JPH0878209A - ＺｎＯバリスタの製造方法 - Google Patents
ＺｎＯバリスタの製造方法Info
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- JPH0878209A JPH0878209A JP6214767A JP21476794A JPH0878209A JP H0878209 A JPH0878209 A JP H0878209A JP 6214767 A JP6214767 A JP 6214767A JP 21476794 A JP21476794 A JP 21476794A JP H0878209 A JPH0878209 A JP H0878209A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気特性のばらつきや寿命特性の不安定性が
なく、かつ、誘電損失（ｔａｎδ）を抑えることができ
るＺｎＯバリスタの製造方法を提供する。 【構成】 ＺｎＯ素材にＡｌ2 Ｏ3 を１０〜１００ｐｐ
ｍ添加して、８００〜１２００℃で熱処理する。次に、
前記ＺｎＯ素材を粗粉砕し、Ｂｉ2 Ｏ3 及び必要に応じ
て他の添加物を加えて粉砕し、仮焼する。そして、前記
仮焼された原料を粉砕した後、バインダーを加えて成形
する。また、前記ＺｎＯ素材は熱処理後に、Ａｌ2 Ｏ3
が３０〜１２０ｐｐｍ含有されている。
なく、かつ、誘電損失（ｔａｎδ）を抑えることができ
るＺｎＯバリスタの製造方法を提供する。 【構成】 ＺｎＯ素材にＡｌ2 Ｏ3 を１０〜１００ｐｐ
ｍ添加して、８００〜１２００℃で熱処理する。次に、
前記ＺｎＯ素材を粗粉砕し、Ｂｉ2 Ｏ3 及び必要に応じ
て他の添加物を加えて粉砕し、仮焼する。そして、前記
仮焼された原料を粉砕した後、バインダーを加えて成形
する。また、前記ＺｎＯ素材は熱処理後に、Ａｌ2 Ｏ3
が３０〜１２０ｐｐｍ含有されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非直線性が大きく、電
圧抑制能力、及びサージ耐量の高いＺｎＯバリスタの製
造方法に関する。
圧抑制能力、及びサージ耐量の高いＺｎＯバリスタの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】バリスタ材料では、現在ＺｎＯが主流と
して用いられている。そして、添加物やＺｎＯ素材に含
まれる不純物により、ＺｎＯに含まれる酸素欠陥が引き
起こされる。ＺｎＯバリスタは、このＺｎＯに含まれる
酸素欠陥により、バリスタ特性を発現する。
して用いられている。そして、添加物やＺｎＯ素材に含
まれる不純物により、ＺｎＯに含まれる酸素欠陥が引き
起こされる。ＺｎＯバリスタは、このＺｎＯに含まれる
酸素欠陥により、バリスタ特性を発現する。
【０００３】ところで、従来のＺｎＯバリスタの製造方
法は、ＺｎＯに添加物として酸化ビスマス、及び必要に
応じて、例えば、酸化アンチモン，酸化コバルト，酸化
マンガンなどを加え、粉砕した後、仮焼、粉砕を経て原
料を作製するのが一般的である。
法は、ＺｎＯに添加物として酸化ビスマス、及び必要に
応じて、例えば、酸化アンチモン，酸化コバルト，酸化
マンガンなどを加え、粉砕した後、仮焼、粉砕を経て原
料を作製するのが一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の工法に
おいては、これらの不純物や添加物が、原料製造工程や
焼成工程において偏析し易く、電気特性のばらつきや寿
命特性の不安定性を増していた。
おいては、これらの不純物や添加物が、原料製造工程や
焼成工程において偏析し易く、電気特性のばらつきや寿
命特性の不安定性を増していた。
【０００５】一方、ＺｎＯバリスタはその電気特性か
ら、一般に電源ライン等に用いられるが、誘電率（見か
けの誘電率）が２００〜１０００あり、バリスタが動作
しない範囲ではコンデンサでもある。しかし、バリスタ
の誘電損失（ｔａｎδ）は数％〜数十％もあり、コンデ
ンサとしては損失が大きい。このため、電源用以外に用
いることは困難であった。
ら、一般に電源ライン等に用いられるが、誘電率（見か
けの誘電率）が２００〜１０００あり、バリスタが動作
しない範囲ではコンデンサでもある。しかし、バリスタ
の誘電損失（ｔａｎδ）は数％〜数十％もあり、コンデ
ンサとしては損失が大きい。このため、電源用以外に用
いることは困難であった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、電気特性のばら
つきや寿命特性の不安定性がなく、かつ、誘電損失（ｔ
ａｎδ）を小さくすることができるＺｎＯバリスタの製
造方法を提供することにある。
つきや寿命特性の不安定性がなく、かつ、誘電損失（ｔ
ａｎδ）を小さくすることができるＺｎＯバリスタの製
造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、請求項１にお
いて、ＺｎＯバリスタの製造方法は、ＺｎＯ素材にＡｌ
2 Ｏ3 を１０〜１００ｐｐｍ添加して、８００〜１２０
０℃で熱処理する工程、熱処理されたＺｎＯ素材を粗粉
砕し、Ｂｉ2 Ｏ3 及び必要に応じて他の添加物を加えて
粉砕し、仮焼する工程、仮焼された原料を粉砕する工
程、粉砕された原料にバインダーを加えて成形する工程
を有することを特徴とするものである。
いて、ＺｎＯバリスタの製造方法は、ＺｎＯ素材にＡｌ
2 Ｏ3 を１０〜１００ｐｐｍ添加して、８００〜１２０
０℃で熱処理する工程、熱処理されたＺｎＯ素材を粗粉
砕し、Ｂｉ2 Ｏ3 及び必要に応じて他の添加物を加えて
粉砕し、仮焼する工程、仮焼された原料を粉砕する工
程、粉砕された原料にバインダーを加えて成形する工程
を有することを特徴とするものである。
【０００８】また、請求項２において、ＺｎＯバリスタ
の製造方法は、ＺｎＯ素材の熱処理後に、Ａｌ2 Ｏ3 が
３０〜１２０ｐｐｍ含有されていることを特徴とするも
のである。
の製造方法は、ＺｎＯ素材の熱処理後に、Ａｌ2 Ｏ3 が
３０〜１２０ｐｐｍ含有されていることを特徴とするも
のである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、ＺｎＯ素材にＡｌ2 Ｏ3 を１
０〜１００ｐｐｍ添加し、８００〜１２００℃で熱処理
することで、Ａｌ2 Ｏ3 がＺｎＯに固溶し、ドナ−とな
ってＺｎＯの酸素欠陥が助長され、このため、ＺｎＯの
粒内抵抗が下がる。
０〜１００ｐｐｍ添加し、８００〜１２００℃で熱処理
することで、Ａｌ2 Ｏ3 がＺｎＯに固溶し、ドナ−とな
ってＺｎＯの酸素欠陥が助長され、このため、ＺｎＯの
粒内抵抗が下がる。
【００１０】また、ＺｎＯを熱処理することにより、Ｚ
ｎＯが粒成長し、粗粉砕と組み合わせて、Ａｌ2 Ｏ3 以
外の添加物と同等の粒径にすることができる。
ｎＯが粒成長し、粗粉砕と組み合わせて、Ａｌ2 Ｏ3 以
外の添加物と同等の粒径にすることができる。
【００１１】このようにすると、Ａｌ2 Ｏ3 以外の添加
物との粉砕がスム−ズに進み、均一粉砕・均一混合がで
きるようになり、さらに、仮焼、粉砕を進めることによ
り、さらに均一混合が進み、より均一な原料を作製でき
る。そして、この原料にバインダ−を加えて成形し、８
５０〜１３００℃の温度で焼成することで、ばらつきが
少なく、寿命特性が安定し、かつ、誘電損失（ｔａｎ
δ）の小さなＺｎＯバリスタが得られる。
物との粉砕がスム−ズに進み、均一粉砕・均一混合がで
きるようになり、さらに、仮焼、粉砕を進めることによ
り、さらに均一混合が進み、より均一な原料を作製でき
る。そして、この原料にバインダ−を加えて成形し、８
５０〜１３００℃の温度で焼成することで、ばらつきが
少なく、寿命特性が安定し、かつ、誘電損失（ｔａｎ
δ）の小さなＺｎＯバリスタが得られる。
【００１２】なお、Ａｌ2 Ｏ3 の添加方法や熱処理方法
によって、ＺｎＯの熱処理後に、Ａｌ2 Ｏ3 の含有量が
添加時のそれと異なってくる。これは、一般の熱処理方
法が、Ａｌ2 Ｏ3 を用いた耐火構造物（例えば、焼成匣
など）を使用するためであり、この耐火構造物からＺｎ
Ｏに混入するＡｌ2 Ｏ3 も、最初に添加したものと同様
に効果を示す。また、ＺｎＯの耐火構造物への拡散や、
Ａｌ2 Ｏ3 の添加後の工程におけるぬけなどもあり、こ
れらの結果が実質的に、熱処理後のＺｎＯに含有される
Ａｌ2 Ｏ3 の量として現れることになる。このＡｌ2 Ｏ
3 の量が３０〜１２０ｐｐｍの場合に、優れたバリスタ
特性が得られる。
によって、ＺｎＯの熱処理後に、Ａｌ2 Ｏ3 の含有量が
添加時のそれと異なってくる。これは、一般の熱処理方
法が、Ａｌ2 Ｏ3 を用いた耐火構造物（例えば、焼成匣
など）を使用するためであり、この耐火構造物からＺｎ
Ｏに混入するＡｌ2 Ｏ3 も、最初に添加したものと同様
に効果を示す。また、ＺｎＯの耐火構造物への拡散や、
Ａｌ2 Ｏ3 の添加後の工程におけるぬけなどもあり、こ
れらの結果が実質的に、熱処理後のＺｎＯに含有される
Ａｌ2 Ｏ3 の量として現れることになる。このＡｌ2 Ｏ
3 の量が３０〜１２０ｐｐｍの場合に、優れたバリスタ
特性が得られる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例につき、説明する。
【００１４】（１）ＺｎＯバリスタ原料の作製 まず、原料として、純度９９％以上のＺｎＯ１００重量
部に対し、表１に示すようにＡｌ2 Ｏ3 を添加し、８０
０〜１３００℃で熱処理を施し、ＩＣＰ化学分析法でＡ
ｌ2 Ｏ3 の含有量を測定した。この熱処理後の含有量は
焼成後も維持される。なお、表１における＊印のついた
試料番号のものは、本発明の範囲外の組成・条件の試料
であることを示す。
部に対し、表１に示すようにＡｌ2 Ｏ3 を添加し、８０
０〜１３００℃で熱処理を施し、ＩＣＰ化学分析法でＡ
ｌ2 Ｏ3 の含有量を測定した。この熱処理後の含有量は
焼成後も維持される。なお、表１における＊印のついた
試料番号のものは、本発明の範囲外の組成・条件の試料
であることを示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】この熱処理されたＺｎＯ原料をロールクラ
ッシャーで粉砕し、さらにパルベライザーで粗粉砕し、
平均粒径で２〜３μｍの粒子にした。このとき、１３０
０℃で熱処理した原料は非常に固く、粉砕が十分に進ま
なかった。
ッシャーで粉砕し、さらにパルベライザーで粗粉砕し、
平均粒径で２〜３μｍの粒子にした。このとき、１３０
０℃で熱処理した原料は非常に固く、粉砕が十分に進ま
なかった。
【００１７】このようにして得られたＺｎＯ原料に、添
加物として、Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＣｏＣＯ3 ，ＭｎＯ2 及びＳ
ｂ2 Ｏ2 を、ＺｎＯ原料を１００モル％として、それぞ
れ０．５モル％の割合で秤量し、純水とＰＳＺ玉石を加
え、ボールミルで２４時間混合・粉砕して、混合物スラ
リーを得た。次に、得られたスラリーを瀘過乾燥して造
粒した後、８００℃の温度で２時間仮焼した。さらにこ
の仮焼物をパルベライザーにより、粗粉砕した後、純水
とＰＳＺ玉石を加えてボールミルで微粉砕した。こうし
て得られたスラリーを瀘過乾燥した。
加物として、Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＣｏＣＯ3 ，ＭｎＯ2 及びＳ
ｂ2 Ｏ2 を、ＺｎＯ原料を１００モル％として、それぞ
れ０．５モル％の割合で秤量し、純水とＰＳＺ玉石を加
え、ボールミルで２４時間混合・粉砕して、混合物スラ
リーを得た。次に、得られたスラリーを瀘過乾燥して造
粒した後、８００℃の温度で２時間仮焼した。さらにこ
の仮焼物をパルベライザーにより、粗粉砕した後、純水
とＰＳＺ玉石を加えてボールミルで微粉砕した。こうし
て得られたスラリーを瀘過乾燥した。
【００１８】（２）ディスク型バリスタの作製 上記（１）のようにして得られた原料にバインダーを加
え、造粒、乾燥した後、粉末成形機で直径１２ｍｍ，厚
み１．２ｍｍ，密度３．２ｇ／ｃｍ3 の円柱状形状とな
るように成形した。これを４００℃で３時間脱脂した
後、１２５０℃で２時間焼成した。そして、この焼結体
の両面に直径７ｍｍの円形状にＡｇ電極ペーストを塗布
し、６００℃で焼き付けた。さらに、リード線を半田で
取り付け、樹脂でディッピング塗装した。
え、造粒、乾燥した後、粉末成形機で直径１２ｍｍ，厚
み１．２ｍｍ，密度３．２ｇ／ｃｍ3 の円柱状形状とな
るように成形した。これを４００℃で３時間脱脂した
後、１２５０℃で２時間焼成した。そして、この焼結体
の両面に直径７ｍｍの円形状にＡｇ電極ペーストを塗布
し、６００℃で焼き付けた。さらに、リード線を半田で
取り付け、樹脂でディッピング塗装した。
【００１９】（３）チップ積層バリスタの作製 同じく上記（１）のようにして得られた原料にバインダ
ーと有機溶剤（エチルアルコールとトルエン）を加え、
さらに分散剤を加え、ボールミルで混合してスラリーを
得た。このスラリーを用いて、ドクターブレード法によ
り、一定幅で５０μｍの厚みのグリーンシートを作製し
た。そして、このグリーンシートを所定の形状（矩形）
に打ち抜き、複数枚のグリーンシートを得た。
ーと有機溶剤（エチルアルコールとトルエン）を加え、
さらに分散剤を加え、ボールミルで混合してスラリーを
得た。このスラリーを用いて、ドクターブレード法によ
り、一定幅で５０μｍの厚みのグリーンシートを作製し
た。そして、このグリーンシートを所定の形状（矩形）
に打ち抜き、複数枚のグリーンシートを得た。
【００２０】次に、Ａｇ／Ｐｄ（重量混合比７：３）合
金ペーストをスクリーン印刷板を用いて、これらのグリ
ーンシート上に電極パターンとして印刷した。そして、
これらの印刷シートを積み重ねた後、印刷していないシ
ートを上下両端に重ね、２ｔ／ｃｍ2 の圧力で圧着し
た。この後、所定の大きさにカットして面取りを行っ
た。さらに、５００℃で２時間熱処理してバインダーを
飛ばした後、９５０℃で３時間焼成した。得られた焼結
体の側面の内部電極露出部に、外部電極としてＡｇ／Ｐ
ｄ（重量混合比７：３）合金ペーストを塗布し、８００
℃で焼き付けた。
金ペーストをスクリーン印刷板を用いて、これらのグリ
ーンシート上に電極パターンとして印刷した。そして、
これらの印刷シートを積み重ねた後、印刷していないシ
ートを上下両端に重ね、２ｔ／ｃｍ2 の圧力で圧着し
た。この後、所定の大きさにカットして面取りを行っ
た。さらに、５００℃で２時間熱処理してバインダーを
飛ばした後、９５０℃で３時間焼成した。得られた焼結
体の側面の内部電極露出部に、外部電極としてＡｇ／Ｐ
ｄ（重量混合比７：３）合金ペーストを塗布し、８００
℃で焼き付けた。
【００２１】（４）電気特性の測定 このようにして作製したＺｎＯバリスタの電気特性を以
下の方法で測定した。
下の方法で測定した。
【００２２】バリスタ特性はＤＣ電流を流し、バリスタ
の両端電圧を測定して、１ｍＡを流したときの電圧をバ
リスタ電圧Ｖ１ｍＡとした。また、バリスタの性能指数
を表す非直線係数αは、０．１ｍＡを流したときの電圧
Ｖ０．１ｍＡ測定値とバリスタ電圧Ｖ１ｍＡとで、α＝
１／ｌｏｇ（Ｖ１ｍＡ／Ｖ０．１ｍＡ）の式で計算し
た。そして、高電流域の性能として、制限電圧を測定し
た。制限電圧は、８×２０μｓｅｃの三角の電流波形を
持ち、そのピーク電流が１０Ａとなる電流パルスをバリ
スタに印加し、バリスタの両端電圧の最高電圧Ｖ１０Ａ
を測定した。さらに、サージ耐量として、制限電圧と同
様の波形形状を有する電流パルスを印加して、パルス印
加前後のＶ１ｍＡの変化が１０％を超えるピーク電流値
を測定した。
の両端電圧を測定して、１ｍＡを流したときの電圧をバ
リスタ電圧Ｖ１ｍＡとした。また、バリスタの性能指数
を表す非直線係数αは、０．１ｍＡを流したときの電圧
Ｖ０．１ｍＡ測定値とバリスタ電圧Ｖ１ｍＡとで、α＝
１／ｌｏｇ（Ｖ１ｍＡ／Ｖ０．１ｍＡ）の式で計算し
た。そして、高電流域の性能として、制限電圧を測定し
た。制限電圧は、８×２０μｓｅｃの三角の電流波形を
持ち、そのピーク電流が１０Ａとなる電流パルスをバリ
スタに印加し、バリスタの両端電圧の最高電圧Ｖ１０Ａ
を測定した。さらに、サージ耐量として、制限電圧と同
様の波形形状を有する電流パルスを印加して、パルス印
加前後のＶ１ｍＡの変化が１０％を超えるピーク電流値
を測定した。
【００２３】また、コンデンサとしての評価は、測定周
波数１ＫＨｚ、測定電圧１Ｖｒｍｓで、静電容量Ｃと誘
電損失ｔａｎδを測定した。
波数１ＫＨｚ、測定電圧１Ｖｒｍｓで、静電容量Ｃと誘
電損失ｔａｎδを測定した。
【００２４】以上の測定は各ロットの試料数２０個で測
定した。そして、ばらつきを３ＣＶ（３×σ／平均×１
００％）で計算した。ただし、サージ耐量のばらつきは
ｒ（５個の試料による最大値と最小値の差）で求めた。
定した。そして、ばらつきを３ＣＶ（３×σ／平均×１
００％）で計算した。ただし、サージ耐量のばらつきは
ｒ（５個の試料による最大値と最小値の差）で求めた。
【００２５】さらに、寿命特性の評価として、Ｖ１ｍＡ
の８５％となるＤＣ電圧を印加しながら、プレッシャー
クッカー内で９６時間試験した。そして、この試験前後
のＶ１ｍＡとＣの変化、つまり、δＶ１ｍＡとδＣを測
定した。
の８５％となるＤＣ電圧を印加しながら、プレッシャー
クッカー内で９６時間試験した。そして、この試験前後
のＶ１ｍＡとＣの変化、つまり、δＶ１ｍＡとδＣを測
定した。
【００２６】この測定結果を表２ないし表５に示す。表
２及び表３はディスク型バリスタの、また、表４及び表
５はチップ積層型バリスタの電気特性を示している。な
お、これら表２ないし表５の試料番号は前記表１の試料
番号と対応し、＊印のついたものは、本発明の範囲外の
組成・条件のものであることを示す。
２及び表３はディスク型バリスタの、また、表４及び表
５はチップ積層型バリスタの電気特性を示している。な
お、これら表２ないし表５の試料番号は前記表１の試料
番号と対応し、＊印のついたものは、本発明の範囲外の
組成・条件のものであることを示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
【００２９】
【表４】
【００３０】
【表５】
【００３１】Ａｌ2 Ｏ3 の効果は、添加量が１０ｐｐｍ
（熱処理後で３０ｐｐｍの含有）未満の場合、無添加の
場合より効果は見られたが、特性ばらつきがまだ大き
い。また、添加量が１００ｐｐｍ（熱処理後で１２０ｐ
ｐｍ含有）を超えると、バリスタ電圧が上昇し、これに
伴い、サージ耐量が低下して、ばらつきも増える傾向が
ある。従って、Ａｌ2 Ｏ3 の添加量は１０〜１００ｐｐ
ｍとすることが必要である。
（熱処理後で３０ｐｐｍの含有）未満の場合、無添加の
場合より効果は見られたが、特性ばらつきがまだ大き
い。また、添加量が１００ｐｐｍ（熱処理後で１２０ｐ
ｐｍ含有）を超えると、バリスタ電圧が上昇し、これに
伴い、サージ耐量が低下して、ばらつきも増える傾向が
ある。従って、Ａｌ2 Ｏ3 の添加量は１０〜１００ｐｐ
ｍとすることが必要である。
【００３２】また、ＺｎＯの熱処理温度は、１２００℃
を超えるとサージ耐量の低下や特性ばらつきが生じる。
これは、ＺｎＯ粒子が固くなり、粉砕時に不純物が入り
やすいことが原因と考えられる。そして、８００℃未満
では、ＺｎＯとＡｌ2 Ｏ3 の反応がほとんど進まないこ
とが確認された。従って、ＺｎＯの熱処理温度は、８０
０〜１２００℃とすることが必要である。
を超えるとサージ耐量の低下や特性ばらつきが生じる。
これは、ＺｎＯ粒子が固くなり、粉砕時に不純物が入り
やすいことが原因と考えられる。そして、８００℃未満
では、ＺｎＯとＡｌ2 Ｏ3 の反応がほとんど進まないこ
とが確認された。従って、ＺｎＯの熱処理温度は、８０
０〜１２００℃とすることが必要である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、ＺｎＯへＡｌ2 Ｏ3 を
添加して熱処理することにより、誘電損失（ｔａｎδ）
が小さくなり、また、全体的に特性ばらつきが減少す
る。そして、制限電圧が低くなり、サージ耐量が上昇
し、寿命特性が向上する。また、付属的な現象として
は、静電容量が大きくなる傾向がある。
添加して熱処理することにより、誘電損失（ｔａｎδ）
が小さくなり、また、全体的に特性ばらつきが減少す
る。そして、制限電圧が低くなり、サージ耐量が上昇
し、寿命特性が向上する。また、付属的な現象として
は、静電容量が大きくなる傾向がある。
【００３４】そして、ディスク型、チップ型などの形状
・構造にかかわりなく、上記のような優れた特性のＺｎ
Ｏバリスタが得られる。
・構造にかかわりなく、上記のような優れた特性のＺｎ
Ｏバリスタが得られる。
【００３５】このように、ＺｎＯバリスタの諸特性が改
善されることにより、電源を初めとして、ロスのより少
ない電圧安定化用機器やサージ吸収用機器の実現が可能
になる。
善されることにより、電源を初めとして、ロスのより少
ない電圧安定化用機器やサージ吸収用機器の実現が可能
になる。
Claims (2)
- 【請求項１】 主成分のＺｎＯ素材にＡｌ2 Ｏ3 を１０
〜１００ｐｐｍ添加して、８００〜１２００℃で熱処理
する工程、熱処理されたＺｎＯ素材を粗粉砕し、Ｂｉ2
Ｏ3 及び必要に応じて他の添加物を加えて粉砕し、仮焼
する工程、仮焼された原料を粉砕する工程、粉砕された
原料にバインダーを加えて成形する工程を有することを
特徴とするＺｎＯバリスタの製造方法。 - 【請求項２】 主成分のＺｎＯ素材の熱処理後に、Ａｌ
2 Ｏ3 が３０〜１２０ｐｐｍ含有されていることを特徴
とする請求項１記載のＺｎＯバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6214767A JPH0878209A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | ＺｎＯバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6214767A JPH0878209A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | ＺｎＯバリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878209A true JPH0878209A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16661205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6214767A Pending JPH0878209A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | ＺｎＯバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878209A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011040734A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-24 | Leader Well Technology Co Ltd | 酸化亜鉛バリスタを作製するための２つの独立した処理手順を介して酸化亜鉛バリスタを製造するプロセス |
-
1994
- 1994-09-08 JP JP6214767A patent/JPH0878209A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011040734A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-24 | Leader Well Technology Co Ltd | 酸化亜鉛バリスタを作製するための２つの独立した処理手順を介して酸化亜鉛バリスタを製造するプロセス |
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