JPH0875774A - 圧電体素子、これを用いて構成された加速度センサ及び圧電体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】信号取出電極を構成する表面電極と外部引出電
極との接続及び導通を安定化することができ、圧電セラ
ミック体における脱分極が起こる恐れのない圧電体素
子、これを用いて構成された加速度センサ及び圧電体素
子の製造方法を提供する。 【構成】本発明に係る圧電体素子は、内部電極２が埋設
された板状の圧電セラミック体３の互いに対向する主表
面上それぞれには信号取出電極１が設けられており、各
信号取出電極１は、圧電セラミック体３の長手方向に沿
って区分された中央部６ａ，７ａ及び端部６ｂ，７ｂの
各々と対応する位置ごとに分離して形成された厚膜形状
の表面電極４と、同一の主表面上に形成された表面電極
４を覆って形成された薄膜形状の接続電極５とを積層し
たものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、圧電体素子、これを用
いて構成された加速度センサ及び圧電体素子の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、衝撃検出用などとして使用さ
れる加速度センサのうちには圧電体素子を組み込んで構
成されたものがあり、これら圧電体素子のうちには図１
で示すようなバイモルフ構造を有するものがある。すな
わち、この圧電体素子は、主表面上それぞれに信号取出
電極１が形成され、かつ、これら信号取出電極１と平行
状態の内部電極２が埋設された板状の圧電セラミック体
３を具備して構成されたものであり、信号取出電極１の
それぞれは３つずつの表面電極４及びこれらを覆う接続
電極５が積層されたものとなっている。そして、これら
信号取出電極１のうちの一方側（図では、上側）は圧電
セラミック体３の一方側外端面（図では、左側）にまで
延出される一方、他方側（図では、下側）の信号取出電
極１は他方側外端面（図では、右側）にまで延出されて
いる。

【０００３】また、内部電極２を挟んだうえで対向する
ことによって圧電セラミック体３を構成するセラミック
領域６，７それぞれの長手方向は３つずつの部分、つま
り加速度の作用時に発生する応力の変化する境界線を介
したうえでの中央部６ａ，７ａと端部６ｂ，７ｂとに区
分されており、セラミック領域６，７それぞれの中央部
６ａ，７ａと端部６ｂ，７ｂとは厚み方向に沿って互い
に異なる向きに分極処理されるとともに、中央部６ａ，
７ａ及び端部６ｂ，７ｂの各々とが互いに逆となる向き
に従って分極処理されている。すなわち、この際におけ
るセラミック領域６の中央部６ａ及び端部６ｂそれぞれ
は互いに異なる分極の向きＡ，Ｂを有し、かつ、セラミ
ック領域７の中央部７ａ及び端部７ｂそれぞれは互いに
異なる分極の向きＣ，Ｄを有するように分極処理されて
おり、同時に、中央部６ａ，７ａにおける分極の向きＡ
とＣとは互いに近ずく内向きとされる一方、両者の端部
６ｂ，７ｂにおける分極の向きＢとＤとは互いに遠ざか
る外向きとされている。

【０００４】さらに、この圧電体素子の長手方向に沿う
両端縁は側面視「コ」字形状とされた一対の挟持枠体８
によって固定支持されており、圧電セラミック体３の主
表面上に形成された信号取出電極１の各々は圧電セラミ
ック体３及び挟持枠体８の互いに異なる外端面上に形成
された外部引出電極９，１０のそれぞれに対して接続さ
れている。ところで、上記構成の圧電体素子を用いるの
は、以下のような理由に基づいている。すなわち、この
圧電体素子に対して加速度が作用した場合には、圧電セ
ラミック体３を構成するセラミック領域６，７それぞれ
の中央部６ａ，７ａ及び端部６ｂ，７ｂが慣性力の作用
によって変形することになり、これらの各部６ａ，７
ａ，６ｂ，７ｂは変形に伴って生じた引張応力もしくは
圧縮応力を受けることになる。そこで、これらの各部６
ａ，７ａ，６ｂ，７ｂでは、各々の分極の向きＡ〜Ｄと
受けた応力との相乗効果によって電荷発生量が増大する
ことになり、圧電体素子の全体における電荷発生量が増
大する結果、加速度センサの検出感度が向上するという
利点が得られるのである。

【０００５】次に、図１で示した構成を有する圧電体素
子の製造方法を、図２及び図３で示す工程斜視図に基づ
いて手順を追って説明する。なお、これらの図において
は、個々の圧電体素子に見合う大きさ及び形状の範囲を
仮想線で区切ることによって示している。

【０００６】まず、図２（ａ）で示すように、並列配置
された内部電極２の複数個分に見合う帯状の内部電極層
１１が複数列にわたって埋設され、かつ、圧電体素子と
なる圧電セラミック体３の多数個に見合う大きさ及び形
状とされた矩形平板状の圧電セラミック基体１２を用意
する。そして、この圧電セラミック基体１２の互いに対
向する主表面上それぞれには、個々の圧電セラミック体
３、すなわち、内部電極２を介して対向するセラミック
領域６，７それぞれの長手方向に沿って区分された中央
部６ａ，７ａ及び端部６ｂ，７ｂの各々と対応すること
になる位置ごとに分離して配置された帯状の表面電極層
１３を複数列にわたって形成する。そこで、この際、一
列状として並列配置された圧電セラミック体３群に対応
する範囲ごとには、３列分ずつの表面電極層１３が並列
形成されていることになる。

【０００７】その後、図２（ｂ）で示すように、内部電
極層１１と表面電極層１３の各々とを用いたうえ、各圧
電セラミック体３を構成するセラミック領域６，７それ
ぞれの中央部６ａ，７ａ及び端部６ｂ，７ｂに対する分
極処理を行う。ところで、この際、各部６ａ，７ａ，６
ｂ，７ｂの分極処理は、図１で示した通りの分極の向き
Ａ〜Ｄとなるよう設定したうえで行われる。そして、図
２（ｃ）で示すように、圧電セラミック基体１２におけ
る同一の主表面上に形成され、かつ、一列状の圧電セラ
ミック体３群それぞれに対応する３列分ずつの表面電極
層１３を覆ったうえで導通させる接続電極層１４を形成
する。なお、ここでの表面電極層１３及び接続電極層１
４は、個々の圧電体素子における信号取出電極１を構成
する表面電極４及び接続電極５となるものである。

【０００８】引き続き、図３（ａ）で示すように、内表
面側の所定位置ごとに所定幅寸法の凹溝１５が形成され
た挟持枠基体１６を用意し、かつ、表面電極層１３及び
接続電極層１４が積層して形成された圧電セラミック基
体１２の主表面上それぞれに対して挟持枠基体１６の各
々を貼り合わせることによって一体化する。さらに、個
々の圧電体素子に見合う大きさ及び形状の範囲を区切る
べく設定された仮想線に従って圧電セラミック基体１２
及び挟持枠基体１６を切断すると、図３（ｂ）で示すよ
うな構成となった単品ずつの圧電体素子、すなわち、３
つの表面電極４及びこれらを覆う接続電極５からなる信
号取出電極１が主表面上それぞれに形成された圧電セラ
ミック体３と一対の挟持枠体８とを具備した圧電体素子
が得られる。そして、この際、信号取出電極１を構成す
る表面電極４は、圧電体素子の外端面に露出している。
そこで、得られた圧電体素子それぞれの外端面上、すな
わち、圧電セラミック体３及び挟持枠体８の外端面上に
外部引出電極９，１０を形成すると、図１で示したバイ
モルフ構造の圧電体素子として完成し、各信号取出電極
１を構成する表面電極４の各々は外部引出電極９，１０
のそれぞれと「Ｔ」字形に接続されたうえで導通してい
ることになる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来例
に係る圧電体素子及びその製造方法においては、次のよ
うな不都合が生じることがあった。すなわち、まず、圧
電セラミック基体１２の主表面上それぞれに形成された
表面電極層１３の厚みは形成条件によって薄くなること
があり、これら表面電極層１３の厚みが薄くなっている
場合には、各圧電体素子の外端面上に形成された外部引
出電極９，１０のそれぞれと各信号取出電極１を構成す
る表面電極４との接続及び導通が不安定化してしまう。
また、圧電セラミック基体１２の同一面上における表面
電極層１３を導通させるための接続電極層１４を一般的
な手法、つまり導電ぺーストのスクリーン印刷を行った
うえで焼き付け処理するというような手法を採用したう
えで形成した場合には、焼き付け時に加わる熱の影響に
よって圧電セラミック基体１２、すなわち、圧電セラミ
ック体３における脱分極が起こってしまうことがある。
その結果、従来の圧電体素子を用いて構成された加速度
センサにおいては、検出感度の低下が生じることがある
ほか、量産性の低下を招くことになっていた。

【００１０】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、信号取出電極を構成する表面電極
と外部引出電極との接続及び導通を安定化することがで
き、圧電セラミック体における脱分極が起こる恐れのな
い圧電体素子、これを用いて構成された加速度センサ及
び圧電体素子の製造方法を提供しようとするものであ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る圧電体素子
は、内部電極が埋設された板状の圧電セラミック体の互
いに対向する主表面上それぞれには信号取出電極が設け
られており、各信号取出電極は、圧電セラミック体の長
手方向に沿って区分された中央部及び端部の各々と対応
する位置ごとに分離して形成された厚膜形状の表面電極
と、同一の主表面上に形成された表面電極を覆って形成
された薄膜形状の接続電極とを積層したものであること
を特徴としている。そして、本発明に係る加速度センサ
は、上記圧電体素子を用いて構成されたものである。

【００１２】また、本発明に係る圧電体素子の第１の製
造方法は、内部電極が埋設された板状の圧電セラミック
体を用意し、その互いに対向する主表面上それぞれに
は、圧電セラミック体の長手方向に沿う中央部及び端部
の各々と対応する位置ごとに分離して配置された厚膜形
状の表面電極を導電ペーストの焼き付け処理によって形
成する工程と、内部電極と表面電極とを用いて圧電セラ
ミック体の中央部及び端部に対する分極処理を行う工程
と、同一の主表面上に形成された表面電極を覆う薄膜形
状の接続電極をスパッタリング処理によって形成する工
程とを含むことを特徴としている。

【００１３】さらに、第２の製造方法は、内部電極が形
成された一方側主表面が貼り合わされて板状の圧電セラ
ミック体となる一対の圧電セラミック板を用意し、各圧
電セラミック板の他方側主表面上には、圧電セラミック
板の長手方向に沿う中央部及び端部の各々と対応する位
置ごとに分離して配置された厚膜形状の分極電極を導電
ペーストの焼き付け処理によって形成する工程と、内部
電極と表面電極とを用いて各圧電セラミック板の中央部
及び端部に対する分極処理を行う工程と、各圧電セラミ
ック板の他方側主表面上に形成された表面電極を覆う薄
膜形状の接続電極をスパッタリング処理によって形成す
る工程と、各圧電セラミック板の一方側主表面同士を貼
り合わせて圧電セラミック体を構成する工程とを含むこ
とを特徴とするものである。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。

【００１５】図１は本実施例に係る圧電体素子の構成を
簡略化して示す一部破断斜視図、図２はその製造方法の
前段階を示す工程斜視図、図３はその製造方法の後段階
を示す工程斜視図であり、ここでは従来例を示す図１な
いし図３を利用して本実施例の説明を行うこととする。

【００１６】本実施例に係る圧電体素子は従来例と基本
的に同一のバイモルフ構造を有するものであり、図１で
示すように、内部電極２が埋設された板状の圧電セラミ
ック体３を具備している。そして、この際、内部電極２
を介したうえで対向するセラミック領域６，７それぞれ
の長手方向に沿って区分された中央部６ａ，７ａ及び端
部６ｂ，７ｂの各々が厚み方向に沿って互いに異なる向
きに分極処理され、かつ、中央部６ａ，７ａ及び端部６
ｂ，７ｂの各々同士が互いに逆となる向きに従って分極
処理されている。また、この圧電セラミック体３の互い
に対向する主表面上それぞれには信号取出電極１が設け
られており、各信号取出電極１は、セラミック領域６，
７それぞれの長手方向に沿って区分された中央部６ａ，
７ａ及び端部６ｂ，７ｂの各々と対応する位置ごとに分
離して形成された厚膜形状の表面電極４の３つずつと、
同一の主表面上に形成された表面電極４同士を覆って形
成された薄膜形状の接続電極５とが積層されたものとな
っている。

【００１７】さらに、この際における信号取出電極１の
一方側（図では、上側）は圧電セラミック体３の一方側
外端面（図では、左側）にまで延出される一方、他方側
（図では、下側）の信号取出電極１は他方側外端面（図
では、右側）にまで延出されている。さらにまた、この
圧電体素子の長手方向に沿う両端縁は側面視「コ」字形
状とされた一対の挟持枠体８で挟まれたうえで固定支持
されており、圧電セラミック体３の主表面上に形成され
た信号取出電極１の各々は圧電セラミック体３及び挟持
枠体８の互いに異なる外端面上に形成された外部引出電
極９，１０のそれぞれに「Ｔ」字形となって接続された
うえで導通している。すなわち、本実施例に係る圧電体
素子が従来例と異なるのは、圧電セラミック体３の同一
の主表面上に分離して形成された表面電極４のそれぞれ
が厚膜形状とされており、しかも、これらを覆って形成
された接続電極５が薄膜形状とされているところにあ
る。そこで、この圧電体素子においては、信号取出電極
１を構成する表面電極４のそれぞれが厚膜形状とされて
いる結果、これら表面電極４と外部引出電極９，１０の
それぞれとの接続及び導通が不安定化しないことにな
る。そして、本発明に係る加速度センサは、本実施例に
係る圧電体素子を用いたうえで構成されたものとなって
いる。

【００１８】次に、本実施例に係る圧電体素子の製造方
法を、従来例と同一の図２及び図３に基づいて説明す
る。

【００１９】まず、図２（ａ）で示すように、圧電性セ
ラミックであるＰＺＴを用いて作製された圧電セラミッ
ク基体１２、すなわち、帯状の内部電極層１１が複数列
にわたって埋設され、かつ、多数個の圧電セラミック体
３に見合う大きさ及び形状とされた矩形平板状の圧電セ
ラミック基体１２を用意するとともに、銀または銀・パ
ラジウムを含有する導電性ペースト（図示していない）
を用意する。その後、用意した導電性ペーストを用いた
うえ、圧電セラミック基体１２の互いに対向する主表面
上それぞれには、圧電体素子を構成する圧電セラミック
体３におけるセラミック領域６，７、つまり内部電極２
を介して対向するセラミック領域６，７それぞれの長手
方向に沿って区分された中央部６ａ，７ａ及び端部６
ｂ，７ｂの各々と対応することになる位置ごとに分離し
て配置された帯状の表面電極層１３を複数列にわたって
形成する。

【００２０】そして、この際においては、圧電セラミッ
ク基体１２の主表面上それぞれに対して導電性ペースト
をスクリーン印刷によって塗布したうえ、塗布された導
電性ペーストの乾燥及び約８００℃の温度下で焼き付け
処理することによって３〜１０μｍ程度の厚膜形状とな
った表面電極層１３を形成する。その結果、一列状とし
て並列配置された圧電セラミック体３群に対応する範囲
ごとには、３列分ずつの表面電極層１３が並列形成され
ていることになる。なお、ここでの圧電セラミック基体
１２を構成しているＰＺＴのキュリー点は、約３００℃
である。

【００２１】引き続き、図２（ｂ）で示すように、内部
電極層１１と表面電極層１３とを用いたうえで各圧電セ
ラミック体３におけるセラミック領域６，７それぞれの
中央部６ａ，７ａ及び端部６ｂ，７ｂに対する分極処
理、つまり所要の電界を印加することによっての分極処
理を行う。すなわち、この際には、各部６ａ，７ａ，６
ｂ，７ｂのそれぞれが図１に示した通りの分極の向きＡ
〜Ｄを有することになるような分極処理を行う。その
後、図２（ｃ）で示すように、圧電セラミック基体１２
における同一の主表面上に形成され、かつ、一列状の圧
電セラミック体３群それぞれに対応する３列分ずつの表
面電極層１３を覆ったうえで導通させる接続電極層１４
をスパッタリング処理、例えば、モネルスパッタリング
によって形成する。そこで、この際に形成された接続電
極層１４は、薄膜形状を有するものとなる。なお、ここ
でのスパッタリング処理がモネル（ニッケル・銅合金）
に限定されることはなく、ニッケルや銀であってもよ
い。また、このスパッタリング処理中における圧電セラ
ミック基体１２の温度は１００〜２００℃程度となり、
ＰＺＴのキュリー点よりも低いから、脱分極が生じる恐
れはないことになる。

【００２２】さらにまた、図３（ａ）で示すように、内
表面側の所定位置ごとに所定幅寸法の凹溝１５が形成さ
れた挟持枠基体１６を用意した後、これら挟持枠基体１
６の各々を圧電セラミック基体１２の主表面上それぞれ
に対して接着剤（図示していない）を用いて接着するこ
とによって貼り合わせる。その後、個々の圧電体素子に
見合う大きさ及び形状の範囲を区切るべく設定された仮
想線に従って圧電セラミック基体１２及び挟持枠基体１
６を切断すると、図３（ｂ）で示すような構成の圧電体
素子、すなわち、厚膜形状となった３つの表面電極４
と、同一の主表面上に形成された表面電極４を覆って形
成された薄膜形状の接続電極５とが積層されてなる信号
取出電極１が主表面上それぞれに形成された圧電セラミ
ック体３と一対の挟持枠体８とを具備してなる圧電体素
子が得られる。そこで、得られた圧電体素子それぞれに
おける圧電セラミック体３及び挟持枠体８の外端面上に
外部引出電極９，１０を所要のスパッタリング処理やメ
ッキ処理によって形成すると、図１で示したバイモルフ
構造を有する圧電体素子として完成することになり、厚
膜形状となって各信号取出電極１を構成する表面電極４
の各々は外部引出電極９，１０のそれぞれと「Ｔ」字形
の状態で接続されていることになる。

【００２３】ところで、図２で示した圧電体素子の製造
方法においては、内部電極層１１が予め埋設された矩形
平板状の圧電セラミック基体１２を用意するとしている
が、以上説明したバイモルフ構造を有する圧電体素子を
図４で示すような工程手順に従って製造することも可能
である。なお、この図４は製造方法の前段階を示す工程
斜視図であって図２と対応しているから、図２と共通し
ている事項についての詳しい説明は省略する。

【００２４】この変形例においては、図４（ａ）で示す
ように、複数列にわたる内部電極層１１が一方側主表面
上に形成され、かつ、圧電セラミック体３のセラミック
領域６，７それぞれに見合う圧電セラミック板１７の多
数個に対応する一対の圧電セラミック基板１８と、銀ま
たは銀・パラジウムを含有する導電性ペースト（図示し
ていない）とをまずもって用意する。すなわち、この変
形例における圧電セラミック板１７は内部電極２が形成
された一方側主表面が貼り合わされて圧電セラミック体
３となり、また、圧電セラミック基板１８は内部電極層
１１が形成された一方側主表面が貼り合わされることに
よって圧電セラミック基体１２と対応することになるも
のである。そこで、まず、圧電セラミック基板１８それ
ぞれの他方側主表面上には、各圧電セラミック板１７の
長手方向に沿って区分された中央部１７ａ及び端部１７
ｂの各々と対応する位置ごとに分離して配置されたう
え、厚膜形状となった表面電極層１３の複数列を導電ペ
ーストの印刷及び焼き付け処理によって形成する。な
お、この際における圧電セラミック板１７の中央部１７
ａ及び端部１７ｂは、圧電セラミック体３における中央
部６ａ，７ａ及び端部６ｂ，７ｂのそれぞれと対応して
いる。

【００２５】次に、図４（ｂ）で示すように、内部電極
層１１と表面電極層１３の各々とを用いたうえで各圧電
セラミック板１７の中央部１７ａ及び端部１７ｂに対す
る分極処理を行った後、図４（ｃ）で示すように、圧電
セラミック基板１８それぞれの他方側主表面上に形成さ
れ、かつ、一列状の各圧電セラミック板１７群それぞれ
に対応する３列分ずつの表面電極層１３を覆ったうえで
導通させる接続電極層１４をスパッタリング処理によっ
て形成する。さらに、その後、各圧電セラミック基板１
８の内部電極層１１が形成された一方側主表面同士を接
着剤（図示していない）で接着することによって貼り合
わせると、図２（ｃ）で示したと同構造の状態となる。
そこで、図３で示した製造方法の後段階における手順に
従うと、図１で示したバイモルフ構造を有する圧電体素
子として完成することになる。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る圧電
体素子及びその製造方法によれば、信号取出電極を構成
する表面電極が厚膜形状とされているので、これら信号
取出電極を構成する表面電極と圧電体素子の外端面上に
形成された外部引出電極との接続及び導通を安定化する
ことができる。また、表面電極を覆って信号取出電極を
構成する接続電極が薄膜形状とされており、しかも、こ
れらの接続電極をスパッタリング処理によって形成して
いるから、電極形成時における圧電セラミック体の温度
がキュリー点以下に抑えられる結果、脱分極が起こるこ
ともあり得ないことになる。従って、本発明に係る圧電
体素子を用いて構成された加速度センサにおいては、検
出感度の向上とともに、量産性の向上を図ることが実現
できるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例及び従来例に係る圧電体素子の構成を
簡略化して示す一部破断斜視図である。

【図２】本実施例及び従来例に係る圧電体素子の製造方
法の前段階を示す工程斜視図である。

【図３】本実施例及び従来例に係る圧電体素子の製造方
法の後段階を示す工程斜視図である。

【図４】本実施例に係る圧電体素子の製造方法の変形例
を示す工程斜視図である。

【符号の説明】

１ 信号取出電極 ２ 内部電極 ３ 圧電セラミック体 ４ 表面電極 ５ 接続電極 ６ セラミック領域 ７ セラミック領域 ６ａ セラミック領域の中央部 ６ｂ セラミック領域の端部 ７ａ セラミック領域の中央部 ７ｂ セラミック領域の端部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 41/22

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部電極が埋設された板状の圧電セラミ
   ック体を具備しており、その長手方向に沿う中央部及び
   端部が厚み方向に沿って互いに異なる向きに分極処理さ
   れた圧電体素子であって、 圧電セラミック体の互いに対向する主表面上それぞれに
   は信号取出電極が設けられており、各信号取出電極は、
   圧電セラミック体の中央部及び端部の各々と対応する位
   置ごとに分離して形成された厚膜形状の表面電極と、同
   一の主表面上に形成された表面電極を覆って形成された
   薄膜形状の接続電極とを積層したものであることを特徴
   とする圧電体素子。
2. 【請求項２】 内部電極が埋設された板状の圧電セラミ
   ック体の互いに対向する主表面上それぞれには、圧電セ
   ラミック体の長手方向に沿う中央部及び端部の各々と対
   応する位置ごとに分離して形成された厚膜形状の表面電
   極と、同一の主表面上に形成された表面電極を覆って形
   成された薄膜形状の接続電極とを積層してなる信号取出
   電極が設けられた圧電体素子を用いて構成されたことを
   特徴とする加速度センサ。
3. 【請求項３】 内部電極が埋設された板状の圧電セラミ
   ック体を用意し、その互いに対向する主表面上それぞれ
   には、圧電セラミック体の長手方向に沿う中央部及び端
   部の各々と対応する位置ごとに分離して配置された厚膜
   形状の表面電極を導電ペーストの印刷及び焼き付け処理
   によって形成する工程と、 内部電極と表面電極とを用いて圧電セラミック体の中央
   部及び端部に対する分極処理を行う工程と、 同一の主表面上に形成された表面電極を覆う薄膜形状の
   接続電極をスパッタリング処理によって形成する工程と
   を含んでいることを特徴とする請求項１に記載した圧電
   体素子の製造方法。
4. 【請求項４】 内部電極が形成された一方側主表面が貼
   り合わされて板状の圧電セラミック体となる一対の圧電
   セラミック板を用意し、各圧電セラミック板の他方側主
   表面上には、圧電セラミック板の長手方向に沿う中央部
   及び端部の各々と対応する位置ごとに分離して配置され
   た厚膜形状の分極電極を導電ペーストの印刷及び焼き付
   け処理によって形成する工程と、 内部電極と表面電極とを用いて各圧電セラミック板の中
   央部及び端部に対する分極処理を行う工程と、 各圧電セラミック板の他方側主表面上に形成された表面
   電極を覆う薄膜形状の接続電極をスパッタリング処理に
   よって形成する工程と、 各圧電セラミック板の一方側主表面同士を貼り合わせて
   圧電セラミック体を構成する工程とを含んでいることを
   特徴とする請求項１に記載した圧電体素子の製造方法。