JPH087388A - 光磁気ディスク装置 - Google Patents
光磁気ディスク装置Info
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- JPH087388A JPH087388A JP13697594A JP13697594A JPH087388A JP H087388 A JPH087388 A JP H087388A JP 13697594 A JP13697594 A JP 13697594A JP 13697594 A JP13697594 A JP 13697594A JP H087388 A JPH087388 A JP H087388A
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- edge
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気超解像記録媒体を用いた光磁気ディスク
装置の信頼性および性能の向上と小型化を図る。 【構成】 磁気超解像磁性膜を記録媒体に用いた光磁気
ディスク装置であり、記録マークの再生時に記録方向お
よび消去方向の磁場を交互に印加する磁場制御部207
と、記録方向の磁場での記録マーク前縁の位置を表す前
縁信号を生成すると共に、消去方向の磁場での記録マー
ク後縁の位置を表す後縁信号を生成するエッジ検出部2
03と、同一の記録マークに対する前縁信号と後縁信号
とを合成し、記録マークに対応した信号を生成して出力
する信号合成部(データ蓄積/合成器208)とを設け
た構成とする。
装置の信頼性および性能の向上と小型化を図る。 【構成】 磁気超解像磁性膜を記録媒体に用いた光磁気
ディスク装置であり、記録マークの再生時に記録方向お
よび消去方向の磁場を交互に印加する磁場制御部207
と、記録方向の磁場での記録マーク前縁の位置を表す前
縁信号を生成すると共に、消去方向の磁場での記録マー
ク後縁の位置を表す後縁信号を生成するエッジ検出部2
03と、同一の記録マークに対する前縁信号と後縁信号
とを合成し、記録マークに対応した信号を生成して出力
する信号合成部(データ蓄積/合成器208)とを設け
た構成とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク装置に
係り、特に、少なくとも記録層と再生層の2層を積層し
た磁気超解像記録膜からなる記録媒体を用いた光磁気デ
ィスク装置に関するものである。
係り、特に、少なくとも記録層と再生層の2層を積層し
た磁気超解像記録膜からなる記録媒体を用いた光磁気デ
ィスク装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】磁気光学効果を利用して情報の記録と再
生および書き換えを行う光磁気ディスク装置において
は、情報は、記録媒体上の磁性膜に磁区(記録マーク)
として記録される。この記録マークは、記録媒体からの
反射光の偏光状態として読み出され、光電変換素子によ
って電気信号に変換された後、電気的に処理されて情報
に復元される。このような光磁気ディスク装置による記
録再生技術における再生信号の振幅は、光スポットのア
パーチャ形状や大きさおよび強度分布、また、記録マー
クの形状や大きさおよび偏光面回転角等から決定され
る。この再生信号には、光源、記録媒体、光電変換素
子、信号処理回路等から生じた雑音が重畳している。記
録媒体上の記録マークを読み取り、誤り率の十分低い状
態で情報に変換するためには、要求される誤り率や変調
方式等に応じて、所定値以上の信号対雑音比(S/N
比)が必要とされる。ところが、情報記録密度の向上を
目的とする記録マークの微小化、特に、光スポット走査
方向の記録線密度を上昇させ、記録マーク長と記録マー
ク間隔を短縮して行くと、短い記録マークが狭い間隔を
隔てて連続している部分では再生信号振幅が低下し、そ
の部分での局所的なS/N比が劣化する。
生および書き換えを行う光磁気ディスク装置において
は、情報は、記録媒体上の磁性膜に磁区(記録マーク)
として記録される。この記録マークは、記録媒体からの
反射光の偏光状態として読み出され、光電変換素子によ
って電気信号に変換された後、電気的に処理されて情報
に復元される。このような光磁気ディスク装置による記
録再生技術における再生信号の振幅は、光スポットのア
パーチャ形状や大きさおよび強度分布、また、記録マー
クの形状や大きさおよび偏光面回転角等から決定され
る。この再生信号には、光源、記録媒体、光電変換素
子、信号処理回路等から生じた雑音が重畳している。記
録媒体上の記録マークを読み取り、誤り率の十分低い状
態で情報に変換するためには、要求される誤り率や変調
方式等に応じて、所定値以上の信号対雑音比(S/N
比)が必要とされる。ところが、情報記録密度の向上を
目的とする記録マークの微小化、特に、光スポット走査
方向の記録線密度を上昇させ、記録マーク長と記録マー
ク間隔を短縮して行くと、短い記録マークが狭い間隔を
隔てて連続している部分では再生信号振幅が低下し、そ
の部分での局所的なS/N比が劣化する。
【0003】S/N比が劣化すれば、再生信号の変化を
時間軸に投影して情報に変換する際の誤りが増加する。
例えば直径1.2μmの光スポットを用いて、直径0.
3μmの記録マークが0.6μmごとに連続して記録さ
れている部分を走査しても、記録マークの位置を判別す
るのに十分な振幅の再生信号は得られない。したがっ
て、従来は、このような部分から誤り率の十分低い状態
で情報を再生することは不可能であった。このような問
題に対処するために、例えば、特開平3−93056号
公報に記載の技術がある。この技術では、図10に示す
ように、表面に紫外線硬化樹脂によってトラッキング用
案内溝を形成した透明ガラス基板上に、保護・干渉層4
1、再生層1、結合層2、記録層3、保護層42の順に
積層して構成した磁気超解像磁性膜からなる記録媒体
(磁気超解像記録媒体)を用いている。保護層42上に
は、必要に応じて紫外線硬化樹脂による保護膜を形成し
ても良い。再生層1、結合層2、記録層3のそれぞれ
は、磁性膜面法線方向に磁化容易軸を持つ垂直磁化膜で
あり、それぞれの保磁力およびキュリー温度が異なる。
室温下においては結合層2が磁性を持ち、交換結合によ
って記録層3と再生層1とが磁気的に結合して、記録層
3の磁区が再生層1に転写されている。
時間軸に投影して情報に変換する際の誤りが増加する。
例えば直径1.2μmの光スポットを用いて、直径0.
3μmの記録マークが0.6μmごとに連続して記録さ
れている部分を走査しても、記録マークの位置を判別す
るのに十分な振幅の再生信号は得られない。したがっ
て、従来は、このような部分から誤り率の十分低い状態
で情報を再生することは不可能であった。このような問
題に対処するために、例えば、特開平3−93056号
公報に記載の技術がある。この技術では、図10に示す
ように、表面に紫外線硬化樹脂によってトラッキング用
案内溝を形成した透明ガラス基板上に、保護・干渉層4
1、再生層1、結合層2、記録層3、保護層42の順に
積層して構成した磁気超解像磁性膜からなる記録媒体
(磁気超解像記録媒体)を用いている。保護層42上に
は、必要に応じて紫外線硬化樹脂による保護膜を形成し
ても良い。再生層1、結合層2、記録層3のそれぞれ
は、磁性膜面法線方向に磁化容易軸を持つ垂直磁化膜で
あり、それぞれの保磁力およびキュリー温度が異なる。
室温下においては結合層2が磁性を持ち、交換結合によ
って記録層3と再生層1とが磁気的に結合して、記録層
3の磁区が再生層1に転写されている。
【0004】このような磁気超解像記録媒体からの情報
の再生時には、磁気超解像磁性膜上に再生用の光スポッ
トが照射され、結合層2がキュリー温度を越えて磁性を
失うと、再生層1、記録層3間の結合が切断され、再生
層1の磁化は外部磁場方向を向く。以上の動作により、
スポット内で昇温した再生層1の一部が記録層3に記録
された記録マークを転写しなくなると、スポットが部分
的にマスクされたのと同等の効果が得られる。この動作
により、実質的にスポットの走査方向の径が縮小し、光
学系の見かけ上の分解能が向上する効果がある。しか
し、このような磁気超解像記録媒体からの再生信号波形
は、アパーチャ形状が前後非対称であるために時間方向
に前後非対称であり、従来の再生技術を直接適用するこ
とは困難であった。このため、記録マークのエッジ部分
に情報を対応させるエッジ記録を行うには、前エッジと
後エッジ部分での信号処理技術を変える必要があり、再
生機構の回路規模の点で不利であった。
の再生時には、磁気超解像磁性膜上に再生用の光スポッ
トが照射され、結合層2がキュリー温度を越えて磁性を
失うと、再生層1、記録層3間の結合が切断され、再生
層1の磁化は外部磁場方向を向く。以上の動作により、
スポット内で昇温した再生層1の一部が記録層3に記録
された記録マークを転写しなくなると、スポットが部分
的にマスクされたのと同等の効果が得られる。この動作
により、実質的にスポットの走査方向の径が縮小し、光
学系の見かけ上の分解能が向上する効果がある。しか
し、このような磁気超解像記録媒体からの再生信号波形
は、アパーチャ形状が前後非対称であるために時間方向
に前後非対称であり、従来の再生技術を直接適用するこ
とは困難であった。このため、記録マークのエッジ部分
に情報を対応させるエッジ記録を行うには、前エッジと
後エッジ部分での信号処理技術を変える必要があり、再
生機構の回路規模の点で不利であった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、従来の技術では、磁気超解像記録媒体からの再生
信号波形が時間方向に前後非対称なために、従来の再生
技術を直接適用することが困難な点である。本発明の目
的は、これら従来技術の課題を解決し、磁気超解像記録
媒体を用いた光磁気ディスク装置の再生機構を簡素化
し、記録密度の向上と装置の小型化を可能とした光磁気
ディスク装置を提供することである。
点は、従来の技術では、磁気超解像記録媒体からの再生
信号波形が時間方向に前後非対称なために、従来の再生
技術を直接適用することが困難な点である。本発明の目
的は、これら従来技術の課題を解決し、磁気超解像記録
媒体を用いた光磁気ディスク装置の再生機構を簡素化
し、記録密度の向上と装置の小型化を可能とした光磁気
ディスク装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光磁気ディスク装置は、(1)磁気超解像
磁性膜からなる光磁気記録媒体に記録された記録マーク
の再生時に、記録方向の磁場および消去方向の磁場を交
互に印加する磁場制御部207と、この磁場制御部20
7による記録方向の磁場の印加時に記録マークの前縁
を、消去方向の磁場の印加時に記録マークの後縁を検出
するエッジ検出器203と、このエッジ検出器203に
よる同一の記録マークに対する前縁と後縁の検出結果に
基づき、記録マークに対応した信号を生成して出力する
信号合成部(データ蓄積/合成器208)とを設けるこ
とを特徴とする。また、(2)上記(1)に記載の光磁
気ディスク装置において、エッジ検出部203は、記録
マークの前縁の検出毎に反転を繰り返す前縁信号(エッ
ジ位置信号(1)1040)と、記録マークの後縁の検
出毎に反転を繰り返す後縁信号(エッジ位置信号(2)
1041)を検出結果として生成し、信号合成部(デー
タ蓄積/合成器208)は、排他的論理和演算を行う論
理演算部を具備し、エッジ検出部203が生成した同一
の記録マークに対する前縁信号(エッジ位置信号(1)
1040)と後縁信号(エッジ位置信号(2)104
1)との排他的論理和により、記録マークに対応した信
号を生成することを特徴とする。また、(3)上記
(1)、もしくは、(2)のいずれかに記載の光磁気デ
ィスク装置において、記録マークの再生時に、同一トラ
ックを2度走査させる制御部(全体制御部310)と、
1度目の走査と2度目の走査で、磁場制御部207の磁
場の印加方向を切り替える磁場方向制御部(同、全体制
御部310)とを設け、信号合成部(データ蓄積/合成
器208)は、エッジ検出部203が2度の走査で同一
の記録マークに対して検出した前縁と後縁のそれぞれの
検出結果を蓄積し、蓄積した前縁と後縁の検出結果に基
づき、記録マークに対応した信号を生成することを特徴
とする。また、(4)上記(1)、もしくは、(2)の
いずれかに記載の光磁気ディスク装置において、磁場制
御部207は、同一トラック上の異なる地点で、同一走
査時に、記録方向の磁場と消去方向の磁場を印加し、エ
ッジ検出部203は、記録方向の磁場の印加地点で、記
録マークの前縁を検出する第1のエッジ検出部203a
と、消去方向の磁場の印加地点で、記録マークの後縁を
検出する第2のエッジ検出部203bとからなり、信号
合成部(データ蓄積/合成器208)は、第1のエッジ
検出部203aと第2のエッジ検出部203bによる同
一の記録マークに対する前縁と後縁の検出結果を蓄積
し、蓄積した検出結果に基づき、記録マークに対応した
信号の生成を行うことを特徴とする。また、(5)上記
(1)、もしくは、(2)のいずれかに記載の光磁気デ
ィスク装置において、磁場制御部207(磁場制御部2
07a)は、エッジ検出部203による1つの記録マー
クに対する前縁と後縁の検出毎に、磁場の方向を切り換
えることを特徴とする。また、(6)磁気超解像磁性膜
からなる光磁気記録媒体に記録された記録マークの前縁
への、再生光の照射時に記録方向の磁場を、また、後縁
への照射時に消去方向の磁場を、一走査中に交互に印加
する磁場制御部207aと、この磁場制御部207aに
より記録方向および消去方向の磁場が印加された記録マ
ークの前縁と後縁を一走査中に検出すると共に、この記
録マークの前縁と後縁の検出毎に状態が反転するエッジ
位置信号1042を生成するエッジ検出部203cとを
設け、このエッジ検出部203cで生成したエッジ位置
信号1042を、磁場制御部207aの磁場の印加方向
の切り替えを指示する信号および記録マークの再生信号
として出力することを特徴とする。
め、本発明の光磁気ディスク装置は、(1)磁気超解像
磁性膜からなる光磁気記録媒体に記録された記録マーク
の再生時に、記録方向の磁場および消去方向の磁場を交
互に印加する磁場制御部207と、この磁場制御部20
7による記録方向の磁場の印加時に記録マークの前縁
を、消去方向の磁場の印加時に記録マークの後縁を検出
するエッジ検出器203と、このエッジ検出器203に
よる同一の記録マークに対する前縁と後縁の検出結果に
基づき、記録マークに対応した信号を生成して出力する
信号合成部(データ蓄積/合成器208)とを設けるこ
とを特徴とする。また、(2)上記(1)に記載の光磁
気ディスク装置において、エッジ検出部203は、記録
マークの前縁の検出毎に反転を繰り返す前縁信号(エッ
ジ位置信号(1)1040)と、記録マークの後縁の検
出毎に反転を繰り返す後縁信号(エッジ位置信号(2)
1041)を検出結果として生成し、信号合成部(デー
タ蓄積/合成器208)は、排他的論理和演算を行う論
理演算部を具備し、エッジ検出部203が生成した同一
の記録マークに対する前縁信号(エッジ位置信号(1)
1040)と後縁信号(エッジ位置信号(2)104
1)との排他的論理和により、記録マークに対応した信
号を生成することを特徴とする。また、(3)上記
(1)、もしくは、(2)のいずれかに記載の光磁気デ
ィスク装置において、記録マークの再生時に、同一トラ
ックを2度走査させる制御部(全体制御部310)と、
1度目の走査と2度目の走査で、磁場制御部207の磁
場の印加方向を切り替える磁場方向制御部(同、全体制
御部310)とを設け、信号合成部(データ蓄積/合成
器208)は、エッジ検出部203が2度の走査で同一
の記録マークに対して検出した前縁と後縁のそれぞれの
検出結果を蓄積し、蓄積した前縁と後縁の検出結果に基
づき、記録マークに対応した信号を生成することを特徴
とする。また、(4)上記(1)、もしくは、(2)の
いずれかに記載の光磁気ディスク装置において、磁場制
御部207は、同一トラック上の異なる地点で、同一走
査時に、記録方向の磁場と消去方向の磁場を印加し、エ
ッジ検出部203は、記録方向の磁場の印加地点で、記
録マークの前縁を検出する第1のエッジ検出部203a
と、消去方向の磁場の印加地点で、記録マークの後縁を
検出する第2のエッジ検出部203bとからなり、信号
合成部(データ蓄積/合成器208)は、第1のエッジ
検出部203aと第2のエッジ検出部203bによる同
一の記録マークに対する前縁と後縁の検出結果を蓄積
し、蓄積した検出結果に基づき、記録マークに対応した
信号の生成を行うことを特徴とする。また、(5)上記
(1)、もしくは、(2)のいずれかに記載の光磁気デ
ィスク装置において、磁場制御部207(磁場制御部2
07a)は、エッジ検出部203による1つの記録マー
クに対する前縁と後縁の検出毎に、磁場の方向を切り換
えることを特徴とする。また、(6)磁気超解像磁性膜
からなる光磁気記録媒体に記録された記録マークの前縁
への、再生光の照射時に記録方向の磁場を、また、後縁
への照射時に消去方向の磁場を、一走査中に交互に印加
する磁場制御部207aと、この磁場制御部207aに
より記録方向および消去方向の磁場が印加された記録マ
ークの前縁と後縁を一走査中に検出すると共に、この記
録マークの前縁と後縁の検出毎に状態が反転するエッジ
位置信号1042を生成するエッジ検出部203cとを
設け、このエッジ検出部203cで生成したエッジ位置
信号1042を、磁場制御部207aの磁場の印加方向
の切り替えを指示する信号および記録マークの再生信号
として出力することを特徴とする。
【0007】
【作用】本発明においては、磁気超解像磁性膜が有する
磁区の消滅や結合現象を利用して、記録媒体上に記録さ
れた磁区の磁壁位置を高精度に検出することにより、記
録密度の向上と再生機構の簡素化を図る。すなわち、垂
直磁化膜中の磁区は、安定に存在し得る構造の大きさに
は下限が存在し、この大きさは、磁壁エネルギー等の物
性値と静磁エネルギー等によって決定されている。その
ために、磁区の大きさが所定値以下になると、その磁区
は安定に存在することができなくなり消滅する。また、
同じ磁化方向の複数磁区が所定の距離以下に接近する
と、それらの磁区は結合して1つの磁区となる。そのた
め、磁気超解像磁性膜は、再生光の照射による部分的な
温度上昇と、外部から印加される磁場によって、再生層
において磁区の結合や消滅を起こす。例えば、磁場が記
録方向であれば、記録方向に磁化されたマスク領域と記
録マーク部分(前縁)が結合し、また、磁場が消去方向
であれば、消去方向に磁化されたマスク領域と非記録マ
ーク部分が結合して記録マーク部分(後縁)が消滅す
る。そこで、本発明においては、この記録媒体上の走査
部分に異なる方向(記録方向、消去方向)の磁場を適宜
印加しながら同一箇所を走査して情報を再生する。例え
ば、記録媒体上の同一箇所を、走査毎に異なる方向の磁
場印加状態で走査するか、あるいは、1つの記録マーク
の前縁部と後縁部の走査時に磁場印加方向を変化させる
ことにより、記録マークの前縁および後縁に対応させた
情報を再生する。このことにより、再生時の磁場印加方
向に応じて、記録マークの走査方向前縁または後縁に対
応する再生信号の時間変化率の絶対値が大きくなり、記
録密度を向上して、従来の再生技術では再生信号の振幅
が低下する場合でも、正確な情報を再生することが可能
となる。
磁区の消滅や結合現象を利用して、記録媒体上に記録さ
れた磁区の磁壁位置を高精度に検出することにより、記
録密度の向上と再生機構の簡素化を図る。すなわち、垂
直磁化膜中の磁区は、安定に存在し得る構造の大きさに
は下限が存在し、この大きさは、磁壁エネルギー等の物
性値と静磁エネルギー等によって決定されている。その
ために、磁区の大きさが所定値以下になると、その磁区
は安定に存在することができなくなり消滅する。また、
同じ磁化方向の複数磁区が所定の距離以下に接近する
と、それらの磁区は結合して1つの磁区となる。そのた
め、磁気超解像磁性膜は、再生光の照射による部分的な
温度上昇と、外部から印加される磁場によって、再生層
において磁区の結合や消滅を起こす。例えば、磁場が記
録方向であれば、記録方向に磁化されたマスク領域と記
録マーク部分(前縁)が結合し、また、磁場が消去方向
であれば、消去方向に磁化されたマスク領域と非記録マ
ーク部分が結合して記録マーク部分(後縁)が消滅す
る。そこで、本発明においては、この記録媒体上の走査
部分に異なる方向(記録方向、消去方向)の磁場を適宜
印加しながら同一箇所を走査して情報を再生する。例え
ば、記録媒体上の同一箇所を、走査毎に異なる方向の磁
場印加状態で走査するか、あるいは、1つの記録マーク
の前縁部と後縁部の走査時に磁場印加方向を変化させる
ことにより、記録マークの前縁および後縁に対応させた
情報を再生する。このことにより、再生時の磁場印加方
向に応じて、記録マークの走査方向前縁または後縁に対
応する再生信号の時間変化率の絶対値が大きくなり、記
録密度を向上して、従来の再生技術では再生信号の振幅
が低下する場合でも、正確な情報を再生することが可能
となる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面により詳細に
説明する。図1は、本発明の光磁気ディスク装置の本発
明に係る構成の第1の実施例を示すブロック図であり、
図2〜図5は、図1における光磁気ディスク装置の再生
時の動作を示す説明図である。まず、図2〜図5を用い
て、本発明の光磁気ディスク装置の本発明に係る動作原
理を説明する。図2〜図5において、1〜3はそれぞれ
磁気超解像磁性膜を構成する再生層、結合層、記録層で
あり、5は再生光の光スポット、6は記録マーク、7
1、72は光スポット5と再生磁場により発生したマス
ク領域である。
説明する。図1は、本発明の光磁気ディスク装置の本発
明に係る構成の第1の実施例を示すブロック図であり、
図2〜図5は、図1における光磁気ディスク装置の再生
時の動作を示す説明図である。まず、図2〜図5を用い
て、本発明の光磁気ディスク装置の本発明に係る動作原
理を説明する。図2〜図5において、1〜3はそれぞれ
磁気超解像磁性膜を構成する再生層、結合層、記録層で
あり、5は再生光の光スポット、6は記録マーク、7
1、72は光スポット5と再生磁場により発生したマス
ク領域である。
【0009】以下、図2および図3を用いて、磁区の走
査方向前縁(前エッジ)の検出原理を説明する。この場
合の再生磁場印加方向は、記録方向すなわち図2
(b)、図3(d)における上向き方向であるとする。
図2(a)、図2(b)に示すように、光スポット5が
記録媒体上を走査すると、記録層3の磁化方向によら
ず、記録方向の磁化を持つマスク領域71が形成され
る。図2(a)は、ある時刻における再生層1の状態を
表しており、図2(b)は、その時のスポット走査方向
断面の様子を表す。図中の斜線を施した部分は、記録方
向の磁化をもつ磁区を表している。
査方向前縁(前エッジ)の検出原理を説明する。この場
合の再生磁場印加方向は、記録方向すなわち図2
(b)、図3(d)における上向き方向であるとする。
図2(a)、図2(b)に示すように、光スポット5が
記録媒体上を走査すると、記録層3の磁化方向によら
ず、記録方向の磁化を持つマスク領域71が形成され
る。図2(a)は、ある時刻における再生層1の状態を
表しており、図2(b)は、その時のスポット走査方向
断面の様子を表す。図中の斜線を施した部分は、記録方
向の磁化をもつ磁区を表している。
【0010】光スポット5が記録マーク6の前縁にさし
かかり、再生層1上のマスク領域71の磁区が、記録層
3から再生層1に転写されている記録マーク6の磁区に
十分に接近すると、図3(c)、図3(d)に示すよう
に、再生層1上の両磁区は結合して1つの磁区となる。
図3(c)は磁区の結合時の再生層1の状態を表し、図
3(d)はその時のスポット走査方向断面の様子を表
す。このとき再生層1から磁気光学効果によって読み出
される再生信号は、記録マーク6が存在する状態、すな
わち再生層1が記録方向に磁化した状態のレベルに向か
って高速に変化する。この時の光磁気再生信号1010
の変化の様子を図3(e)に模式的に示す。以下、この
動作を前エッジ・エンハンス動作と呼ぶ。
かかり、再生層1上のマスク領域71の磁区が、記録層
3から再生層1に転写されている記録マーク6の磁区に
十分に接近すると、図3(c)、図3(d)に示すよう
に、再生層1上の両磁区は結合して1つの磁区となる。
図3(c)は磁区の結合時の再生層1の状態を表し、図
3(d)はその時のスポット走査方向断面の様子を表
す。このとき再生層1から磁気光学効果によって読み出
される再生信号は、記録マーク6が存在する状態、すな
わち再生層1が記録方向に磁化した状態のレベルに向か
って高速に変化する。この時の光磁気再生信号1010
の変化の様子を図3(e)に模式的に示す。以下、この
動作を前エッジ・エンハンス動作と呼ぶ。
【0011】次に、図4および図5を用いて、磁区の走
査方向後縁(後エッジ)の検出原理を説明する。この場
合の再生磁場印加方向は、消去方向すなわち図4
(b)、図5(d)における下向き方向であるとする。
図4(a)、図4(b)に示すように、光スポット5が
記録媒体上を走査すると、記録層3の磁化方向によら
ず、消去方向の磁化を持つマスク領域72が形成され
る。図4(a)は、ある時刻における再生層1の状態を
表しており、図4(b)は、その時のスポット走査方向
断面の様子を表す。図中の斜線を施した部分は、記録方
向の磁化をもつ磁区を表している。
査方向後縁(後エッジ)の検出原理を説明する。この場
合の再生磁場印加方向は、消去方向すなわち図4
(b)、図5(d)における下向き方向であるとする。
図4(a)、図4(b)に示すように、光スポット5が
記録媒体上を走査すると、記録層3の磁化方向によら
ず、消去方向の磁化を持つマスク領域72が形成され
る。図4(a)は、ある時刻における再生層1の状態を
表しており、図4(b)は、その時のスポット走査方向
断面の様子を表す。図中の斜線を施した部分は、記録方
向の磁化をもつ磁区を表している。
【0012】光スポット5が記録マーク6の後縁にさし
かかり、記録層3から再生層1に転写されている記録マ
ーク6の磁区が十分に小さくなると、図5(c)、図5
(d)に示すように、再生層1上の磁区は消滅する。図
5(c)は磁区の消滅時の再生層1の状態を表し、図5
(d)はその時のスポット走査方向断面の様子を表す。
このとき再生層から磁気光学効果によって読み出される
再生信号は、記録マーク6が存在しない状態、すなわち
再生層1が消去方向に磁化した状態のレベルに向かって
高速に変化する。この時の光磁気再生信号1011の変
化の様子を図5(e)に模式的に示す。以下、この動作
を後エッジ・エンハンス動作と呼ぶ。
かかり、記録層3から再生層1に転写されている記録マ
ーク6の磁区が十分に小さくなると、図5(c)、図5
(d)に示すように、再生層1上の磁区は消滅する。図
5(c)は磁区の消滅時の再生層1の状態を表し、図5
(d)はその時のスポット走査方向断面の様子を表す。
このとき再生層から磁気光学効果によって読み出される
再生信号は、記録マーク6が存在しない状態、すなわち
再生層1が消去方向に磁化した状態のレベルに向かって
高速に変化する。この時の光磁気再生信号1011の変
化の様子を図5(e)に模式的に示す。以下、この動作
を後エッジ・エンハンス動作と呼ぶ。
【0013】このように、再生時の磁場印加によって、
結合層2を介して記録層3から再生層1に転写された記
録マーク6の磁区形状、あるいは再生層1に形成された
マスク領域71、72の磁区形状が急激に変化すると、
記録マーク6の走査方向前縁または後縁に対応する再生
信号の時間変化率が、従来の記録媒体以上に改善され
る。そこで、記録媒体上の同一箇所が走査の度に異なる
方向の磁場印加状態で走査される構成とするか、1つの
記録マーク6の前縁部と後縁部走査時で磁場印加方向を
変化させる構成とすることにより、再生信号の前エッジ
および後エッジの位置を独立にかつ精密に検出すること
が可能となる。これによって従来では低い誤り率での情
報再生が困難であった低S/N比の再生信号であって
も、実質的なS/N比を改善でき、低い誤り率で情報を
再生することが可能となる。
結合層2を介して記録層3から再生層1に転写された記
録マーク6の磁区形状、あるいは再生層1に形成された
マスク領域71、72の磁区形状が急激に変化すると、
記録マーク6の走査方向前縁または後縁に対応する再生
信号の時間変化率が、従来の記録媒体以上に改善され
る。そこで、記録媒体上の同一箇所が走査の度に異なる
方向の磁場印加状態で走査される構成とするか、1つの
記録マーク6の前縁部と後縁部走査時で磁場印加方向を
変化させる構成とすることにより、再生信号の前エッジ
および後エッジの位置を独立にかつ精密に検出すること
が可能となる。これによって従来では低い誤り率での情
報再生が困難であった低S/N比の再生信号であって
も、実質的なS/N比を改善でき、低い誤り率で情報を
再生することが可能となる。
【0014】図1に示す光磁気ディスクは、以上の動作
を利用する。図1において、記録媒体402は、例えば
図10に示した積層構造を持つ磁気超解像媒体であり、
再生光の照射による磁性膜の部分的な温度上昇と再生磁
場の印加によって磁性膜上の磁区が変形、移動、結合、
生成、消滅の内の少なくとも1つの形状変化を起こす性
質を有する。この記録媒体402上には、記録媒体上に
おける位置を示すID情報が、製造時に位相ピット等に
よって予め記録されているものとする。情報の再生は、
電磁石403により記録方向または消去方向の磁場を印
加しながら、光ヘッド401によって記録媒体402上
を走査することによって行う。
を利用する。図1において、記録媒体402は、例えば
図10に示した積層構造を持つ磁気超解像媒体であり、
再生光の照射による磁性膜の部分的な温度上昇と再生磁
場の印加によって磁性膜上の磁区が変形、移動、結合、
生成、消滅の内の少なくとも1つの形状変化を起こす性
質を有する。この記録媒体402上には、記録媒体上に
おける位置を示すID情報が、製造時に位相ピット等に
よって予め記録されているものとする。情報の再生は、
電磁石403により記録方向または消去方向の磁場を印
加しながら、光ヘッド401によって記録媒体402上
を走査することによって行う。
【0015】光ヘッド401は、記録媒体402からの
反射光の偏光状態を電気信号に変換し、互いに直交する
偏光成分の強度に比例する振幅の再生信号100を発生
する。この再生信号100は、差動増幅器201と加算
器205に与えられ、それぞれ光磁気再生信号101と
反射総光量信号102に変換される。反射総光量信号1
02はID認識部206に送られ、ここで記録媒体40
2上における現在の走査位置を示すIDデータ103に
変換される。光磁気ディスク装置全体を制御する全体制
御部310は、本発明に係る磁場方向制御部としての機
能を有し、このIDデータ103から、記録媒体402
上における走査位置を認識し、記録媒体上の適当な区間
(例えばゾーン、トラック、セクタ、セグメント単位
等)ごとに、再生磁場方向信号105によって磁場制御
部207を操作し、電磁石403によって発生される再
生磁場の方向を反転する。
反射光の偏光状態を電気信号に変換し、互いに直交する
偏光成分の強度に比例する振幅の再生信号100を発生
する。この再生信号100は、差動増幅器201と加算
器205に与えられ、それぞれ光磁気再生信号101と
反射総光量信号102に変換される。反射総光量信号1
02はID認識部206に送られ、ここで記録媒体40
2上における現在の走査位置を示すIDデータ103に
変換される。光磁気ディスク装置全体を制御する全体制
御部310は、本発明に係る磁場方向制御部としての機
能を有し、このIDデータ103から、記録媒体402
上における走査位置を認識し、記録媒体上の適当な区間
(例えばゾーン、トラック、セクタ、セグメント単位
等)ごとに、再生磁場方向信号105によって磁場制御
部207を操作し、電磁石403によって発生される再
生磁場の方向を反転する。
【0016】記録媒体402は、図2〜図5を用いて説
明したように、再生光の照射による磁性膜の部分的な温
度上昇と再生磁場の印加によって、前エッジ・エンハン
ス動作あるいは後エッジ・エンハンス動作を起こし、エ
ッジに対応する光磁気再生信号101の時間変化率の絶
対値が大きくなっている。この光磁気再生信号101は
次に等化器202に入力され、必要に応じて波形等化処
理が施されて、エッジ検出器203に伝達される。エッ
ジ検出器203においては、再生磁場方向信号105を
参照して、エンハンス動作を受けたエッジのみ、すなわ
ち再生磁場方向が記録方向であれば前エッジ、消去方向
であれば後エッジのみの位置を検出し、データ蓄積/合
成器208に入力する。このデータ蓄積/合成器208
は、本発明に係る信号合成部であり、異なる磁場印加状
態での再生信号100から検出したエッジ位置を一旦蓄
積して合成し、記録媒体402上の記録マークのエッジ
位置の情報とする。そして最後に、復号器204で、記
録時に行われた符号化の逆の処理を行うことによって、
最終的な時系列再生データ106を得る。
明したように、再生光の照射による磁性膜の部分的な温
度上昇と再生磁場の印加によって、前エッジ・エンハン
ス動作あるいは後エッジ・エンハンス動作を起こし、エ
ッジに対応する光磁気再生信号101の時間変化率の絶
対値が大きくなっている。この光磁気再生信号101は
次に等化器202に入力され、必要に応じて波形等化処
理が施されて、エッジ検出器203に伝達される。エッ
ジ検出器203においては、再生磁場方向信号105を
参照して、エンハンス動作を受けたエッジのみ、すなわ
ち再生磁場方向が記録方向であれば前エッジ、消去方向
であれば後エッジのみの位置を検出し、データ蓄積/合
成器208に入力する。このデータ蓄積/合成器208
は、本発明に係る信号合成部であり、異なる磁場印加状
態での再生信号100から検出したエッジ位置を一旦蓄
積して合成し、記録媒体402上の記録マークのエッジ
位置の情報とする。そして最後に、復号器204で、記
録時に行われた符号化の逆の処理を行うことによって、
最終的な時系列再生データ106を得る。
【0017】以下、各部における動作波形を、図6を用
いて説明する。今、図1の記録媒体402上には、図6
(c)に示すような記録マークが記録されているものと
する。まず最初に記録方向の再生磁場を印加する場合を
考える。図6(a)、図6(b)はその時の各部の波形
である。光磁気再生信号1012は前エッジ・エンハン
ス動作を受け、記録マークの前縁に対応する部分の信号
変化率が改善されている。図1のエッジ検出器203
は、再生磁場方向信号105を参照し、この光磁気再生
信号1012から、前エッジに対応する立ち上がり部分
のみを検出し、前エッジを検出する毎にエッジ位置信号
1040の反転動作を行う。図1のデータ蓄積/合成器
208は、このエッジ位置信号1040を、消去方向の
再生磁場を印加して、後エッジの位置検出動作を完了す
るまで一旦蓄える。
いて説明する。今、図1の記録媒体402上には、図6
(c)に示すような記録マークが記録されているものと
する。まず最初に記録方向の再生磁場を印加する場合を
考える。図6(a)、図6(b)はその時の各部の波形
である。光磁気再生信号1012は前エッジ・エンハン
ス動作を受け、記録マークの前縁に対応する部分の信号
変化率が改善されている。図1のエッジ検出器203
は、再生磁場方向信号105を参照し、この光磁気再生
信号1012から、前エッジに対応する立ち上がり部分
のみを検出し、前エッジを検出する毎にエッジ位置信号
1040の反転動作を行う。図1のデータ蓄積/合成器
208は、このエッジ位置信号1040を、消去方向の
再生磁場を印加して、後エッジの位置検出動作を完了す
るまで一旦蓄える。
【0018】次に、再生磁場方向を反転し、消去方向の
再生磁場を印加する場合を考える。図6(d)、図6
(e)がその時の各部の波形である。光磁気再生信号1
013は後エッジ・エンハンス動作を受け、記録マーク
の後縁に対応する部分の信号変化率が改善されている。
図1のエッジ検出器203は、再生磁場方向信号105
を参照し、この光磁気再生信号1013から、後エッジ
に対応する立ち下がり部分のみを検出し、後エッジを検
出する毎にエッジ位置信号1041の反転動作を行う。
再生磁場を印加する場合を考える。図6(d)、図6
(e)がその時の各部の波形である。光磁気再生信号1
013は後エッジ・エンハンス動作を受け、記録マーク
の後縁に対応する部分の信号変化率が改善されている。
図1のエッジ検出器203は、再生磁場方向信号105
を参照し、この光磁気再生信号1013から、後エッジ
に対応する立ち下がり部分のみを検出し、後エッジを検
出する毎にエッジ位置信号1041の反転動作を行う。
【0019】図1の記録媒体401における走査位置は
IDデータ103等から取得できるので、媒体上の同一
部分(例えばゾーン、トラック、セクタ、セグメント単
位等)ごとについて、このように記録方向磁場印加時と
消去方向磁場印加時の2通りの磁場印加状態で再生動作
を行えば、記録マークの前縁/後縁の位置が検出でき
る。この動作により、図1のデータ蓄積/合成器208
は、後エッジ位置を表すこのエッジ位置信号1041
と、先に蓄えた前エッジ検出位置を表すエッジ位置信号
1040とを合成(ここでは、排他的論理和)し、図6
(f)に示すように、最終的に媒体上のマーク分布に対
応するデータ信号(合成後データ)を生成する。このデ
ータを図1の復号器204によって復号処理すれば最終
的な時系列再生データを得ることができる。
IDデータ103等から取得できるので、媒体上の同一
部分(例えばゾーン、トラック、セクタ、セグメント単
位等)ごとについて、このように記録方向磁場印加時と
消去方向磁場印加時の2通りの磁場印加状態で再生動作
を行えば、記録マークの前縁/後縁の位置が検出でき
る。この動作により、図1のデータ蓄積/合成器208
は、後エッジ位置を表すこのエッジ位置信号1041
と、先に蓄えた前エッジ検出位置を表すエッジ位置信号
1040とを合成(ここでは、排他的論理和)し、図6
(f)に示すように、最終的に媒体上のマーク分布に対
応するデータ信号(合成後データ)を生成する。このデ
ータを図1の復号器204によって復号処理すれば最終
的な時系列再生データを得ることができる。
【0020】図7は、本発明の光磁気ディスク装置の本
発明に係る構成の第2の実施例を示すブロック図であ
る。本第2の実施例においては、再生用の光スポット5
およびそれに対応する光検出器400を2系統設け、そ
の各々の走査部分の磁場印加方向が逆方向の構成となっ
ている。この逆方向の各磁場は、図示されていない2つ
の電磁石を介して、図1における磁場制御部207によ
り印加される。また、本図におけるエッジ検出器203
a、203bがそれぞれ本発明の第1のエッジ検出器、
および、第2のエッジ検出器に対応している。尚、光ス
ポット5を2個以上設けるためには、例えば2個以上の
光ヘッドからなる構成としても良いし、レンズ枚数を抑
えるために単一レンズによるマルチ・ビーム・ヘッドを
用いる構成としても良い。
発明に係る構成の第2の実施例を示すブロック図であ
る。本第2の実施例においては、再生用の光スポット5
およびそれに対応する光検出器400を2系統設け、そ
の各々の走査部分の磁場印加方向が逆方向の構成となっ
ている。この逆方向の各磁場は、図示されていない2つ
の電磁石を介して、図1における磁場制御部207によ
り印加される。また、本図におけるエッジ検出器203
a、203bがそれぞれ本発明の第1のエッジ検出器、
および、第2のエッジ検出器に対応している。尚、光ス
ポット5を2個以上設けるためには、例えば2個以上の
光ヘッドからなる構成としても良いし、レンズ枚数を抑
えるために単一レンズによるマルチ・ビーム・ヘッドを
用いる構成としても良い。
【0021】各光検出器400からの再生信号100
a、100bは、光磁気信号再生部301a、301b
によってエッジ位置信号104a、104bに変換され
た後、データ蓄積/合成器208で記録マークの前縁/
後縁の位置情報が合成され、復号器204での復号処理
を受けて最終的な時系列再生データ106となる。この
ように、本実施例では、各信号再生系が、同一の記録マ
ークをほぼ同時に走査することができ、それぞれ前エッ
ジ、後エッジのみに対応するデータの同時再生が可能と
なり、高速再生が実現される。また、信号記録系を複数
として、走査方向に先行する光スポットを消去用、残り
を書き込み用とするか、先行するスポットを書き込み
用、残りをベリファイ用とすることにより、書き込み時
におけるデータ転送速度の改善が可能である。
a、100bは、光磁気信号再生部301a、301b
によってエッジ位置信号104a、104bに変換され
た後、データ蓄積/合成器208で記録マークの前縁/
後縁の位置情報が合成され、復号器204での復号処理
を受けて最終的な時系列再生データ106となる。この
ように、本実施例では、各信号再生系が、同一の記録マ
ークをほぼ同時に走査することができ、それぞれ前エッ
ジ、後エッジのみに対応するデータの同時再生が可能と
なり、高速再生が実現される。また、信号記録系を複数
として、走査方向に先行する光スポットを消去用、残り
を書き込み用とするか、先行するスポットを書き込み
用、残りをベリファイ用とすることにより、書き込み時
におけるデータ転送速度の改善が可能である。
【0022】図8は、本発明の光磁気ディスク装置の本
発明に係る構成の第3の実施例を示すブロック図であ
る。本第3の実施例では、再生信号100cから得られ
るエッジ位置信号104cに対応して、浮上磁気ヘッド
404を駆動する磁場制御部207aを備えている。こ
の磁場制御部207aは、エッジ検出器203cからの
エッジ位置信号104cを参照し、エッジ検出器203
cが前エッジを検出すると消去方向の磁場を、また、後
エッジを検出すると記録方向の磁場を、浮上磁気ヘッド
404を介して記録媒体402に印加する動作を行う。
この時の各部の動作波形を図9を用いて説明する。
発明に係る構成の第3の実施例を示すブロック図であ
る。本第3の実施例では、再生信号100cから得られ
るエッジ位置信号104cに対応して、浮上磁気ヘッド
404を駆動する磁場制御部207aを備えている。こ
の磁場制御部207aは、エッジ検出器203cからの
エッジ位置信号104cを参照し、エッジ検出器203
cが前エッジを検出すると消去方向の磁場を、また、後
エッジを検出すると記録方向の磁場を、浮上磁気ヘッド
404を介して記録媒体402に印加する動作を行う。
この時の各部の動作波形を図9を用いて説明する。
【0023】今、図8の記録媒体402上には、図9
(a)に示されるような記録マークが記録されているも
のとする。図9(c)に示されるように、最初に記録方
向の再生磁場が印加されていた場合には、図9(b)に
示されるように、光磁気再生信号1014は、前エッジ
・エンハンス動作を受ける。図8のエッジ検出器203
cでこの前エッジを検出すると、図9(d)に示される
ように、それを受けてエッジ位置信号1042を反転す
る。これに伴い、図9(c)に示されるように、再生磁
場印加方向が反転され、図9(b)に示されるように、
光磁気再生信号1014は、後エッジ・エンハンス動作
を受ける。次に、図8のエッジ検出器203cで後エッ
ジを検出すると、図9(d)に示されるように、再びエ
ッジ位置信号1042が反転され、最初の状態に戻る。
(a)に示されるような記録マークが記録されているも
のとする。図9(c)に示されるように、最初に記録方
向の再生磁場が印加されていた場合には、図9(b)に
示されるように、光磁気再生信号1014は、前エッジ
・エンハンス動作を受ける。図8のエッジ検出器203
cでこの前エッジを検出すると、図9(d)に示される
ように、それを受けてエッジ位置信号1042を反転す
る。これに伴い、図9(c)に示されるように、再生磁
場印加方向が反転され、図9(b)に示されるように、
光磁気再生信号1014は、後エッジ・エンハンス動作
を受ける。次に、図8のエッジ検出器203cで後エッ
ジを検出すると、図9(d)に示されるように、再びエ
ッジ位置信号1042が反転され、最初の状態に戻る。
【0024】このように、エッジ位置信号1042は、
光磁気再生信号1014のエッジ、すなわち、記録マー
クの前縁または後縁を検出する度に反転するので、記録
マークのエッジ位置を直ちに反映する。以上の構成によ
り、1系統の光ヘッド401および浮上磁気ヘッド40
4のみで、1回の走査から前エッジおよび後エッジを同
時に検出することが可能となり、データ読み出し速度が
改善される。また、浮上磁気ヘッド404を記録時に用
いれば、磁界変調記録あるいは光パルス磁界変調記録を
行うことも可能となる。
光磁気再生信号1014のエッジ、すなわち、記録マー
クの前縁または後縁を検出する度に反転するので、記録
マークのエッジ位置を直ちに反映する。以上の構成によ
り、1系統の光ヘッド401および浮上磁気ヘッド40
4のみで、1回の走査から前エッジおよび後エッジを同
時に検出することが可能となり、データ読み出し速度が
改善される。また、浮上磁気ヘッド404を記録時に用
いれば、磁界変調記録あるいは光パルス磁界変調記録を
行うことも可能となる。
【0025】以上、図1〜図9を用いて説明したよう
に、本実施例の光磁気ディスクでは、再生光の照射によ
る磁性膜の部分的な温度上昇と外部から印加される磁場
によって磁性膜上の磁区が形状変化を起こす磁気超解像
磁性膜からなる光磁気記録媒体を用い、記録媒体走査時
の再生磁場印加方向を適宜変化させながら情報を再生す
る。このことにより、記録マークを微小化して光磁気デ
ィスクの記録密度を向上させることができると共に、記
録マークの前縁部および後縁部に対応する再生信号の時
間変化率を上昇させることができ、実質的S/N比が改
善され、従来は情報再生が困難であった低いS/N比の
微小記録マークからの再生信号であっても、低い誤り率
で情報を再生することが可能となり、記録情報量の増大
と情報の転送レートの向上を図ることができる。
に、本実施例の光磁気ディスクでは、再生光の照射によ
る磁性膜の部分的な温度上昇と外部から印加される磁場
によって磁性膜上の磁区が形状変化を起こす磁気超解像
磁性膜からなる光磁気記録媒体を用い、記録媒体走査時
の再生磁場印加方向を適宜変化させながら情報を再生す
る。このことにより、記録マークを微小化して光磁気デ
ィスクの記録密度を向上させることができると共に、記
録マークの前縁部および後縁部に対応する再生信号の時
間変化率を上昇させることができ、実質的S/N比が改
善され、従来は情報再生が困難であった低いS/N比の
微小記録マークからの再生信号であっても、低い誤り率
で情報を再生することが可能となり、記録情報量の増大
と情報の転送レートの向上を図ることができる。
【0026】尚、本発明は、図1〜図9を用いて説明し
た実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能である。例えば、図1〜
図7における実施例では、前縁信号と後縁信号の合成を
排他的論理和の演算により行っているが、前縁および後
縁の各々を、お互いに独立に変調し、前縁/後縁のどち
らか一のみを検出して情報を記録/再生することでも良
い。すなわち、エッジ検出部でエッジ検出毎にパルスを
1発だけ出力し、データ蓄積/合成器(信号合成器)
で、各パルス毎に出力の反転動作を行うことでも情報の
復元は可能である。また逆に、図8、図9においては、
前縁/後縁のエッジ検出信号を個別に検出し、排他的論
理和演算によって合成することでも良い。
た実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能である。例えば、図1〜
図7における実施例では、前縁信号と後縁信号の合成を
排他的論理和の演算により行っているが、前縁および後
縁の各々を、お互いに独立に変調し、前縁/後縁のどち
らか一のみを検出して情報を記録/再生することでも良
い。すなわち、エッジ検出部でエッジ検出毎にパルスを
1発だけ出力し、データ蓄積/合成器(信号合成器)
で、各パルス毎に出力の反転動作を行うことでも情報の
復元は可能である。また逆に、図8、図9においては、
前縁/後縁のエッジ検出信号を個別に検出し、排他的論
理和演算によって合成することでも良い。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、記録密度を向上させる
ために磁気超解像記録媒体を用いた場合において、再生
信号の振幅が低下しても正確な情報を再生することがで
き、かつ、従来の情報記録技術を直接適用することがで
き、磁気超解像記録媒体を用いた光磁気ディスク装置の
信頼性および性能の向上と小型化が可能となる。
ために磁気超解像記録媒体を用いた場合において、再生
信号の振幅が低下しても正確な情報を再生することがで
き、かつ、従来の情報記録技術を直接適用することがで
き、磁気超解像記録媒体を用いた光磁気ディスク装置の
信頼性および性能の向上と小型化が可能となる。
【図1】本発明の光磁気ディスク装置の本発明に係る構
成の第1の実施例を示すブロック図である。
成の第1の実施例を示すブロック図である。
【図2】図1における光磁気ディスク装置の再生時の記
録マーク前縁検出動作の一部分を示す説明図である。
録マーク前縁検出動作の一部分を示す説明図である。
【図3】図1における光磁気ディスク装置の再生時の記
録マーク前縁検出動作の残りの部分を示す説明図であ
る。
録マーク前縁検出動作の残りの部分を示す説明図であ
る。
【図4】図1における光磁気ディスク装置の再生時の記
録マーク後縁検出動作の一部分を示す説明図である。
録マーク後縁検出動作の一部分を示す説明図である。
【図5】図1における光磁気ディスク装置の再生時の記
録マーク後縁検出動作の残りの部分を示す説明図であ
る。
録マーク後縁検出動作の残りの部分を示す説明図であ
る。
【図6】図1における光磁気ディスク装置の各部におけ
る動作波形例を示す説明図である。
る動作波形例を示す説明図である。
【図7】本発明の光磁気ディスク装置の本発明に係る構
成の第2の実施例を示すブロック図である。
成の第2の実施例を示すブロック図である。
【図8】本発明の光磁気ディスク装置の本発明に係る構
成の第3の実施例を示すブロック図である。
成の第3の実施例を示すブロック図である。
【図9】図8における光磁気ディスク装置の各部におけ
る動作波形例を示す説明図である。
る動作波形例を示す説明図である。
【図10】磁気超解像磁性膜からなる記録媒体の積層構
成例を示す説明図である。
成例を示す説明図である。
1 再生層 2 結合層 3 記録層 5 光スポット 6 記録マーク 41 保護・干渉層 42 保護層 71、72 マスク領域 100、100a〜100c 再生信号 101 光磁気再生信号 102 反射総光量信号 103 IDデータ 104、104a〜104c エッジ位置信号 105 再生磁場方向信号 106 時系列再生データ 201 差動増幅器 202 等化器 203、203a〜203c エッジ検出器 204 復号器 205 加算器 206 ID認識部 207、207a 磁場制御部 208 データ合成/蓄積器 301、301a〜301c 光磁気信号再生部 310 全体制御部 400 光検出器 401 光ヘッド 402 記録媒体 403 電磁石 404 浮上磁気ヘッド 1010、1011、1014 光磁気再生信号 1012 光磁気再生信号(1) 1013 光磁気再生信号(2) 1040 エッジ位置信号(1) 1041 エッジ位置信号(2) 1042 エッジ位置信号
Claims (6)
- 【請求項1】 それぞれ磁性膜面法線方向に磁化容易軸
を有し、記録マークを記録する記録層および該記録層と
磁気的に結合しており再生光が照射される再生層の少な
くとも2層を有する磁気超解像磁性膜を光磁気記録媒体
に用い、該光磁気記録媒体からの上記記録マークの再生
時に、上記再生光の照射部分に磁場をかけて上記再生層
に部分的なマスク領域を形成し、光学系の見かけ上の分
解能を向上した光磁気ディスク装置において、上記記録
マークの再生時に、記録方向の磁場および消去方向の磁
場を交互に印加する磁場制御手段と、該磁場制御手段に
よる記録方向の磁場の印加時に上記記録マークの前縁
を、消去方向の磁場の印加時に上記記録マークの後縁を
検出するエッジ検出手段と、該エッジ検出手段による同
一の記録マークに対する前縁と後縁の検出結果に基づ
き、上記記録マークに対応した信号を生成して出力する
信号合成手段とを設けることを特徴とする光磁気ディス
ク装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の光磁気ディスク装置に
おいて、上記エッジ検出手段は、上記記録マークの前縁
の検出毎に反転を繰り返す前縁信号と上記記録マークの
後縁の検出毎に反転を繰り返す後縁信号を上記検出結果
として生成し、上記信号合成手段は、排他的論理和演算
を行う論理演算手段を具備し、該論理演算手段により、
上記エッジ検出手段が生成した同一の記録マークに対す
る上記前縁信号と後縁信号との排他的論理和演算を行
い、上記記録マークに対応した信号を生成することを特
徴とする光磁気ディスク装置。 - 【請求項3】 請求項1、もしくは、請求項2のいずれ
かに記載の光磁気ディスク装置において、上記記録マー
クの再生時に、同一トラックを2度走査させる制御手段
と、1度目の走査と2度目の走査で、上記磁場制御手段
の磁場の印加方向を切り替える磁場方向制御手段とを設
け、上記信号合成手段は、上記エッジ検出手段が2度の
走査で同一の記録マークに対して検出した前縁と後縁の
それぞれの検出結果を蓄積し、該蓄積した前縁と後縁の
検出結果に基づき、上記記録マークに対応した信号を生
成することを特徴とする光磁気ディスク装置。 - 【請求項4】 請求項1、もしくは、請求項2のいずれ
かに記載の光磁気ディスク装置において、上記磁場制御
手段は、同一トラック上の異なる地点で、同一走査時
に、記録方向の磁場と消去方向の磁場を印加し、上記エ
ッジ検出手段は、上記記録方向の磁場の印加地点で、上
記記録マークの前縁を検出する第1のエッジ検出手段
と、上記消去方向の磁場の印加地点で、上記記録マーク
の後縁を検出する第2のエッジ検出手段とからなり、上
記信号合成手段は、上記第1のエッジ検出手段と第2の
エッジ検出手段による上記同一の記録マークに対する前
縁と後縁の検出結果を蓄積し、該蓄積した検出結果に基
づき、上記記録マークに対応した信号の生成を行うこと
を特徴とする光磁気ディスク装置。 - 【請求項5】 請求項1、もしくは、請求項2のいずれ
かに記載の光磁気ディスク装置において、上記磁場制御
手段は、上記エッジ検出手段による1つの記録マークに
対する前縁と後縁の検出毎に、磁場の方向を切り換える
ことを特徴とする光磁気ディスク装置。 - 【請求項6】 それぞれ磁性膜面法線方向に磁化容易軸
を有し、記録マークを記録する記録層および該記録層と
磁気的に結合しており再生光が照射される再生層の少な
くとも2層を有する磁気超解像磁性膜を光磁気記録媒体
に用い、該光磁気記録媒体からの上記記録マークの再生
時に、上記再生光の照射部分に磁場をかけて上記再生層
に部分的なマスク領域を形成し、光学系の見かけ上の分
解能を向上した光磁気ディスク装置において、上記再生
光の上記記録マークの前縁への照射時に記録方向の磁場
を、後縁への照射時に消去方向の磁場を、一走査中に交
互に印加する磁場制御手段と、該磁場制御手段により記
録方向および消去方向の磁場が印加された上記記録マー
クの前縁と後縁を一走査中に検出して、該記録マークの
前縁と後縁の検出毎に状態が反転するエッジ位置信号を
生成するエッジ検出手段とを設け、該エッジ検出手段で
生成したエッジ位置信号を、上記磁場制御手段の磁場の
印加方向の切り替えを指示する信号および上記記録マー
クの再生信号として出力することを特徴とする光磁気デ
ィスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13697594A JPH087388A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 光磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13697594A JPH087388A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 光磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087388A true JPH087388A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15187850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13697594A Pending JPH087388A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 光磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087388A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003105146A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Carnegie Mellon University | Domain position detection magnetic amplifying magneto-optical system |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP13697594A patent/JPH087388A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003105146A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Carnegie Mellon University | Domain position detection magnetic amplifying magneto-optical system |
| US7193934B2 (en) | 2002-06-07 | 2007-03-20 | Carnegie Mellon University | Domain position detection magnetic amplifying magneto-optical system |
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