JPH087231A - Ｍｒ複合薄膜磁気ヘッドのｍｒ高さ加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＭＲ素子の抵抗値を用いることなく正確にＭ
Ｒ素子位置を測定することにより、ヘッドブロックにお
けるＭＲ素子位置のばらつきを抑え、ＭＲ高さを高精度
に加工することができるＭＲ複合薄膜磁気ヘッドのＭＲ
高さ加工方法を提供すること。 【構成】 複数のＭＲ素子２１を併設したヘッドブロッ
ク１にＭＲ素子対応の光学的に検知可能なＭＲテストパ
ターン２２を併設し、このＭＲテストパターン２２を画
像処理部６１により光学的に検知してＭＲ素子２１位置
のばらつきを間接的に検出し、この検出した複数のＭＲ
素子２１位置のばらつきをアクチュエータ５によって許
容値内に収る様にヘッドブロック１を変位しながらラッ
ピング板６０を用いてＭＲ素子２１を研磨するもの。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＭＲ（磁気抵抗効果
型）複合薄膜磁気ヘッドのＭＲ高さ加工方法に関し、特
にヘッドブロック状態におけるＭＲ複合薄膜磁気変換素
子のＭＲ素子の高さばらつきを低減し、高精度、高能率
および高歩留まりを可能としたＭＲ（磁気抵抗効果型）
複合薄膜磁気ヘッドのＭＲ高さ加工方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年の磁気ディスク装置は、大容量化お
よび小型化の要求によって面記録密度の大幅な向上が望
まれており、このためデータの記録を行うアクティブ型
磁気ヘッド素子とデータ読取り専用のＭＲ（磁気抵抗効
果型）磁気ヘッド素子を組合せたＭＲ（磁気抵抗効果
型）複合薄膜磁気ヘッドが採用されている。このＭＲ複
合薄膜磁気ヘッドは、半導体生成技術と同様に円板状の
ウエハ上に多数の素子を形成し、このウエハから一列の
素子をブロック状に切り出した状態でＭＲ素子を所定の
高さに研磨加工を行い、更に該ヘッドブロックを複数に
分断して形成するのが一般的である。前記ＭＲ素子の所
定高さの加工は、磁気信号の読み込み性能を左右するた
め高精度が要求されている。

【０００３】このＭＲ素子の所定高さの加工は、ウエハ
から切り出したヘッドブロックの歪のアンバンランスに
よる曲り或いはヘッドブロックを治具に固定する時に生
じる変形などの影響によって、各素子のＭＲ高さ位置の
ばらつきが生じ、ＭＲ高さを精度良く高歩留まりで加工
することが困難であった。また、ＭＲ高さは、素子の内
部にある寸法のため、直接外部から測定することは困難
である。

【０００４】従来技術によるＭＲ高さ加工方法は、例え
ば米国特許第４９１４８６８号公報に記載された様に、
ヘッドブロックの下面を回転駆動するラッピング板及び
ダイヤモンドダストを用いた研磨方法において、ヘッド
ブロックの左右端下面に加工終点検知素子を設けると共
に加工中のＭＲ素子の抵抗値を検出する回路を設け、前
記各ＭＲ素子の抵抗値及び加工終点検知素子の抵抗値を
測定することによりヘッドブロックのＭＲ高さ位置のば
らつきを把握し、それらばらつきの情報に基づいてアク
チュエータによりヘッドブロックを固定している治具に
強制変位を与えＭＲ高さ位置のばらつきを均一にするこ
とによって、ＭＲ高さを高精度に加工するものが提案さ
れている。また、この従来技術によるアクチュエータ
は、ミクロン程度の変位を制御するための構成が開示さ
れてしないものであった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記従来技術によるＭ
Ｒ高さ加工方法は、ヘッドブロック変形量を制御するた
めのパラメータとして実製品であるＭＲ素子の抵抗値を
用いるものであるが、この抵抗測定に伴う電気信号の導
通によってＭＲ素子が腐食する可能性が大きくなると共
に、ＭＲ特性が不良であるＭＲ素子が存在したときには
十分な精度が得られないと言う不具合を招いていた。更
に、測定回路の増加に伴い測定用接続端子等が増え治工
具コストが増大し、製品コストが高くなると言う不具合
も招いていた。またヘッドブロックを変位させるアクチ
ュエータがミクロン単位の高精度加工に摘さないもので
あった。

【０００６】本発明の目的は、前述の従来技術による不
具合を除去することであり、製品となるＭＲ素子の抵抗
値を用いることなく正確にＭＲ素子位置を測定すること
により、ヘッドブロックにおけるＭＲ素子位置のばらつ
きを均一にし、ＭＲ高さを高精度に加工することができ
るＭＲ複合薄膜磁気ヘッドのＭＲ高さ加工方法を提供す
ることである。また本発明の他の目的は、ヘッドブロッ
クを高精度に変位することができるアクチュエータを含
むＭＲ複合薄膜磁気ヘッドのＭＲ高さ加工方法を提供す
ることである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、ＭＲ素子を含むＭＲ複合薄膜磁気ヘッドを複
数搭載したヘッドブロックのＭＲ高さ加工方法におい
て、前記ヘッドブロックに複数のＭＲ素子位置に対応し
て光学的に検知される複数のＭＲテストパターンを併設
し、該複数のＭＲテストパターンを光学的に検知するこ
とにより複数のＭＲ素子位置のばらつきを間接的に検出
し、該検出した複数のＭＲ素子位置のばらつきを所定の
許容値内に収る様にヘッドブロックを変位しながらＭＲ
素子を研磨することを第１の特徴とする。

【０００８】また本発明は、ＭＲ素子を含むＭＲ複合薄
膜磁気ヘッドを複数搭載したヘッドブロックのＭＲ高さ
加工方法において、前記ヘッドブロックに複数のＭＲ素
子位置に対応して光学的に検知される複数のＭＲテスト
パターン及び電気抵抗値変化により研磨量を検知する複
数の加工量検知素子を設け、該複数のＭＲテストパター
ンを光学的に検知することにより複数のＭＲ素子位置の
ばらつきを間接的に検出し、該検出した複数のＭＲ素子
位置を記憶すると共に複数のＭＲ素子位置のばらつきが
所定の許容値内に収る様にヘッドブロックを変位しなが
らＭＲ素子を研磨すると共に、前記複数の加工量検知素
子により所定の加工量に達した時点で前記記憶した複数
のＭＲ素子位置及びヘッドブロックの変位量を用いて加
工途中の複数のＭＲ素子位置のばらつきを予測し、この
予測値を用いて複数のＭＲ素子位置のばらつきが所定の
許容値内に収る様にヘッドブロックの変位を調整しなが
らＭＲ素子を研磨することを第２特徴とする。

【０００９】更に本発明は、前記アクチュエータが、ア
クチュエータを微小変位させるピエゾ素子、及びこのピ
エゾ素子による変位量を検出する歪ゲードとを含み、該
歪ゲードにより検出した変位量をフィードバックしなが
らアクチュエータを微小変位させることを第３特徴とす
る。

【００１０】

【作用】前記第１の特徴によるＭＲ複合薄膜磁気ヘッド
を複数搭載したヘッドブロックのＭＲ高さ加工方法は、
ヘッドブロック上の複数のＭＲテストパターンを光学的
に検知することにより複数のＭＲ素子位置のばらつきを
間接的に検出し、該検出した複数のＭＲ素子位置のばら
つきを所定の許容値内に収る様にヘッドブロックを変位
しながらＭＲ素子を研磨することにより、ＭＲ素子位置
のばらつきをＭＲ素子に通電することなく測定してＭＲ
素子の腐食を防止しつつＭＲ高さを高精度に加工するこ
とができる。

【００１１】前記第２の特徴によるＭＲ複合薄膜磁気ヘ
ッドを複数搭載したヘッドブロックのＭＲ高さ加工方法
は、ヘッドブロック上の複数のＭＲテストパターンを光
学的に検知することにより複数のＭＲ素子位置のばらつ
きを間接的に検出し、該検出した複数のＭＲ素子位置の
ばらつきを所定の許容値内に収る様にヘッドブロックを
変位しながらＭＲ素子を研磨すると共に、加工途中で記
憶した複数のＭＲ素子位置及びヘッドブロックの変位量
を用いて加工途中の複数のＭＲ素子位置のばらつきを予
測し、この予測値を用いて複数のＭＲ素子位置のばらつ
きが所定の許容値内に収る様にヘッドブロックの変位を
調整しながらＭＲ素子を研磨することにより、ＭＲ素子
位置のばらつきをＭＲ素子に通電することなく測定して
ＭＲ素子の腐食を防止しつつＭＲ高さを更に高精度に加
工することができる。

【００１２】前記第３の特徴によるＭＲ複合薄膜磁気ヘ
ッドを複数搭載したヘッドブロックのＭＲ高さ加工方法
は、アクチュエータを微小変位させるピエゾ素子及びこ
のピエゾ素子による変位量を検出する歪ゲードとを含む
アクチュエータを用い、該歪ゲードにより検出した変位
量をフィードバックしながらアクチュエータを微小変位
させることにより、高精度な変位量を制御しながらＭＲ
素子位置のばらつきをＭＲ素子を用いることなく測定し
てＭＲ素子の腐食することなくＭＲ高さを更に高精度に
加工することができる。また前記各特徴によるＭＲ高さ
加工方法は、ＭＲ特性が不良なＭＲ素子がある場合でも
誤差なく高精度な加工を行うことができる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の一実施例によるＭＲ複合薄膜
磁気ヘッドのＭＲ高さ加工方法を図面を参照して詳細に
説明する。図１は本実施例によるＭＲ高さ加工方法を適
用するヘッドブロックの固定状態を示す図、図２は図１
に示したヘッドブロックのＭＲ素子近傍の部分拡大図、
図３は本実施例によるＭＲ高さ加工方法を説明するため
のフローチャート、図４はＭＲ高さ加工装置の概念図、
図５はＭＲテストパターンによる補正前のＭＲ高さ位置
状態を示す図、図６はＭＲテストパターンによる補正後
のＭＲ高さ位置状態を示す図、図７は加工終了後のＭＲ
高さ位置状態を示す図である。

【００１４】まず本実施例によるＭＲ複合薄膜磁気ヘッ
ドのＭＲ高さ加工方法が適用されるヘッドブロック１
は、図１に示す様に円板状のウエハから切出された長方
形形状をしており、熱軟化性のホットメルト系ワックス
３によってＳＵＳ材あるいはセラミック材のヘッドブロ
ック固定治具４に接着する。このワックス接着時にはワ
ックス硬化現象によって、接着面における硬化時間の差
異および凝縮による歪の発生に伴いヘッドブロック１に
変形が生じることが知られている。また前記ヘッドブロ
ック固定治具４は、上方に複数の切り欠き４１が設けら
れ、この切り欠き４１により上方からの圧力によって任
意に弾性変形可能に形成されている。

【００１５】更に前記ヘッドブロック１は、図２に示す
如く複数のライトヘッド用のコイル２３及びリード用の
ＭＲ素子２１と、両端に配置されたＭＲ加工量検知素子
６と、ＭＲ素子２３の近傍に本実施例の特徴であるＭＲ
テストパターン２２とを配置している。このＭＲテスト
パターン２２は、ＭＲ素子形成工程等の素子形成工程中
にＭＲ素子２３に併設して設けられ、このテストパター
ン２２を光学的に検出することによってＭＲ素子２３位
置を間接的に検出するためのものである。

【００１６】さて、このヘッドブロック１のＭＲ素子２
１のＭＲ膜を研磨してＭＲ高さを決める研磨装置は、図
４に示す如く、ヘッドブロック１を装着した弾性的なヘ
ッドブロック固定治具４の上方に位置する複数のアクチ
ュエータ５と、ヘッドブロック１の下方に位置して回転
駆動するラッピング板６０と、該ラッピング板６０とヘ
ッドブロック１の間に研磨用のダイヤモンドダスト等を
供給する機構（図示せず）と、前記複数のアクチュエー
タ５の変位を制御する制御装置７と、前記ヘッドブロッ
ク１のＭＲテストパターン２２を光学的に画像検知する
画像処理部６１とから構成される。

【００１７】前記アクチュエータ５は、内部に電力供給
によって変位するビエゾ素子５２と、該ビエゾ素子５２
による変位によって発生する歪を検出するための歪ゲー
ジ５１を内蔵し、前記制御装置７は、前記アクチュエー
タ５のピエゾ素子５２を駆動するピエゾドライバ７２
と、該ピエゾドライバ７２によるアクチュエータ５の変
位を歪として検出する歪ゲージ用アンプ７１と、ヘッド
ブロック１の両端に配置されたＭＲ加工量検知素子６か
らの加工量を電気抵抗値変化により検出する加工量検出
素子用アンプ７４と、これら回路を制御するコンピュー
タ７３とを備え、コンピュータ７３が歪ゲージ用アンプ
７１を介してアクチュエータ５の変位量をフィードバッ
クしながらピエゾドライバ７２によりアクチュエータ５
の変位量を制御すると共に、ＭＲ加工量検知素子６によ
る研磨加工量検知及び画像処理部６１による画像検知に
よって複数のＭＲテストパターン２２の相対的位置関係
を監視する様に構成されている。尚、通常のピエゾ素子
を用いたアクチュエータでは、高精度な位置決め制御を
行なう上でヒステリシスが問題点となるが、本実施例に
よるアクチュエータ５は歪ゲージ５１を内蔵し、フィー
ドバック制御を用いてこのヒステリシスの問題を解決し
ているものである。

【００１８】この様に構成された研磨装置は、制御装置
７が上方から複数のアクチュエータ５のピエゾ素子５２
の変位を用いてヘッドブロック固定治具４を介してヘッ
ドブロック１を下方に押圧しながらラッピング板６０を
回転することによってヘッドブロック１の下面、即ちを
ＭＲ素子２１のＭＲ膜を所定寸法に研磨加工するもので
あり、詳細動作を図８及び図９並びに図３のフローチャ
ートを参照して説明する。図８は、ヘッドブロック１の
アクチュエータ５による押圧工程及びラッピング工程を
説明するための図であり、図９はＭＲ素子２１及び該Ｍ
Ｒ素子２１に追随して位置関係が変化するＭＲテストパ
ターン２２を模式的に説明するための図である。

【００１９】さて本実施例によるＭＲ高さ加工方法は、
まず図８［ａ］に示したヘッドブロック固定治具４に装
着されたヘッドブロック１を図４に示した研磨装置に固
定し（図３中、ステップ１０１）、このヘッドブロック
１の複数のＭＲテストパターン２２を画像処理部６１に
よる光学的に画像検出してＭＲ高さ位置の測定を間接的
に行う（ステップ１０２）。この固定された状態のヘッ
ドブロック１は、前述のワックス３硬化現象その他の原
因により変則的に湾曲するのが一般的であり、本実施例
においては例えば図９［ｂ］の如く中央が反り上がった
形状に湾曲したばらつき特性とする。このヘッドブロッ
ク１の複数のＭＲテストパターン２２を画像処理部６１
により検出した位置関係は、図５に示す如く、標準のＭ
Ｒ高さ位置［０］を基準に中央が反り上がった特性とし
てＭＲ素子２１位置のばらつきを間接的に検出すること
ができる。このアクチュエータ５の変位量とＭＲ素子位
置のばらつきの補正量は、相関としてデータベースとし
て収集しておき、加工時の補正係数として用いることも
できる。

【００２０】次に本実施例においては、前記湾曲した特
性を補正するために制御装置７が図８［ｂ］及び図９
［ｂ］に示す如く左右のアクチュエータ５のビエゾ素子
５２を用いて力Ｆ1／Ｆ2にて押圧し、該押圧によりヘッ
ドブロック固定治具４が切り欠き４１によりアクチュエ
ータ５の駆動に応じてヘッドブロック１を変形させ、こ
の変形を歪ゲージ５１を介する歪度及び画像処理部６１
による複数のＭＲテストパターン２２のＭＲ高さ位置と
してフィードバックしながら、複数のＭＲ高さ位置のば
らつき特性が標準値［０］に対して所定許容値範囲に収
る様に繰返し位置補正を行う（ステップ１０２〜ステッ
プ１０６）。この位置補正を行った後の位置特性は、例
えば図６に示す如く標準値［０］に対してプラスマイナ
ス0.2μｍの範囲に収る様に行われる。尚、前記前加工
の状態によっては繰り返し補正をかけもＭＲ素子位置の
ばらつきが許容値内に補正できない場合は、ステップ１
０４を介したステップ１０５により不良として補正及び
加工を中止し、加工効率の向上を図ることもできる。

【００２１】次に制御装置７は、この複数のＭＲテスト
パターン２２の位置関係、即ちＭＲ素子２１のばらつき
位置特性を間接的に記憶してから、ヘッドブロック１下
面のラッピング板６０を回転駆動してＭＲ高さ加工を開
始する（ステップ１０７）。この研磨加工は、ダイヤモ
ンドダスト及び水を用いて約0.5μm／分程度の速度で行
われる。この研磨工程中に制御装置７は、ヘッドブロッ
ク１の両端に設けたＭＲ加工量検知素子６に流れる電流
の抵抗値を検出することにより加工深さ位置の測定を行
い（ステップ１０８）、研磨量が所定の値に成った時点
で該加工深さ位置による左右端のＭＲ高さ位置と前記ス
テップ１０７で記憶した左右端以外のＭＲ素子位置とア
クチュエータ５のビエゾ素子５２による押圧力Ｆ1／Ｆ2
とを演算して、他のＭＲ素子位置特性を予測して求める
（ステップ１０９）。次に制御装置７は、前記ステップ
１０９で求めた全ＭＲ素子のばらつき位置特性を元に、
アクチュエータ５を用いて加工中のＭＲテストパターン
２２のばらつき位置特性が所定の許容値に入る様に、例
えば図９［ｃ］の如く中央部分が凹形状のばらつき位置
特性の場合、図８［ｄ］及び図９［ｃ］の如く中央のア
クチュエータ５を力Ｆ3により押圧してＭＲ高さ位置の
再補正を行う（ステップ１１０〜ステップ１１１）。

【００２２】更に本制御装置７は、図３では省略してい
るが更にＭＲ高さの研磨加工をＭＲ加工量検出素子６よ
る加工終点検知まで継続し、このＭＲ加工量検知素子６
に流れる電流の抵抗値が所定値以上になった時点で加工
を終了し、ヘッドブロック１を治具から剥離して研磨加
工を終了する（ステップ１１２〜ステップ１１４）。

【００２３】この様に本実施例による研磨装置は、研磨
装置にヘッドブロッック１を装着した時点で画像処理部
６１により複数のＭＲテストパターン２２位置を検出し
て間接的に複数のＭＲ素子２１の位置特性を検出して所
定の許容範囲内に位置補正を行うと共に記憶し、研磨途
中で前記記憶したＭＲ素子２１の位置特性を元に更にＭ
Ｒ素子２１の位置を所定の許容範囲内に補正を加えなが
ら研磨加工することによって、ＭＲ素子に電流を印加す
ることなく高精度に研磨加工を行うことができる。こり
により製品となるＭＲ素子の腐食を防止することができ
る。前記加工精度は、例えば図７に示す如く加工終了時
のＭＲ高さ位置特性を基準値［０］を中心としてプラス
マイナス0.2μmの範囲に高精度に加工することができ
る。尚、前記実施例においては、研磨前のみに複数のＭ
Ｒ素子２１の位置特性を検出する例を説明したが、研磨
途中で画像処理部６１による複数のＭＲテストパターン
２２のＭＲ高さ位置を検出して更に詳細な位置制御を行
っても良く、この方法は定盤（ラッピング板）形状や機
械振動などの要因によってＭＲ素子位置のばらつきが生
じた場合に有効である。またＭＲ加工量検出素子６はヘ
ッドブロック１の両端のみでなく中央その他にも設ける
ことにより、複数位置のＭＲ加工量検出素子６の抵抗値
を検知して更に詳細な加工精度を得ることもできる。ま
た弾性治具として安価に製作できる切欠き溝を持ったヘ
ッドブロック固定治具４を用いる例を説明したが、本発
明はこれに限られるものではなく、例えば弾性的変位が
容易な材質の固定治具自体を用いても良い。また、アク
チュエータ５を変位する手段として微小送り／高位置決
めおよび高出力なピエゾ素子５２を用いる例を説明した
が他の素子又は機構であっても良い。

【００２４】また、本発明は、次の態様として表すこと
もできる。 ＜態様１＞ＭＲ複合薄膜磁気変換素子を規則的に複数個
形成したヘッドブロックの各ＭＲ高さを外部から画像処
理によって間接的に測定できるＭＲテストパターンを複
数個搭載したヘッドブロックを用いることを特徴とする
ＭＲ高さ加工方法。 ＜態様２＞ＭＲ複合薄膜磁気変換素子を規則的に複数個
形成したヘッドブロックにおいて上記態様１記載のＭＲ
テストパターンの寸法値を画像処理手法を用いて測定す
る工程、前記測定結果に基づいてヘッドブロックの各Ｍ
Ｒ高さの位置ばらつき情報を取得する工程、前記情報に
基づいてヘッドブロックを固定している治具に強制変位
を与える工程を有し、それらの工程を任意に繰り返すこ
とで各ＭＲ高さの位置ばらつきを均一にすることを特徴
とするＭＲ高さ加工方法。 ＜態様３＞ＭＲ複合薄膜磁気変換素子を規則的に複数個
形成したヘッドブロックにおいてＭＲ高さ加工時のＭＲ
高さ位置およびＭＲ高さ終点位置を検知する機能を有す
るＭＲ加工量検知素子を複数個ヘッドブロックに搭載
し、このＭＲ加工量検知素子によるＭＲ高さ位置情報
に、前記態様２記載のヘッドブロック固定治具への強制
変位量とＭＲテストパターン位置の相関を適用すること
によって各ＭＲ高さの位置ばらつきを予測し、ヘッドブ
ロック固定治具に与える強制変位量を制御することを特
徴とするＭＲ高さ加工方法。 ＜態様４＞ＭＲ複合薄膜磁気ヘッドのヘッドブロック上
の所定の位置に複数のＭＲ複合薄膜磁気変換素子を形成
する工程と、前記工程において各ＭＲ素子を規則的に形
成したヘッドブロック上に複数のＭＲ高さに対応した上
記態様１記載のＭＲテストパターンを同時に形成する工
程と、複数のＭＲ複合薄膜磁気変換素子を搭載したヘッ
ドブロックに切断する工程と、浮上面に任意形状を加工
する工程と、上記態様３にて記載のＭＲ高さ加工を行な
う工程と、ヘッドブロックをヘッドスライダに切断する
工程からなる薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ＜態様５＞ＭＲ複合薄膜磁気ヘッドのヘッドブロック上
の所定の位置に複数のＭＲ複合薄膜磁気変換素子を形成
する工程と、前記工程において各ＭＲ素子を規則的に形
成したヘッドブロック上に複数のＭＲ高さに対応した上
記態様１記載のＭＲテストパターンを同時に形成する工
程と、複数のＭＲ複合薄膜磁気変換素子を搭載したヘッ
ドブロックに切断する工程と、上記態様３にて記載のＭ
Ｒ高さ加工を行なう工程と、浮上面に任意形状を加工す
る工程と、ヘッドブロックをヘッドスライダに切断する
工程からなる薄膜磁気ヘッドの製造方法。

【００２５】

【発明の効果】以上述べた如く本発明によるＭＲ複合薄
膜磁気ヘッドを複数搭載したヘッドブロックのＭＲ高さ
加工方法は、ヘッドブロック上の複数のＭＲテストパタ
ーンを光学的に検知することにより複数のＭＲ素子位置
のばらつきを間接的に検出し、該検出した複数のＭＲ素
子位置のばらつきを所定の許容値内に収る様にヘッドブ
ロックを変位しながらＭＲ素子を研磨することにより、
ＭＲ素子位置のばらつきをＭＲ素子に通電することなく
測定してＭＲ素子の腐食を防止しつつＭＲ高さを高精度
に加工することができる。

【００２６】また本発明によるヘッドブロックのＭＲ高
さ加工方法は、ヘッドブロック上の複数のＭＲテストパ
ターンを光学的に検知することにより複数のＭＲ素子位
置のばらつきを間接的に検出し、該検出した複数のＭＲ
素子位置のばらつきを所定の許容値内に収る様にヘッド
ブロックを変位しながらＭＲ素子を研磨すると共に、加
工途中で記憶した複数のＭＲ素子位置及びヘッドブロッ
クの変位量を用いて加工途中の複数のＭＲ素子位置のば
らつきを予測し、この予測値を用いて複数のＭＲ素子位
置のばらつきが所定の許容値内に収る様にヘッドブロッ
クの変位を調整しながらＭＲ素子を研磨することによ
り、ＭＲ素子位置のばらつきをＭＲ素子に通電すること
なく測定してＭＲ素子の腐食を防止しつつＭＲ高さを更
に高精度に加工することができる。

【００２７】更に本発明によるヘッドブロックのＭＲ高
さ加工方法は、アクチュエータを微小変位させるピエゾ
素子及びこのピエゾ素子による変位量を検出する歪ゲー
ドとを含むアクチュエータを用い、該歪ゲードにより検
出した変位量をフィードバックしながらアクチュエータ
を微小変位させることにより、高精度な変位量を制御し
ながらＭＲ素子位置のばらつきをＭＲ素子を用いること
なく測定してＭＲ素子の腐食することなくＭＲ高さを更
に高精度に加工することができる。また前記各特徴によ
るＭＲ高さ加工方法は、ＭＲ特性が不良なＭＲ素子があ
る場合でも誤差なく高精度な加工を行うことができる。
また、測定回路はＭＲ加工量検知素子のみであるため測
定用接続端子等を少なくすることができ治工具コストの
低減に効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるＭＲ高さ加工方法を適用するヘッ
ドブロックの固定状態を示す図。

【図２】図１に示したヘッドブロックのＭＲ素子近傍の
部分拡大図。

【図３】本実施例によるＭＲ高さ加工方法を説明するた
めのフローチャート。

【図４】ＭＲ高さ加工研磨装置の概念図。

【図５】ＭＲテストパターンによる補正前のＭＲ高さ位
置状態を示す図。

【図６】ＭＲテストパターンによる補正後のＭＲ高さ位
置状態を示す図。

【図７】加工終了後のＭＲ高さ位置状態を示す図。

【図８】ヘッドブロックのアクチュエータによる押圧工
程及びラッピング工程を説明するための図。

【図９】ＭＲ素子及び該ＭＲ素子に追随して位置関係が
変化するＭＲテストパターンを模式的に説明するための
図。

【符号の説明】

１；ヘッドブロック，２；ＭＲ複合薄膜磁気変換素子，
２１；ＭＲ素子，２２；ＭＲテストパターン，２３；コ
イル，２４；電極，３；ホットメルト系ワックス，４；
ヘッドブロック固定治具，４１；切欠き弾性治具，４
２；研磨加工治具，５；ピエゾアクチュエータ６；ＭＲ
加工量検知素子，７；制御装置。

フロントページの続き (72)発明者 高倉 昭雄 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 磯野 千博 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 萩原 芳樹 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＭＲ素子を含むＭＲ複合薄膜磁気ヘッド
   を複数搭載したヘッドブロックのＭＲ高さ加工方法であ
   って、前記ヘッドブロックに複数のＭＲ素子位置に対応
   して光学的に検知される複数のＭＲテストパターンを併
   設し、該複数のＭＲテストパターンを光学的に検知する
   ことにより複数のＭＲ素子位置のばらつきを間接的に検
   出し、該検出した複数のＭＲ素子位置のばらつきを所定
   の許容値内に収る様にヘッドブロックを変位しながらＭ
   Ｒ素子を研磨することを特徴とするＭＲ複合薄膜磁気ヘ
   ッドのＭＲ高さ加工方法。
2. 【請求項２】 ＭＲ素子を含むＭＲ複合薄膜磁気ヘッド
   を複数搭載したヘッドブロックのＭＲ高さ加工方法であ
   って、前記ヘッドブロックに複数のＭＲ素子位置に対応
   して光学的に検知される複数のＭＲテストパターン及び
   電気抵抗値変化により研磨量を検知する複数の加工量検
   知素子を設け、該複数のＭＲテストパターンを光学的に
   検知することにより複数のＭＲ素子位置のばらつきを間
   接的に検出し、該検出した複数のＭＲ素子位置を記憶す
   ると共に複数のＭＲ素子位置のばらつきが所定の許容値
   内に収る様にヘッドブロックを変位しながらＭＲ素子を
   研磨すると共に、前記複数の加工量検知素子により所定
   の加工量に達した時点で前記記憶した複数のＭＲ素子位
   置及びヘッドブロックの変位量を用いて加工途中の複数
   のＭＲ素子位置のばらつきを予測し、この予測値を用い
   て複数のＭＲ素子位置のばらつきが所定の許容値内に収
   る様にヘッドブロックの変位を微調整しながらＭＲ素子
   を研磨することを特徴とするＭＲ複合薄膜磁気ヘッドの
   ＭＲ高さ加工方法。
3. 【請求項３】前記アクチュエータが、アクチュエータを
   微小変位させるピエゾ素子、及びこのピエゾ素子による
   変位量を検出する歪ゲードとを含み、該歪ゲードにより
   検出した変位量をフィードバックしながらアクチュエー
   タを微小変位させることを特徴とする請求項１及び２記
   載のＭＲ複合薄膜磁気ヘッドのＭＲ高さ加工方法。