JPH0878279A - チップ型電子部品の外部電極形成方法 - Google Patents
チップ型電子部品の外部電極形成方法Info
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- JPH0878279A JPH0878279A JP6212689A JP21268994A JPH0878279A JP H0878279 A JPH0878279 A JP H0878279A JP 6212689 A JP6212689 A JP 6212689A JP 21268994 A JP21268994 A JP 21268994A JP H0878279 A JPH0878279 A JP H0878279A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 はんだ耐熱性及びはんだ付け性に優れた外部
電極を形成する。 【構成】 セラミック焼結体からなるベアチップ３の側
面に、金属粉末とガラス及び／又は無機酸化物とを含む
ペーストを焼き付けて下地電極４を形成した後、下地電
極表面を研磨処理して、下地電極の表層の一部を除去
し、その後、メッキ膜５，６を形成する。 【効果】 下地電極４の表層の一部を研磨処理により除
去することにより、下地電極表面に浮き出したガラス又
は無機酸化物が除去され、下地電極表面に、連続したメ
ッキ層５，６を容易に形成することができるようにな
る。これにより、下地電極形成用の導電性ペーストのガ
ラス及び／又は無機酸化物配合量を低減することなく、
従って、下地電極の耐メッキ液浸透性及びベアチップへ
の接着強度を確保した上で、はんだ付け性及びはんだ耐
熱性に優れた外部電極を形成することができる。
電極を形成する。 【構成】 セラミック焼結体からなるベアチップ３の側
面に、金属粉末とガラス及び／又は無機酸化物とを含む
ペーストを焼き付けて下地電極４を形成した後、下地電
極表面を研磨処理して、下地電極の表層の一部を除去
し、その後、メッキ膜５，６を形成する。 【効果】 下地電極４の表層の一部を研磨処理により除
去することにより、下地電極表面に浮き出したガラス又
は無機酸化物が除去され、下地電極表面に、連続したメ
ッキ層５，６を容易に形成することができるようにな
る。これにより、下地電極形成用の導電性ペーストのガ
ラス及び／又は無機酸化物配合量を低減することなく、
従って、下地電極の耐メッキ液浸透性及びベアチップへ
の接着強度を確保した上で、はんだ付け性及びはんだ耐
熱性に優れた外部電極を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層セラミックコンデ
ンサ、チップ抵抗、チップサーミスタ、チップインダク
ターなどのチップ型電子部品の外部電極形成方法に係
り、特に、下地電極を被層するメッキ膜を良好に形成し
て、はんだ耐熱性及びはんだ付け性に優れた外部電極を
形成する方法に関する。
ンサ、チップ抵抗、チップサーミスタ、チップインダク
ターなどのチップ型電子部品の外部電極形成方法に係
り、特に、下地電極を被層するメッキ膜を良好に形成し
て、はんだ耐熱性及びはんだ付け性に優れた外部電極を
形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサ、チップ抵
抗、チップサーミスタ、チップインダクターなどのチッ
プ型電子部品は、セラミック焼結体からなるベアチップ
と、その内部に設けられた内部電極及びこの内部電極に
導通するように、セラミック素体の側面に設けられた端
子電極とで主に構成され、この端子電極を基板にはんだ
付けすることにより実装されている。
抗、チップサーミスタ、チップインダクターなどのチッ
プ型電子部品は、セラミック焼結体からなるベアチップ
と、その内部に設けられた内部電極及びこの内部電極に
導通するように、セラミック素体の側面に設けられた端
子電極とで主に構成され、この端子電極を基板にはんだ
付けすることにより実装されている。
【０００３】従来、チップ型電子部品の端子電極は、次
のようにして形成されている。即ち、まず、貴金属粉末
とガラスフリットを混合したものを有機ビヒクルに混練
し、得られた導電性ペーストをベアチップの側面に塗布
した後、６００〜８００℃程度の温度で焼成してメッキ
下地電極を形成する。その後、この下地電極上にはんだ
付け時のくわれ（溶蝕）を防止するためのＮｉ（ニッケ
ル）メッキ皮膜を形成し、更に、このＮｉメッキ皮膜の
酸化によるはんだ付け性の低下を防止するために、Ｎｉ
メッキ皮膜表面をＳｎ（スズ）メッキ皮膜又ははんだメ
ッキ皮膜で被覆して外部電極を形成する。
のようにして形成されている。即ち、まず、貴金属粉末
とガラスフリットを混合したものを有機ビヒクルに混練
し、得られた導電性ペーストをベアチップの側面に塗布
した後、６００〜８００℃程度の温度で焼成してメッキ
下地電極を形成する。その後、この下地電極上にはんだ
付け時のくわれ（溶蝕）を防止するためのＮｉ（ニッケ
ル）メッキ皮膜を形成し、更に、このＮｉメッキ皮膜の
酸化によるはんだ付け性の低下を防止するために、Ｎｉ
メッキ皮膜表面をＳｎ（スズ）メッキ皮膜又ははんだメ
ッキ皮膜で被覆して外部電極を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のチップ型電
子部品の外部電極形成方法では、次のような問題があっ
た。即ち、下地電極のベアチップへの接着強度を高め、
また、メッキ時のメッキ液の浸入を防止して、高い信頼
性を得るために、下地電極形成のためのペーストに、接
着力が強く、耐メッキ液性の高いガラスフリットを配合
しているが、このガラスフリットは、下地電極の焼成過
程で軟化、流動し、貴金属粉末の焼結に伴いしばしば下
地電極表面に浮き出し、この表面にガラス層を形成す
る。しかし、下地電極表面にガラスが存在すると、この
下地電極上へのメッキ膜の形成が阻害され、メッキ膜面
が不連続となり、欠陥のない連続的なメッキ皮膜を形成
し得ない。この場合には端子電極のはんだ耐熱性及びは
んだ付け性が損なわれる。
子部品の外部電極形成方法では、次のような問題があっ
た。即ち、下地電極のベアチップへの接着強度を高め、
また、メッキ時のメッキ液の浸入を防止して、高い信頼
性を得るために、下地電極形成のためのペーストに、接
着力が強く、耐メッキ液性の高いガラスフリットを配合
しているが、このガラスフリットは、下地電極の焼成過
程で軟化、流動し、貴金属粉末の焼結に伴いしばしば下
地電極表面に浮き出し、この表面にガラス層を形成す
る。しかし、下地電極表面にガラスが存在すると、この
下地電極上へのメッキ膜の形成が阻害され、メッキ膜面
が不連続となり、欠陥のない連続的なメッキ皮膜を形成
し得ない。この場合には端子電極のはんだ耐熱性及びは
んだ付け性が損なわれる。
【０００５】連続的なメッキ皮膜を容易に形成して、は
んだ耐熱性及びはんだ付け性を確保するためには、下地
電極形成のためのペースト中へのガラスフリットの配合
量を抑える必要があるが、この場合には、下地電極の接
着強度が不足し、また、メッキ液の浸入を防止し得なく
なる。
んだ耐熱性及びはんだ付け性を確保するためには、下地
電極形成のためのペースト中へのガラスフリットの配合
量を抑える必要があるが、この場合には、下地電極の接
着強度が不足し、また、メッキ液の浸入を防止し得なく
なる。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決し、チッ
プ型電子部品の外部電極の形成に当り、下地電極表面へ
のメッキ皮膜の形成阻害を防止して、信頼性が高く、は
んだ耐熱性及びはんだ付け性に優れた外部電極を形成す
る方法を提供することを目的とする。
プ型電子部品の外部電極の形成に当り、下地電極表面へ
のメッキ皮膜の形成阻害を防止して、信頼性が高く、は
んだ耐熱性及びはんだ付け性に優れた外部電極を形成す
る方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１のチップ型電子
部品の外部電極形成方法は、セラミック焼結体からなる
ベアチップの側面に、金属粉末とガラス及び／又は無機
酸化物とを含むペーストを焼き付けて下地電極を形成し
た後、該下地電極上にメッキ膜を形成して外部電極を形
成する方法において、メッキ膜の形成に先立ち、下地電
極表面を研磨処理して、該下地電極の表層の一部を除去
することを特徴とする。
部品の外部電極形成方法は、セラミック焼結体からなる
ベアチップの側面に、金属粉末とガラス及び／又は無機
酸化物とを含むペーストを焼き付けて下地電極を形成し
た後、該下地電極上にメッキ膜を形成して外部電極を形
成する方法において、メッキ膜の形成に先立ち、下地電
極表面を研磨処理して、該下地電極の表層の一部を除去
することを特徴とする。
【０００８】請求項２のチップ型電子部品の外部電極形
成方法は、請求項１に記載の方法において、金属として
Ａｇ或いはＡｇとＰｄを含有する下地電極の上にＮｉメ
ッキ膜を形成し、更に、このＮｉメッキ膜上にＳｎ或い
はＳｎ／Ｐｂメッキ膜を形成することを特徴とする。
成方法は、請求項１に記載の方法において、金属として
Ａｇ或いはＡｇとＰｄを含有する下地電極の上にＮｉメ
ッキ膜を形成し、更に、このＮｉメッキ膜上にＳｎ或い
はＳｎ／Ｐｂメッキ膜を形成することを特徴とする。
【０００９】請求項３のチップ型電子部品の外部電極形
成方法は、請求項１又は２に記載の方法において、研磨
処理は研磨粉を用いて行うことを特徴とする。
成方法は、請求項１又は２に記載の方法において、研磨
処理は研磨粉を用いて行うことを特徴とする。
【００１０】請求項４のチップ型電子部品の外部電極形
成方法は、請求項３の方法において、研磨粉はＳｉＣ研
磨粉であることを特徴とする。
成方法は、請求項３の方法において、研磨粉はＳｉＣ研
磨粉であることを特徴とする。
【００１１】請求項５のチップ型電子部品の外部電極形
成方法は、請求項３又は４の方法において、研磨処理を
研磨粉と界面活性剤とを用いて行うことを特徴とする。
成方法は、請求項３又は４の方法において、研磨処理を
研磨粉と界面活性剤とを用いて行うことを特徴とする。
【００１２】請求項６のチップ型電子部品の外部電極形
成方法は、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方
法において、チップ型電子部品が積層セラミックコンデ
ンサであることを特徴とする。
成方法は、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方
法において、チップ型電子部品が積層セラミックコンデ
ンサであることを特徴とする。
【００１３】以下に図面を参照して本発明を詳細に説明
する。
する。
【００１４】図１は、本発明の方法で製造されるチップ
型電子部品の一実施例に係る積層セラミックコンデンサ
を示す断面図である。
型電子部品の一実施例に係る積層セラミックコンデンサ
を示す断面図である。
【００１５】図示の積層セラミックコンデンサ１０は、
表面実装型のチップコンデンサであり、内部電極１を有
するセラミック誘電体２を複数回積層して得られたグリ
ーンチップを焼成して得られるベアチップ３にメッキ下
地電極４、Ｎｉメッキ皮膜５及びはんだメッキ皮膜６を
形成したものである。
表面実装型のチップコンデンサであり、内部電極１を有
するセラミック誘電体２を複数回積層して得られたグリ
ーンチップを焼成して得られるベアチップ３にメッキ下
地電極４、Ｎｉメッキ皮膜５及びはんだメッキ皮膜６を
形成したものである。
【００１６】ここで、このセラミック誘電体２として
は、鉛系、チタン酸バリウム系等の誘電体が用いられ、
内部電極１としてはＰｄ，Ｐｔ，Ａｇ／Ｐｄ等の貴金
属、或いはＮｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ等の卑金属が用いら
れる。
は、鉛系、チタン酸バリウム系等の誘電体が用いられ、
内部電極１としてはＰｄ，Ｐｔ，Ａｇ／Ｐｄ等の貴金
属、或いはＮｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ等の卑金属が用いら
れる。
【００１７】メッキ下地電極４は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，
Ｃｕ等の金属の１種又は２種以上と、ガラスフリット或
いは無機酸化物粉末とを、不活性有機ビヒクルで混練し
て得られた導電性ペーストをセラミック誘電体２よりな
るベアチップ３の両端面に塗布、焼成して形成される。
Ｃｕ等の金属の１種又は２種以上と、ガラスフリット或
いは無機酸化物粉末とを、不活性有機ビヒクルで混練し
て得られた導電性ペーストをセラミック誘電体２よりな
るベアチップ３の両端面に塗布、焼成して形成される。
【００１８】具体的には、ベアチップ３に導電性ペース
トを塗布し、１５０℃〜２００℃で乾燥した後、６００
℃〜８００℃で焼成してメッキ下地電極４を焼き付け
る。その際、ガラスフリットが軟化、流動し、金属の焼
結に伴いしばしば下地電極表面へ浮き出し、表面にガラ
ス及び／又は無機酸化物層を形成する。このため、焼成
後のメッキ下地電極表面にはガラス及び／又は無機酸化
物が存在したものとなる。
トを塗布し、１５０℃〜２００℃で乾燥した後、６００
℃〜８００℃で焼成してメッキ下地電極４を焼き付け
る。その際、ガラスフリットが軟化、流動し、金属の焼
結に伴いしばしば下地電極表面へ浮き出し、表面にガラ
ス及び／又は無機酸化物層を形成する。このため、焼成
後のメッキ下地電極表面にはガラス及び／又は無機酸化
物が存在したものとなる。
【００１９】本発明においては、ベアチップ３に下地電
極４を形成した後、この下地電極４の表面を研磨処理
し、下地電極４の表層の一部を除去することで、下地電
極４の焼き付け過程で下地電極４の表面に浮き出したガ
ラス及び／又は無機酸化物を除去する。
極４を形成した後、この下地電極４の表面を研磨処理
し、下地電極４の表層の一部を除去することで、下地電
極４の焼き付け過程で下地電極４の表面に浮き出したガ
ラス及び／又は無機酸化物を除去する。
【００２０】研磨処理方法としては、例えば、ポットに
ＳｉＣ等の研磨粉、界面活性剤、水及びメッキ下地電極
焼き付け後のベアチップを入れ、所定時間回転させ、そ
の後、ベアチップを篩い分け等により研磨粉と分離し、
洗浄後、１００℃〜１５０℃で乾燥する方法が挙げられ
る。
ＳｉＣ等の研磨粉、界面活性剤、水及びメッキ下地電極
焼き付け後のベアチップを入れ、所定時間回転させ、そ
の後、ベアチップを篩い分け等により研磨粉と分離し、
洗浄後、１００℃〜１５０℃で乾燥する方法が挙げられ
る。
【００２１】この場合、使用する研磨粉の種類としては
特に制限はなく、ＳｉＣ、その他各種無機物の研磨粉等
を好適に使用できる。この研磨粉の粒度は適度に粗いも
のが好ましく、通常の場合、３００〜５００μｍ程度の
粒度のものが好適である。
特に制限はなく、ＳｉＣ、その他各種無機物の研磨粉等
を好適に使用できる。この研磨粉の粒度は適度に粗いも
のが好ましく、通常の場合、３００〜５００μｍ程度の
粒度のものが好適である。
【００２２】研磨粉の使用量は、少なすぎると本発明に
よるメッキ下地電極表面のガラス及び／又は無機酸化物
の研磨除去効果が十分に得られず、多すぎると取り扱い
性や研磨粉コストの面で不利になる。従って、研磨粉
は、チップに対して、体積割合で、チップ：研磨粉＝
１：３〜１０となるように用いるのが好ましい。また、
水はチップに対して体積割合で１：５〜２０となるよう
に用いるのが好ましい。
よるメッキ下地電極表面のガラス及び／又は無機酸化物
の研磨除去効果が十分に得られず、多すぎると取り扱い
性や研磨粉コストの面で不利になる。従って、研磨粉
は、チップに対して、体積割合で、チップ：研磨粉＝
１：３〜１０となるように用いるのが好ましい。また、
水はチップに対して体積割合で１：５〜２０となるよう
に用いるのが好ましい。
【００２３】界面活性剤を研磨粉及び水と混合して用い
るのは、研磨粉と水だけでは研磨粉の分散性が悪く、本
発明によるガラス及び／又は無機酸化物の研磨除去効果
が十分に得られないためであるが、界面活性剤は、研磨
粉と水との合計に対して、０．５〜１重量％の割合で添
加して使用するのが好ましい。
るのは、研磨粉と水だけでは研磨粉の分散性が悪く、本
発明によるガラス及び／又は無機酸化物の研磨除去効果
が十分に得られないためであるが、界面活性剤は、研磨
粉と水との合計に対して、０．５〜１重量％の割合で添
加して使用するのが好ましい。
【００２４】なお、界面活性剤としては、非イオン界面
活性剤等を用いることができる。
活性剤等を用いることができる。
【００２５】研磨処理により除去する下地電極の表層部
分の量は上記ポットの回転時間を制御することにより適
宜調整することができる。通常の場合、回転時間は６０
〜２４０分程度とし、下地電極の表層の約１０〜５０μ
ｍの厚さ部分を除去するのが好ましい。
分の量は上記ポットの回転時間を制御することにより適
宜調整することができる。通常の場合、回転時間は６０
〜２４０分程度とし、下地電極の表層の約１０〜５０μ
ｍの厚さ部分を除去するのが好ましい。
【００２６】この研磨処理により研磨除去される成分
は、ガラスのみとは限らず、結晶性無機酸化物を含むガ
ラス、或いは全て結晶化したものである場合もある。
は、ガラスのみとは限らず、結晶性無機酸化物を含むガ
ラス、或いは全て結晶化したものである場合もある。
【００２７】このような研磨処理後は、常法に従って、
Ｎｉメッキ皮膜５及びはんだメッキ皮膜６を順次積層形
成する。
Ｎｉメッキ皮膜５及びはんだメッキ皮膜６を順次積層形
成する。
【００２８】このような本発明の方法において、対象と
なるチップ型電子部品としては特に制限はなく、本発明
は、積層セラミックコンデンサ、チップ抵抗、チップサ
ーミスタ、チップインダクター等の各種チップ型電子部
品に適用可能である。
なるチップ型電子部品としては特に制限はなく、本発明
は、積層セラミックコンデンサ、チップ抵抗、チップサ
ーミスタ、チップインダクター等の各種チップ型電子部
品に適用可能である。
【００２９】
【作用】ベアチップに外部電極形成用の導電性ペースト
を塗布、焼き付けした後、下地電極の表層の一部を研磨
処理により除去することにより、下地電極表面に浮き出
したガラス及び／又は無機酸化物が除去され、下地電極
表面に、連続したメッキ層を容易に形成することができ
るようになる。これにより、下地電極形成用の導電性ペ
ーストのガラス及び／又は無機酸化物配合量を低減する
ことなく、従って、下地電極の耐メッキ液浸透性及びベ
アチップへの接着強度を確保した上で、はんだ付け性及
びはんだ耐熱性に優れた外部電極を形成することができ
る。
を塗布、焼き付けした後、下地電極の表層の一部を研磨
処理により除去することにより、下地電極表面に浮き出
したガラス及び／又は無機酸化物が除去され、下地電極
表面に、連続したメッキ層を容易に形成することができ
るようになる。これにより、下地電極形成用の導電性ペ
ーストのガラス及び／又は無機酸化物配合量を低減する
ことなく、従って、下地電極の耐メッキ液浸透性及びベ
アチップへの接着強度を確保した上で、はんだ付け性及
びはんだ耐熱性に優れた外部電極を形成することができ
る。
【００３０】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明を
より具体的に説明する。
より具体的に説明する。
【００３１】なお、以下において使用した積層セラミッ
クコンデンサチップは、鉛ペロブスカイト系セラミック
誘電体よりなる４．５ｍｍ×３．２ｍｍ×１．２５ｍｍ
厚さのものであり、下地電極形成用の導電性ペーストと
しては、金属としてＡｇを７５重量％含み、フリットと
してＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスフリ
ットをＡｇに対して１０重量％含有するＡｇペーストを
用いた。
クコンデンサチップは、鉛ペロブスカイト系セラミック
誘電体よりなる４．５ｍｍ×３．２ｍｍ×１．２５ｍｍ
厚さのものであり、下地電極形成用の導電性ペーストと
しては、金属としてＡｇを７５重量％含み、フリットと
してＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスフリ
ットをＡｇに対して１０重量％含有するＡｇペーストを
用いた。
【００３２】実施例１，比較例１ コンデンサチップにＡｇペーストを塗布した後、２００
℃で１０分間乾燥し、次いで、７５０℃で５分間保持し
て下地電極を焼き付けた。次に、この下地電極表面を研
磨処理した。
℃で１０分間乾燥し、次いで、７５０℃で５分間保持し
て下地電極を焼き付けた。次に、この下地電極表面を研
磨処理した。
【００３３】研磨処理はポットに下記割合で下地電極を
形成したコンデンサチップと、ＳｉＣ研磨粉（平均粒径
２００μｍ）と、界面活性剤（非イオン界面活性剤）と
水とを入れ、１２０分間回転させることにより行った。
形成したコンデンサチップと、ＳｉＣ研磨粉（平均粒径
２００μｍ）と、界面活性剤（非イオン界面活性剤）と
水とを入れ、１２０分間回転させることにより行った。
【００３４】 ＳｉＣ研磨粉：コンデンサチップの体積に対して１０倍 水：コンデンサチップの体積に対して２０倍 界面活性剤：研磨粉と水との合計重量に対して０．５重
量％ この研磨処理により、下地電極の表面に浮き出した厚さ
１０μｍ程度のガラス層が除去された。
量％ この研磨処理により、下地電極の表面に浮き出した厚さ
１０μｍ程度のガラス層が除去された。
【００３５】その後、下地電極上に、常法に従ってＮｉ
メッキ皮膜及びＳｎ／Ｐｂ皮膜を順次形成した（実施例
１）。
メッキ皮膜及びＳｎ／Ｐｂ皮膜を順次形成した（実施例
１）。
【００３６】比較のため、上記研磨処理を施さないこと
以外は全く同様にして、コンデンサチップに外部電極を
形成した（比較例１）。
以外は全く同様にして、コンデンサチップに外部電極を
形成した（比較例１）。
【００３７】得られた積層セラミックコンデンサについ
て、下記方法により、はんだ付け性、はんだ耐熱性及び
Ｎｉメッキ皮膜被覆率を調べ、結果を表１に示した。
て、下記方法により、はんだ付け性、はんだ耐熱性及び
Ｎｉメッキ皮膜被覆率を調べ、結果を表１に示した。
【００３８】 はんだ付け性 作製した試料をロジン２５重量％のエタノール溶液に２
秒浸漬後、２３０℃の共晶はんだＳｎ／Ｐｂ（＝６３／
３７（重量比））に２秒間浸漬した。その後、外部電極
表面が９０％以上はんだで覆われているかどうかを実体
顕微鏡（×１５倍）で調べ、はんだで覆われている面積
が９０％以下のものを不良とした。
秒浸漬後、２３０℃の共晶はんだＳｎ／Ｐｂ（＝６３／
３７（重量比））に２秒間浸漬した。その後、外部電極
表面が９０％以上はんだで覆われているかどうかを実体
顕微鏡（×１５倍）で調べ、はんだで覆われている面積
が９０％以下のものを不良とした。
【００３９】 はんだ耐熱性 作製した試料をロジン２５重量％のエタノール溶液に２
秒浸漬後、３００℃の共晶はんだＳｎ／Ｐｂ（＝６３／
３７（重量比））に３０秒間浸漬した。その後、はんだ
の付いていない部分を実体顕微鏡（×１５倍）と断面の
光学顕微鏡観察により調べ、Ｎｉメッキ皮膜が存在しな
い部分が１０％以上のものを不良とした。
秒浸漬後、３００℃の共晶はんだＳｎ／Ｐｂ（＝６３／
３７（重量比））に３０秒間浸漬した。その後、はんだ
の付いていない部分を実体顕微鏡（×１５倍）と断面の
光学顕微鏡観察により調べ、Ｎｉメッキ皮膜が存在しな
い部分が１０％以上のものを不良とした。
【００４０】 Ｎｉメッキ皮膜被覆率 Ｎｉメッキ皮膜形成後、光学顕微鏡により端子電極表面
を観察し、下地電極上のＮｉメッキ皮膜の被覆率を調べ
た。
を観察し、下地電極上のＮｉメッキ皮膜の被覆率を調べ
た。
【００４１】
【表１】
【００４２】表１より明らかなように、本発明によれ
ば、下地電極上に良好なメッキ皮膜を形成し、はんだ付
け性、はんだ耐熱性に優れた製品を製造することができ
る。
ば、下地電極上に良好なメッキ皮膜を形成し、はんだ付
け性、はんだ耐熱性に優れた製品を製造することができ
る。
【００４３】なお、上記実施例では、積層セラミックコ
ンデンサを例示したが、本発明は、積層セラミックコン
デンサに限らず、チップ抵抗、チップサーミスタ、チッ
プインダクター等の外部電極を有する全てのチップ型電
子部品に適用できることは言うまでもない。
ンデンサを例示したが、本発明は、積層セラミックコン
デンサに限らず、チップ抵抗、チップサーミスタ、チッ
プインダクター等の外部電極を有する全てのチップ型電
子部品に適用できることは言うまでもない。
【００４４】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型電
子部品の外部電極形成方法によれば、はんだ付け性とは
んだ耐熱性に優れた非常に信頼性の高いチップ型電子部
品が提供される。
子部品の外部電極形成方法によれば、はんだ付け性とは
んだ耐熱性に優れた非常に信頼性の高いチップ型電子部
品が提供される。
【図１】本発明の方法で製造されるチップ型電子部品の
一実施例に係る積層セラミックコンデンサを示す断面図
である。
一実施例に係る積層セラミックコンデンサを示す断面図
である。
１ 内部電極 ２ セラミック誘電体 ３ ベアチップ ４ 下地電極 ５ Ｎｉメッキ皮膜 ６ はんだメッキ皮膜 １０ 積層セラミックコンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/252 4/30 ３１１ Ｅ 7924−5Ｅ 9174−5Ｅ Ｈ０１Ｇ 1/14 Ｖ
Claims (6)
- 【請求項１】 セラミック焼結体からなるベアチップの
側面に、金属粉末とガラス及び／又は無機酸化物とを含
むペーストを焼き付けて下地電極を形成した後、該下地
電極上にメッキ膜を形成して外部電極を形成する方法に
おいて、 メッキ膜の形成に先立ち、下地電極表面を研磨処理し
て、該下地電極の表層の一部を除去することを特徴とす
るチップ型電子部品の外部電極形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、金属と
してＡｇ或いはＡｇとＰｄを含有する下地電極の上にＮ
ｉメッキ膜を形成し、更に、このＮｉメッキ膜上にＳｎ
或いはＳｎ／Ｐｂメッキ膜を形成することを特徴とする
チップ型電子部品の外部電極形成方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の方法において、
研磨処理は研磨粉を用いて行うことを特徴とするチップ
型電子部品の外部電極形成方法。 - 【請求項４】 請求項３の方法において、研磨粉はＳｉ
Ｃ研磨粉であることを特徴とするチップ型電子部品の外
部電極形成方法。 - 【請求項５】 請求項３又は４の方法において、研磨処
理を研磨粉と界面活性剤とを用いて行うことを特徴とす
るチップ型電子部品の外部電極形成方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項に記載
の方法において、チップ型電子部品が積層セラミックコ
ンデンサであることを特徴とするチップ型電子部品の外
部電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6212689A JPH0878279A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | チップ型電子部品の外部電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6212689A JPH0878279A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | チップ型電子部品の外部電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878279A true JPH0878279A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16626802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6212689A Withdrawn JPH0878279A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | チップ型電子部品の外部電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878279A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0836199A3 (en) * | 1996-10-09 | 1999-01-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor chips and methods of making same |
| JP2002134372A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-10 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
| JP2011035147A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Tdk Corp | コイル部品の製造方法及びコイル部品 |
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| JP2019140371A (ja) * | 2018-02-08 | 2019-08-22 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | インダクタ |
| US10957489B2 (en) | 2016-09-28 | 2021-03-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Medium and method of manufacturing electronic component |
-
1994
- 1994-09-06 JP JP6212689A patent/JPH0878279A/ja not_active Withdrawn
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| US11056272B2 (en) | 2018-02-08 | 2021-07-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor |
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|---|---|---|---|
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