JPH087794A

JPH087794A - 画像形成装置

Info

Publication number: JPH087794A
Application number: JP14166494A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Mitsumichi; 和宏三道; Ichiro Nomura; 一郎野村; Shinichi Kawate; 信一河手
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-06-23
Filing date: 1994-06-23
Publication date: 1996-01-12

Abstract

(57)【要約】【目的】大気圧に対して充分強固な支持構造を有し、
輝度ムラ、色ムラ、更にはクロスト−ク等の画像劣化を
防止し、しかも、排気効率の高い画像形成装置を提供す
ることを目的とする。【構成】外囲器内に、電子放出素子３５と、該電子放
出素子から放出される電子線の照射により画像を形成す
る画像形成部材３９と、該外囲器を支持する支持部材４
０とを有する画像形成装置において、該支持部材４０
が、導電性を有し、且つ、穴４４が設けられていること
を特徴とする画像形成装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子放出素子を用いた
表示装置等の画像形成装置に関し、特に、該装置内に、
スペーサーと呼ばれる支持部材を配置した画像形成装置
に関する発明である。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子として熱電子源と冷
陰極電子源の２種類が知られている。上記冷陰極電子源
には電界放出型（以下、ＦＥ型と略す）、金属／絶縁層
／金属型（以下、ＭＩＭ型と略す）や表面伝導型電子放
出素子等がある。

【０００３】上記ＦＥ型の例としては、Ｗ. Ｐ. Ｄｙｋ
ｅ＆Ｗ. Ｗ. Ｄｏｌａｎ、”Ｆｉｅｌｄｅｍｉｓｓｉ
ｏｎ”、ＡｄｖａｎｃｅｉｎＥｌｅｃｔｒｏｎＰ
ｈｙｓｉｃｓ、８、８９（１９５６）あるいは、Ｃ.
Ａ. Ｓｐｉｎｄｔ、”ＰＨＹＳＩＡＣＬＰｒｏｐｅｒ
ｔｉｅｓｏｆｔｈｉｎ−ｆｉｌｍｆｉｅｌｄｅ
ｍｉｓｓｉｏｎｃａｔｈｏｄｅｓｗｉｔｈｍｏｌ
ｙｂｄｅｎｕｍｃｏｎｅｓ”、Ｊ. Ａｐｐｌ. Ｐｈｙ
ｓ. 、４７、５２４８（１９７６）等が知られている。

【０００４】上記ＭＩＭ型の例としては、Ｃ. Ａ. Ｍｅ
ａｄ、”Ｔｈｅｔｕｎｎｅｌ−ｅｍｉｓｓｉｏｎａ
ｍｐｌｉｆｉｅｒ、Ｊ. Ａｐｐｌ. Ｐｈｙｓ. 、３２、
６４６（１９６１）等が知られている。

【０００５】また上記表面伝導型電子放出素子の例とし
ては、Ｍ. Ｉ. Ｅｌｉｎｓｏｎ、ＲａｄｉｏＥｎｇ.
ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｙｓ. 、１０、（１９６５）等
がある。

【０００６】上記表面伝導型電子放出素子は、基板上に
形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すこ
とにより、電子放出が生ずる現象を利用するものであ
る。この表面伝導型電子放出素子としては、前記エリン
ソン（Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ）等によるＳｎＯ₂ 薄膜
を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ. Ｄｉｔｔｍｅ
ｒ：”ＴｈｉｎＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ”、９、３１
７（１９７２）］、Ｉｎ₂ Ｏ₃ ／ＳｎＯ₂ 薄膜によるも
の［Ｍ. ＨａｒｔｗｅｌｌａｎｄＣ. Ｇ. Ｆｏｎｓ
ｔａｄ：”ＩＥＥＥＴｒａｎｓ. ＥＤＣｏｎｆ.
”、５１９（１９７５）］、カーボン薄膜によるもの
［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９
８３）］等が報告されている。

【０００７】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として、前述のＭ．ハートウェル（Ｍ．Ｈａ
ｒｔｗｅｌｌ）の素子構成を図１１に示す。

【０００８】図１１において、１１１は基板であり、ま
た１１４は導電性膜で、Ｈ型形状のパターンにスパッタ
で形成された金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フ
ォーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部１１５
が形成される。尚、図１１中の素子電極間隔Ｌは０. ５
〜１. ０ｍｍ、Ｗ’は０. １ｍｍで設定されている。ま
た、電子放出部１１５の位置及び形状については不明で
あるので、模式図として表した。

【０００９】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、前述したように電子放出を行う前に導電性膜
１１４を予め通電フォーミングと呼ばれる通電処理によ
って電子放出部１１５を形成するのが一般的であった。

【００１０】即ち、この通電フォーミングとは前記導電
性膜１１４の両端に直流電圧あるいは非常にゆっくりと
した昇電圧、例えば１Ｖ/ 分程度を印加通電し、導電性
膜を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に
高抵抗な状態にした電子放出部１１５を形成することで
ある。尚、例えば電子放出部１１５は、導電性膜１１４
の一部に発生した亀裂を有し、その亀裂付近から電子放
出が行われる。前記通電フォーミング処理をした表面伝
導型電子放出素子は、上記導電性膜１１４に電圧を印加
し、該素子に電流を流すことにより、上記電子放出部１
１５より電子を放出せしめるものである。

【００１１】以上述べた電子放出素子の中でも、特に、
表面伝導型電子放出素子は、その構造が単純であり、し
かも、その製造が容易であること等から、大面積にわた
り、多数の該素子を配列形成出来るという利点を有す
る。そこで、このような利点を生かせるようないろいろ
な応用が研究されている。例えば、荷電ビーム源、自発
光型の表示装置等が挙げられる。

【００１２】多数の表面伝導型電子放出素子を配列形成
した例としては、並列に表面伝導型電子放出素子を配列
し、個々の該素子の両端を配線（これを共通配線とも呼
ぶ）でそれぞれ結線した行を、多数行配列した電子源が
挙げられる（例えば、特開昭６４−３１３３２号公報、
特開平１−２８３７４９号公報、特開平１−２５７５５
２号公報等）。

【００１３】自発光型の表示装置の例としては、表面伝
導型電子放出素子を多数配置した電子源と、該電子源よ
り放出される電子によって可視光を発光せしめる蛍光体
とを組み合わせた表示装置である画像形成装置が挙げら
れる（米国特許５０６６８８３号公報等）。

【００１４】特に、表示装置等の画像形成装置において
は、近年、液晶を用いた平板型表示装置が、ＣＲＴに替
わって普及してきたが、この液晶を用いた平板型表示装
置は、自発光型でないために、バックライトを持たなけ
ればならない等の問題点があり、上述の例のような電子
放出素子を用いた自発光型の表示装置の開発が望まれて
きた。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた表示装置においては、以下のような問題を有してい
た。

【００１６】図９、図１０に示すのは、外囲器内に支持
部材を配置した表示装置の例である。ここで、１０１は
リヤプレート、１１１は外枠、１０９はフェースプレー
トであり、これらにより外囲器を形成して、外囲器内を
真空に保持する。

【００１７】また、１０３ａ及び１０３ｂは電極、１０
４は電子放出部であり、これらにより電子放出素子１０
５が形成されている。

【００１８】また、１０２ａ（走査電極）、１０２ｂ
（情報信号電極）は配線電極であり、それぞれ電極１０
３ａ及び１０３ｂに接続されている。

【００１９】また、１０６はガラス基板、１０７は透明
電極、１０８は蛍光体（画像形成部材）であり、これら
によりフェースプレート１０９が形成されている。

【００２０】また、１１２は蛍光体の輝点であり、１１
０は、主としてリヤプレート１０１及びフェースプレー
ト１０９にかかる大気圧を外囲器内部より支持するため
の支持部材である。

【００２１】以上のような表示装置は、ＸＹマトリクス
状に配置された走査電極１０２ａ及び情報信号電極１０
２ｂに所定の信号電圧を印加することにより、情報信号
に応じた電子線を画像形成部材である蛍光体１０８に衝
突させ、画像が形成される画像形成装置である。

【００２２】ここで、上述のような画像形成装置におい
て、支持部材１１０が特に絶縁性部材にて形成されてい
る場合、該装置の駆動により、該支持部材１１０に不測
の電子線やイオンが衝突することで、該支持部材表面が
帯電してしまい、この支持部材の帯電により、（１）電
子線の軌道が曲げられ、画素内の所望の蛍光体への電子
線照射量が変化し、輝度ムラ及び色ムラを生じる。更
に、帯電量が多い場合には、電子線が所望の蛍光体に衝
突せず、これと隣接する蛍光体への不測の照射を招きク
ロストークを生じてしまう。（２）支持部材の帯電量が
時間とともに変化するため、電子線の軌道が時間ととも
に変化し、輝度の経時的揺らぎを生じる。（３）帯電し
た支持部材から放電が発生し、この放電により電子放出
素子がダメージを受けたり、該支持部材の電気的絶縁性
を低下させる。

【００２３】一方、上述のような支持部材の帯電を防止
する方法としては、支持部材に導電性を付与し、更に、
その支持部材表面を特定電位とする方法がある（例え
ば、特開平４−２１２４３５号公報）。

【００２４】しかしながら、支持部材が特に、図９のよ
うな板状部材であり、支持強度は高いものの外囲器内の
真空排気の妨げとなる形状を有する場合には、排気にか
かる時間が長くなり排気効率が悪い。充分な排気ができ
ないと表示画像劣化をも招くという問題をも更に内在す
るものであった。

【００２５】本発明は、以上述べた通り、大気圧に対し
て充分強固な支持構造を有し、輝度ムラ、色ムラ、更に
はクロストーク等の画像劣化を防止し、しかも、排気効
率の高い画像形成装置を提供することを目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、外囲器内に、電子放出素子と、該電子放出素子か
ら放出される電子線の照射により画像を形成する画像形
成部材と、該外囲器を支持する支持部材とを有する画像
形成装置において、該支持部材が、導電性を有し、且
つ、穴が設けられていることを特徴とする画像形成装置
である。

【００２７】更に、本発明において好ましくは、前記支
持部材の電位を規定するために、該支持部材に所定の電
圧を印加する等の電位規定手段を有するものである。

【００２８】更に、本発明において好ましくは、前記支
持部材に所定の電圧を印加するために、該支持部材に特
定電位を印加するための外部電源が接続される、あるい
は、該支持部材は素子電極と電気的に接続して配置され
る。

【００２９】更に本発明において好ましくは、前記支持
部材に設けられる穴は、外囲器の支持方向にその長軸を
有する楕円形状とされる。

【００３０】以上の本発明の構成を採ることにより、大
気圧に対して充分強固な支持構造を有し、輝度ムラ、色
ムラ、更にはクロストーク等の画像劣化を防止しできる
ばかりか、排気効率、排気度の高い画像形成装置を提供
することができる。

【００３１】更に、上述の本発明において、特に好まし
く用いられる電子放出素子は、基本的には、以下に述べ
るような構成を有し、平面型表面伝導型電子放出素子と
垂直型表面伝導型電子放出素子の二つに大別される。

【００３２】前述した通り、電子放出素子の中でも、特
に、上記表面伝導型電子放出素子は、その構造が単純で
あり、しかも、その製造が容易であること等から、大面
積にわたり、多数の該素子を配列形成出来るという利点
を有し、とりわけ、表示装置等の画像形成装置は、この
ような利点を充分生かせる態様である。

【００３３】まず、平面型表面伝導型電子放出素子につ
いて説明する。

【００３４】図１の（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、平面
型表面伝導型電子放出素子の基本構成を示す模式的平面
図及び断面図である。図１において、１は基板、２及び
３は素子電極、４は導電性膜、５は電子放出部を示す。

【００３５】基板１としては、石英ガラス、Ｎａ等の不
純物含有量を減少させたガラス、青板ガラス、青板ガラ
スにスパッタ法等により形成したＳｉＯ₂ を積層したガ
ラス基板等及びアルミナ等のセラミックス等が挙げられ
る。

【００３６】対向する素子電極２、３の材料としては、
一般的な導体材料が用いられ、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａ
ｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金
属、或は合金、及びＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、ＲｕＯ₂ 、Ｐｄ
- Ａｇ等の金属或は金属酸化物、ガラス等から構成され
る印刷導体、Ｉｎ₂ Ｏ₃ −ＳｎＯ₂ 等の透明導電体及び
ポリシリコン等の半導体導体材料等から適宜選択され
る。

【００３７】素子電極間隔Ｌ、素子電極長さＷ、導電性
膜４の形状等は、かかる電子放出素子の応用形態等によ
り適宜設計されるが、素子電極間隔Ｌは、好ましくは、
数百オングストロームより数百マイクロメートルであ
り、より好ましくは、素子電極間に印加する電圧と電子
放出し得る電界強度等により、数マイクロメートルより
数十マイクロメートルである。

【００３８】尚、導電性膜４と素子電極２、３の積層順
序は、図１に示される態様に限られず、基板１上に、導
電性膜４、対向する素子電極２、３の順に積層構成して
も良い。

【００３９】導電性膜４は、良好な電子放出特性を得る
ためには、微粒子で構成された微粒子膜が特に好まし
く、その膜厚は、素子電極２、３へのステップカバレー
ジ、素子電極２、３間の抵抗値、及び前述した通電フォ
ーミング条件等によって適宜設定され、好ましくは、数
オングストロームより数千オングストロームで、特に好
ましくは、１０オングストローム〜５００オングストロ
ームであって、その抵抗値は、１０³ 〜１０⁷ オーム／
□のシート抵抗値である。

【００４０】また、導電性膜４を構成する材料は、Ｐ
ｄ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆ
ｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ、Ｓ
ｎＯ₂ 、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、ＰｂＯ、Ｓｂ₂ Ｏ₃ 等の酸化物、
ＨｆＢ₂ 、ＺｒＢ₂ 、ＬａＢ₆ 、ＣｅＢ₆ 、ＹＢ₄ 、Ｇ
ｄＢ₄ 等の硼化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、
ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の
窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体、カーボン等が挙げられ
る。

【００４１】尚、ここで述べる微粒子膜とは、複数の微
粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子
が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに
隣接、あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜を
指しており、微粒子の粒径は、数オングストロームより
数千オングストローム、好ましくは、１０オングストロ
ーム〜２００オングストロームである。

【００４２】電子放出部５は、例えば、導電性膜４の一
部に形成された高抵抗の亀裂であり、導電性膜４の膜
厚、膜質、材料及び前述した通電フォーミング等の製法
に依存して形成される。また、数オングストロームより
数百オングストロームの粒径の導電性微粒子を有するこ
ともある。この導電性微粒子は、導電性膜４を構成する
材料の元素の一部、あるいは該元素の全てを含むもので
ある。また、電子放出部５及びその近傍の導電性膜４に
は、炭素及び炭素化合物を有することもある。

【００４３】次に、前記垂直型表面伝導型電子放出素子
について説明する。

【００４４】図２は、垂直型表面伝導型電子放出素子の
基本的な構成を示す模式的断面図であり、図１と同一の
符号を付した部材は、図１のものと同様である。

【００４５】基板１、素子電極２及び３、導電性膜４、
電子放出部５は、前述した平面型表面伝導型電子放出素
子と同様の材料にて構成されたものであるが、段差形成
部２１は、真空蒸着法、印刷法、スパッタ法などで形成
されたＳｉＯ₂ などの絶縁性材料で構成され、段差形成
部２１の膜厚が、先に述べた平面型表面伝導型電子放出
素子の素子電極間隔Ｌに対応し、数百オングストローム
から数十マイクロメートルであり、該段差形成部の製
法、及び素子電極間に印加する電圧と電子放出し得る電
界強度により適宜設定されるが、好ましくは、数百オン
グストロームから数マイクロメートルとされる。

【００４６】導電性膜４は、素子電極２及び３と段差形
成部２１の作成後に形成されるために、素子電極２及び
３の上に積層される。なお、電子放出部５は、図２にお
いては、段差形成部２１に直線状に示されているが、作
成条件及び前述の通電フォーミング条件などに依存し
て、その形状及び位置共にこれに限るものではない。

【００４７】以上のような表面伝導型電子放出素子は、
１）ある値以上の素子電圧（閾値電圧）を印加すると急
激に放出電流が増加し、一方、閾値電圧以下では放出電
流はほとんど検出されない。即ち、放出電流に対する明
確な閾値電圧を持った非線形素子である。２）放出電流
が素子電圧に対して単調増加依存するため、放出電流は
素子電圧で制御できる。３）アノード電極（電子線が照
射される部材）に捕捉される放出電荷は、素子電圧を印
加する時間に依存するので、アノード電極に捕捉される
電荷量は、素子電圧を印加する時間により制御できる。
等の特徴的性質を有するので、入力信号に応じて、電子
放出特性が、複数の電子放出素子を配置した電子源及び
画像形成装置等においても容易に制御できることとな
り、多方面への応用ができる。

【００４８】また、上記表面伝導型電子放出素子の動作
駆動は、高真空度、例えば１０^-6ｔｏｒｒ以上の真空度
の雰囲気下にて行われることが好ましい。

【００４９】

【実施例】以下に、実施例を挙げて、本発明をより具体
的に説明する。

【００５０】（実施例１）図３及び図４に本発明の第一
の実施例に係る画像形成装置を示す。尚、図３は画像形
成装置の概略斜視図、図４は図３のＡ−Ａ’断面図であ
る。

【００５１】図中、３１はリヤプレート、４１は外枠、
３９はフェースプレートであり、これらにより外囲器を
形成している。

【００５２】また、３４は電子放出部、３３ａ及び３３
ｂは該電子放出部に電圧を印加するための電極であり、
これらにより電子放出素子３５を形成している。尚、本
実施例におけるこの電子放出素子は、前述した平面型の
表面伝導型電子放出素子である。

【００５３】また、３２ａ及び３２ｂは配線電極であ
り、特に、３２ａは走査電極、３２ｂは情報信号電極と
して用いられ、それぞれ前記電極３３ａ及び３３ｂに電
気的に接続されている。尚、不図示ではあるが、これら
の配線電極３２ａ及び３２ｂはその交点において、配線
電極間を電気的絶縁する層間絶縁部材が設けられてい
る。また、本発明においては、前記電極３３ａ及び３３
ｂ、前記配線電極３２ａ及び３２ｂを素子電極と総称す
る。

【００５４】また、３６はガラス基板、３８は蛍光体
（画像形成部材）、３７は該蛍光体に電圧を印加するた
めの透明電極であり、これらにより前記フェースプレー
ト３９を形成している。

【００５５】また、４０は外囲器にかかる大気圧を支持
するための支持部材であり、ガラスなどの絶縁性部材４
０ａの表面に金属などの導電性膜４０ｂが形成されてい
る。また、４３は該導電性支持部材４０に所定の電位を
与えるための電源である。

【００５６】同図に示すように、電子放出素子３５と画
像形成部材である蛍光体３８は、外囲器内の相対向する
基体（リヤプレート３１とガラス基板３６）上に配置さ
れており、また、導電性支持部材４０は、リヤプレート
３１とフェースプレート３９にかかる大気圧を支持し得
るように、該両基体間に配置されている。但し、図４に
示すように、該導電性支持部材４０は、リヤプレート側
においては、電子放出素子３５間のリヤプレート３１上
に配置されており、フェースプレート側においては、蛍
光体３８及び透明電極３７とは電気的に非接触な状態で
配置されており、電源４３より印加される電位によって
該導電性支持部材４０の電位は規定されている。

【００５７】更に、該導電性支持部材４０には、複数の
穴４４が設けられている。この穴は外囲器内を真空に排
気する際、排気効率を良くするためのものであり、穴の
無い場合と比較して排気に要する時間は格段に短くな
る。また、穴の形状は、本実施例においては円形である
が、これに限らず、四角形や六角形などの他の形状でも
良く、この形状や大きさ、設ける位置、穴の数などは、
充分な耐大気圧支持機能が得られる範囲で適宜設定され
る。

【００５８】また、以上の導電性支持部材の作成は、例
えば、板状の感光性ガラスをエッチングすることで不要
部分（穴の部分）を除去、あるいは、板状の青板ガラス
などをＲＩＥ（反応性イオンエッチング）やＲＩＢＥ
（反応性イオンビームエッチング）で不要部分を除去す
るなどの方法にて穴を形成した絶縁性部材に、真空蒸着
法などによって、金属などの導電性膜を部分的に被覆す
ることにより作成するか、あるいは、板状の金属をプレ
ス加工や放電加工、切除などで不要部分（穴の部分）を
除去し、次に必要部分に絶縁性部材を被覆することによ
り作成する。

【００５９】以上の本実施例の画像形成装置によれば、
輝度ムラ、経時的な輝度の変化を防止でき、極めて安定
した発光画像が形成できる。しかも、該装置の駆動中
に、電子放出素子に致命的なダメージを与えるような放
電を防止でき、長寿命の画像表示が可能である。

【００６０】（実施例２）図５及び図６に本発明の第二
の実施例に係る画像形成装置を示す。尚、図５は画像形
成装置の概略斜視図、図６は図５のＡ−Ａ’断面図であ
る。

【００６１】本実施例では、導電性支持部材４０が、配
線電極３２ａ上に配置されて電気的に配線電極３２ａに
接続され、その表面は、配線電極３２ａと同電位となる
ようにしてある以外、実施例１と同様である。尚、図６
において、４５は、両配線電極３２ａ及び３２ｂを電気
的に絶縁するための層間絶縁部材である。

【００６２】本実施例においも、実施例１と同様な効果
が確認され、輝度ムラ、経時的な輝度の変化を防止で
き、極めて安定した発光画像が形成できる。しかも、該
装置の駆動中に、電子放出素子に致命的なダメージを与
えるような放電を防止でき、長寿命の画像表示が可能で
ある。また、外囲器内の排気は、穴４４を設けない導電
性支持部材を用いた場合と比較して、その排気に要する
時間は格段に短くなる。

【００６３】（実施例３）図７及び図８に本発明の第三
の実施例に係る画像形成装置を示す。尚、図７は画像形
成装置の概略斜視図、図８は導電性支持部材４０を図７
の矢印方向から見た平面図である。

【００６４】本実施例では、導電性支持部材４０に設け
られる穴５４の形状を縦長の楕円、即ち、支持方向（リ
ヤプレート３１及びフェースプレート３９に対して垂直
方向）にその長軸を有する楕円とした以外は実施例１と
同様である。

【００６５】本実施例においも、実施例１と同様な効果
が確認され、輝度ムラ、経時的な輝度の変化を防止で
き、極めて安定した発光画像が形成できる。しかも、該
装置の駆動中に、電子放出素子に致命的なダメージを与
えるような放電を防止でき、長寿命の画像表示が可能で
ある。また、外囲器内の排気は、穴５４を設けない導電
性支持部材を用いた場合と比較して、その排気に要する
時間は格段に短くなる。更には、本実施例においては、
穴５４が真円である場合に比較して、支持方向の強度が
向上するという効果をも奏する。

【００６６】尚、本実施例においては、導電性支持部材
４０の電位を規定する手段として、電源４３による電圧
印加手段を用いているが、実施例２にて述べたように、
素子電極（配線電極３２ａ）に電気的に接続し、該導電
性支持部材と素子電極とを同電位とすることによるもの
であっても良い。

【００６７】

【発明の効果】以上述べた本発明によれば、大気圧に対
して充分強固な支持構造を有し、輝度ムラ、色ムラ、更
にはクロストーク等の画像劣化を防止しできるばかり
か、排気効率、排気度の高い画像形成装置を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明において、好ましく用いられる表面伝導
型電子放出素子の基本的な構成を示す模式的平面図
（ａ）、断面図（ｂ）。

【図２】本発明において、好ましく用いられる表面伝導
型電子放出素子の別の態様を示す模式的断面図。

【図３】本発明の実施例１の画像形成装置を示す斜視
図。

【図４】図３の画像形成装置のＡ−Ａ’断面図。

【図５】本発明の実施例２の画像形成装置を示す斜視
図。

【図６】図５の画像形成装置のＡ−Ａ’断面図。

【図７】本発明の実施例３の画像形成装置を示す斜視
図。

【図８】図７の矢印方向から見た支持部材の平面図。

【図９】装置内に支持部材を設けた画像形成装置の例を
示す斜視図。

【図１０】図９の画像形成装置のＡ−Ａ’断面図。

【図１１】従来の表面伝導型電子放出素子の模式的平面
図。

【符号の説明】

１，１１１基板２，３素子電極４，１１４導電性膜５，３４，１０４，１１３電子放出部２１段差形成部材３１，１０１リヤプレート３２ａ，３２ｂ，１０２ａ，１０２ｂ配線電極３３ａ，３３ｂ，１０３ａ，１０３ｂ電極３５，１０５電子放出素子３６，１０６ガラス基板３７，１０７透明電極３８，１０８蛍光体３９，１０９フェースプレート４０，１１０支持部材４０ａ絶縁性部材４０ｂ導電性膜４１，１１１外枠４２，１１２輝点４３外部電源４４，５４穴

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外囲器内に、電子放出素子と、該電子放
出素子から放出される電子線の照射により画像を形成す
る画像形成部材と、該外囲器を支持する支持部材とを有
する画像形成装置において、該支持部材が、導電性を有
し、且つ、穴が設けられていることを特徴とする画像形
成装置。
【請求項２】更に、前記支持部材の電位を規定する電
位規定手段を有する請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】前記電位規定手段が、前記支持部材に電
圧を印加する電圧印加手段である請求項２に記載の画像
形成装置。
【請求項４】前記電圧印加手段が、外部電源である請
求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】前記電圧印加手段が、素子電極である請
求項３に記載の画像形成装置。
【請求項６】前記穴が、前記外囲器の支持方向にその
長軸を有する楕円形状である請求項１に記載の画像形成
装置。
【請求項７】前記電子放出素子が、表面伝導型電子放
出素子である請求項１〜６のいずれかに記載の画像形成
装置。