JPH0875570A - 力学量センサ - Google Patents
力学量センサInfo
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- JPH0875570A JPH0875570A JP7151412A JP15141295A JPH0875570A JP H0875570 A JPH0875570 A JP H0875570A JP 7151412 A JP7151412 A JP 7151412A JP 15141295 A JP15141295 A JP 15141295A JP H0875570 A JPH0875570 A JP H0875570A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜プロセスを用いて、微小かつ平面状に応
力磁気効果を用いたセンサを形成し、小型化、集積化、
高感度化をはかった力学量センサを提供する。 【構成】 磁歪を有する強磁性体層１３と、磁気抵抗効
果を有する強磁性体層１５と、これら強磁性体層を励磁
する磁場発生手段（１２，１４）と、これらを一体的に
支持する基板１１を備え、応力による磁気特性の変化に
起因する前記強磁性体層を通る磁束密度の変化を、磁気
抵抗効果により抵抗値の変化として入出力端子で検出す
ることにより、小型かつ薄型で、集積化が可能な高感度
の力学量センサを形成する。その結果、応力磁気効果を
利用した、小型かつ薄型で高感度の力学量センサとする
ことができる。また検出感度の異方性に基づいて、ある
方向に沿った応力の強さを選択的に検出できる。
力磁気効果を用いたセンサを形成し、小型化、集積化、
高感度化をはかった力学量センサを提供する。 【構成】 磁歪を有する強磁性体層１３と、磁気抵抗効
果を有する強磁性体層１５と、これら強磁性体層を励磁
する磁場発生手段（１２，１４）と、これらを一体的に
支持する基板１１を備え、応力による磁気特性の変化に
起因する前記強磁性体層を通る磁束密度の変化を、磁気
抵抗効果により抵抗値の変化として入出力端子で検出す
ることにより、小型かつ薄型で、集積化が可能な高感度
の力学量センサを形成する。その結果、応力磁気効果を
利用した、小型かつ薄型で高感度の力学量センサとする
ことができる。また検出感度の異方性に基づいて、ある
方向に沿った応力の強さを選択的に検出できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は力学量検出センサに関
し、特に、応力または歪を高感度で検出することのでき
る力学量センサに関する。
し、特に、応力または歪を高感度で検出することのでき
る力学量センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、薄型化が進め
られるにつれ、電子機器に用いられる力学量センサに対
しても、より一層の小型化が求められている。応力磁気
効果を利用した力学量センサとしては、円筒上に正の飽
和磁歪定数を持つアモルファス磁性合金薄帯が接着さ
れ、印加される応力による薄帯の透磁率の変化をソレノ
イド状コイルで検出するセンサが実用化されている（例
えばSAE TECHNICAL PAPERSERIES 920700）。
られるにつれ、電子機器に用いられる力学量センサに対
しても、より一層の小型化が求められている。応力磁気
効果を利用した力学量センサとしては、円筒上に正の飽
和磁歪定数を持つアモルファス磁性合金薄帯が接着さ
れ、印加される応力による薄帯の透磁率の変化をソレノ
イド状コイルで検出するセンサが実用化されている（例
えばSAE TECHNICAL PAPERSERIES 920700）。
【０００３】このような従来の力学量センサは、線材
（直径：２０〜３０μｍ以上）をソレノイド状に巻いて
作製したコイルと、強磁性体バルク（厚み：２０〜３０
μｍ）とを有している。
（直径：２０〜３０μｍ以上）をソレノイド状に巻いて
作製したコイルと、強磁性体バルク（厚み：２０〜３０
μｍ）とを有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の力学量センサでは、線材をソレノイド状に巻いて作
製したコイルと強磁性体バルクとが用いられるため、セ
ンサの小型化、集積化が困難であるという問題がある。
また、コイルのインダクタンス変化を電圧に変換する必
要があり、抵抗変化を電圧に変換する場合に比べ、増幅
回路が複雑になるという課題がある。
来の力学量センサでは、線材をソレノイド状に巻いて作
製したコイルと強磁性体バルクとが用いられるため、セ
ンサの小型化、集積化が困難であるという問題がある。
また、コイルのインダクタンス変化を電圧に変換する必
要があり、抵抗変化を電圧に変換する場合に比べ、増幅
回路が複雑になるという課題がある。
【０００５】小型化により適した平面状力学量センサと
しては、金属箔を用いた歪ゲージがあるが、感度が応力
磁気効果を用いたものに比べ、千分の１以下しかない。
本発明は、前記従来の問題を解決するため、小型かつ薄
型で、集積化が可能な高感度の力学量センサを提供する
ことを目的とする。
しては、金属箔を用いた歪ゲージがあるが、感度が応力
磁気効果を用いたものに比べ、千分の１以下しかない。
本発明は、前記従来の問題を解決するため、小型かつ薄
型で、集積化が可能な高感度の力学量センサを提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の力学量センサは、磁歪を有する強磁性体層
と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層と、これら強磁性
体層を励磁する磁場発生手段と、これらを一体的に支持
する基板を備え、応力による磁気特性の変化に起因する
前記強磁性体層を通る磁束密度の変化を、磁気抵抗効果
により抵抗値の変化として検出することを特徴とする。
に、本発明の力学量センサは、磁歪を有する強磁性体層
と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層と、これら強磁性
体層を励磁する磁場発生手段と、これらを一体的に支持
する基板を備え、応力による磁気特性の変化に起因する
前記強磁性体層を通る磁束密度の変化を、磁気抵抗効果
により抵抗値の変化として検出することを特徴とする。
【０００７】前記構成においては、強磁性体層を励磁す
る磁場の方向が、応力の方向に対して実質的に平行であ
ることが好ましい。また前記構成においては、基板と磁
歪を有する強磁性体層との間に、さらに電気絶縁層を備
えたことが好ましい。
る磁場の方向が、応力の方向に対して実質的に平行であ
ることが好ましい。また前記構成においては、基板と磁
歪を有する強磁性体層との間に、さらに電気絶縁層を備
えたことが好ましい。
【０００８】また前記構成においては、磁歪を有する強
磁性体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層との間
に、さらに電気絶縁層を備えたことが好ましい。また前
記構成においては、磁気抵抗効果を有する強磁性体層
が、電力入出力端子に接続していることが好ましい。
磁性体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層との間
に、さらに電気絶縁層を備えたことが好ましい。また前
記構成においては、磁気抵抗効果を有する強磁性体層
が、電力入出力端子に接続していることが好ましい。
【０００９】また前記構成においては、磁歪を有する強
磁性体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層との間
に、これらを磁気的に分離する非磁性層を備え、これら
強磁性体層の励磁が磁気抵抗効果を有する強磁性体層に
流れる電流によりなされることが好ましい。
磁性体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層との間
に、これらを磁気的に分離する非磁性層を備え、これら
強磁性体層の励磁が磁気抵抗効果を有する強磁性体層に
流れる電流によりなされることが好ましい。
【００１０】また前記構成においては、強磁性体層と非
磁性層が、気相成膜法または液相成膜法により形成され
ていることが好ましい。また前記構成においては、磁歪
を有する強磁性体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体
層と、さらにこれら強磁性体層に挟まれた位置に形成さ
れた非磁性導電層とこれらを電気的に絶縁するための非
磁性絶縁層を備え、これら強磁性体層の励起が導体層に
流れる電流によりなされることが好ましい。
磁性層が、気相成膜法または液相成膜法により形成され
ていることが好ましい。また前記構成においては、磁歪
を有する強磁性体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体
層と、さらにこれら強磁性体層に挟まれた位置に形成さ
れた非磁性導電層とこれらを電気的に絶縁するための非
磁性絶縁層を備え、これら強磁性体層の励起が導体層に
流れる電流によりなされることが好ましい。
【００１１】また前記構成においては、非磁性導電層
は、磁気抵抗効果を有する強磁性体層が接続している電
力入出力端子とは別の電力入出力端子に接続しているこ
とが好ましい。
は、磁気抵抗効果を有する強磁性体層が接続している電
力入出力端子とは別の電力入出力端子に接続しているこ
とが好ましい。
【００１２】また前記構成においては、強磁性体層と非
磁性導体層と非磁性絶縁層が、気相成膜法または液相成
膜法により形成されていることが好ましい。また前記構
成においては、磁歪を有する強磁性体層が断面方向から
見て実質的に平行状に２つ存在し、前記２つの強磁性体
層の間のギャップ部分に前記強磁性体層と実質的に平行
に配置された磁気抵抗効果を有する強磁性体層を備え、
前記磁歪を有する２つの強磁性体層の両方の外側にこれ
ら強磁性体層を励磁するための磁石層を備えたことが好
ましい。
磁性導体層と非磁性絶縁層が、気相成膜法または液相成
膜法により形成されていることが好ましい。また前記構
成においては、磁歪を有する強磁性体層が断面方向から
見て実質的に平行状に２つ存在し、前記２つの強磁性体
層の間のギャップ部分に前記強磁性体層と実質的に平行
に配置された磁気抵抗効果を有する強磁性体層を備え、
前記磁歪を有する２つの強磁性体層の両方の外側にこれ
ら強磁性体層を励磁するための磁石層を備えたことが好
ましい。
【００１３】また前記構成においては、強磁性体層と磁
石層が、気相成膜法または液相成膜法により形成されて
いることが好ましい。また前記構成においては、磁歪を
有する強磁性体層がアモルファス磁歪合金であることが
好ましい。
石層が、気相成膜法または液相成膜法により形成されて
いることが好ましい。また前記構成においては、磁歪を
有する強磁性体層がアモルファス磁歪合金であることが
好ましい。
【００１４】また前記構成においては、アモルファス磁
歪合金が、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｓｉ
−Ｂ系，Ｆｅ−Ｖ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ
系，Ｆｅ−Ｗ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ−
Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｎｂ−Ｂ系及びＦｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−
Ｂ系から選ばれる少なくとも一つであることが好まし
い。
歪合金が、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｓｉ
−Ｂ系，Ｆｅ−Ｖ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ
系，Ｆｅ−Ｗ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ−
Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｎｂ−Ｂ系及びＦｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−
Ｂ系から選ばれる少なくとも一つであることが好まし
い。
【００１５】また前記構成においては、アモルファス磁
歪合金が、Ｆｅ75Ｃｒ4 Ｓｉ12.5Ｂ 8.5 であることが好
ましい。また前記構成においては、磁気抵抗効果を有す
る強磁性体層が、ＮｉＦｅ合金膜であることが好まし
い。
歪合金が、Ｆｅ75Ｃｒ4 Ｓｉ12.5Ｂ 8.5 であることが好
ましい。また前記構成においては、磁気抵抗効果を有す
る強磁性体層が、ＮｉＦｅ合金膜であることが好まし
い。
【００１６】また前記構成においては、電気絶縁層がＳ
ｉＯ2 であることが好ましい。また前記構成において
は、基板が金属、ガラスまたはセラミックスから選ばれ
ることが好ましい。
ｉＯ2 であることが好ましい。また前記構成において
は、基板が金属、ガラスまたはセラミックスから選ばれ
ることが好ましい。
【００１７】
【作用】前記本発明の構成によれば、磁歪を有する強磁
性体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層と、これら
強磁性体層を励磁する磁場発生手段と、これらを一体的
に支持する基板を備え、応力による磁気特性の変化に起
因する前記該強磁性体層を通る磁束密度の変化を、磁気
抵抗効果により抵抗値の変化として検出することによ
り、小型かつ薄型で、集積化が可能な高感度の力学量セ
ンサを実現できる。すなわち、薄膜プロセスにより微小
かつ平面状に応力磁気効果を用いた力学量センサを形成
でき、小型化、集積化、高感度化に容易に対応できる。
性体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層と、これら
強磁性体層を励磁する磁場発生手段と、これらを一体的
に支持する基板を備え、応力による磁気特性の変化に起
因する前記該強磁性体層を通る磁束密度の変化を、磁気
抵抗効果により抵抗値の変化として検出することによ
り、小型かつ薄型で、集積化が可能な高感度の力学量セ
ンサを実現できる。すなわち、薄膜プロセスにより微小
かつ平面状に応力磁気効果を用いた力学量センサを形成
でき、小型化、集積化、高感度化に容易に対応できる。
【００１８】前記において、強磁性体層を励磁する磁場
の方向が、応力の方向に対し、実質的に平行であるとい
う好ましい例によれば、応力方向に誘起される磁気異方
性に起因する磁束を有する強磁性体層の透磁率変化を、
最も感度よく検出することができる。
の方向が、応力の方向に対し、実質的に平行であるとい
う好ましい例によれば、応力方向に誘起される磁気異方
性に起因する磁束を有する強磁性体層の透磁率変化を、
最も感度よく検出することができる。
【００１９】また前記において、磁歪を有する強磁性体
層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層と、これらを磁
気的に分離する非磁性層を備え、これら強磁性体層の励
磁が磁気抵抗効果を有する強磁性体層に流れる電流によ
りなされるという好ましい例によれば、磁気抵抗効果を
有する強磁性体層が、磁場発生手段となっているので、
構造が簡単なものとなる。また、発生する磁力がその近
傍に小ループを形成するために、微小部分の歪を効率よ
く検出することができる。
層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層と、これらを磁
気的に分離する非磁性層を備え、これら強磁性体層の励
磁が磁気抵抗効果を有する強磁性体層に流れる電流によ
りなされるという好ましい例によれば、磁気抵抗効果を
有する強磁性体層が、磁場発生手段となっているので、
構造が簡単なものとなる。また、発生する磁力がその近
傍に小ループを形成するために、微小部分の歪を効率よ
く検出することができる。
【００２０】また前記において、強磁性体層と非磁性層
が、気相成膜法または液相成膜法により形成されている
という好ましい例によれば、磁気回路の形状を正確に作
製でき、微細化及び固体化が可能となる。前記気相成膜
法は真空蒸着法またはスパッタ法で行うのが好ましい。
真空蒸着法による成膜は、１０-5Torr以上の高真空中
で、目的物質を電子ビーム加熱または抵抗加熱で蒸発さ
せて行う。スパッタ法による成膜は、真空度１０-2〜１
０-5Torrのアルゴンを主成分とする雰囲気中で、イオン
化させたアルゴンにより目的物質をスパッタ蒸発させる
ことにより行う。液相成膜法はメッキにより行うことが
好ましい。
が、気相成膜法または液相成膜法により形成されている
という好ましい例によれば、磁気回路の形状を正確に作
製でき、微細化及び固体化が可能となる。前記気相成膜
法は真空蒸着法またはスパッタ法で行うのが好ましい。
真空蒸着法による成膜は、１０-5Torr以上の高真空中
で、目的物質を電子ビーム加熱または抵抗加熱で蒸発さ
せて行う。スパッタ法による成膜は、真空度１０-2〜１
０-5Torrのアルゴンを主成分とする雰囲気中で、イオン
化させたアルゴンにより目的物質をスパッタ蒸発させる
ことにより行う。液相成膜法はメッキにより行うことが
好ましい。
【００２１】また前記において、磁歪を有する強磁性体
層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層と、これら強磁
性体層に夾まれた位置に形成された非磁性導体層と、こ
れらを電気的に絶縁するための非磁性絶縁層を備え、こ
れら強磁性体層の励磁が導体層に流れる電流によりなさ
れるという好ましい例によれば、強磁性体層を励起する
ための電流と、センシングのための電流を独立して制御
でき、磁気回路及び電気回路の設計の自由度が高くな
る。また、発生する磁束がその近傍に小ループを形成す
るために、微小部分の歪を効率よく検出することができ
る。
層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層と、これら強磁
性体層に夾まれた位置に形成された非磁性導体層と、こ
れらを電気的に絶縁するための非磁性絶縁層を備え、こ
れら強磁性体層の励磁が導体層に流れる電流によりなさ
れるという好ましい例によれば、強磁性体層を励起する
ための電流と、センシングのための電流を独立して制御
でき、磁気回路及び電気回路の設計の自由度が高くな
る。また、発生する磁束がその近傍に小ループを形成す
るために、微小部分の歪を効率よく検出することができ
る。
【００２２】また前記において、強磁性体層と非磁性導
体層と非磁性絶縁層が、気相成膜法または液相成膜法に
より形成されているという好ましい例によれば、磁気回
路の形状を正確に作製でき、微細化及び固体化が可能と
なる。
体層と非磁性絶縁層が、気相成膜法または液相成膜法に
より形成されているという好ましい例によれば、磁気回
路の形状を正確に作製でき、微細化及び固体化が可能と
なる。
【００２３】また前記において、磁歪を有する強磁性体
層と、該強磁性体層のギャップ部分に該強磁性体層と実
質的に平行に配置された磁気抵抗効果を有する強磁性体
層と、これら強磁性体層を励磁する磁石層からなるとい
う好ましい例によれば、励起のための電流を流す必要が
なく、消費電力を小さくすることができる。
層と、該強磁性体層のギャップ部分に該強磁性体層と実
質的に平行に配置された磁気抵抗効果を有する強磁性体
層と、これら強磁性体層を励磁する磁石層からなるとい
う好ましい例によれば、励起のための電流を流す必要が
なく、消費電力を小さくすることができる。
【００２４】また前記において、強磁性体層と磁石層
が、気相成膜法または液相成膜法により形成されている
という好ましい例によれば、磁気回路の形状を正確に作
製でき、微細化及び固体化が可能となる。
が、気相成膜法または液相成膜法により形成されている
という好ましい例によれば、磁気回路の形状を正確に作
製でき、微細化及び固体化が可能となる。
【００２５】また前記において、磁歪金属薄帯がアモル
ファス磁歪合金であるという好ましい例によれば、力学
量の検出を正確に行える。とくに、アモルファス磁歪合
金が、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｓｉ−Ｂ
系，Ｆｅ−Ｖ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ系，
Ｆｅ−Ｗ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｂ
系，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｎｂ−Ｂ系及びＦｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂ
系から選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。
とくにＦｅ75Ｃｒ4 Ｓｉ12.5Ｂ8.5 が好ましい。アモル
ファス磁歪合金薄帯の組成が、ａｔｏｍ％でＦｅ75Ｃｒ
4 Ｓｉ12.5Ｂ8.5の場合、結晶化温度は４６０℃、飽和
磁歪定数は２２ｐｐｍであった。
ファス磁歪合金であるという好ましい例によれば、力学
量の検出を正確に行える。とくに、アモルファス磁歪合
金が、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｓｉ−Ｂ
系，Ｆｅ−Ｖ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ系，
Ｆｅ−Ｗ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｂ
系，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｎｂ−Ｂ系及びＦｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂ
系から選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。
とくにＦｅ75Ｃｒ4 Ｓｉ12.5Ｂ8.5 が好ましい。アモル
ファス磁歪合金薄帯の組成が、ａｔｏｍ％でＦｅ75Ｃｒ
4 Ｓｉ12.5Ｂ8.5の場合、結晶化温度は４６０℃、飽和
磁歪定数は２２ｐｐｍであった。
【００２６】本発明によれば、磁歪を有する強磁性体層
と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層と、これら強磁性
体層を励磁する磁場発生手段と、これらを一体的に支持
する基板を備え、応力による磁気特性の変化に起因する
前記強磁性体層を通る磁束密度の変化を、磁気抵抗効果
により抵抗値の変化として検出することにより、小型か
つ薄型で、集積化が可能な高感度の力学量センサを実現
できる。その結果、応力磁気効果を利用した、小型かつ
薄型で高感度の力学量センサが提供できる。また、検出
感度の異方性に基づいて、ある方向に沿った応力の強さ
を選択的に検出できる。
と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層と、これら強磁性
体層を励磁する磁場発生手段と、これらを一体的に支持
する基板を備え、応力による磁気特性の変化に起因する
前記強磁性体層を通る磁束密度の変化を、磁気抵抗効果
により抵抗値の変化として検出することにより、小型か
つ薄型で、集積化が可能な高感度の力学量センサを実現
できる。その結果、応力磁気効果を利用した、小型かつ
薄型で高感度の力学量センサが提供できる。また、検出
感度の異方性に基づいて、ある方向に沿った応力の強さ
を選択的に検出できる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。以
下の実施例においては、磁歪を有する強磁性体層は磁歪
層と省略し、磁気抵抗効果を有する強磁性体層は磁気抵
抗素子と省略する。
下の実施例においては、磁歪を有する強磁性体層は磁歪
層と省略し、磁気抵抗効果を有する強磁性体層は磁気抵
抗素子と省略する。
【００２８】（実施例１）図１は、本実施例の力学量セ
ンサの構成を示す平面図である。図２は、図１のI-I 線
断面図である。以下、これらの図面を参照しながら、本
実施例の力学量センサの構成を説明する。
ンサの構成を示す平面図である。図２は、図１のI-I 線
断面図である。以下、これらの図面を参照しながら、本
実施例の力学量センサの構成を説明する。
【００２９】長辺１０ｍｍ、短辺５ｍｍ、厚さ０．５ｍ
ｍの基板１１上の中央部に、縦２ｍｍ×横２ｍｍの面積
（□２ｍｍの面積）、厚さ１μｍの磁歪を有する強磁性
体層である磁歪層１３が形成されている。基板１１の材
質は、非磁性体であれば、金属、セラミックスなどどの
ようなものであってもよく、本実施例においてはチタン
を用いている。基板表面は厚さ０．３μｍのＳｉＯ2 の
絶縁層１２で覆われている。基板１１の形状は、図２に
示されるような平板状あるいは図１の絶縁層１２の裏側
に存在するような長方形に限定されるものではない。図
２の磁歪層１３は、スパッタ法により形成されたＦｅ基
アモルファス合金膜からなり、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｂを
含んでいる。その組成はＦｅ75Ｃｒ4 Ｓｉ12.5Ｂ8.5 で
ある。１ＭＨｚにおける磁歪層１３の比透磁率は１００
０、飽和磁歪定数は＋２２ｐｐｍである。
ｍの基板１１上の中央部に、縦２ｍｍ×横２ｍｍの面積
（□２ｍｍの面積）、厚さ１μｍの磁歪を有する強磁性
体層である磁歪層１３が形成されている。基板１１の材
質は、非磁性体であれば、金属、セラミックスなどどの
ようなものであってもよく、本実施例においてはチタン
を用いている。基板表面は厚さ０．３μｍのＳｉＯ2 の
絶縁層１２で覆われている。基板１１の形状は、図２に
示されるような平板状あるいは図１の絶縁層１２の裏側
に存在するような長方形に限定されるものではない。図
２の磁歪層１３は、スパッタ法により形成されたＦｅ基
アモルファス合金膜からなり、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｂを
含んでいる。その組成はＦｅ75Ｃｒ4 Ｓｉ12.5Ｂ8.5 で
ある。１ＭＨｚにおける磁歪層１３の比透磁率は１００
０、飽和磁歪定数は＋２２ｐｐｍである。
【００３０】この磁歪層１３上には、スパッタ法により
作成されたＳｉＯ2 から成る絶縁層（厚さ：０．２μ
ｍ）１４が形成されている。絶縁層１４上には、基板１
１の短辺方向に直線状（幅５０μｍ、長さ３ｍｍ、厚さ
０．１μｍ）の磁気抵抗素子１５が形成され、入出力端
子１６ａと１６ｂにつながっている。絶縁層１４は非磁
性体であり、磁歪層１３と磁気抵抗素子１５を磁気的に
分離する役割もはたしている。また、磁気抵抗素子１５
は蒸着法で作成されたＮｉＦｅ合金膜からなり、蒸着の
際は磁気抵抗素子１５の長手方向に磁場をかけ、長手方
向を磁化容易軸とする１軸磁気異方性を与えてある。す
なわち、磁気抵抗素子１５は異方性磁気抵抗効果を有す
る。
作成されたＳｉＯ2 から成る絶縁層（厚さ：０．２μ
ｍ）１４が形成されている。絶縁層１４上には、基板１
１の短辺方向に直線状（幅５０μｍ、長さ３ｍｍ、厚さ
０．１μｍ）の磁気抵抗素子１５が形成され、入出力端
子１６ａと１６ｂにつながっている。絶縁層１４は非磁
性体であり、磁歪層１３と磁気抵抗素子１５を磁気的に
分離する役割もはたしている。また、磁気抵抗素子１５
は蒸着法で作成されたＮｉＦｅ合金膜からなり、蒸着の
際は磁気抵抗素子１５の長手方向に磁場をかけ、長手方
向を磁化容易軸とする１軸磁気異方性を与えてある。す
なわち、磁気抵抗素子１５は異方性磁気抵抗効果を有す
る。
【００３１】次に本実施例による力学量センサの動作を
説明する。基板１１の面内方向のうち基板長手方向をＳ
方向とし、磁気抵抗素子１５の長手方向（磁気抵抗素子
１５の磁化容易軸方向）をＥ方向とする。また、応力は
基板表面のＳ方向に生じるように印加して特性変化を測
定した。
説明する。基板１１の面内方向のうち基板長手方向をＳ
方向とし、磁気抵抗素子１５の長手方向（磁気抵抗素子
１５の磁化容易軸方向）をＥ方向とする。また、応力は
基板表面のＳ方向に生じるように印加して特性変化を測
定した。
【００３２】磁場が印加されていないとき、磁気抵抗素
子１５の磁化Ｍs は磁化容易軸方向（Ｅ方向）に揃って
いる。磁気抵抗素子１５に電流を流すと磁場が発生し、
Ｓ方向に、磁気抵抗素子１５と磁歪層１３を通る図２の
ような磁束１７が生じる。その結果、Ｍs はＳ方向に回
転し、Ｅ方向と角度θをなす。よく知られているよう
に、異方性磁気抵抗効果を有する磁気抵抗素子において
は磁化の回転により抵抗変化が生じ、その抵抗変化は下
記式（数１）のように表すことができる。ここで、Ｒは
抵抗値、Ｒ0 はθが０であるときの抵抗値、ΔＲは異方
性磁気抵抗と呼ばれ抵抗変化分を示す定数である。
子１５の磁化Ｍs は磁化容易軸方向（Ｅ方向）に揃って
いる。磁気抵抗素子１５に電流を流すと磁場が発生し、
Ｓ方向に、磁気抵抗素子１５と磁歪層１３を通る図２の
ような磁束１７が生じる。その結果、Ｍs はＳ方向に回
転し、Ｅ方向と角度θをなす。よく知られているよう
に、異方性磁気抵抗効果を有する磁気抵抗素子において
は磁化の回転により抵抗変化が生じ、その抵抗変化は下
記式（数１）のように表すことができる。ここで、Ｒは
抵抗値、Ｒ0 はθが０であるときの抵抗値、ΔＲは異方
性磁気抵抗と呼ばれ抵抗変化分を示す定数である。
【００３３】
【数１】
【００３４】前記式（数１）から明らかなように、磁場
が強くなると抵抗値は減少し、ＭsがＳ方向を向いた時
点（θ＝９０°）で抵抗変化は飽和する。飽和時の磁場
を異方性磁界（Ｈk ）と呼び、本実施例の磁気抵抗素子
のＨk は４８０Ａ／Ｍである。強磁性体による磁気抵抗
素子は、半導体磁気抵抗素子やホール素子に比べ低磁場
での感度が高く、励磁を低磁場で行うことができるとい
う利点がある。本実施例では応力を印加しない状態で、
抵抗がほぼＲ0 −１／２ΔＲになるように電流を調整
し、抵抗変化の中間状態でセンサが動作するようにして
ある。
が強くなると抵抗値は減少し、ＭsがＳ方向を向いた時
点（θ＝９０°）で抵抗変化は飽和する。飽和時の磁場
を異方性磁界（Ｈk ）と呼び、本実施例の磁気抵抗素子
のＨk は４８０Ａ／Ｍである。強磁性体による磁気抵抗
素子は、半導体磁気抵抗素子やホール素子に比べ低磁場
での感度が高く、励磁を低磁場で行うことができるとい
う利点がある。本実施例では応力を印加しない状態で、
抵抗がほぼＲ0 −１／２ΔＲになるように電流を調整
し、抵抗変化の中間状態でセンサが動作するようにして
ある。
【００３５】応力を印加したときの動作について説明す
ると、基板１１に応力が印加されると、磁歪層１３のＳ
方向に応力が生じる。磁歪を有する強磁性体層に応力が
加わると、磁気弾性エネルギーにより、応力方向に磁気
異方性が誘起され、応力方向の透磁率が変化する。磁束
１７と応力の方向は一致しているので、磁束１７の磁束
密度（磁場）が変化し、その結果、Ｍs が回転して磁気
抵抗素子１５の抵抗値が変化する。本実施例においては
正の飽和磁歪定数を有する磁歪層を用いているので、引
っ張り応力の時は透磁率が増加し、圧縮応力の時は減少
する。よって、磁気抵抗素子１５の抵抗値は引っ張り応
力のとき減少し、圧縮応力のとき増加する。応力ゼロの
時の動作点をＲ0 −１／２ΔＲのところに持ってきてい
るのは、抵抗変化の直線性をよくするためである。ま
た、本実施例において、異方性磁気抵抗効果を有する磁
気抵抗素子の長手方向（磁化容易軸方向）が応力印加方
向に対し９０゜をなすように磁気抵抗素子１５を配置し
ているのは発生する磁束の方向と応力の方向を一致さ
せ、応力に対する感度を最大にするためである。磁束の
方向と応力の方向のずれた場合は、応力の磁束方向成分
だけ磁束密度が変化し、得られる抵抗変化Δｒは下記式
（数２）のようになる。ここで、θ’は磁束方向と応力
方向がなす角、Δｒ0 はθ’が０の時のΔｒの値であ
る。
ると、基板１１に応力が印加されると、磁歪層１３のＳ
方向に応力が生じる。磁歪を有する強磁性体層に応力が
加わると、磁気弾性エネルギーにより、応力方向に磁気
異方性が誘起され、応力方向の透磁率が変化する。磁束
１７と応力の方向は一致しているので、磁束１７の磁束
密度（磁場）が変化し、その結果、Ｍs が回転して磁気
抵抗素子１５の抵抗値が変化する。本実施例においては
正の飽和磁歪定数を有する磁歪層を用いているので、引
っ張り応力の時は透磁率が増加し、圧縮応力の時は減少
する。よって、磁気抵抗素子１５の抵抗値は引っ張り応
力のとき減少し、圧縮応力のとき増加する。応力ゼロの
時の動作点をＲ0 −１／２ΔＲのところに持ってきてい
るのは、抵抗変化の直線性をよくするためである。ま
た、本実施例において、異方性磁気抵抗効果を有する磁
気抵抗素子の長手方向（磁化容易軸方向）が応力印加方
向に対し９０゜をなすように磁気抵抗素子１５を配置し
ているのは発生する磁束の方向と応力の方向を一致さ
せ、応力に対する感度を最大にするためである。磁束の
方向と応力の方向のずれた場合は、応力の磁束方向成分
だけ磁束密度が変化し、得られる抵抗変化Δｒは下記式
（数２）のようになる。ここで、θ’は磁束方向と応力
方向がなす角、Δｒ0 はθ’が０の時のΔｒの値であ
る。
【００３６】
【数２】
【００３７】前記式（数２）よりθ’＝９０゜のとき応
力による変化は０になる。よって、温度補償を行う場合
はこの方向に温度補償用の磁気抵抗素子を形成すればよ
い。
力による変化は０になる。よって、温度補償を行う場合
はこの方向に温度補償用の磁気抵抗素子を形成すればよ
い。
【００３８】最後に特性測定の結果について述べる。基
板１１の表面に−５０ppm 〜＋５０ppm の歪が生じるよ
うに応力を印加したところ、１．２％の抵抗変化が得ら
れた。
板１１の表面に−５０ppm 〜＋５０ppm の歪が生じるよ
うに応力を印加したところ、１．２％の抵抗変化が得ら
れた。
【００３９】（実施例２）図３は、本発明による力学量
センサ（第２実施例）の構成を示す平面図である。図４
は、図３のII-II線断面図である。以下、これらの図面
を参照しながら、本実施例の力学量センサについて説明
する。
センサ（第２実施例）の構成を示す平面図である。図４
は、図３のII-II線断面図である。以下、これらの図面
を参照しながら、本実施例の力学量センサについて説明
する。
【００４０】本実施例の力学量センサの構成、材料、作
成プロセスは実施例１の力学量センサとほぼ同じであ
る。異なる点は、磁歪層１３および磁気抵抗素子１５を
励磁するための非磁性導線２１が磁歪層１３と磁気抵抗
素子１５に夾まれる位置に絶縁層１４ａ，１４ｂを介し
て配置されていることである。非磁性導線２１は端子２
２ａ及び２２ｂにつながっている。非磁性導線２１はス
パッタ法で作成したアルミニウム膜からなり、厚さは１
μｍ、幅は磁気抵抗素子１５と同一である。この構成に
より、強磁性層を励磁するための電流と、センシングの
ための電流を独立して制御することができ、磁気回路上
あるいは電気回路上の自由度が高くなる。また、導電率
が高く膜厚の厚い導体層に励磁のための電流を流すの
で、磁気抵抗素子１５の発熱による温度変化は小さくな
る。
成プロセスは実施例１の力学量センサとほぼ同じであ
る。異なる点は、磁歪層１３および磁気抵抗素子１５を
励磁するための非磁性導線２１が磁歪層１３と磁気抵抗
素子１５に夾まれる位置に絶縁層１４ａ，１４ｂを介し
て配置されていることである。非磁性導線２１は端子２
２ａ及び２２ｂにつながっている。非磁性導線２１はス
パッタ法で作成したアルミニウム膜からなり、厚さは１
μｍ、幅は磁気抵抗素子１５と同一である。この構成に
より、強磁性層を励磁するための電流と、センシングの
ための電流を独立して制御することができ、磁気回路上
あるいは電気回路上の自由度が高くなる。また、導電率
が高く膜厚の厚い導体層に励磁のための電流を流すの
で、磁気抵抗素子１５の発熱による温度変化は小さくな
る。
【００４１】動作は実施例１の場合と同様である。非磁
性導線２１に電流を流すと磁場が発生し、Ｓ方向に、磁
気抵抗素子１５と磁歪層１３を通る図４のような磁束２
３が生じる。Ｓ方向に応力を印加すると、磁束２３の磁
束密度が変化し、磁気抵抗素子１５の抵抗値が変化す
る。本実施例においても応力の方向と励磁の方向を合わ
せるため、非磁性導線２１はＳ方向に対し９０度をなし
ている。
性導線２１に電流を流すと磁場が発生し、Ｓ方向に、磁
気抵抗素子１５と磁歪層１３を通る図４のような磁束２
３が生じる。Ｓ方向に応力を印加すると、磁束２３の磁
束密度が変化し、磁気抵抗素子１５の抵抗値が変化す
る。本実施例においても応力の方向と励磁の方向を合わ
せるため、非磁性導線２１はＳ方向に対し９０度をなし
ている。
【００４２】応力に対する抵抗値変化は、実施例１と同
様、基板１１の表面に−５０ppm 〜＋５０ppm の歪が生
じるように応力を印加したところ、１．２％であった。 （実施例３）図５は、本発明による力学量センサ（第３
実施例）の構成を示す平面図である。図６は、図５のII
I-III線断面図である。以下、これらの図面を参照しな
がら、本実施例の力学量センサの構成を説明する。
様、基板１１の表面に−５０ppm 〜＋５０ppm の歪が生
じるように応力を印加したところ、１．２％であった。 （実施例３）図５は、本発明による力学量センサ（第３
実施例）の構成を示す平面図である。図６は、図５のII
I-III線断面図である。以下、これらの図面を参照しな
がら、本実施例の力学量センサの構成を説明する。
【００４３】長辺１０ｍｍ、短辺５ｍｍ、厚さ０．５ｍ
ｍのガラス基板３１上の中央部に、基板３１の短辺方向
に直線状（幅５０μｍ、長さ３ｍｍ、厚さ０．１μｍ）
の磁気抵抗素子３２が形成され、入出力端子３３ａと３
３ｂにつながっている。そして、この磁気抵抗素子３２
を覆うように絶縁層３４が形成されている。絶縁層３４
上には磁気抵抗素子３２と一部重なるように直線状スリ
ットがもうけられた磁歪層３５が形成されている。磁気
抵抗素子３２と絶縁層３４の形状、材料、作成プロセス
は実施例１と同一である。磁歪層３５に関しては厚み及
び作成プロセスが同一である。これらの両側には□２ｍ
ｍの面積、厚さ２μｍの磁石層３６ａ、３６ｂが形成さ
れている。磁石層３６ａ、３６ｂはスパッタ法により作
成されたＣｏＰｔ合金からなる磁石で、基板長手方向に
磁化が向くよう着磁されている。
ｍのガラス基板３１上の中央部に、基板３１の短辺方向
に直線状（幅５０μｍ、長さ３ｍｍ、厚さ０．１μｍ）
の磁気抵抗素子３２が形成され、入出力端子３３ａと３
３ｂにつながっている。そして、この磁気抵抗素子３２
を覆うように絶縁層３４が形成されている。絶縁層３４
上には磁気抵抗素子３２と一部重なるように直線状スリ
ットがもうけられた磁歪層３５が形成されている。磁気
抵抗素子３２と絶縁層３４の形状、材料、作成プロセス
は実施例１と同一である。磁歪層３５に関しては厚み及
び作成プロセスが同一である。これらの両側には□２ｍ
ｍの面積、厚さ２μｍの磁石層３６ａ、３６ｂが形成さ
れている。磁石層３６ａ、３６ｂはスパッタ法により作
成されたＣｏＰｔ合金からなる磁石で、基板長手方向に
磁化が向くよう着磁されている。
【００４４】次に本実施例の力学量センサの動作を説明
する。基板３１の面内方向のうち基板長手方向をＳ方向
とし、磁気抵抗素子３２の長手方向（磁気抵抗素子３２
の磁化容易軸方向）をＥ方向とする。また、応力は基板
表面のＳ方向に生じるように印加して特性変化を測定し
た。
する。基板３１の面内方向のうち基板長手方向をＳ方向
とし、磁気抵抗素子３２の長手方向（磁気抵抗素子３２
の磁化容易軸方向）をＥ方向とする。また、応力は基板
表面のＳ方向に生じるように印加して特性変化を測定し
た。
【００４５】磁石層３６ａ、３６ｂがＳ方向に着磁され
ているので、図６のようにそこから発生する磁束３７は
Ｓ方向に沿って、磁歪層３５および磁気抵抗素子３２を
通る。また、磁石層３６ａ、３６ｂは、応力を印加して
いないときの磁気抵抗素子３２の抵抗値がＲ0 −１／２
ΔＲになるような形状及び配置にしてある。
ているので、図６のようにそこから発生する磁束３７は
Ｓ方向に沿って、磁歪層３５および磁気抵抗素子３２を
通る。また、磁石層３６ａ、３６ｂは、応力を印加して
いないときの磁気抵抗素子３２の抵抗値がＲ0 −１／２
ΔＲになるような形状及び配置にしてある。
【００４６】Ｓ方向に応力を加えると、実施例１と同様
の理由で、磁束３７の磁束密度が変化し、磁気抵抗素子
３２の抵抗値が変化する。本実施例でも励磁の方向と応
力の方向が合うように設計してある。応力と励磁の方向
がずれたときの出力は実施例１と同様になる。
の理由で、磁束３７の磁束密度が変化し、磁気抵抗素子
３２の抵抗値が変化する。本実施例でも励磁の方向と応
力の方向が合うように設計してある。応力と励磁の方向
がずれたときの出力は実施例１と同様になる。
【００４７】応力に対する抵抗値変化は、基板３１の表
面に−５０ppm 〜＋５０ppm の歪が生じるように応力を
印加したところ、１．４％であった。以上実施例１〜３
においては磁歪層としてスパッタ法により作成したＦｅ
基アモルファス合金を用いているが、他の磁歪を有する
強磁性体層でも同様のセンサを構成できるのは当然であ
る。
面に−５０ppm 〜＋５０ppm の歪が生じるように応力を
印加したところ、１．４％であった。以上実施例１〜３
においては磁歪層としてスパッタ法により作成したＦｅ
基アモルファス合金を用いているが、他の磁歪を有する
強磁性体層でも同様のセンサを構成できるのは当然であ
る。
【００４８】以上実施例１〜３においては磁気抵抗素子
として、蒸着法により作成した異方性磁気抵抗効果を示
すＮｉＦｅ合金膜を用いたが、磁場により抵抗値が変化
する他の強磁性体層（例えば巨大磁気抵抗効果；日本応
用磁気学会誌16,pp614-635）でも同様のセンサが構成で
きるのは、本発明のセンサの磁気回路の構成から明らか
である。
として、蒸着法により作成した異方性磁気抵抗効果を示
すＮｉＦｅ合金膜を用いたが、磁場により抵抗値が変化
する他の強磁性体層（例えば巨大磁気抵抗効果；日本応
用磁気学会誌16,pp614-635）でも同様のセンサが構成で
きるのは、本発明のセンサの磁気回路の構成から明らか
である。
【００４９】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、磁歪
を有する強磁性体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体
層と、これら強磁性体層を励磁する磁場発生手段と、こ
れらを一体的に支持する基板を備え、応力による磁気特
性の変化に起因する前記該強磁性体層を通る磁束密度の
変化を、磁気抵抗効果により抵抗値の変化として検出す
ることにより、小型かつ薄型で、集積化が可能な高感度
の力学量センサを実現できる。すなわち、薄膜プロセス
により微小かつ平面状に応力磁気効果を用いた力学量セ
ンサを形成でき、小型化、集積化、高感度化に容易に対
応できる。
を有する強磁性体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体
層と、これら強磁性体層を励磁する磁場発生手段と、こ
れらを一体的に支持する基板を備え、応力による磁気特
性の変化に起因する前記該強磁性体層を通る磁束密度の
変化を、磁気抵抗効果により抵抗値の変化として検出す
ることにより、小型かつ薄型で、集積化が可能な高感度
の力学量センサを実現できる。すなわち、薄膜プロセス
により微小かつ平面状に応力磁気効果を用いた力学量セ
ンサを形成でき、小型化、集積化、高感度化に容易に対
応できる。
【図１】 （ａ）は本発明の実施例１における力学量セ
ンサの平面図であり、（ｂ）は同センサの検出磁気方向
を示す説明図である。
ンサの平面図であり、（ｂ）は同センサの検出磁気方向
を示す説明図である。
【図２】 図１のＩ-Ｉ線断面図である。
【図３】 （ａ）は本発明の実施例２における力学量セ
ンサの平面図であり、（ｂ）は同センサの検出磁気方向
を示す説明図である。
ンサの平面図であり、（ｂ）は同センサの検出磁気方向
を示す説明図である。
【図４】 図３のII-II線断面図である。
【図５】 （ａ）は本発明の実施例３における力学量セ
ンサの平面図であり、（ｂ）は同センサの検出磁気方向
を示す説明図である。
ンサの平面図であり、（ｂ）は同センサの検出磁気方向
を示す説明図である。
【図６】 図５のIII-III線断面図である。
１１，３１ 基板 １２，１４，３４ 絶縁層 １３，３５ 磁歪層 １５，３２ 磁気抵抗素子 １６ａ，１６ｂ，３３ａ，３３ｂ 入出力端子 １７，２３，３７ 磁束 ２１ 非磁性導線 ２２ａ，２２ｂ 端子 ３６ａ，３６ｂ 磁石層
Claims (18)
- 【請求項１】 磁歪を有する強磁性体層と、磁気抵抗効
果を有する強磁性体層と、これら強磁性体層を励磁する
磁場発生手段と、これらを一体的に支持する基板を備
え、応力による磁気特性の変化に起因する前記強磁性体
層を通る磁束密度の変化を、磁気抵抗効果により抵抗値
の変化として検出することを特徴とする力学量センサ。 - 【請求項２】 強磁性体層を励磁する磁場の方向が、応
力の方向に対して実質的に平行である請求項１に記載の
力学量センサ。 - 【請求項３】 基板と磁歪を有する強磁性体層との間
に、さらに電気絶縁層を備えた請求項１に記載の力学量
センサ。 - 【請求項４】 磁歪を有する強磁性体層と、磁気抵抗効
果を有する強磁性体層との間に、さらに電気絶縁層を備
えた請求項１に記載の力学量センサ。 - 【請求項５】 磁気抵抗効果を有する強磁性体層が、電
力入出力端子に接続している請求項１に記載の力学量セ
ンサ。 - 【請求項６】 磁歪を有する強磁性体層と、磁気抵抗効
果を有する強磁性体層との間に、これらを磁気的に分離
する非磁性層を備え、これら強磁性体層の励磁が磁気抵
抗効果を有する強磁性体層に流れる電流によりなされる
請求項１に記載の力学量センサ。 - 【請求項７】 強磁性体層と非磁性層が、気相成膜法ま
たは液相成膜法により形成されている請求項６に記載の
力学量センサ。 - 【請求項８】 磁歪を有する強磁性体層と、磁気抵抗効
果を有する強磁性体層と、さらにこれら強磁性体層に挟
まれた位置に形成された非磁性導電層とこれらを電気的
に絶縁するための非磁性絶縁層を備え、これら強磁性体
層の励起が導体層に流れる電流によりなされる請求項１
に記載の力学量センサ。 - 【請求項９】 非磁性導電層は、磁気抵抗効果を有する
強磁性体層が接続している電力入出力端子とは別の電力
入出力端子に接続している請求項８に記載の力学量セン
サ。 - 【請求項１０】 強磁性体層と非磁性導体層と非磁性絶
縁層が、気相成膜法または液相成膜法により形成されて
いる請求項８記載の力学量センサ。 - 【請求項１１】 磁歪を有する強磁性体層が断面方向か
ら見て実質的に平行状に２つ存在し、前記２つの強磁性
体層の間のギャップ部分に前記強磁性体層と実質的に平
行に配置された磁気抵抗効果を有する強磁性体層を備
え、前記磁歪を有する２つの強磁性体層の両方の外側に
これら強磁性体層を励磁するための磁石層を備えた請求
項１記載の力学量センサ。 - 【請求項１２】 強磁性体層と磁石層が、気相成膜法ま
たは液相成膜法により形成されている請求項１１記載の
力学量センサ。 - 【請求項１３】 磁歪を有する強磁性体層がアモルファ
ス磁歪合金である請求項１に記載の力学量センサ。 - 【請求項１４】 アモルファス磁歪合金が、Ｆｅ−Ｃｒ
−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｖ−Ｓ
ｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｗ−Ｓｉ−
Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｂ系，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｎ
ｂ−Ｂ系及びＦｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｂ系から選ばれる少な
くとも一つである請求項１３に記載の力学量センサ。 - 【請求項１５】 アモルファス磁歪合金が、Ｆｅ75Ｃｒ
4 Ｓｉ12.5Ｂ8.5 である請求項１４に記載の力学量セン
サ。 - 【請求項１６】 磁気抵抗効果を有する強磁性体層が、
ＮｉＦｅ合金膜である請求項１に記載の力学量センサ。 - 【請求項１７】 電気絶縁層がＳｉＯ2 である請求項１
または７に記載の力学量センサ。 - 【請求項１８】 基板が金属、ガラスまたはセラミック
スから選ばれる請求項１に記載の力学量センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7151412A JPH0875570A (ja) | 1994-06-27 | 1995-06-19 | 力学量センサ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-144436 | 1994-06-27 | ||
| JP14443694 | 1994-06-27 | ||
| JP7151412A JPH0875570A (ja) | 1994-06-27 | 1995-06-19 | 力学量センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0875570A true JPH0875570A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=26475845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7151412A Pending JPH0875570A (ja) | 1994-06-27 | 1995-06-19 | 力学量センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0875570A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006064565A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | タイヤセンサユニット、タイヤ状態検出装置及びタイヤ |
| CN104165714A (zh) * | 2014-08-06 | 2014-11-26 | 华中科技大学 | 一种铁磁性细长构件轴力检测方法及装置 |
-
1995
- 1995-06-19 JP JP7151412A patent/JPH0875570A/ja active Pending
Cited By (2)
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