JPH0873285A - グレ−ズドセラミック基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 各種のキャパシタ、レジスタ、インダクタ等
の薄膜機能回路を形成する表面平滑な基板として好適に
利用されるために、低温での焼き付けが可能で、かつ良
好な表面平滑性を有し、さらに表面抵抗値の制御が可能
で、帯電の防止が可能なグレ−ズドセラミック基板を提
供すること。 【構成】 ガラスマトリックスに平均粒子径０．３〜
５．０μmの遷移金属酸化物相が、ガラスマトリックス
と遷移金属酸化物相との重量比で９７：３〜６０：４０
の範囲で分散してなるグレ−ズ層を有することを特徴と
するグレ−ズドセラミック基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜技術、厚膜技術あ
るいはこれらの組合せによる配線を有する電子回路基板
に好適なグレ−ズドセラミック基板およびその製造方法
に関するものである。更に詳しくは、グレ−ズの上層及
び／または下層に配線を有し、さらに各種の機能部品、
例えばキャパシタ、レジスタ、インダクタ等を有するハ
イブリッド回路を形成するのに適したグレ−ズドセラミ
ック基板およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来よりセラミック基板の表面平滑性を
著しく向上したものとして、グレ−ズドセラミック基板
が知られている。このグレ−ズドセラミック基板は、ガ
ラスの優れた表面平滑性と共に、優れた蓄熱性と電気絶
縁性とを有するので、その特性を活かして例えば各種の
サ−マルヘッドに使用されている。

【０００３】グレ−ズドセラミック基板は、サ−マルヘ
ッド以外の電子部品用途、特に薄膜ハイブリッド基板用
にも用いられるが、この分野の用途では近年、特に好ま
しい材料としてＢ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−アルカリ土類酸化物
−ＳｉＯ₂系等の低融点グレ−ズ組成物が提案されてい
る（特開平６−１９１８８３号）。又、ガラス程高い耐
熱性を要求されない用途には、電気絶縁性に優れるポリ
イミド樹脂多層基板が用いられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】最近の電子機器、電子
部品の高機能化、高速化、小型化、高精度化及び信頼性
の向上といった要求に基づいて、薄膜プロセスを用いた
キャパシタ、レジスタ、インダクタ等の機能回路を組み
込んだ電子回路基板が望まれている。ところで従来、薄
膜用基板としてはセラミックスの研磨基板、あるいはセ
ラミックス基板表面にグレ−ズ層あるいはポリイミド層
を形成した基板が用いられている。これら薄膜用基板材
料は用途により、機能回路部等に電荷が溜まり回路機能
に悪影響を及すことがあった。このような帯電を防止す
るため、基板材料表面の表面抵抗を低め、わずかに漏電
流を発生させる方法がある。しかし、ポリイミド層の樹
脂の組成、グレ−ズ層のガラス組成を変更してみても、
わずかな漏電流を起こさせる表面抵抗値の適正化といっ
た電気特性の制御は困難であった。

【０００５】以上に加え、はじめに基板に配線を形成
（１次メタライズ）後オ−バ−グレ−ズする場合など、
１次メタライズを伴う多層化の要求に対応するには、グ
レ−ズ焼き付け時に１次メタライズ層に影響を及ぼさな
いように、グレ−ズの焼き付け温度を低く抑える必要が
ある。更に、グレ−ズ層上に高精度の配線を形成する必
要性から、従来のグレ−ズ層、ポリミド層と同等の表面
平滑性も要求される。

【０００６】

【問題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされたもので、例えばキャパシタ、レジス
タ、インダクタ等の薄膜機能回路の形成に適したグレ−
ズドセラミック基板及びその製造方法を提供する事を目
的とし、特に、帯電よる回路機能への障害の防止を目的
とする。

【０００７】この目的を達成するための請求項１の発明
は、ガラスマトリックスに平均粒子径０．３〜５．０μ
mの遷移金属酸化物相を分散してなるグレ−ズ層を有す
ることを特徴とするグレ−ズドセラミック基板を要旨と
する。

【０００８】請求項１の発明をより限定するものとし
て、請求項２の発明では、ガラスマトリックスと遷移金
属酸化物相との比率が、重量比で、９７：３〜６０：４
０の範囲に有ることを特徴とする。請求項３の発明は、
遷移金属酸化物相の少なくとも一部が２種以上の遷移金
属を含む遷移金属複酸化物であることを特徴とする。請
求項４の発明は、ガラスマトリックスが、酸化物重量基
準で、Ｂ₂Ｏ₃：２０〜５０％と、Ａｌ₂Ｏ₃：５〜３５％
と、アルカリ土類酸化物：１５〜５５％と、Ｓｉ０₂：
４０％以下とを含み、これらの合計が９０％以上である
ことを特徴とする。

【０００９】請求項５の発明は、２種以上の遷移金属化
合物を混合し仮焼することによって２種以上の遷移金属
を含む遷移金属複酸化物の仮焼体とする工程と、該仮焼
体を粉砕することによって平均粒子径０．３〜５．０μ
mの遷移金属複酸化物粉末とする工程と、該遷移金属複
酸化物粉末とガラス粉末とからなる印刷用ペ−ストとす
る工程と、該ペ−ストをセラミック基板上に塗布し焼き
付ける工程とを有することを特徴とするグレ−ズドセラ
ミック基板の製造方法を要旨とする。。

【００１０】請求項６の発明は、ガラス粉末と平均粒子
径０．３〜５．０μmの遷移金属酸化物粉末もしくは遷
移金属複酸化物粉末とからなる混合物とする工程と、該
混合物をガラス粉末が融解する温度で溶融し遷移金属酸
化物相が分散したガラス塊とする工程と、該ガラス塊を
粉砕し平均粒子径１０μm以下のガラス粉末にする工程
と、該ガラス粉末からなるペ−ストをセラミック基板上
に塗布し溶融温度より低い温度で焼き付ける工程を有す
ることを特徴とするグレ−ズドセラミック基板の製造方
法を要旨とする。

【００１１】ここで、前記セラミック基板としてはセラ
ミックであれば特に限定するものではなく、アルミナを
はじめ窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、ムライ
ト、結晶化ガラス等広く利用可能である。

【００１２】以下に、本発明のグレ−ズドセラミック基
板及びその製造方法を上記のように限定した理由を記
す。ガラスマトリックスに加える遷移金属酸化物の平均
粒子径を０．３〜５．０μmとしたのは、平均粒子径が
０．３μm未満であるとグレ−ズの焼き付け時にガラス
マトリックス中の泡抜けが悪く気泡が残存してしまい、
結果として電気特性のばらつきが生じてしまうためであ
る。また同時に、ガラスマトリックスを結晶化させる力
が強くなり、グレ−ズ層の緻密化が妨害される。一方、
平均粒子径が５μmを越えると、グレ−ズ表面に遷移金
属酸化物からなる凸部を形成して平滑性を悪化させるた
めである。なお遷移金属酸化物の平均粒子径は０．４〜
３．５μmがより好ましい。

【００１３】ガラスマトリックスと遷移金属酸化物相と
の比率が、重量比率で９７：３〜６０：４０の範囲とし
たのは、遷移金属酸化物相が３％未満では電気特性に対
する効果が発現できず、４０％を越えると絶縁性が極度
に劣化し、また添加物量がガラスマトリックスに対して
多量なため表面平滑性が悪化するためである。特に重量
比率が９５：５〜８０：２０であると、電気特性的にも
表面平滑性においてもよく調和し、より好ましい。また
仮焼により作製した遷移金属複酸化物を用いると、遷移
金属酸化物の添加による表面抵抗値の低下等の電気的特
性の変化が安定して発現され好ましい。さらに、同量の
遷移金属酸化物と遷移金属複酸化物を添加して比較する
と、遷移金属複酸化物を添加した方が表面抵抗値の低下
が大きく、また表面粗さも小さくなり好ましい。

【００１４】ガラスマトリックスの組成としては、１０
００℃以下で焼き付け可能であれば特に限定されない。
しかし、アルカリ金属、鉛を含まないアルカリ土類ホウ
珪酸塩ガラス（アルカリ土類−ホウ酸−シリカ系ガラ
ス）が好ましい。これは、アルカリ金属、鉛を含有する
ガラスは、流動性が高く、遷移金属酸化物粒子との濡れ
性も良好であるが、遷移金属酸化物粒子を浸食し溶解し
易く、さらに消失させ易いため、表面抵抗値がばらつき
易くなるためである。

【００１５】特に好ましくは、アルカリ金属、鉛を含ま
ず、Ｂ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃が多く、適量なＳｉＯ₂を含有し
たガラス系がよい。同ガラス系は、遷移金属酸化物と適
度に濡れて馴染みがよいため、気泡（ボイド）を形成す
ることなく緻密なグレ−ズ層を形成する。また遷移金属
酸化物を溶解し過ぎることもなく、また遷移金属酸化物
の分散性も良好で、表面抵抗値が安定したものとなる。
また部分的に遷移金属酸化物がガラス中に溶出しても、
ガラスが結晶化することなく、良好な表面状態を得る。
このようなガラス系として、例えば酸化物重量基準で、
Ｂ₂Ｏ₃：２０〜５０％と、Ａｌ₂Ｏ₃：５〜３５％と、ア
ルカリ土類酸化物（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂａ
Ｏ）：１５〜５５％と、Ｓｉ０₂：４０％以下とを含
み、これらの合計が９０％以上となるガラス材料があ
り、さらに副成分としてＺｎＯ、Ｐ₂Ｏ₅、Ｖ₂Ｏ₅などを
添加してもよい。この様なガラス組成は融点が低く、ま
た１次メタライズ層との反応が少なく多層化が可能で、
かつ良好な表面平滑性を示す。

【００１６】

【作用】本発明の遷移金属酸化物を添加したグレ−ズド
セラミック基板は、従来からのグレ−ズドセラミック基
板とその電気的特性が大きく異なるものである。即ち、
薄膜機能回路を形成する場合、回路間にわずかな漏電流
を起こさせ、帯電を防止し、よって回路部の帯電による
不具合の発生防止が可能なグレ−ズドセラミック基板で
ある。この帯電を防止する程度にわずかな漏電流を発生
させるのに適当な表面抵抗値としては、１０⁵〜１０¹¹
Ωが好ましく、１０⁸〜１０¹⁰Ωがより好ましい。

【００１７】以上の特性の発揮には、遷移金属酸化物と
ガラスマトリックスとの適度な分散程度が重要であり、
導体あるいは半導体として働く遷移金属酸化物が、電気
絶縁性のガラスマトリックス中に適当な大きさ、量で均
一に分布することにより、望むべき電気特性値及び表面
の平滑性を実現することが可能となるものと思われる。
特にＢ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−アルカリ土類酸化物−Ｓｉ０₂
系の低融点グレ−ズ組成物は、遷移金属酸化物粒子との
適度な濡れ性を有するため、気泡等の欠陥の少ない良好
なグレ−ズ層が得られるものと考えられる。

【００１８】

【実施例】以下に、本発明の範囲のグレ−ズドセラミッ
ク基板、及びその製造方法の実施例を記載するととも
に、本発明の範囲外のものについても比較例として記載
する。 実施例１〜４ 表１、表２の実施例１〜４の遷移金属酸化物組成となる
ように、各遷移金属酸化物を調合する。

【００１９】

【表１】

【００２０】

【表２】

【００２１】各遷移金属酸化物の混合物をポットミルに
より湿式粉砕して、平均粒子径０．４〜３．８μmの遷
移金属酸化物粉末とした。重量組成でＢ₂Ｏ₃：２７％、
Ａｌ₂Ｏ₃：２６％、ＳｉＯ₂：１５％、ＣａＯ：１４
％、ＳｒＯ：４％、ＢａＯ：１４％からなる平均粒子径
３．１μmのガラス組成物粉末と遷移金属酸化物粉末と
を、重量比（ガラス組成物：遷移金属酸化物）で９０：
１０の比率としてポットミルにて湿式混合し、エチルセ
ルロ−ス系バインダ及び有機溶媒とを加え、混合して遷
移金属酸化物を添加した印刷用のガラスペ−ストを調製
した。この遷移金属酸化物を添加したガラスペ−スト
を、純度９７％のＡｌ₂Ｏ₃からなる５０mm×５０mm×
０．６３５mmのアルミナ基板表面に印刷した後、８５０
℃で１０分間焼き付けて、グレ−ズ厚み２０μmのグレ
−ズドセラミック基板を作製した。また表面抵抗値を測
定するために所定の形状の配線パタ−ンを、スパッタ−
リング法にてＴｉ−Ｃｕ薄膜で形成し、更にＮｉメッキ
して作製し、表面抵抗値を測定した。すると、従来のグ
レ−ズでは＞１０¹⁷Ωであったものが、いずれも１０⁹
Ωとなり、明確な抵抗の低減効果が確認された。またグ
レ−ズ面の平滑性も良好（Ｒａ≦０．１μm）で、色は
灰色〜黒色であった。またグレ−ズ部をＸ線回折分析に
よって相解析を行ったところ、それぞれ添加した遷移金
属酸化物相が確認された。

【００２２】実施例５〜９ 表１、表２の実施例５〜９の遷移金属酸化物組成となる
ように各遷移金属酸化物を調合し、湿式粉砕して平均粒
子径１．２μmの遷移金属酸化物粉末とした。重量組成
でＢ₂Ｏ₃：２７％、Ａｌ₂Ｏ₃：２６％、ＳｉＯ₂：１５
％、ＣａＯ：１４％、ＳｒＯ：４％、ＢａＯ：１４％か
らなるガラス組成物粉末と遷移金属酸化物粉末とを、重
量比（ガラス組成物：遷移金属酸化物）で９７：３、９
５：５、８０：２０、７０：３０、６０：４０の比率と
してポットミルにて湿式混合し、エチルセルロ−ス系バ
インダ及び有機溶媒とを加え、混合して遷移金属酸化物
を添加した印刷用のガラスペ−ストを調製した。この遷
移金属酸化物を添加したガラスペ−ストを、純度９７％
のＡｌ₂Ｏ₃からなる５０mm×５０mm×０．６３５mmのア
ルミナ基板表面に印刷した後、８５０℃で１０分間焼き
付けて、グレ−ズ厚み２０μmのグレ−ズドセラミック
基板を作製した。これらの表面抵抗値を測定した結果い
ずれも１０⁵〜１０¹¹Ωと、明確な抵抗の低減効果が確
認された。また、グレ−ズ面の平滑性も良好（Ｒａ≦
０．１〜０．２μm）で、色は灰色〜黒色であった。

【００２３】

【図１】

【００２４】図１は実施例７のグレ−ズドセラミック基
板のグレ−ズ部破面の反射電子線像を示す。白い部分が
遷移金属酸化物相で、黒い部分がガラスマトリックスで
ある。写真より遷移金属酸化物相が１〜２μmの大きさ
でガラスマトリックス中に均一に分散していることがわ
かる。

【００２５】実施例１０〜１２ 表１、表２の実施例１０〜１２の遷移金属酸化物組成と
なるように、各遷移金属酸化物を調合した。この調合物
を湿式混合した後、１２００℃×１時間の仮焼を行い遷
移金属複酸化物とした。遷移金属複酸化物の生成につい
ては、Ｘ線回折分析で確認を行ったところ、ＮｉＣｒ₂
Ｏ₄、ＦｅＣｒ₂Ｏ₄、ＣｏＣｒ₂Ｏ₄、ＮｉＦｅ₂Ｏ₄、Ｃ
ｏＦｅ₂Ｏ₄、Ｆｅ₂ＴｉＯ₅等の、２種以上の遷移金属を
含む複酸化物の生成が見られた。得られた仮焼物はポッ
トミルにより湿式粉砕して、平均粒子径２．１〜３．５
μmの遷移金属複酸化物粉末とした後は、実施例１と同
様にして、グレ−ズドセラミック基板を作製した。この
グレ−ズ層についても、表面抵抗値を測定した結果、い
ずれも１０⁹Ωと、明確な抵抗の低減効果が確認され
た。またグレ−ズ面の平滑性もＲａ≦０．１μmと良好
であった。またグレ−ズ部をＸ線回折分析によって相解
析を行ったところ、それぞれ仮焼によって生成した遷移
金属複酸化物相が確認された。

【００２６】実施例１３〜１５ 表１、表２の実施例１３〜１５の遷移金属酸化物組成と
なるように、各遷移金属酸化物を調合した。この調合物
をポットミルにより湿式粉砕した後、１２００℃で１時
間仮焼を行った。これをポットで湿式粉砕し、平均粒子
径２．１μmの遷移金属複酸化物粉末とした。重量組成
でＢ₂Ｏ₃：２７％、Ａｌ₂Ｏ₃：２６％、ＳｉＯ₂：１５
％、ＣａＯ：１４％、ＳｒＯ：４％、ＢａＯ：１４％か
らなるガラス組成物粉末と遷移金属複酸化物粉末とを、
重量比（ガラス組成物：遷移金属酸化物）で９５：５、
９０：１０、８０：２０の各比率とした混合物を、９０
０℃で３０分間の熱処理によりガラス部を再溶融し、急
冷の後、ポットミルにて湿式粉砕、乾燥して平均粒子径
３μmとした。これにエチルセルロ−ス系バインダ及び
有機溶媒とを加え、混合して遷移金属複酸化物を添加し
た印刷用のガラスペ−ストを調製した。この遷移金属複
酸化物を添加したガラスペ−ストを、純度９７％のＡｌ
₂Ｏ₃からなる５０mm×５０mm×０．６３５mmのアルミナ
基板表面に印刷した後、８５０℃で１０分間焼き付け
て、グレ−ズ厚み２０μmのグレ−ズドセラミック基板
を作製した。このグレ−ズ層について、表面抵抗値を測
定した結果、いずれも１０⁷〜１０¹⁰Ωと、明確な抵抗
の低減効果が確認された。またポアが少なく、ガラス部
の再溶融を行わなかった同組成のものと比較して、グレ
−ズ面の平滑性はＲａ≦０．０７μmと一段と良好であ
った。

【００２７】

【比較例】

比較例１ 実施例１のガラス組成物のみで遷移金属酸化物を添加せ
ず、グレ−ズ用のガラスペ−ストを作製し、その他につ
いては実施例１と同一条件でグレ−ズドセラミック基板
を作製した。グレ−ズ部の表面抵抗値は１０¹⁷Ω以上あ
り、高い絶縁性を有した。

【００２８】比較例２，３ 表１、表２の比較例２、３の遷移金属酸化物組成となる
ように、各遷移金属酸化物を調合した。この調合物をポ
ットミルにより湿式粉砕して、平均粒子径１．２μmの
遷移金属酸化物粉末とした。この遷移金属酸化物粉末
と、実施例１のガラス組成物粉末とを、重量比（ガラス
組成物：遷移金属酸化物）で９９．５：０．５及び５
０：５０とした以外は実施例１と同一条件でグレ−ズド
セラミック基板を作製した。比較例２のガラス組成物：
遷移金属酸化物の重量比が９９．５：０．５としたもの
について表面抵抗値を測定した結果、従来のグレ−ズ並
の１０¹⁶Ωであり、抵抗の低減効果はほとんど見られな
かった。一方、重量比が５０：５０とした比較例３で
は、表面抵抗は１０⁵Ω未満で絶縁性に劣り、また表面
粗さもＲａ＞０．３μmと望むべき平滑なグレ−ズ面は
得られなかった。

【００２９】比較例４，５ 表１、表２の比較例４、５の遷移金属酸化物組成となる
ように、各遷移金属酸化物を調合した。この調合物を湿
式混合した後、１２００℃×１時間の仮焼を行い、一部
を遷移金属複酸化物とした。得られた仮焼物はポットミ
ルにより湿式粉砕して、平均粒子径０．１５μmと７．
０μmの２種の遷移金属複酸化物粉末とした。平均粒子
径０．１５μm、及び７．０μmの遷移金属複酸化物とし
た以外は実施例１と同一条件で、グレ−ズドセラミック
基板を作製した。平均粒子径０．１５μmの遷移金属複
酸化物を添加した比較例４では、グレ−ズ内部のポアが
顕著となり緻密化できず、ガラスマトリックスが一部結
晶化している様であった。また平均粒子径７．０μmの
遷移金属複酸化物を添加した比較例５では、遷移金属酸
化物粒子に起因する突起のために充分な平滑面を得るこ
とができなかった。

【００３０】比較例６ ガラス組成物を重量組成でＢ₂Ｏ₃：２％、Ａｌ₂Ｏ₃：７
％、ＳｉＯ₂：５８％、ＣａＯ：２％、ＳｒＯ：２４
％、ＢａＯ：４％、Ｙ₂Ｏ₃：３％として、焼き付け温度
をこのガラス組成物に適切とされる１２５０℃とした他
は、実施例２と同一条件でグレ−ズドセラミック基板を
作製した。グレ−ズ表面の状態は、焼き付け時に発生し
た遷移金属酸化物に起因すると思われる発泡のために、
表面の平滑性を失っていた（Ｒａ＞１．０μm）。尚、
このガラス組成物と遷移金属酸化物の混合物を、実施例
２同様に８５０℃で焼成しても、ガラス組成物の軟化が
進まず、セラミック基板への固着もなされない状態であ
った。

【００３１】

【発明の効果】以上のように本発明の遷移金属酸化物を
添加したグレ−ズドセラミック基板は、電気特性の制
御、すなわち表面抵抗値の制御が可能で、かつ低温での
焼き付けが可能となり、更には良好な表面平滑性を有す
る。従って、各種のキャパシタ、レジスタ、インダクタ
等の機能回路を薄膜で形成する電子回路用基板として好
適に利用される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例７のグレ−ズドセラミック基板の、グ
レ−ズ部破面の組織を示す反射電子線像の写真である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 正博 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 平岡 敬章 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラスマトリックスに平均粒子径０．３
   〜５．０μmの遷移金属酸化物相が分散してなるグレ−
   ズ層を有することを特徴とするグレ−ズドセラミック基
   板。
2. 【請求項２】 ガラスマトリックスと遷移金属酸化物相
   との比率が、重量比で、９７：３〜６０：４０の範囲に
   有ることを特徴とする請求項１に記載のグレ−ズドセラ
   ミック基板。
3. 【請求項３】 遷移金属酸化物相の、少なくとも一部が
   ２種以上の遷移金属を含む遷移金属複酸化物であること
   を特徴とする請求項１に記載のグレ−ズドセラミック基
   板。
4. 【請求項４】 ガラスマトリックスが、酸化物重量基準
   で、Ｂ₂Ｏ₃：２０〜５０％と、Ａｌ₂Ｏ₃：５〜３５％
   と、アルカリ土類酸化物：１５〜５５％と、Ｓｉ０₂：
   ４０％以下とを含み、これらの合計が９０％以上である
   ことを特徴とする請求項１に記載のグレ−ズドセラミッ
   ク基板。
5. 【請求項５】 ２種以上の遷移金属化合物を混合し仮焼
   することによって２種以上の遷移金属を含む遷移金属複
   酸化物の仮焼体とする工程と、該仮焼体を粉砕すること
   によって平均粒子径０．３〜５．０μmの遷移金属複酸
   化物粉末とする工程と、該遷移金属複酸化物粉末とガラ
   ス粉末とからなる印刷用ペ−ストとする工程と、該ペ−
   ストをセラミック基板上に塗布し焼き付ける工程とを有
   することを特徴とするグレ−ズドセラミック基板の製造
   方法。
6. 【請求項６】 ガラス粉末と平均粒子径０．３〜５．０
   μmの遷移金属酸化物粉末もしくは遷移金属複酸化物粉
   末とからなる混合物とする工程と、該混合物をガラス粉
   末が融解する温度で溶融し遷移金属酸化物相が分散した
   ガラス塊とする工程と、該ガラス塊を粉砕し平均粒子径
   １０μm以下のガラス粉末にする工程と、該ガラス粉末
   からなるペ−ストをセラミック基板上に塗布し溶融温度
   より低い温度で焼き付ける工程を有することを特徴とす
   るグレ−ズドセラミック基板の製造方法。