JPH0878342A - ｎ型非晶質半導体の形成方法及び光起電力装置の製造方法 - Google Patents
ｎ型非晶質半導体の形成方法及び光起電力装置の製造方法Info
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- JPH0878342A JPH0878342A JP6213793A JP21379394A JPH0878342A JP H0878342 A JPH0878342 A JP H0878342A JP 6213793 A JP6213793 A JP 6213793A JP 21379394 A JP21379394 A JP 21379394A JP H0878342 A JPH0878342 A JP H0878342A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ｐｉｎ型非晶質光起電力装置のｎ層に使用さ
れる、ドーピング特性の改善を図ったｎ型非晶質半導体
を形成する。 【構成】 真空チャンバ１内の平行平板電極2a, 2bにガ
ラス基板３を載置し、高周波電源４により高周波を印加
し、マスフローコントローラ8a, 8bにて流量を制御した
ＳｉＨ4 ガス及びターシャリブチルホスフィン（ＴＢ
Ｐ）ガスを配管９を介して真空チャンバ１内に導入し
て、ガラス基板３上にｎ型ａ−Ｓｉ膜を形成する。
れる、ドーピング特性の改善を図ったｎ型非晶質半導体
を形成する。 【構成】 真空チャンバ１内の平行平板電極2a, 2bにガ
ラス基板３を載置し、高周波電源４により高周波を印加
し、マスフローコントローラ8a, 8bにて流量を制御した
ＳｉＨ4 ガス及びターシャリブチルホスフィン（ＴＢ
Ｐ）ガスを配管９を介して真空チャンバ１内に導入し
て、ガラス基板３上にｎ型ａ−Ｓｉ膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマＣＶＤ法等の
気相成長法を用いてｎ型非晶質半導体を形成する方法、
及び、この形成方法を利用して非晶質光起電力装置を製
造する方法に関するものである。
気相成長法を用いてｎ型非晶質半導体を形成する方法、
及び、この形成方法を利用して非晶質光起電力装置を製
造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、クリーンなエネルギとして、太陽
光発電が注目されており、その中でも特に非晶質半導体
を用いた非晶質太陽電池は、コストの面で他の種類の太
陽電池よりも有望であるので、その研究開発が積極的に
進められている。
光発電が注目されており、その中でも特に非晶質半導体
を用いた非晶質太陽電池は、コストの面で他の種類の太
陽電池よりも有望であるので、その研究開発が積極的に
進められている。
【０００３】一般的な非晶質太陽電池は、ガラス基板の
上に、ＩＴＯ，ＳｎＯ2 等の透明導電膜、ｐ型，ｉ型，
ｎ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜、Ａｇ，Ａｕ等の裏
面電極をこの順に積層形成して構成されている。このａ
−Ｓｉ膜は、特開昭60-30182号公報にも開示されている
ように、ｐ型，ｉ型，ｎ型の各層を別々のプラズマＣＶ
Ｄ装置内で順次形成する、所謂、連続分離方式にて作製
されている。
上に、ＩＴＯ，ＳｎＯ2 等の透明導電膜、ｐ型，ｉ型，
ｎ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜、Ａｇ，Ａｕ等の裏
面電極をこの順に積層形成して構成されている。このａ
−Ｓｉ膜は、特開昭60-30182号公報にも開示されている
ように、ｐ型，ｉ型，ｎ型の各層を別々のプラズマＣＶ
Ｄ装置内で順次形成する、所謂、連続分離方式にて作製
されている。
【０００４】ところで、半導体材料としてのａ−Ｓｉの
歴史は、1975年にダンディ大学のSpear らが、水素でＳ
ｉの未結合手をターミネートすることによって膜の欠陥
を減らして価電子（ｐｎ）制御に成功したことから始ま
っており、現在までに既に20年近くの年数を経過してい
る。しかしながら、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＨ 4
ガスを分解してｉ型ａ−Ｓｉ層を形成し、プラズマＣＶ
Ｄ法を用いてドーピングガスとしてＢ2 Ｈ6 を添加しな
がらＳｉＨ4 ガスを分解してｐ型ａ−Ｓｉ層を形成し、
プラズマＣＶＤ法を用いてドーピングガスとしてＰＨ3
を添加しながらＳｉＨ4 ガスを分解してｎ型ａ−Ｓｉ層
を形成するという手法は、現在に至るまで基本的には変
化していない。
歴史は、1975年にダンディ大学のSpear らが、水素でＳ
ｉの未結合手をターミネートすることによって膜の欠陥
を減らして価電子（ｐｎ）制御に成功したことから始ま
っており、現在までに既に20年近くの年数を経過してい
る。しかしながら、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＨ 4
ガスを分解してｉ型ａ−Ｓｉ層を形成し、プラズマＣＶ
Ｄ法を用いてドーピングガスとしてＢ2 Ｈ6 を添加しな
がらＳｉＨ4 ガスを分解してｐ型ａ−Ｓｉ層を形成し、
プラズマＣＶＤ法を用いてドーピングガスとしてＰＨ3
を添加しながらＳｉＨ4 ガスを分解してｎ型ａ−Ｓｉ層
を形成するという手法は、現在に至るまで基本的には変
化していない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】民生用のａ−Ｓｉ光起
電力装置は、今日まで順調にその製品化が進められてき
たが、今後、ａ−Ｓｉ光起電力装置の電力用への実用化
を促進するためには、その光電変換の高効率化が最も重
要な課題である。即ち、具体的には、ａ−Ｓｉ光起電力
装置の光電変換体を構成しているｐｉｎ各層の更なる高
品質化が問題である。
電力装置は、今日まで順調にその製品化が進められてき
たが、今後、ａ−Ｓｉ光起電力装置の電力用への実用化
を促進するためには、その光電変換の高効率化が最も重
要な課題である。即ち、具体的には、ａ−Ｓｉ光起電力
装置の光電変換体を構成しているｐｉｎ各層の更なる高
品質化が問題である。
【０００６】これまで、ｉ型ａ−Ｓｉについては、低不
純化または反応条件の最適化などの点で、ｐ型ａ−Ｓｉ
については、炭素化またはドーピングガスとしてトリメ
チルボロン（Ｂ（ＣＨ3 ）3 ）の使用などの点でそれぞ
れに改善がなされており、かなりの成果をあげている。
しかしながら、ｎ型ａ−Ｓｉについては、窒素化または
微結晶化などの点においていろいろな試みがなされてい
るが、所望の成果をあげていないのが現状である。
純化または反応条件の最適化などの点で、ｐ型ａ−Ｓｉ
については、炭素化またはドーピングガスとしてトリメ
チルボロン（Ｂ（ＣＨ3 ）3 ）の使用などの点でそれぞ
れに改善がなされており、かなりの成果をあげている。
しかしながら、ｎ型ａ−Ｓｉについては、窒素化または
微結晶化などの点においていろいろな試みがなされてい
るが、所望の成果をあげていないのが現状である。
【０００７】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、ドーピングガスとしてターシャリブチルホスフ
ィンを用いることにより、ドーピング特性の改善を図っ
たｎ型非晶質半導体を形成できるｎ型非晶質半導体の形
成方法、及び、この形成方法を利用した光起電力装置の
製造方法を提供することを目的とする。
であり、ドーピングガスとしてターシャリブチルホスフ
ィンを用いることにより、ドーピング特性の改善を図っ
たｎ型非晶質半導体を形成できるｎ型非晶質半導体の形
成方法、及び、この形成方法を利用した光起電力装置の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１に係るｎ
型非晶質半導体の形成方法は、ドーピングガスとしてタ
ーシャリブチルホスフィンを用いることを特徴とする。
型非晶質半導体の形成方法は、ドーピングガスとしてタ
ーシャリブチルホスフィンを用いることを特徴とする。
【０００９】本願の請求項２に係るｎ型非晶質半導体の
形成方法は、真空容器内に導入したガスを分解して、ｎ
型非晶質半導体を形成する方法において、導電型を決定
するために添加するドーピングガスとしてターシャリブ
チルホスフィンを用いることを特徴とする。
形成方法は、真空容器内に導入したガスを分解して、ｎ
型非晶質半導体を形成する方法において、導電型を決定
するために添加するドーピングガスとしてターシャリブ
チルホスフィンを用いることを特徴とする。
【００１０】本願の請求項３に係るｎ型非晶質半導体の
形成方法は、請求項２において、前記ｎ型非晶質半導体
の主たる構成材料が、シリコンまたはゲルマニウム、或
いは、これらの酸化物，窒化物，炭化物であることを特
徴とする。
形成方法は、請求項２において、前記ｎ型非晶質半導体
の主たる構成材料が、シリコンまたはゲルマニウム、或
いは、これらの酸化物，窒化物，炭化物であることを特
徴とする。
【００１１】本願の請求項４に係る光起電力装置の製造
方法は、光電変換層としてｐｉｎ接合の非晶質半導体膜
を有する光起電力装置を製造する方法において、ドーピ
ングガスとしてターシャリブチルホスフィンを用いて、
前記非晶質半導体膜のｎ層を形成することを特徴とす
る。
方法は、光電変換層としてｐｉｎ接合の非晶質半導体膜
を有する光起電力装置を製造する方法において、ドーピ
ングガスとしてターシャリブチルホスフィンを用いて、
前記非晶質半導体膜のｎ層を形成することを特徴とす
る。
【００１２】
【作用】本発明では、非晶質半導体の導電型（ｎ型）を
決定するために添加するドーピングガスとしてターシャ
リブチルホスフィン（（ＣＨ3 ）3 ＣＰＨ2 ）を使用す
る。よって、ドーピングガスとしてＰＨ3 ホスフィン
（ＰＨ3 ）を使用していた従来例に比べて、格段にドー
ピング特性が改善される。従って、本発明にて形成した
ｎ型非晶質半導体を非晶質光起電力装置に用いた場合、
変換効率等の装置特性を向上することが可能となる。
決定するために添加するドーピングガスとしてターシャ
リブチルホスフィン（（ＣＨ3 ）3 ＣＰＨ2 ）を使用す
る。よって、ドーピングガスとしてＰＨ3 ホスフィン
（ＰＨ3 ）を使用していた従来例に比べて、格段にドー
ピング特性が改善される。従って、本発明にて形成した
ｎ型非晶質半導体を非晶質光起電力装置に用いた場合、
変換効率等の装置特性を向上することが可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。
いて具体的に説明する。
【００１４】図１は、本発明のｎ型非晶質半導体の形成
方法の実施状態を示す概略図であり、図中１は真空チャ
ンバである。真空チャンバ１内には、上部放電電極2a、
及びヒータを内蔵した下部放電電極2bが対向して配置さ
れている。下部放電電極2b上には、成膜対象のガラス基
板３が載置されている。真空チャンバ１には、高周波電
源４により 13.56ＭＨｚの高周波電圧が印加される。ま
た、真空チャンバ１には排気システム５が接続されてお
り、その内部が真空状態に維持される。そして、上部放
電電極2a，下部放電電極2b間に真空放電が生じてプラズ
マが発生するようになっている。
方法の実施状態を示す概略図であり、図中１は真空チャ
ンバである。真空チャンバ１内には、上部放電電極2a、
及びヒータを内蔵した下部放電電極2bが対向して配置さ
れている。下部放電電極2b上には、成膜対象のガラス基
板３が載置されている。真空チャンバ１には、高周波電
源４により 13.56ＭＨｚの高周波電圧が印加される。ま
た、真空チャンバ１には排気システム５が接続されてお
り、その内部が真空状態に維持される。そして、上部放
電電極2a，下部放電電極2b間に真空放電が生じてプラズ
マが発生するようになっている。
【００１５】真空チャンバ１は、配管９を介してＳｉＨ
4 ボンベ６及びターシャリブチルホスフィン（以下ＴＢ
Ｐという）ボンベ７に連結されている。配管９の中途に
は、ＳｉＨ4 のガス流量を制御するマスフローコントロ
ーラ8aとＴＢＰのガス流量を制御するマスフローコント
ローラ8bとが設けられている。ＴＢＰボンベ７の周囲に
はＴＢＰを気化するためのヒータ10が設置されている。
また、配管９にはその内部を加温するためのコイル11が
囲繞されている。
4 ボンベ６及びターシャリブチルホスフィン（以下ＴＢ
Ｐという）ボンベ７に連結されている。配管９の中途に
は、ＳｉＨ4 のガス流量を制御するマスフローコントロ
ーラ8aとＴＢＰのガス流量を制御するマスフローコント
ローラ8bとが設けられている。ＴＢＰボンベ７の周囲に
はＴＢＰを気化するためのヒータ10が設置されている。
また、配管９にはその内部を加温するためのコイル11が
囲繞されている。
【００１６】次に、動作について説明する。真空チャン
バ１内の下部放電電極2b上にガラス基板３を載置し、排
気システム５により真空チャンバ１内を真空状態に維持
し、高周波電源４により 13.56ＭＨｚの高周波電圧を印
加する。一方、ＳｉＨ4 ボンベ６からマスフローコント
ローラ8aにてその流量を制御したＳｉＨ4 ガスを、コイ
ル11への通電により内部を50℃程度に維持した配管９を
介して真空チャンバ１内に導入する。また、ヒータ10に
て30〜40℃に加熱して気化させたＴＢＰボンベ７内のＴ
ＢＰガスを、マスフローコントローラ8bにてその流量を
制御し、配管９を介して真空チャンバ１内に導入する。
上部放電電極2a，下部放電電極2b間にプラズマが発生し
てＳｉＨ4 が分解され、またＴＢＰから解離されたＰが
ドープされて、ガラス基板３上にｎ型ａ−Ｓｉ層が成膜
される。
バ１内の下部放電電極2b上にガラス基板３を載置し、排
気システム５により真空チャンバ１内を真空状態に維持
し、高周波電源４により 13.56ＭＨｚの高周波電圧を印
加する。一方、ＳｉＨ4 ボンベ６からマスフローコント
ローラ8aにてその流量を制御したＳｉＨ4 ガスを、コイ
ル11への通電により内部を50℃程度に維持した配管９を
介して真空チャンバ１内に導入する。また、ヒータ10に
て30〜40℃に加熱して気化させたＴＢＰボンベ７内のＴ
ＢＰガスを、マスフローコントローラ8bにてその流量を
制御し、配管９を介して真空チャンバ１内に導入する。
上部放電電極2a，下部放電電極2b間にプラズマが発生し
てＳｉＨ4 が分解され、またＴＢＰから解離されたＰが
ドープされて、ガラス基板３上にｎ型ａ−Ｓｉ層が成膜
される。
【００１７】上述の実施例において、ＴＢＰのガス流量
とＳｉＨ4 のガス流量との比を変化させて形成したｎ型
ａ−Ｓｉ層の暗導電率の変化を図２に示す。図２におい
て、横軸は両ガスの流量比（ＮTBP ／ＮSiH4）を示し、
縦軸は暗導電率〔Ω-1cm-1〕を示す。また、比較のため
に、ドーピングガスとしてＰＨ3 を使用した従来例にお
けるＰＨ3 とＳｉＨ4 とのガス流量の比（ＮPH3 ／Ｎ
SiH4）と形成したｎ型ａ−Ｓｉ層の暗導電率との関係
を、図２と同様に、図３に示す。何れの例においても、
プラズマＣＶＤ反応の条件は、圧力：10Ｐａ，基板温
度：200 ℃，高周波電力：30Ｗ，トータルガス流量：10
ＳＣＣＭ（一定）とした。
とＳｉＨ4 のガス流量との比を変化させて形成したｎ型
ａ−Ｓｉ層の暗導電率の変化を図２に示す。図２におい
て、横軸は両ガスの流量比（ＮTBP ／ＮSiH4）を示し、
縦軸は暗導電率〔Ω-1cm-1〕を示す。また、比較のため
に、ドーピングガスとしてＰＨ3 を使用した従来例にお
けるＰＨ3 とＳｉＨ4 とのガス流量の比（ＮPH3 ／Ｎ
SiH4）と形成したｎ型ａ−Ｓｉ層の暗導電率との関係
を、図２と同様に、図３に示す。何れの例においても、
プラズマＣＶＤ反応の条件は、圧力：10Ｐａ，基板温
度：200 ℃，高周波電力：30Ｗ，トータルガス流量：10
ＳＣＣＭ（一定）とした。
【００１８】図２，図３の比較から、ＴＢＰを用いる本
発明例ではＰＨ3 を用いる従来例に比べて、約１桁少な
い流量比で同じ暗導電率が得られ、また、１％以上ドー
ピングした場合には５倍以上の高い暗導電率が得られる
ことが分かる。
発明例ではＰＨ3 を用いる従来例に比べて、約１桁少な
い流量比で同じ暗導電率が得られ、また、１％以上ドー
ピングした場合には５倍以上の高い暗導電率が得られる
ことが分かる。
【００１９】本発明のようにＴＢＰを用いた場合に、Ｐ
Ｈ3 を用いる従来例よりドーピング特性が改善される理
由としては、ＴＢＰとＰＨ3 ではＰの同位体の割合が異
なっていてドーパントとしての活性化率が違ってくる、
または、ＰＨ3 ではＰ原子が３個の水素原子と結合して
いるがＴＢＰではＰ原子が２個の水素原子及び１個の炭
素原子と結合していてＰの解離度が異なってくる等の理
由が考えられる。
Ｈ3 を用いる従来例よりドーピング特性が改善される理
由としては、ＴＢＰとＰＨ3 ではＰの同位体の割合が異
なっていてドーパントとしての活性化率が違ってくる、
または、ＰＨ3 ではＰ原子が３個の水素原子と結合して
いるがＴＢＰではＰ原子が２個の水素原子及び１個の炭
素原子と結合していてＰの解離度が異なってくる等の理
由が考えられる。
【００２０】次に、本発明（ＴＢＰ使用）により形成し
たｎ型非晶質半導体を光電変換体のｐｉｎ結合のｎ層に
用いたａ−Ｓｉ光起電力装置を製造して、その光電変換
特性を測定した。また、比較例として、上述した従来例
（ＰＨ3 使用）のｎ型非晶質半導体を同じくｎ層に用い
たａ−Ｓｉ光起電力装置を製造して、その光電変換特性
を測定した。これらの結果を下記表１に示す。なお、こ
れらのａ−Ｓｉ光起電力装置においては、ｐｉｎ結合の
ｎ層のみが異なっているだけであり、ｐ層，ｉ層を含め
て他の形成条件は同一である。
たｎ型非晶質半導体を光電変換体のｐｉｎ結合のｎ層に
用いたａ−Ｓｉ光起電力装置を製造して、その光電変換
特性を測定した。また、比較例として、上述した従来例
（ＰＨ3 使用）のｎ型非晶質半導体を同じくｎ層に用い
たａ−Ｓｉ光起電力装置を製造して、その光電変換特性
を測定した。これらの結果を下記表１に示す。なお、こ
れらのａ−Ｓｉ光起電力装置においては、ｐｉｎ結合の
ｎ層のみが異なっているだけであり、ｐ層，ｉ層を含め
て他の形成条件は同一である。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１の結果から分かるように、本発明によ
り形成したｎ型非晶質半導体を使用したａ−Ｓｉ光起電
力装置では、従来例により形成したｎ型非晶質半導体を
使用したａ−Ｓｉ光起電力装置に比べて、ｎ層の改善に
より、内部電界の強化，ｉ層とｎ層との界面での再結合
の減少及び直列抵抗の減少を図ることができ、開放電圧
（ＶOC），短絡電流（ＩSC），曲線因子（ＦＦ），変換
効率というすべての特性についての向上を実現できてい
る。
り形成したｎ型非晶質半導体を使用したａ−Ｓｉ光起電
力装置では、従来例により形成したｎ型非晶質半導体を
使用したａ−Ｓｉ光起電力装置に比べて、ｎ層の改善に
より、内部電界の強化，ｉ層とｎ層との界面での再結合
の減少及び直列抵抗の減少を図ることができ、開放電圧
（ＶOC），短絡電流（ＩSC），曲線因子（ＦＦ），変換
効率というすべての特性についての向上を実現できてい
る。
【００２３】なお、上述の実施例では、プラズマＣＶＤ
法を用いたが、公知の光ＣＶＤ法またはマイクロＣＶＤ
法等を用いても同様の効果を得ることができる。
法を用いたが、公知の光ＣＶＤ法またはマイクロＣＶＤ
法等を用いても同様の効果を得ることができる。
【００２４】また、ｎ型非晶質半導体の材料としてａ−
Ｓｉの場合について説明したが、ａ−ＳｉＧｅ，ａ−Ｓ
ｉＮ，ａ−ＳｉＣ，ａ−ＳｉＯ等の他の非晶質半導体に
ついても全く同様に行えることは勿論であり、同様の効
果が得られる。
Ｓｉの場合について説明したが、ａ−ＳｉＧｅ，ａ−Ｓ
ｉＮ，ａ−ＳｉＣ，ａ−ＳｉＯ等の他の非晶質半導体に
ついても全く同様に行えることは勿論であり、同様の効
果が得られる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明では、従来のような
ＰＨ3 に代えてＴＢＰを使用するので、従来例に比べて
暗導電率に優れたｎ型非晶質半導体を形成することがで
き、この形成したｎ型非晶質半導体を光起電力装置に使
用した場合にその特性を著しく向上することが可能とな
る。本発明で使用するＴＢＰはＰＨ3 と比較してドーピ
ング効率に優れているので、少量の使用により同等以上
の膜特性を得ることができる。また、ＴＢＰはＰＨ3 よ
りも格段に毒性が弱いので、最近問題となっている特殊
材料ガスに対する防災上の処理も簡易となる。
ＰＨ3 に代えてＴＢＰを使用するので、従来例に比べて
暗導電率に優れたｎ型非晶質半導体を形成することがで
き、この形成したｎ型非晶質半導体を光起電力装置に使
用した場合にその特性を著しく向上することが可能とな
る。本発明で使用するＴＢＰはＰＨ3 と比較してドーピ
ング効率に優れているので、少量の使用により同等以上
の膜特性を得ることができる。また、ＴＢＰはＰＨ3 よ
りも格段に毒性が弱いので、最近問題となっている特殊
材料ガスに対する防災上の処理も簡易となる。
【図１】本発明のｎ型非晶質半導体の形成方法の実施状
態を示す概略図である。
態を示す概略図である。
【図２】本発明の形成方法にて形成したｎ型非晶質半導
体の材料ガス流量比（ＴＢＰ／ＳｉＨ4 ）と暗導電率と
の関係を示すグラフである。
体の材料ガス流量比（ＴＢＰ／ＳｉＨ4 ）と暗導電率と
の関係を示すグラフである。
【図３】従来の形成方法にて形成したｎ型非晶質半導体
の材料ガス流量比（ＰＨ3 ／ＳｉＨ4 ）と暗導電率との
関係を示すグラフである。
の材料ガス流量比（ＰＨ3 ／ＳｉＨ4 ）と暗導電率との
関係を示すグラフである。
１ 真空チャンバ 2a 上部放電電極 2b 下部放電電極 ３ ガラス基板 ４ 高周波電源 ５ 排気系 ６ ＳｉＨ4 ボンベ ７ ＴＢＰボンベ 8a，8b マスフローコントローラ ９ 配管 10 ヒータ 11 コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｍ 9216−2Ｇ
Claims (4)
- 【請求項１】 ドーピングガスとしてターシャリブチル
ホスフィンを用いることを特徴とするｎ型非晶質半導体
の形成方法。 - 【請求項２】 真空容器内に導入したガスを分解して、
ｎ型非晶質半導体を形成する方法において、導電型を決
定するために添加するドーピングガスとしてターシャリ
ブチルホスフィンを用いることを特徴とするｎ型非晶質
半導体の形成方法。 - 【請求項３】 前記ｎ型非晶質半導体の主たる構成材料
が、シリコンまたはゲルマニウム、或いは、これらの酸
化物，窒化物，炭化物であることを特徴とする請求項２
記載のｎ型非晶質半導体の形成方法。 - 【請求項４】 光電変換層としてｐｉｎ接合の非晶質半
導体膜を有する光起電力装置を製造する方法において、
ドーピングガスとしてターシャリブチルホスフィンを用
いて、前記非晶質半導体膜のｎ層を形成することを特徴
とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6213793A JPH0878342A (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | ｎ型非晶質半導体の形成方法及び光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6213793A JPH0878342A (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | ｎ型非晶質半導体の形成方法及び光起電力装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878342A true JPH0878342A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16645149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6213793A Pending JPH0878342A (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | ｎ型非晶質半導体の形成方法及び光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878342A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012134541A (ja) * | 2009-02-17 | 2012-07-12 | Korea Inst Of Industrial Technology | 誘導結合プラズマ化学気相蒸着法を利用した太陽電池の製造方法 |
-
1994
- 1994-09-07 JP JP6213793A patent/JPH0878342A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012134541A (ja) * | 2009-02-17 | 2012-07-12 | Korea Inst Of Industrial Technology | 誘導結合プラズマ化学気相蒸着法を利用した太陽電池の製造方法 |
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