する
状態（図１（ｃ）の状態）、ｄ部は溶液が曳糸状に吐出
する状態（図１（ｂ）の状態）を示している。
軸が静電力による電界の強さを示しており、ａ部は溶液
が吐出しない状態、ｂ部は独立した液滴となって吐出す
る状態（図１（ａ）の状態）、ｃ部は噴霧状に吐出する
状態（図１（ｃ）の状態）、ｄ部は溶液が曳糸状に吐出
する状態（図１（ｂ）の状態）を示している。
【００３５】前述したように、微細なパターンの薄膜を
形成するためには、吐出溶液の制御が可能な、曳糸状態
で溶液を吐出する必要がある。
形成するためには、吐出溶液の制御が可能な、曳糸状態
で溶液を吐出する必要がある。
【００３６】従って、図３のｄ部の状態になるように、
まず、溶液の比抵抗が１０5Ωｃｍ以上であるものを選
択することが前提で、更に、溶液に対し与えるエネルギ
ー（電界の強さ）を曳糸状となる大きさに調整すれば、
良好な薄膜形成が可能な吐出状態となることがわかる。
まず、溶液の比抵抗が１０5Ωｃｍ以上であるものを選
択することが前提で、更に、溶液に対し与えるエネルギ
ー（電界の強さ）を曳糸状となる大きさに調整すれば、
良好な薄膜形成が可能な吐出状態となることがわかる。
【００３７】例えば、近年、ＤＲＡＭ用キャパシタや不
揮発性メモリ用材料として開発の進められているＭＯＤ
（Metallo-Organic Deposition）溶液や、ゾルゲル溶液
等は、一般にエタノール、メタノール等の炭化水素系の
有機溶剤が溶媒として加えられており、これらの溶液の
比抵抗は、一般的に１０7Ωｃｍ以上である。
揮発性メモリ用材料として開発の進められているＭＯＤ
（Metallo-Organic Deposition）溶液や、ゾルゲル溶液
等は、一般にエタノール、メタノール等の炭化水素系の
有機溶剤が溶媒として加えられており、これらの溶液の
比抵抗は、一般的に１０7Ωｃｍ以上である。
【００３８】これらの溶液を従来の圧電素子を用いた吐
出方法で吐出を行うと、キャビテーションが生じてしま
い良好な溶液吐出ができないが、本実施例の構成で溶液
を吐出すれば、図３からも明らかなように、溶液が１０
5Ωｃｍ以上の高い比抵抗を有するため、安定した曳糸
状態での溶液吐出が可能であり、露光工程やエッチング
工程を用いることなく、基板の任意の場所に、圧電体薄
膜や誘電体薄膜等を直接に形成することができる。
出方法で吐出を行うと、キャビテーションが生じてしま
い良好な溶液吐出ができないが、本実施例の構成で溶液
を吐出すれば、図３からも明らかなように、溶液が１０
5Ωｃｍ以上の高い比抵抗を有するため、安定した曳糸
状態での溶液吐出が可能であり、露光工程やエッチング
工程を用いることなく、基板の任意の場所に、圧電体薄
膜や誘電体薄膜等を直接に形成することができる。
【００３９】また、図２の構成ではなく、図４に示すよ
うな構成で溶液を吐出させても同様である。
うな構成で溶液を吐出させても同様である。
【００４０】この構成は、溶液を静電力で吐出する原理
は図２の構成と同様であるが、電界を発生させるための
片方の電極として、被塗布部材１５の上面に形成してあ
る金属膜１５ａを利用していることが異なっていおり、
用途によって、いずれかの構成を選択することができ
る。
は図２の構成と同様であるが、電界を発生させるための
片方の電極として、被塗布部材１５の上面に形成してあ
る金属膜１５ａを利用していることが異なっていおり、
用途によって、いずれかの構成を選択することができ
る。
【００４１】続いて、以上の薄膜形成方法を実際に適用
した薄膜形成装置について詳細に説明する。
した薄膜形成装置について詳細に説明する。
【００４２】図５は、本発明の薄膜形成装置の構成を示
すものである。図５において、１７は溶液を吐出させる
溶液吐出部、１８は溶液が吐出されることにより薄膜が
形成される被塗布部材、１９は被塗布部材を加熱するヒ
ータブロック、２０は被塗布部材上の任意の場所に溶液
を吐出させ薄膜を形成するために被塗布部材を移動なら
しめるＸ−Ｙステージ、２１はヒータブロック１９から
発生する熱の伝導を防ぐために配置された断熱板、２２
は溶液吐出部１７の上下方向の位置決めを可能ならしめ
るＺステージ、２３は吐出する溶液を蓄えかつ溶液吐出
部１７に溶液を供給する溶液供給部を示す。
すものである。図５において、１７は溶液を吐出させる
溶液吐出部、１８は溶液が吐出されることにより薄膜が
形成される被塗布部材、１９は被塗布部材を加熱するヒ
ータブロック、２０は被塗布部材上の任意の場所に溶液
を吐出させ薄膜を形成するために被塗布部材を移動なら
しめるＸ−Ｙステージ、２１はヒータブロック１９から
発生する熱の伝導を防ぐために配置された断熱板、２２
は溶液吐出部１７の上下方向の位置決めを可能ならしめ
るＺステージ、２３は吐出する溶液を蓄えかつ溶液吐出
部１７に溶液を供給する溶液供給部を示す。
【００４３】また、２４は、溶液吐出部１７の溶液吐出
量制御、ヒータブロック１９の温度制御、およびＸ−Ｙ
ステージ２０とＺステージ２２の移動距離制御を行う制
御部を示す。
量制御、ヒータブロック１９の温度制御、およびＸ−Ｙ
ステージ２０とＺステージ２２の移動距離制御を行う制
御部を示す。
【００４４】このような装置構成において、Ｚステージ
２２で溶液吐出部１７の位置決めがなされた後、溶液は
溶液吐出部１７から被塗布部材１８に向かって、上記の
吐出原理に従って吐出される。この場合、必要に応じて
Ｘ−Ｙステージ２０を、吐出途中又は吐出完了後に、移
動することになる。
２２で溶液吐出部１７の位置決めがなされた後、溶液は
溶液吐出部１７から被塗布部材１８に向かって、上記の
吐出原理に従って吐出される。この場合、必要に応じて
Ｘ−Ｙステージ２０を、吐出途中又は吐出完了後に、移
動することになる。
【００４５】そして、被塗布部材１８を加熱する加熱機
構であるヒータブロック１９が設けられているために、
溶液を被塗布部材１８上に吐出した後、被塗布部材１８
を加熱することにより、溶媒を速やかに蒸発させて薄膜
を形成することが可能となり、薄膜を形成するために要
する時間を短縮することができる。
構であるヒータブロック１９が設けられているために、
溶液を被塗布部材１８上に吐出した後、被塗布部材１８
を加熱することにより、溶媒を速やかに蒸発させて薄膜
を形成することが可能となり、薄膜を形成するために要
する時間を短縮することができる。
【００４６】なお、加熱方法としてランプを用いて加熱
する方法等を採用しても同様な効果を得られることはむ
ろんである。
する方法等を採用しても同様な効果を得られることはむ
ろんである。
【００４７】もちろん、室温下での乾燥で時間的に充分
である場合には、加熱しなくてもかまわない。
である場合には、加熱しなくてもかまわない。
【００４８】また、基板が平板に限らず、曲面状のもの
等であっても、同様な方法で薄膜形成が可能である。
等であっても、同様な方法で薄膜形成が可能である。
【００４９】さらに、図５に示す装置構成に加えて、薄
膜を形成する場の雰囲気を不活性ガスで満たす機能を付
加することにより、大気中の水分等と反応してしまいそ
れ自身が持つ特性を劣下してしまうような溶液を吐出し
ても、大気の影響を受けることなく特性を保持すること
ができるようになる。
膜を形成する場の雰囲気を不活性ガスで満たす機能を付
加することにより、大気中の水分等と反応してしまいそ
れ自身が持つ特性を劣下してしまうような溶液を吐出し
ても、大気の影響を受けることなく特性を保持すること
ができるようになる。
【００５０】この薄膜を形成する場の雰囲気を不活性ガ
スで満たすための手段としては、例えば、薄膜を形成す
る場を容器で囲い、その中に大気よりも高い圧力で不活
性ガスを導入してもよいし、また、真空ポンプ等を用い
て薄膜を形成する場と大気中とに圧力差を設けて、薄膜
を形成する場を不活性ガスで満たしてもよい。
スで満たすための手段としては、例えば、薄膜を形成す
る場を容器で囲い、その中に大気よりも高い圧力で不活
性ガスを導入してもよいし、また、真空ポンプ等を用い
て薄膜を形成する場と大気中とに圧力差を設けて、薄膜
を形成する場を不活性ガスで満たしてもよい。
【００５１】また、溶液を吐出する溶液吐出部１７のヘ
ッドを、ノズルを複数にしたマルチノズルヘッドとする
こともでき、異なる溶液による薄膜形成を同時に行った
り、一定間隔をもった複数の回路パターンを同時に作成
することが可能となり、生産性の向上が図れることにな
る。
ッドを、ノズルを複数にしたマルチノズルヘッドとする
こともでき、異なる溶液による薄膜形成を同時に行った
り、一定間隔をもった複数の回路パターンを同時に作成
することが可能となり、生産性の向上が図れることにな
る。
【００５２】（実施例２）以下、本発明の第２実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００５３】実施例１では、比抵抗が高い（１０5Ωｃ
ｍ以上）溶液について述べたが、本実施例では比抵抗が
低い溶液（１０5Ωｃｍ以下）の場合について、吐出す
る場合について述べる。
ｍ以上）溶液について述べたが、本実施例では比抵抗が
低い溶液（１０5Ωｃｍ以下）の場合について、吐出す
る場合について述べる。
【００５４】ゾルゲル溶液で市販されているものの中で
一部のもの、例えば酢酸を主溶媒とするＳｒＴｉＯ3ゾ
ルゲル溶液等は、その比抵抗が約４×１０3Ωｃｍと低
いため、静電力によって曳糸現象を生じず、実施例１の
原理に従った吐出では、安定した溶液吐出を実現するこ
とはできなかった。
一部のもの、例えば酢酸を主溶媒とするＳｒＴｉＯ3ゾ
ルゲル溶液等は、その比抵抗が約４×１０3Ωｃｍと低
いため、静電力によって曳糸現象を生じず、実施例１の
原理に従った吐出では、安定した溶液吐出を実現するこ
とはできなかった。
【００５５】この原因は、酢酸塩が、溶媒中で解離した
イオンとなって比抵抗を下げているいるためと考えられ
る。
イオンとなって比抵抗を下げているいるためと考えられ
る。
【００５６】そこで、比抵抗を上昇させる目的で、この
溶液に疎水性の有機溶媒であるイソブチルベンゼンを第
２の溶媒として１：１の割合で混合したところ、図３の
領域ｄ部に含まれるように、比抵抗が１０7Ωｃｍに上
昇して、良好な溶液吐出が可能となった。
溶液に疎水性の有機溶媒であるイソブチルベンゼンを第
２の溶媒として１：１の割合で混合したところ、図３の
領域ｄ部に含まれるように、比抵抗が１０7Ωｃｍに上
昇して、良好な溶液吐出が可能となった。
【００５７】このように、媒質を良く溶解させる第１の
溶媒に加えて、比抵抗調整することを目的とする第２の
溶媒を用いることによって、静電力によって良好な吐出
が可能な溶液を作製することができる。
溶媒に加えて、比抵抗調整することを目的とする第２の
溶媒を用いることによって、静電力によって良好な吐出
が可能な溶液を作製することができる。
【００５８】一般にこの第２の溶液は、第１の溶液より
も極性が低い有機溶媒で、かつ第１の溶液と良く解け合
う物が良く、たとえば、脂肪族炭化水素、ナフテン系炭
化水素、モノまたはジアルキルナフタレン、フェネチル
クメン等の芳香族炭化水素等の有機溶媒が好適である。
も極性が低い有機溶媒で、かつ第１の溶液と良く解け合
う物が良く、たとえば、脂肪族炭化水素、ナフテン系炭
化水素、モノまたはジアルキルナフタレン、フェネチル
クメン等の芳香族炭化水素等の有機溶媒が好適である。
【００５９】そして、吐出後の工程は、実施例１と同様
な工程で、薄膜を形成することができる。
な工程で、薄膜を形成することができる。
【００６０】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について説明する。
について説明する。
【００６１】本実施例では、粘度が比較的高い（１０〜
２０ｃｐ以上）溶液、特に樹脂溶液の吐出について説明
をする。
２０ｃｐ以上）溶液、特に樹脂溶液の吐出について説明
をする。
【００６２】樹脂を溶解した溶液を被塗布部材上に吐出
させ、その後乾燥させることにより樹脂薄膜を得る薄膜
の形成方法については、例えば電子部品回路製作時のマ
スク材として用いることができる等、種々の用途が考え
られる。
させ、その後乾燥させることにより樹脂薄膜を得る薄膜
の形成方法については、例えば電子部品回路製作時のマ
スク材として用いることができる等、種々の用途が考え
られる。
【００６３】そして、これらの溶液は一般に粘度が高
く、１０〜２０ｃｐ以上の場合が多いため、従来の圧電
式の吐出方法を用いた場合には、吐出不可能であるか不
安定であることが多かった。
く、１０〜２０ｃｐ以上の場合が多いため、従来の圧電
式の吐出方法を用いた場合には、吐出不可能であるか不
安定であることが多かった。
【００６４】しかしながら、静電力を利用した吐出方法
を用いれば、２０〜３０ｃｐの粘度でも、樹脂溶液であ
れば高精度のパターンを作製することができることが判
明した。
を用いれば、２０〜３０ｃｐの粘度でも、樹脂溶液であ
れば高精度のパターンを作製することができることが判
明した。
【００６５】なお、樹脂溶液の中には、溶液の比抵抗が
１０5Ωｃｍよりも低い溶液も存在する。
１０5Ωｃｍよりも低い溶液も存在する。
【００６６】図３を参照すると、これら比抵抗の低い樹
脂溶液を吐出することは不可能であると思われるが、樹
脂溶液についての本発明者の検討によれば、例外的に、
比抵抗が低い場合でも曳糸状態を生み出せることが判明
した。
脂溶液を吐出することは不可能であると思われるが、樹
脂溶液についての本発明者の検討によれば、例外的に、
比抵抗が低い場合でも曳糸状態を生み出せることが判明
した。
【００６７】例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）
を５％添加したＰＶＡ水溶液の比抵抗は、５００Ωｃｍ
程度であるが、静電力を用いた吐出方法を用いることに
よって曳糸状態の溶液吐出を確認することができた。
を５％添加したＰＶＡ水溶液の比抵抗は、５００Ωｃｍ
程度であるが、静電力を用いた吐出方法を用いることに
よって曳糸状態の溶液吐出を確認することができた。
【００６８】この理由は、静電力によって曳糸現象を生
じさせる物性値的な要因として、比抵抗値のみならず、
溶質自体の分子量の大きさも影響をする場合があること
が考えられる。
じさせる物性値的な要因として、比抵抗値のみならず、
溶質自体の分子量の大きさも影響をする場合があること
が考えられる。
【００６９】樹脂溶液が曳糸現象を生じ易いことについ
ては、必ずしも原因が明らかになっているとはいえない
が、高分子のタンパク質が糸を曳くのと同様に、高分子
の樹脂が曳糸現象を起こしやすいと考える。
ては、必ずしも原因が明らかになっているとはいえない
が、高分子のタンパク質が糸を曳くのと同様に、高分子
の樹脂が曳糸現象を起こしやすいと考える。
【００７０】そして、吐出後の工程は、実施例１と同様
な工程で、薄膜を形成することができる。
な工程で、薄膜を形成することができる。
【００７１】以上より、吐出溶液として樹脂を吐出溶液
に用いた場合には、比抵抗値の使用可能範囲を実質的に
拡大した薄膜形成が行えるため、通常の電子部品回路製
作時のマスク形成が、樹脂の塗布、露光、エッチング等
の複数の工程を必要とするのに対し、本発明の吐出原理
に従って樹脂溶液からの薄膜形成を行うことにより、１
回の工程のみでマスク形成が可能となり、回路製作時の
工程数の削減や回路の低価格化等に大きな効果をあげる
ことができる。
に用いた場合には、比抵抗値の使用可能範囲を実質的に
拡大した薄膜形成が行えるため、通常の電子部品回路製
作時のマスク形成が、樹脂の塗布、露光、エッチング等
の複数の工程を必要とするのに対し、本発明の吐出原理
に従って樹脂溶液からの薄膜形成を行うことにより、１
回の工程のみでマスク形成が可能となり、回路製作時の
工程数の削減や回路の低価格化等に大きな効果をあげる
ことができる。
【００７２】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
について説明する。
について説明する。
【００７３】本実施例では、金属薄膜を形成させる方法
について説明する。金属の微粉末を含有する溶液を直接
被塗布部材上に吐出して薄膜を形成することができれ
ば、微細な配線の直接形成が可能となるので、回路の小
型化や、低価格化に大きな効果をあげることとなる。
について説明する。金属の微粉末を含有する溶液を直接
被塗布部材上に吐出して薄膜を形成することができれ
ば、微細な配線の直接形成が可能となるので、回路の小
型化や、低価格化に大きな効果をあげることとなる。
【００７４】この金属の微粉末を安定に含有した溶液を
製造する場合には、分散剤を使用して懸濁させればよい
と考えられる。
製造する場合には、分散剤を使用して懸濁させればよい
と考えられる。
【００７５】分散剤の例としては界面活性剤があり、固
−液界面に吸着して界面エネルギーを低下安定させるも
のである。
−液界面に吸着して界面エネルギーを低下安定させるも
のである。
【００７６】つまり、この界面活性剤は、微粒子表面に
吸着保護皮膜を形成するため、安定に分散された懸濁液
では、個々の微粒子間で直接接触・衝突を起こさないの
で、電気伝導度の低い、すなわち、比抵抗が１０5Ωｃ
ｍ以上の溶液とすることができる。
吸着保護皮膜を形成するため、安定に分散された懸濁液
では、個々の微粒子間で直接接触・衝突を起こさないの
で、電気伝導度の低い、すなわち、比抵抗が１０5Ωｃ
ｍ以上の溶液とすることができる。
【００７７】また、吸着保護膜は界面活性剤のみでも形
成させることができるが、表面皮膜をさらに強固にする
物質も存在する。
成させることができるが、表面皮膜をさらに強固にする
物質も存在する。
【００７８】一般的にそれらの物質は、保護膠質または
乳化安定剤と呼ばれていが、このような物質を添加する
ことによって微粉末同士の衝突が確実に避けられ、電気
的な特性の安定した懸濁液を作製することができる。
乳化安定剤と呼ばれていが、このような物質を添加する
ことによって微粉末同士の衝突が確実に避けられ、電気
的な特性の安定した懸濁液を作製することができる。
【００７９】保護膠質としては、植物ゴム、澱粉、アル
ギン酸塩、蛋白質、レシチン、繊維系エーテル、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル
酸誘導体、膠質珪酸等が知られている。
ギン酸塩、蛋白質、レシチン、繊維系エーテル、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル
酸誘導体、膠質珪酸等が知られている。
【００８０】なお、一般に、微粒子の分散液は、その微
粒子の大きさが０.１μｍ以下のときはコロイドと呼ば
れ、数μｍより０.１μｍ程度の大きさであるときはエ
マルジョンあるいは乳剤と称されている。
粒子の大きさが０.１μｍ以下のときはコロイドと呼ば
れ、数μｍより０.１μｍ程度の大きさであるときはエ
マルジョンあるいは乳剤と称されている。
【００８１】このような微粒子の分散液はすでに市販さ
れており、本実施例では、真空冶金（株）製の銀微粒子
をトルエンの溶剤に分散させたＡｇ３０ｗｔ％の独立分
散超微粒子溶液を用いた。
れており、本実施例では、真空冶金（株）製の銀微粒子
をトルエンの溶剤に分散させたＡｇ３０ｗｔ％の独立分
散超微粒子溶液を用いた。
【００８２】この分散微粒子は、ガス中蒸発法によって
生成されたもので、粒径は０.１μｍ以下であり、コロ
イド状に分散された個々の粒子は凝集することなく独立
に分散されているため、溶液の比抵抗が約１０7Ωｃｍ
と高い。
生成されたもので、粒径は０.１μｍ以下であり、コロ
イド状に分散された個々の粒子は凝集することなく独立
に分散されているため、溶液の比抵抗が約１０7Ωｃｍ
と高い。
【００８３】この微粒子の分散液を、静電力を用いて被
塗布部材上状に吐出させたところ、良好に曳糸現象が生
じて吐出が可能であった。
塗布部材上状に吐出させたところ、良好に曳糸現象が生
じて吐出が可能であった。
【００８４】その後、被塗布部材上に吐出した分散液を
３００℃で加熱すると、分散液は電気伝導性を持った銀
薄膜となった。
３００℃で加熱すると、分散液は電気伝導性を持った銀
薄膜となった。
【００８５】これは、銀微粒子を覆っていた界面活性剤
または保護膠質が熱によって溶けて蒸発し、銀微粒子同
士の接触凝集が成されたためであると考えられる。
または保護膠質が熱によって溶けて蒸発し、銀微粒子同
士の接触凝集が成されたためであると考えられる。
【００８６】もちろんこの加熱工程は、場合によって
は、上述したように省略してもかまわない。
は、上述したように省略してもかまわない。
【００８７】このように、微粒子自体が比抵抗の低い性
質を持つものであっても、絶縁性材料で被膜された微粒
子にして吐出溶液とすれば、静電力によって良好に吐出
でき薄膜形成が可能であり、微細な配線の直接形成を行
うことができるため、回路の低価格化や曲面を持った被
塗布部材上への配線において、大きな効果を挙げること
ができる。
質を持つものであっても、絶縁性材料で被膜された微粒
子にして吐出溶液とすれば、静電力によって良好に吐出
でき薄膜形成が可能であり、微細な配線の直接形成を行
うことができるため、回路の低価格化や曲面を持った被
塗布部材上への配線において、大きな効果を挙げること
ができる。
【００８８】（実施例５）以下、本発明の第５の実施例
について説明する。
について説明する。
【００８９】実施例１から４では、溶液を吐出させる方
法として静電力のみを用いる場合を示したが、本実施例
では、静電力に加え、さらに圧電素子等による振動を溶
液に補助的に印加した場合について述べる。
法として静電力のみを用いる場合を示したが、本実施例
では、静電力に加え、さらに圧電素子等による振動を溶
液に補助的に印加した場合について述べる。
【００９０】図６は、静電力と圧力波を併用したノズル
を使い、溶液を吐出させる構成を示す。
を使い、溶液を吐出させる構成を示す。
【００９１】図６において、１７は吐出口、１８は溶液
に圧力波を発生させるためのピエゾ素子、１９は圧力
室、２０は溶液供給口、２１は背面電極、２２は高圧電
源、２３は被塗布部材を示している。
に圧力波を発生させるためのピエゾ素子、１９は圧力
室、２０は溶液供給口、２１は背面電極、２２は高圧電
源、２３は被塗布部材を示している。
【００９２】この構成において、ピエゾ素子１８に電圧
を印加すると、ピエゾ素子がたわみ、圧力室１９の容積
が変化する。
を印加すると、ピエゾ素子がたわみ、圧力室１９の容積
が変化する。
【００９３】この圧力室の容積変化は、吐出口１７内の
溶液に流動を生じさせ、この流動が所定値より大きい場
合には、液滴となって被塗布部材方向に吐出される。
溶液に流動を生じさせ、この流動が所定値より大きい場
合には、液滴となって被塗布部材方向に吐出される。
【００９４】また、圧力室１９内のインクと背面電極間
には電界が作用しており、インクを被塗布部材方向に吸
引する力が働いている。
には電界が作用しており、インクを被塗布部材方向に吸
引する力が働いている。
【００９５】溶液の吐出は、溶液に対し静電力を加えた
とき、あるいはピエゾ素子による圧力波と静電力の両方
が存在したときになされ、溶液に対しなんらの力も加え
ないときは、溶液の表面張力によって吐出口に保持され
ている。
とき、あるいはピエゾ素子による圧力波と静電力の両方
が存在したときになされ、溶液に対しなんらの力も加え
ないときは、溶液の表面張力によって吐出口に保持され
ている。
【００９６】この装置を用い、静電力のみの場合と圧力
波を併用した場合の溶液の吐出について検討した結果を
図７に示す。
波を併用した場合の溶液の吐出について検討した結果を
図７に示す。
【００９７】図７に示された曲線は、溶液の吐出開始点
を結んだものであり、圧電効果による圧力波を溶液に与
えない場合には、Ｃ点の静電力（図３の電界の強さの２
ｋＶ／ｍｍに相当する）が必要であったものが、溶液に
圧力波を加えることによって、Ｄ点までは、圧力波が大
きければ大きいほど静電力を相対的に小さくすることが
できることを示している。
を結んだものであり、圧電効果による圧力波を溶液に与
えない場合には、Ｃ点の静電力（図３の電界の強さの２
ｋＶ／ｍｍに相当する）が必要であったものが、溶液に
圧力波を加えることによって、Ｄ点までは、圧力波が大
きければ大きいほど静電力を相対的に小さくすることが
できることを示している。
【００９８】このとき、溶液に与える圧力波の大きさ
は、ピエゾの材質、寸法、液室形状、ノズル径、吐出液
の物性値等によって異なるが、一般にピエゾに印加する
電圧値でいうと５０Ｖから５００Ｖ程度である。
は、ピエゾの材質、寸法、液室形状、ノズル径、吐出液
の物性値等によって異なるが、一般にピエゾに印加する
電圧値でいうと５０Ｖから５００Ｖ程度である。
【００９９】この実験結果は、溶液の吐出方法として、
溶液に対し静電力のみを作用させる場合よりも、静電力
に圧力波を補助的に加えることによって、実施例１の図
３に示した吐出開始電圧を下げることができ、曳糸現象
を生じる状態の領域を広くとれることを示している。
溶液に対し静電力のみを作用させる場合よりも、静電力
に圧力波を補助的に加えることによって、実施例１の図
３に示した吐出開始電圧を下げることができ、曳糸現象
を生じる状態の領域を広くとれることを示している。
【０１００】上記について、図８を用いて説明する。図
８は、溶液に対し図７のＥ点で示される静電力と圧力波
を加えた場合の、溶液の比抵抗値と吐出開始時の印加電
圧のとの関係を示すものである。
８は、溶液に対し図７のＥ点で示される静電力と圧力波
を加えた場合の、溶液の比抵抗値と吐出開始時の印加電
圧のとの関係を示すものである。
【０１０１】図８において、破線Ｆは、静電力のみの吐
出方式における吐出開始電圧であり（図３の曲線Ａに相
当）、曲線Ｇは、静電力に圧力波を加えたときの吐出開
始電圧を示している。
出方式における吐出開始電圧であり（図３の曲線Ａに相
当）、曲線Ｇは、静電力に圧力波を加えたときの吐出開
始電圧を示している。
【０１０２】吐出手段に、静電力に圧力波を加えること
により、溶液の吐出開始電圧が下がるため、溶液が曳糸
現象を生じる状態の領域が、静電力のみの場合のｄ部の
領域に付加して、ｅ部に示す部分を追加することがで
き、比抵抗値の低い溶液も使用可能となり、結果として
吐出溶液の選択の幅を広げることとなる。
により、溶液の吐出開始電圧が下がるため、溶液が曳糸
現象を生じる状態の領域が、静電力のみの場合のｄ部の
領域に付加して、ｅ部に示す部分を追加することがで
き、比抵抗値の低い溶液も使用可能となり、結果として
吐出溶液の選択の幅を広げることとなる。
【０１０３】そして、吐出後の工程は、実施例１と同様
な工程で、薄膜を形成することができる。
な工程で、薄膜を形成することができる。
【０１０４】このように、吐出溶液に対し静電力のみな
らず圧力波を加えれば、静電力のみの溶液吐出方法と比
べて、さらに吐出溶液の種類を広げることとなるので、
形成できる薄膜の種類が広がり、回路部品あるいはマイ
クロマシンの製作に大きな効果をあげることが可能とな
る。
らず圧力波を加えれば、静電力のみの溶液吐出方法と比
べて、さらに吐出溶液の種類を広げることとなるので、
形成できる薄膜の種類が広がり、回路部品あるいはマイ
クロマシンの製作に大きな効果をあげることが可能とな
る。
【０１０５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、薄
膜形成材料として溶液状物質を用い、薄膜形成材料の吐
出手段として静電力単独、または静電力に圧電効果を補
助として利用し、被形成部材上に薄膜形成材料の溶液を
曳糸状態で吐出し、溶液中の溶媒の加熱、または所定時
間室温で放置することにより蒸発させることにより、従
来の薄膜形成方法に比べて吐出できる溶液の種類に対し
実質的には制約を受けることがなく、かつ吐出溶液が曳
糸状態となるため微細な薄膜形成が可能であり、各種回
路やデバイスの作製時にもたらす利便性はきわめて大き
い。
膜形成材料として溶液状物質を用い、薄膜形成材料の吐
出手段として静電力単独、または静電力に圧電効果を補
助として利用し、被形成部材上に薄膜形成材料の溶液を
曳糸状態で吐出し、溶液中の溶媒の加熱、または所定時
間室温で放置することにより蒸発させることにより、従
来の薄膜形成方法に比べて吐出できる溶液の種類に対し
実質的には制約を受けることがなく、かつ吐出溶液が曳
糸状態となるため微細な薄膜形成が可能であり、各種回
路やデバイスの作製時にもたらす利便性はきわめて大き
い。
【図１】本発明の吐出原理を説明する説明図
【図２】同吐出原理を具体化した溶液の吐出のための構
成図
成図
【図３】同吐出原理を具体化した構成により得られた比
抵抗−電界の関係で決まる溶液の吐出の特性図
抵抗−電界の関係で決まる溶液の吐出の特性図
【図４】同吐出原理を具体化した溶液の吐出のための他
の構成図
の構成図
【図５】同吐出原理を具体化した薄膜形成装置の全体構
成図
成図
【図６】同吐出原理を具体化した溶液吐出のための他の
構成図
構成図
【図７】同吐出原理を具体化した他の構成により得られ
た圧力波−静電力の関係で決まる溶液の吐出の特性図
た圧力波−静電力の関係で決まる溶液の吐出の特性図
【図８】同吐出原理を具体化した構成により得られた比
抵抗−電界の関係で決まる溶液の吐出の特性図
抵抗−電界の関係で決まる溶液の吐出の特性図
【図９】従来例を示す構成図
１７ 溶液吐出部 １８ 被塗布部材 １９ ヒータブロック ２０ Ｘ−Ｙステージ ２２ Ｚステージ ２３ 溶液供給部 ２４ 制御部
Claims (10)
- 【請求項１】 薄膜形成材料と前記薄膜形成材料を溶解
する溶媒とを含み比抵抗が１０5Ωｃｍ以上の溶液状物
質を吐出用のノズル内に案内する工程と、前記ノズルの
軸線方向に被形成部材を設置する工程と、前記ノズル内
の溶液状物質に対して前記ノズルの軸線方向に静電力を
作用させて前記ノズルから被形成部材に向かって前記溶
液状物質を曳糸状で吐出する工程とを有する薄膜形成方
法。 - 【請求項２】 溶液状物質が、さらに比抵抗が調節可能
な溶媒をも含む請求項１記載の薄膜形成方法。 - 【請求項３】 高分子樹脂を含む溶液状物質を吐出用の
ノズル内に案内する工程と、前記ノズルの軸線方向に被
形成部材を設置する工程と、前記ノズル内の溶液状物質
に対して前記ノズルの軸線方向に静電力を作用させて前
記ノズルから被形成部材に向かって前記溶液状物質を曳
糸状で吐出する工程とを有する薄膜形成方法。 - 【請求項４】 金属材料溶液と分散剤とを含み比抵抗が
１０5Ωｃｍ以上の溶液状物質を吐出用のノズル内に案
内する工程と、前記ノズルの軸線方向に被形成部材を設
置する工程と、前記ノズル内の溶液状物質に対して前記
ノズルの軸線方向に静電力を作用させて前記ノズルから
被形成部材に向かって前記溶液状物質を曳糸状で吐出す
る工程とを有する薄膜形成方法。 - 【請求項５】 溶液状物質が、さらに保護膠質または乳
化安定剤をも含む請求項４記載の薄膜形成方法。 - 【請求項６】 溶液状物質を曳糸状で吐出する工程が、
さらに圧力波を作用させる工程をも含む請求項１から５
のいずれか記載の薄膜形成方法。 - 【請求項７】 さらに、被形成部材上に吐出された溶液
状物質を加熱する工程を有する請求項１から６のいずれ
か記載の薄膜形成方法。 - 【請求項８】 さらに、被形成部材上に吐出された溶液
状物質の周囲に不活性ガスを供給する工程を有する請求
項１から７のいずれか記載の薄膜形成方法。 - 【請求項９】 請求項１から８のいずれか記載の溶液状
物質の供給源と、前記溶液状物質を吐出する溶液状物質
吐出手段と、前記吐出された溶液状物質から薄膜が形成
される被形成部材と、前記被形成部材を載置するステー
ジと、前記被形成部材を加熱する加熱手段とを有する薄
膜形成装置。 - 【請求項１０】 さらに、溶液状物質吐出手段を前記溶
液状物質吐出手段と被形成部材とを結ぶ第１の方向に移
動可能な第１の移動手段と、ステージを前記第１の方向
とは垂直な平面内で２方向に移動可能な第２の移動手段
とを有する請求項９記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21595494A JP3633650B2 (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 薄膜形成方法 |
| KR1019950029373A KR100212089B1 (ko) | 1994-09-09 | 1995-09-07 | 박막형성방법 및 그 장치 |
| US08/524,823 US5935331A (en) | 1994-09-09 | 1995-09-07 | Apparatus and method for forming films |
| CN95115918A CN1066386C (zh) | 1994-09-09 | 1995-09-11 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21595494A JP3633650B2 (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0871489A true JPH0871489A (ja) | 1996-03-19 |
| JP3633650B2 JP3633650B2 (ja) | 2005-03-30 |
Family
ID=16681003
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21595494A Expired - Fee Related JP3633650B2 (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 薄膜形成方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3633650B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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