JPH0875580A - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

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JPH0875580A
JPH0875580A JP6212846A JP21284694A JPH0875580A JP H0875580 A JPH0875580 A JP H0875580A JP 6212846 A JP6212846 A JP 6212846A JP 21284694 A JP21284694 A JP 21284694A JP H0875580 A JPH0875580 A JP H0875580A
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JP
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pressure sensor
sensitive element
die pad
pressure
thick film
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JP6212846A
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Motomi Ichihashi
素海 市橋
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 感圧素子が振動等により変位することがな
く、ワイヤボンドの信頼性が高く、小型で安価な半導体
圧力センサを得ることを目的とする。 【構成】 ダイヤフラム１が形成された圧力センサチッ
プ２とガラス台座３とから構成される感圧素子４は、ア
ウターリード７とほぼ同一平面上にあるダイパッド５に
接着樹脂６によりダイボンドされている。ダイパッド５
の対向する側面には２組の吊りリード１６が設けられて
おり、この吊りリード１６によりダイパッド５がパッケ
ージベース１０に固定されている。 【効果】 ダイパッドがパッケージベースに確実に接着
され、振動等により金属線の断線が防止でき、安価で小
型な半導体圧力センサが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体圧力センサ、
特に、陽極接合により感圧素子が形成され、自動車等に
使用される半導体圧力センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の半導体圧力センサを示す
断面図である。図において、ダイヤフラム１を形成した
圧力センサチップ２は、ガラス台座３と陽極接合するこ
とにより感圧素子４が形成されている。この感圧素子４
は、接着樹脂６により沈めダイパッド５ａにダイボンド
されている。また、圧力センサチップ２とアウターリー
ド７とは、金属線８により電気的に接続されている。
【０００３】ここで、沈めダイパッド５ａとアウターリ
ード７とは、製造過程ではリードフレームの状態で一体
となっている。このリードフレームをパッケージフタ９
とパッケージベース１０とで挟み込むようにして例えば
エポキシ樹脂等の接着樹脂１１で固定し、リードフレー
ムの枠を切断して圧力センサエレメント１２を形成す
る。この圧力センサエレメント１２を、図示しないリー
ド線を備えた厚膜基板１３例えばセラミック基板やハイ
ブリッドＩＣ基板にアウターリード７により半田１４で
実装して半導体圧力センサ１５を作製する。
【０００４】従来の半導体圧力センサ１５は上述したよ
うに構成され、圧力センサチップ２に形成されたダイヤ
フラム１は、例えば真空中で圧力センサチップ２とガラ
ス台座３とを陽極接合により接合することで真空室とな
る。この真空室が基準圧力となり、外圧がパッケージフ
タ９の開口部から圧力センサチップ２の表面に加わる
と、薄肉化しているダイヤフラム１が歪み、圧力センサ
チップ２の表面に形成されているゲージ抵抗（図示しな
い）がピエゾ抵抗効果により変化することで、ゲージ抵
抗で構成されるブリッジ回路により圧力に応じた出力信
号を発生する。発生する出力信号は、金属線８を介しア
ウターリード７から取り出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような半導体
圧力センサでは、ダイパッド沈めを行う際、沈め量のば
らつきにより沈めダイパッド５ａがパッケージベース１
０と接着していない場合がある。この時、沈めダイパッ
ド５ａのパッケージベース１０への固定は、図６に示す
ように、吊りリード１６による片側のみで行われていた
ため、振動等により感圧素子４が変位し、金属線８が断
線することにより圧力センサチップ２の電気的信号が断
たれるという問題点があった。
【０００６】また、ダイパッドの沈めがあるため、パッ
ケージが大きく、加工も難しいという問題点もあった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、感圧素子が振動等により変位することがな
く、ワイヤボンドの信頼性が高く、小型で安価な半導体
圧力センサを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る半導体圧力センサは、ダイヤフラムが形成された
圧力センサチップを陽極接合によりガラス台座と接着し
た感圧素子と、この感圧素子を支持するパッケージベー
スと、このパッケージベースと組み合わされて上記感圧
素子を内部に収容するパッケージを構成するパッケージ
フタと、上記パッケージベースと上記パッケージフタと
の間に挟まれて保持されるアウターリードと、上記パッ
ケージベース、上記パッケージフタ及び上記アウターリ
ードを接着する接着樹脂と、上記感圧素子を搭載して上
記パッケージベースに固着され、かつ上記アウターリー
ドと同一平面上にあるダイパッドと、上記感圧素子、上
記ダイパッド及び上記パッケージベースを接着する接着
樹脂と、上記感圧素子と上記アウターリードとを電気的
に接続する金属線と、上記パッケージが上記アウターリ
ードにより実装される厚膜基板とを備えたものである。
【０００８】この発明の請求項第２項に係る半導体圧力
センサは、ダイパッドの対向する２辺にダイパッドをパ
ッケージベースに固定する吊りリードを設けたものであ
る。
【０００９】この発明の請求項第３項に係る半導体圧力
センサは、ガラス台座の厚さを１ｍｍ以下としたもので
ある。
【００１０】この発明の請求項第４項に係る半導体圧力
センサは、感圧素子とダイパッドとの間の接着樹脂厚さ
を厚くしたものである。
【００１１】この発明の請求項第５項に係る半導体圧力
センサは、ダイヤフラムが形成された圧力センサチップ
を陽極接合によりガラス台座と接着した感圧素子と、こ
の感圧素子を支持する厚膜基板と、上記感圧素子を覆っ
て上記厚膜基板に設けられたパッケージフタと、上記パ
ッケージフタを上記厚膜基板に接着する接着樹脂と、上
記感圧素子を上記厚膜基板に固着する接着樹脂と、上記
感圧素子と上記厚膜基板とを電気的に接続する金属線と
を備えたものである。
【００１２】この発明の請求項第６項に係る半導体圧力
センサは、ガラス台座の厚さを１ｍｍ以下としたもので
ある。
【００１３】この発明の請求項第７項に係る半導体圧力
センサは、感圧素子と厚膜基板との間の接着樹脂厚さを
厚くしたものである。
【００１４】この発明の請求項第８項に係る半導体圧力
センサは、圧力センサチップに１つの圧力検出回路と２
つ以上の増幅回路とを設けたものである。
【００１５】
【作用】この発明の請求項第１項においては、ダイパッ
ドとアウターリードとが同一平面上にあるので、ダイパ
ッド沈めを不要とし、ダイパッドのパッケージベースへ
の接着を確実にする。
【００１６】この発明の請求項第２項においては、吊り
リードをダイパッドの対向する２辺に設けたので、振動
等による金属線の断線を防止する。
【００１７】この発明の請求項第３項においては、ガラ
ス台座の厚さを１ｍｍ以下とするので、金属線のワイヤ
ボンド時の段差を小さくできる。
【００１８】この発明の請求項第４項においては、感圧
素子とダイパッドとの間の接着樹脂の厚さを厚くするの
で、接着樹脂で外部応力を吸収でき、ガラス台座の厚さ
を薄くすることができる。
【００１９】この発明の請求項第５項においては、感圧
素子を厚膜基板に実装するので、圧力センサエレメント
の組み立てが不要となる。
【００２０】この発明の請求項第６項においては、請求
項第５項の半導体圧力センサにおけるガラス台座の厚さ
を１ｍｍ以下とするので、金属線のワイヤボンド時の段
差を小さくできる。
【００２１】この発明の請求項第７項においては、請求
項第５項の半導体圧力センサにおける感圧素子と厚膜基
板との間の接着樹脂の厚さを厚くするので、接着樹脂で
外部応力を吸収でき、ガラス台座の厚さを薄くすること
ができる。
【００２２】この発明の請求項第８項においては、請求
項第５項の半導体圧力センサにおける圧力センサチップ
に２つ以上の増幅回路を設けたので、他の圧力センサエ
レメントの増幅回路を別途に設ける必要がない。
【００２３】
【実施例】
実施例１．図１は、この発明の実施例１による半導体圧
力センサを示す断面図である。なお、各図中、同一符号
は同一又は相当部分を示している。図において、ダイヤ
フラム１を形成した圧力センサチップ２は、ガラス台座
３と陽極接合することにより感圧素子４が形成されてい
る。この感圧素子４は、接着樹脂６によりダイパッド沈
めの行われていないダイパッド５にダイボンドされてい
る。このダイパッド５は、アウターリード７とほぼ同一
平面上にある。また、図２に示すように、ダイパッド５
の対向する２側面には、２組の吊りリード１６が設けら
れている。なお、図２において、片側のアウターリード
７の図示は省略してある。
【００２４】上述したように構成された半導体圧力セン
サにおいて、ガラス台座３は外部応力低減のためその厚
さは従来３ｍｍ程度必要であった。しかし、接着樹脂６
（ダイボンド樹脂）の厚さを厚くすることにより接着樹
脂６で外部応力を吸収できるので、ガラス台座３の厚さ
を１ｍｍ以下例えば０．５ｍｍとすることが可能とな
る。ガラス台座３の厚さを１ｍｍ以下とすることで、金
属線８のワイヤボンド時の段差を小さく抑え、ワイヤボ
ンドの信頼性、作業容易性を確保することが可能とな
る。接着樹脂６としては、例えばシリコン樹脂を使用す
ることができる。接着樹脂６の厚さを厚くするには、ダ
イパッド５に接着樹脂６を塗布した後に熱硬化させ、再
度接着樹脂６を塗布して感圧素子４を搭載した後、接着
樹脂６を熱硬化させる、あるいは、ダイパッド５の中央
部に溝（図示しない）を設け、接着樹脂６の樹脂厚を厚
くすること等により達成できる。
【００２５】実施例２．図３は、この発明の実施例２に
よる半導体圧力センサを示す断面図である。図におい
て、ダイヤフラム１が形成された圧力センサチップ２と
ガラス台座３とから構成される感圧素子４は、接着樹脂
６により直接厚膜基板１３にダイボンドされている。ま
た、厚膜基板１３の図示しない金属パッドと圧力センサ
チップ２とは、金属線８により電気的に接続されてい
る。感圧素子４や金属線８等を保護するために、これら
をパッケージフタ９で覆い、接着樹脂１１で厚膜基板１
３に接着されている。
【００２６】この時、ガラス台座３の厚さを１ｍｍ以下
とすることで、ワイヤボンド時の段差を小さくすること
ができ、厚膜基板１３の図示しない金属パッドに直接ワ
イヤボンドが可能となる。なお、接着樹脂６の厚さを厚
くする方法は、実施例１と同様な方法が適用できる。上
述したような構成により、従来の圧力センサエレメント
１２の組み立てが不要となり、安価で小型の半導体圧力
センサ１５を得ることができる。
【００２７】実施例３．図４は、この発明の実施例３に
用いる圧力センサエレメントの概略側面図である。実施
例３では、図３に示す圧力センサチップ２に、圧力検出
回路だけでなく他の圧力センサエレメント１７の増幅回
路も一緒に設けている。このような構成により、半導体
圧力センサ１５を他の圧力センサエレメント１７と組み
合わせて使用することにより、他の圧力センサエレメン
ト１７の増幅回路を別途に設ける必要がなくなり、部品
点数を減少することができる。例えば、他の圧力センサ
エレメント１７用にオペアンプＩＣを実装したハイブリ
ッドＩＣ厚膜基板が必要となるが、圧力センサエレメン
ト１７の増幅回路を圧力センサチップ２に設けることに
より、このようなハイブリッドＩＣ厚膜基板は不要とな
る。また、大気圧測定、油圧測定等用途の異なる複数の
圧力センサエレメント用増幅回路を圧力センサチップ２
に設けておき、厚膜基板１３へのワイヤボンドを選択的
に実施することで、あらゆる圧力センサエレメントと組
み合わせることも可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第１項は、ダイヤフラムが形成された圧力センサチップ
を陽極接合によりガラス台座と接着した感圧素子と、こ
の感圧素子を支持するパッケージベースと、このパッケ
ージベースと組み合わされて上記感圧素子を内部に収容
するパッケージを構成するパッケージフタと、上記パッ
ケージベースと上記パッケージフタとの間に挟まれて保
持されるアウターリードと、上記パッケージベース、上
記パッケージフタ及び上記アウターリードを接着する接
着樹脂と、上記感圧素子を搭載して上記パッケージベー
スに固着され、かつ上記アウターリードと同一平面上に
あるダイパッドと、上記感圧素子、上記ダイパッド及び
上記パッケージベースを接着する接着樹脂と、上記感圧
素子と上記アウターリードとを電気的に接続する金属線
と、上記パッケージが上記アウターリードにより実装さ
れる厚膜基板とを備えたので、ダイパッド沈めを不要と
し、ダイパッドのパッケージベースへの接着を確実にす
るという効果を奏する。
【００２９】この発明の請求項第２項は、ダイパッドの
対向する２辺にダイパッドをパッケージベースに固定す
る吊りリードを設けたので、振動等により金属線の断線
を防止することができるという効果を奏する。
【００３０】この発明の請求項第３項は、ガラス台座の
厚さを１ｍｍ以下としたので、金属線のワイヤボンド時
の段差を低減することができるという効果を奏する。
【００３１】この発明の請求項第４項は、感圧素子とダ
イパッドとの間の接着樹脂厚さを厚くしたので、接着樹
脂で外部応力を吸収でき、ガラス台座の厚さを薄くする
ことができるという効果を奏する。
【００３２】この発明の請求項第５項は、ダイヤフラム
が形成された圧力センサチップを陽極接合によりガラス
台座と接着した感圧素子と、この感圧素子を支持する厚
膜基板と、上記感圧素子を覆って上記厚膜基板に設けら
れたパッケージフタと、上記パッケージフタを上記厚膜
基板に接着する接着樹脂と、上記感圧素子を上記厚膜基
板に固着する接着樹脂と、上記感圧素子と上記厚膜基板
とを電気的に接続する金属線とを備えたので、圧力セン
サエレメントの組み立てが不要となり、安価で小型の半
導体圧力センサが得られるという効果を奏する。
【００３３】この発明の請求項第６項は、請求項第５項
の半導体圧力センサにおけるガラス台座の厚さを１ｍｍ
以下としたので、金属線のワイヤボンド時の段差を低減
することができるという効果を奏する。
【００３４】この発明の請求項第７項は、請求項第５項
の半導体圧力センサにおける感圧素子と厚膜基板との間
の接着樹脂厚さを厚くしたので、接着樹脂で外部応力を
吸収でき、ガラス台座の厚さを薄くすることができると
いう効果を奏する。
【００３５】この発明の請求項第８項は、請求項第５項
に半導体圧力センサにおける圧力センサチップに１つの
圧力検出回路と２つ以上の増幅回路とを設けたので、他
の圧力センサエレメントの増幅回路等を別途に設ける必
要がなくなり、部品点数を減少することができるという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施例１による半導体圧力センサ
を示す断面図である。
【図２】 この発明の実施例１によりダイパッドが２組
の吊りリードでパッケージベースに固定された状態を示
す概略平面図である。
【図３】 この発明の実施例２による半導体圧力センサ
を示す断面図である。
【図４】 この発明の実施例３に用いる圧力センサエレ
メントを示す概略側面図である。
【図５】 従来の半導体圧力センサを示す断面図であ
る。
【図６】 従来の半導体圧力センサにおけるダイパッド
が吊りリードでパッケージベースに固定された状態を示
す概略平面図である。
【符号の説明】
１ ダイヤフラム、２ 圧力センサチップ、３ ガラス
台座、４ 感圧素子、５ ダイパッド、６ 接着樹脂、
７ アウターリード、８ 金属線、９ パッケージフ
タ、１０ パッケージベース、１１ 接着樹脂、１２
圧力センサエレメント、１３ 厚膜基板、１４ 半田、
１５ 半導体圧力センサ、１６ 吊りリード、１７ 圧
力センサエレメント。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ダイヤフラムが形成された圧力センサチ
    ップを陽極接合によりガラス台座と接着した感圧素子
    と、 この感圧素子を支持するパッケージベースと、 このパッケージベースと組み合わされて上記感圧素子を
    内部に収容するパッケージを構成するパッケージフタ
    と、 上記パッケージベースと上記パッケージフタとの間に挟
    まれて保持されるアウターリードと、 上記パッケージベース、上記パッケージフタ及び上記ア
    ウターリードを接着する接着樹脂と、 上記感圧素子を搭載して上記パッケージベースに固着さ
    れ、かつ上記アウターリードと同一平面上にあるダイパ
    ッドと、 上記感圧素子、上記ダイパッド及び上記パッケージベー
    スを接着する接着樹脂と、 上記感圧素子と上記アウターリードとを電気的に接続す
    る金属線と、 上記パッケージが上記アウターリードにより実装される
    厚膜基板とを備えたことを特徴とする半導体圧力セン
    サ。
  2. 【請求項２】 ダイパッドの対向する２辺にダイパッド
    をパッケージベースに固定する吊りリードを設けたこと
    を特徴とする請求項第１項記載の半導体圧力センサ。
  3. 【請求項３】 ガラス台座の厚さは１ｍｍ以下であるこ
    とを特徴とする請求項第１項又は第２項記載の半導体圧
    力センサ。
  4. 【請求項４】 感圧素子とダイパッドとの間の接着樹脂
    厚さを厚くすることを特徴とする請求項第３項記載の半
    導体圧力センサ。
  5. 【請求項５】 ダイヤフラムが形成された圧力センサチ
    ップを陽極接合によりガラス台座と接着した感圧素子
    と、 この感圧素子を支持する厚膜基板と、 上記感圧素子を覆って上記厚膜基板に設けられたパッケ
    ージフタと、 上記パッケージフタを上記厚膜基板に接着する接着樹脂
    と、 上記感圧素子を上記厚膜基板に固着する接着樹脂と、 上記感圧素子と上記厚膜基板とを電気的に接続する金属
    線とを備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。
  6. 【請求項６】 ガラス台座の厚さは１ｍｍ以下であるこ
    とを特徴とする請求項第５項記載の半導体圧力センサ。
  7. 【請求項７】 感圧素子と厚膜基板との間の接着樹脂厚
    さを厚くすることを特徴とする請求項第６項記載の半導
    体圧力センサ。
  8. 【請求項８】 圧力センサチップには、１つの圧力検出
    回路と２つ以上の増幅回路とを設けたことを特徴とする
    請求項第５項ないし第７項のいずれか記載の半導体圧力
    センサ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010001504A1 (ja) * 2008-07-02 2010-01-07 オムロン株式会社 電子部品

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3383081B2 (ja) * 1994-07-12 2003-03-04 三菱電機株式会社 陽極接合法を用いて製造した電子部品及び電子部品の製造方法
US5625227A (en) * 1995-01-18 1997-04-29 Dell Usa, L.P. Circuit board-mounted IC package cooling apparatus
JP2842355B2 (ja) * 1996-02-01 1999-01-06 日本電気株式会社 パッケージ
US5821595A (en) * 1996-05-15 1998-10-13 Dresser Industries, Inc. Carrier structure for transducers
JPH10288625A (ja) * 1997-04-15 1998-10-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体加速度検出装置
US5986316A (en) * 1997-11-26 1999-11-16 Denso Corporation Semiconductor type physical quantity sensor
JPH11295172A (ja) * 1998-04-06 1999-10-29 Denso Corp 半導体圧力センサ
WO2000079232A1 (de) * 1999-06-18 2000-12-28 Siemens Aktiengesellschaft Sensoreinrichtung mit eingeklebtem sensorelement
US6236095B1 (en) 2000-02-15 2001-05-22 Dresser Equipment Goup, Inc. Carrier structure for semiconductor transducers
JP2003084008A (ja) * 2001-09-10 2003-03-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体デバイス
CN101620022B (zh) * 2008-07-01 2011-12-21 欣兴电子股份有限公司 压力感测元件封装及其制作方法
US8378435B2 (en) 2010-12-06 2013-02-19 Wai Yew Lo Pressure sensor and method of assembling same
CN102589753B (zh) 2011-01-05 2016-05-04 飞思卡尔半导体公司 压力传感器及其封装方法
US20130098160A1 (en) * 2011-10-25 2013-04-25 Honeywell International Inc. Sensor with fail-safe media seal
US9029999B2 (en) 2011-11-23 2015-05-12 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor device with footed lid
US9297713B2 (en) 2014-03-19 2016-03-29 Freescale Semiconductor,Inc. Pressure sensor device with through silicon via
JP2015224903A (ja) * 2014-05-26 2015-12-14 株式会社東芝 圧力センサ、マイクロフォン、超音波センサ、血圧センサ及びタッチパネル
US9362479B2 (en) 2014-07-22 2016-06-07 Freescale Semiconductor, Inc. Package-in-package semiconductor sensor device
CN107290096A (zh) 2016-04-11 2017-10-24 飞思卡尔半导体公司 具有膜片的压力感测集成电路器件
CN107527874B (zh) 2016-06-20 2023-08-01 恩智浦美国有限公司 腔式压力传感器器件
EP3260821B1 (en) 2016-06-21 2019-09-11 ams International AG Sensor package and method of producing the sensor package
DE102016115197A1 (de) * 2016-08-16 2018-02-22 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Füllkörper zur Reduktion eines Volumens einer Druckmesskammer

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4129042A (en) * 1977-11-18 1978-12-12 Signetics Corporation Semiconductor transducer packaged assembly
JPS5530842A (en) * 1978-08-28 1980-03-04 Nissan Motor Co Ltd Semiconductor pressure sensor
JPH0582696A (ja) * 1991-09-19 1993-04-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のリードフレーム
JPH06132545A (ja) * 1992-10-19 1994-05-13 Mitsubishi Electric Corp 圧力検出装置
JP3285971B2 (ja) * 1992-11-04 2002-05-27 株式会社フジクラ 半導体圧力センサ
US5459351A (en) * 1994-06-29 1995-10-17 Honeywell Inc. Apparatus for mounting an absolute pressure sensor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010001504A1 (ja) * 2008-07-02 2010-01-07 オムロン株式会社 電子部品
JP2010016077A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Omron Corp 電子部品

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