JPH0875941A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JPH0875941A JPH0875941A JP6211469A JP21146994A JPH0875941A JP H0875941 A JPH0875941 A JP H0875941A JP 6211469 A JP6211469 A JP 6211469A JP 21146994 A JP21146994 A JP 21146994A JP H0875941 A JPH0875941 A JP H0875941A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical waveguide
- quartz
- waveguide
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 導波路損失の面内差異を大幅に小さくし、か
つ製造条件を安定にすることができる光導波路の製造方
法を提供する。 【構成】 強誘電体結晶の基板１上に金属を蒸着し、こ
の金属をフォトリソグラフィおよびエッチングによりコ
ア導波路パターンと一致するようにパターン化した後、
炉４内で加熱し、金属を基板１内に拡散させることによ
りコア導波路５を形成する光導波路の製造方法におい
て、基板１を炉内に設置する際、基板１を石英製すりガ
ラスからなる皿１０の上に載せ、皿１０に石英製すりガ
ラスからなる蓋１１をすることを特徴としている。
つ製造条件を安定にすることができる光導波路の製造方
法を提供する。 【構成】 強誘電体結晶の基板１上に金属を蒸着し、こ
の金属をフォトリソグラフィおよびエッチングによりコ
ア導波路パターンと一致するようにパターン化した後、
炉４内で加熱し、金属を基板１内に拡散させることによ
りコア導波路５を形成する光導波路の製造方法におい
て、基板１を炉内に設置する際、基板１を石英製すりガ
ラスからなる皿１０の上に載せ、皿１０に石英製すりガ
ラスからなる蓋１１をすることを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路の製造方法に
関し、特にＴｉの熱拡散を利用した光導波路の製造方法
に関する。
関し、特にＴｉの熱拡散を利用した光導波路の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の光導波路の製造方法の概念
図である。
図である。
【０００３】同図において、強誘電体結晶の基板１（直
径約７６ｍｍ）の上に、金属２を蒸着し、この金属２を
フォトリソグラフィおよびエッチングによりコア導波路
パターンと一致するようパターン化した後、その基板を
石英製の皿３に載せ、酸素雰囲気で満たされる電気炉４
内に入れる。電気炉４内では金属２が基板１中に熱拡散
することにより、図４に示すようなコア導波路（長さ５
０ｍｍ）５が基板１上に２０素子分形成される。尚、図
中Ｈはヒータを示している。
径約７６ｍｍ）の上に、金属２を蒸着し、この金属２を
フォトリソグラフィおよびエッチングによりコア導波路
パターンと一致するようパターン化した後、その基板を
石英製の皿３に載せ、酸素雰囲気で満たされる電気炉４
内に入れる。電気炉４内では金属２が基板１中に熱拡散
することにより、図４に示すようなコア導波路（長さ５
０ｍｍ）５が基板１上に２０素子分形成される。尚、図
中Ｈはヒータを示している。
【０００４】ここで、炉４内を酸素雰囲気にするのは、
金属２を堆積した部分以外の基板１の表面近傍に、光の
導波する層が寄生的に形成されるのを防止するためであ
る。
金属２を堆積した部分以外の基板１の表面近傍に、光の
導波する層が寄生的に形成されるのを防止するためであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述した電気
炉内で、基板表面が酸素雰囲気にさらされるため、基板
上において酸素気流の上流部と下流部との間で温度差が
生じる。この温度差は、金属の基板中への熱拡散の速度
に影響し、基板上の形成される素子の損失が面内で大き
く異なる原因となる。また、基板の面内温度分布が不均
一であるため、光導波路の製造条件が不安定になる。さ
らに基板を積み重ねることができないため、大量生産に
は不適当である。
炉内で、基板表面が酸素雰囲気にさらされるため、基板
上において酸素気流の上流部と下流部との間で温度差が
生じる。この温度差は、金属の基板中への熱拡散の速度
に影響し、基板上の形成される素子の損失が面内で大き
く異なる原因となる。また、基板の面内温度分布が不均
一であるため、光導波路の製造条件が不安定になる。さ
らに基板を積み重ねることができないため、大量生産に
は不適当である。
【０００６】他方、石英製の皿および石英製の蓋に透明
状のものを使用した場合、皿と蓋との密着度が高いため
基板周囲の雰囲気が酸素雰囲気になりにくい。酸素雰囲
気中でなければ、所望の領域以外に光の導波する層が形
成されてしまう。この導波層も損失の面内差異を大きく
する要因の一つとなっている。
状のものを使用した場合、皿と蓋との密着度が高いため
基板周囲の雰囲気が酸素雰囲気になりにくい。酸素雰囲
気中でなければ、所望の領域以外に光の導波する層が形
成されてしまう。この導波層も損失の面内差異を大きく
する要因の一つとなっている。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、導波路損失の面内差異を大幅に小さくし、かつ製造
条件を安定にすることができる光導波路の製造方法を提
供することにある。
し、導波路損失の面内差異を大幅に小さくし、かつ製造
条件を安定にすることができる光導波路の製造方法を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、表面にパターン化された金属膜を形成した
強誘電体結晶の基板を炉内で加熱し、金属を基板内に拡
散させることによりコア導波路を形成する光導波路の製
造方法において、基板を炉内に設置する際、基板を石英
製すりガラスからなる皿の上に載せ、皿に石英製すりガ
ラスからなる蓋をするものである。
に本発明は、表面にパターン化された金属膜を形成した
強誘電体結晶の基板を炉内で加熱し、金属を基板内に拡
散させることによりコア導波路を形成する光導波路の製
造方法において、基板を炉内に設置する際、基板を石英
製すりガラスからなる皿の上に載せ、皿に石英製すりガ
ラスからなる蓋をするものである。
【０００９】
【作用】上記構成によれば、金属の熱拡散をすべく基板
を収める容器として、石英製すりガラスからなる皿の上
に載せ、その皿に石英製すりガラスからなる蓋をするこ
とにより、皿と蓋との間に隙間が生じるので、その隙間
から容器内に酸素が流入して容器内が酸素雰囲気で満た
される。炉内に供給される酸素気流の上流部と下流部と
の間で温度差が生じていても、酸素は容器内に徐々に流
入するので熱拡散速度への影響はない。また、基板が容
器内に収容されているため、面内温度分布が均一とな
り、導波路損失の面内差異を大幅に低減させることがで
き、光導波路の製造条件が安定する。さらに、容器を複
数個積み重ねることができるので、大量生産することが
できる。
を収める容器として、石英製すりガラスからなる皿の上
に載せ、その皿に石英製すりガラスからなる蓋をするこ
とにより、皿と蓋との間に隙間が生じるので、その隙間
から容器内に酸素が流入して容器内が酸素雰囲気で満た
される。炉内に供給される酸素気流の上流部と下流部と
の間で温度差が生じていても、酸素は容器内に徐々に流
入するので熱拡散速度への影響はない。また、基板が容
器内に収容されているため、面内温度分布が均一とな
り、導波路損失の面内差異を大幅に低減させることがで
き、光導波路の製造条件が安定する。さらに、容器を複
数個積み重ねることができるので、大量生産することが
できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【００１１】図１は本発明の光導波路の製造方法の一実
施例の概念図である。
施例の概念図である。
【００１２】同図において強誘電体結晶としてのＬｉＮ
ｂＯ3 からなる基板に金属２としてＴｉを蒸着し、フォ
トリソグラフィおよびエッチングにより幅約５μｍのコ
ア導波路パターンを形成する場合について説明する。
尚、図３に示した従来例と同様の部材には共通の符号を
用いた。
ｂＯ3 からなる基板に金属２としてＴｉを蒸着し、フォ
トリソグラフィおよびエッチングにより幅約５μｍのコ
ア導波路パターンを形成する場合について説明する。
尚、図３に示した従来例と同様の部材には共通の符号を
用いた。
【００１３】この基板１を石英製すりガラスからなる皿
１０に入れ、その上に石英製すりガラスからなる蓋１１
を載せた後、電気炉４に入れて酸素雰囲気中で加熱し、
Ｔｉを基板１内に拡散させることにより図４に示したよ
うにコア導波路５が形成される。
１０に入れ、その上に石英製すりガラスからなる蓋１１
を載せた後、電気炉４に入れて酸素雰囲気中で加熱し、
Ｔｉを基板１内に拡散させることにより図４に示したよ
うにコア導波路５が形成される。
【００１４】炉４内に供給する酸素の流量は約０．６リ
ットル／分である。基板１の大きさは直径約７６ｍｍで
あり、この基板１上に長さ約５０ｍｍの素子を２０素子
形成する。皿１０は図２に示すように基板１を載せる部
分に基板１の厚さｔ分だけ掘り込み部１２があり、この
掘り込み部１２に基板１を入れることができるようにな
っている。蓋は皿と同様の形状となっている。このよう
な掘り込み部１２があることにより、基板１の表面と蓋
１１とが接触することが防止される。
ットル／分である。基板１の大きさは直径約７６ｍｍで
あり、この基板１上に長さ約５０ｍｍの素子を２０素子
形成する。皿１０は図２に示すように基板１を載せる部
分に基板１の厚さｔ分だけ掘り込み部１２があり、この
掘り込み部１２に基板１を入れることができるようにな
っている。蓋は皿と同様の形状となっている。このよう
な掘り込み部１２があることにより、基板１の表面と蓋
１１とが接触することが防止される。
【００１５】石英製すりガラスからなる蓋１１を用いな
かった場合、コア導波路５の損失は面内差異が大きく、
±０．１ｄＢ／ｃｍである。損失の測定は酸素気流の上
流部から下流部に向かって順に素子の番号を１から２０
まで与えたとき、素子１、２、３、９、１０、１１、１
８、１９、２０の計９素子について行った。
かった場合、コア導波路５の損失は面内差異が大きく、
±０．１ｄＢ／ｃｍである。損失の測定は酸素気流の上
流部から下流部に向かって順に素子の番号を１から２０
まで与えたとき、素子１、２、３、９、１０、１１、１
８、１９、２０の計９素子について行った。
【００１６】一方、石英製すりガラスからなる蓋１１を
用いた場合、導波路損失の面内差異は小さく、±０．０
１ｄＢ／ｃｍである。損失の測定は蓋１１を用いなかっ
た場合と同様に行った。
用いた場合、導波路損失の面内差異は小さく、±０．０
１ｄＢ／ｃｍである。損失の測定は蓋１１を用いなかっ
た場合と同様に行った。
【００１７】また、石英製すりガラスからなる皿１０お
よび蓋１１として透明状のものを使用した場合、基板１
の表面近傍において、コア導波路パターンを形成した所
以外に光の導波する層が形成される。この導波層が形成
された時、導波路損失の面内差異は±０．２ｄＢ／ｃｍ
である。石英製すりガラスからなる皿１０および蓋１１
を用いた場合と比較して損失の面内差異が大きい。
よび蓋１１として透明状のものを使用した場合、基板１
の表面近傍において、コア導波路パターンを形成した所
以外に光の導波する層が形成される。この導波層が形成
された時、導波路損失の面内差異は±０．２ｄＢ／ｃｍ
である。石英製すりガラスからなる皿１０および蓋１１
を用いた場合と比較して損失の面内差異が大きい。
【００１８】以上において本実施例によれば、金属の熱
拡散をすべく基板を収める容器として、石英製すりガラ
スからなる皿の上に載せ、その皿に石英製すりガラスか
らなる蓋をすることにより、皿と蓋との間に隙間が生じ
るので、その隙間から容器内に酸素が流入して容器内が
酸素雰囲気で満たされる。炉内に供給される酸素気流の
上流部と下流部との間で温度差が生じていても、酸素は
容器内に徐々に流入するので熱拡散速度への影響はな
い。また、基板が容器内に収容されているため、面内温
度分布が均一となり、導波路損失の面内差異を大幅に低
減させることができ、光導波路の製造条件が安定する。
さらに、容器を複数個積み重ねることができるので、大
量生産することができる。
拡散をすべく基板を収める容器として、石英製すりガラ
スからなる皿の上に載せ、その皿に石英製すりガラスか
らなる蓋をすることにより、皿と蓋との間に隙間が生じ
るので、その隙間から容器内に酸素が流入して容器内が
酸素雰囲気で満たされる。炉内に供給される酸素気流の
上流部と下流部との間で温度差が生じていても、酸素は
容器内に徐々に流入するので熱拡散速度への影響はな
い。また、基板が容器内に収容されているため、面内温
度分布が均一となり、導波路損失の面内差異を大幅に低
減させることができ、光導波路の製造条件が安定する。
さらに、容器を複数個積み重ねることができるので、大
量生産することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００２０】拡散時の基板内における温度差が小さくな
り、導波路損失の面内差異が大幅に低減される。従って
量産における歩留まりが向上する。基板の面内温度分布
が大幅に均一化されるため、製造条件の安定化を図るこ
とができる。さらに容器を積み重ねることが可能なため
量産が可能である。
り、導波路損失の面内差異が大幅に低減される。従って
量産における歩留まりが向上する。基板の面内温度分布
が大幅に均一化されるため、製造条件の安定化を図るこ
とができる。さらに容器を積み重ねることが可能なため
量産が可能である。
【図１】本発明の光導波路の製造方法の一実施例の概念
図である。
図である。
【図２】図１に示した皿の外観斜視図である。
【図３】従来の光導波路の製造方法の概念図である。
【図４】光導波路の外観斜視図である。
１ 基板 ２ 金属 ４ （電気）炉 ５ コア導波路 １０ （石英製すりガラスからなる）皿 １１ （石英製すりガラスからなる）蓋
Claims (2)
- 【請求項１】 表面にパターン化された金属膜を形成し
た強誘電体結晶の基板を炉内で加熱し、上記金属を基板
内に拡散させることによりコア導波路を形成する光導波
路の製造方法において、上記基板を上記炉内に設置する
際、上記基板を石英製すりガラスからなる皿の上に載
せ、上記皿に石英製すりガラスからなる蓋をすることを
特徴とする光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 上記強誘電体結晶にＬｉＮｂＯ3 を用い
ると共に上記金属膜にＴｉを用いる請求項１記載の光導
波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211469A JPH0875941A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211469A JPH0875941A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0875941A true JPH0875941A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16606461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6211469A Pending JPH0875941A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0875941A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004002891A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Silicon Light Machines Corporation | Method and apparatus for increasing bulk conductivity of a ferroelectric material |
| EP1641558A4 (en) * | 2003-06-20 | 2009-07-08 | Silicon Light Machines Corp | METHOD AND DEVICE FOR INCREASING THE VOLUME CONDUCTIVITY OF A FERROELECTRIC MATERIAL |
-
1994
- 1994-09-05 JP JP6211469A patent/JPH0875941A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004002891A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Silicon Light Machines Corporation | Method and apparatus for increasing bulk conductivity of a ferroelectric material |
| US6932957B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-08-23 | Silicon Light Machines Corporation | Method and apparatus for increasing bulk conductivity of a ferroelectric material |
| CN100354205C (zh) * | 2002-06-28 | 2007-12-12 | 硅光机器公司 | 增加铁电材料体积电导率的方法与设备 |
| EP1641558A4 (en) * | 2003-06-20 | 2009-07-08 | Silicon Light Machines Corp | METHOD AND DEVICE FOR INCREASING THE VOLUME CONDUCTIVITY OF A FERROELECTRIC MATERIAL |
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